CF制程简介

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信利半导体研发中心交叉培训教材
第一部分： LCD PANEL A线用的主要材料基本特性
2、CF材料基本特性（5）
CF的明亮度提升的方法之方法有薄膜化（低颜料浓度）和光谱透过波长 区域的宽广化两种，而CF的彩度提升的方法有厚膜化（高颜料浓度）和光谱 透过波长区域的狭窄化。 一般TFT-LCD的MODULE所使用的背光灯，其频率会在短/中/长波长处出现 3个明显的PEAK，根据这三个PEAK所对应之波长（此所谓特定波长）来订定 RGB三种颜色之透过率，举例说明： CF色层 R G B 435nm 5%以下 5%以下 60-80% 545nm 5%以下 72-86% 5%以下 610nm 72-96% 25% 5%以下
表
示
用
途
简单的数位或数字表 示 小型文字和简单图形 表示（320*64） 复杂文字和动态影像 表示（640*200） 高解析度文字、图形 和动态影像表示 （640*400）
30∽200 10∽30 10以下
时 钟 、 计 算 器 、 TOUCH-PANEL 等 LCD 家用品或家电产品用、 游戏机、量测仪器用 LCD
MOBILE PHONE用 等 PDP 、 EL 、 LCD 以 及 COLOE-FILTER 之电极材料
5
信利半导体研发中心交叉培训教材
第一部分： LCD PANEL A线用的主要材料基本特性
1、ITO导电玻璃（4）
一般ITO透明导电膜（折射率约为1.9）的品质特性需求有低表面电阻（ ＜10 Ω /□）、高的透过率（80-92%/550nm光波）、低比电阻值（＜
彩色显示用的RGB著色图案（R、G、B）； 保护著色层的透明保护膜（O/C）； 驱动液晶的透明电极膜（ITO）

Coater Pre-bake
Aligner Titler Developer
Coater Pre-bake
ITO sputter
Coater Pre-bake
Back exposure Oven
Oven
Defect inspection Repair
Defect inspection Defect inspection Repair Repair
• C/F 制程简介
• 提高附加价值技术发展
2
CANDO Proprietary & Confidential
TFT LCD 简介
LCD控制IC
影像处理 电路
直流变压 电路
3
CANDO Proprietary & Confidential
TFT-LCD Structure
放大
4
CANDO Proprietary & Confidential
eeITO ITO
eITO
ITO ITO
e-
ITO ITO ITO
接觸後，若電子 流過大，將使 Cr Pattern邊緣或尖 端異常放電而呈 燒灼狀。
eee-
ITO
e-
ITO
eee-
玻璃基板 Metal Mask ITO 膜 BM Pattern
接地
23
CANDO Proprietary & Confidential
16
CANDO Proprietary & Confidential
黑色数组图案(BM)总长_Total Pitch
Total Pitch 变宽
部份偏移
17
CANDO Proprietary & Confidential

16
Cell TEST-2 CELLtest-1
WO/SB TEST Waveform
data c b scan 63.5us 16.7ms a
com
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CELL TEST-2
WO/SB TEST 的 作 用 (一)
• 有些產品 shorting bar 受傷使信號無法傳 遞 , 故借由導電橡皮將線路short .
metal film
O-ring
flat heater
4-6a.Scribe & Break
【製程目的】將組合熱壓完成之大片基板組，切裂成最終尺寸之cell。
4-6b.切割方式
切割是以硬度比玻璃高的工具，在玻璃表面施加壓力行走，使玻璃產生線狀 crack；基本上cell與單板的切割方法相同。 1、diamond scriber(point tool)：其median crack深度會有各種變化，因 diamond尖端會磨耗，故難以得到穩定的銳利度。 2、超硬/diamond wheel chip：現行LCD之切割皆採用此方式。 3、Laser criber：尚在基礎實驗中。
Scan driver(Gate-line)
CF ITO電極 Source Gate 液晶分子 Pixel電極 Drain
2-4.TFT-LCD剖面圖
3-2.LCD流程-Overall
TFT基板
PI塗布
PI配向
框膠/銀點
TFT/CF 組合/ 熱壓/切裂
CF基板 PI塗布 PI配向 Spacer撒布
4-6c.裂片方式
Cell的裂片方法，是在產生引張應力的地方，施加局部壓縮應力進行裂片。Cell進行裂 片時，切割面接觸裂片檯面，上方以樹脂製成之加壓片施加壓縮荷重；此時因Glass與 檯面的縱向彈性係數不同，會沿著切割線形成引張應力及彎曲應力。

四.制程DEFECT
造成不良現的原因大多來自於上游玻璃制程.一般來說基板周邊因制程中央取搬送 之需求,刮傷不良通常不計,但如遇有進行性的玻璃裂痕為避免下游制程產生破 片之情況通常將此判為不良,而CF制程中由CF取放,抽取之動作及切裂工程通 常會造成里面刮傷,擦傷,里面異物及基板端破損或貝殼狀欠陷等不良,如圖:
玻璃基板簡介
玻璃基板的結構 玻璃基板的制造流程簡介 玻璃基板的具體流程簡介 制程DEFECT 發展趨勢

一.玻璃基板的結構

玻璃基板由CF和TFT兩部分組成,如圖:
光擴散板
導光板
棱鏡板
反射板
背光燈管
下偏光板 異方性導電 膜
補價電容
ITO顯示電 極
液晶 ITO共用極 保護膜 顏色區 TAB 驅動IC 上玻璃
3)面板切割 以TFT與CF的封准組合再以超硬質鋼刀滾輪切割再壓裂的方式得到每一片面板. 以后隋著外型,大小及模組外型的狹框化,薄型化的發展,以超硬質鋼刀無法潢足 要求,以后以雷射切割的方式. 4)液晶注入 I將玻璃在機台上用外框固定好,用直下式的方法注入液晶注入液晶時,應注意避 免造成spacer broken及spacer聚集.) II先讓CELL內部真空化后,將CELL的液晶注放口浸入液晶槽中,再以氮氣 作破真 空的動作,內外壓力差與毛細現會使液晶注入CELL內部 當液晶注入時的形狀及排列方式
四種常見的TFT結構示意圖
正常型 堆疊型
gate drain
反轉型
source
gate
drain
gate
source
共平面
drain
source
drain
source
gate

2.CF黄光制程简介(以RGB为例)
BM工程 < 光阻涂布>
・均匀涂布光阻
基板洗浄 < 曝光 >
ＵＶ
光阻涂布
预烘烤 曝光 显影 烘烤
前 段
・通过mask光罩的 pattern进行照射
后 段
< 显影・烘烤 > Red
・显影 将未经曝光的光阻 去除以形成光阻图案 ・烘烤 加速光阻固化成型
依次RGB Red ,Blue ,Green依次 进行黄光制程，形成图案
二、CF制程的特性
2.CF制程黄光特性值（PS）
主要针对前段制程，光阻涂布 主要针对后段制程，曝光、显影
高度
Photo Spacer的高度 （即膜厚）
PS
CD Overlay
Photo Spacer的线宽 通过与BM test key的重叠 区域线宽来衡量曝光精度
x
31/82
CSOT-CONFIDENTIAL
二、CF制程的特性
2.CF制程黄光特性值（RGB-CD & Overlay） R OL1 R OL2
BM
R CD
B CD
G CD
因为RGB是以BM mark为基准进行对位曝光，曝光的位置精度就通过 RGB与BM边框的重叠区域大小（Overlay）来衡量。
最佳值是：Overlay 1=Overlay 2
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CSOT-CONFIDENTIAL
二、CF制程的特性
2.CF制程黄光特性值（RGB-CD & Overlay）
OL
OL
Overlay偏移，一方面可能导致漏光，另一方面可能和其他色阻膜层造成重叠堆高
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CSOT-CONFIDENTIAL

CF Process Flow
Cr/CrOx sputter Red Green Blue ITO sputter DD PS
BM photo
Cr/CrOx etching
BM PR stripping
TN
TN+PS
MVA MVA+PS
CF結構正視圖 結構正視圖
Driver attachment area
CF = Color Filter (彩色濾光片)Fra bibliotek薄膜 :
BM/ITO sputter BM photo lithography BM etching
黃光 :
R/G/B photo lithography & cure Protrution (DD) photo lithography & cure Photo-spacer (PS) photo-lithography & cure
CF 製 程 簡 介
CF的種類 分工 : 薄膜, 黃光, 檢測 CF製程基本步驟 CF結構正視圖 CF結構剖面圖 未來的製程變化
CF的種類 的種類
Dye (染色法) Dry Film (色層貼付) – 35KCF Pigment Dispersion (顏料分散法)
CF製程分工概況 製程分工概況
END
檢測 :
Defect Inspection Final Inspection Repair
CF製程基本步驟 製程基本步驟
正光阻製程 : 光阻照到紫外光的部份會在 後續顯影步驟中被移除. 如 : BM, DD. 負光阻製程 :光阻沒照到紫外光的部份會 在後續顯影步驟中被移除. 如 : R, G, B, PS.

UV
Images
Binder Pigment Photo-initiator
Soluble
Insoluble
Process of Color Filter fabrication methods
Type BM Substrate Resist Coating Dyeing P i g m e n t D i s p e r s e d BM Substrate
Spinless
– Coater VCD HP/CP
CF 製程檢查項目
1.黑色矩陣製程(BM patterning process) 1.1.BM PHOTO & Etching LINE
顯影後缺陷檢查 ADI (After Developer Inspection) 巨觀檢查 ( Macro review ) 2 1.Total Pitch ( 長寸法) 2.CD (Critical Dimension ) 3.Mark to Edge ( 端寸法 ) 1 3
1.MVA產品 產品: 產品
BM
R
G
B
ITO
MVA
PS
2.DJ ITO產品 產品: 產品 a. O/C
BM BM
R R
G G
B B
OC
ITO
PS PS
b. Ceramic
Ceramic + ITOO PS
黑色矩陣製程(RBM patterning process)
膜厚
What is DJ ITO?
D：Double ： J ： Jag DJ ITO：Double Jag(double etching) ITO ：
•提高對比 提高對比 •增加穿透率 增加穿透率 •Cost Down

CF工艺流程1. 简介CF（含碳纤维）是一种高性能的复合材料，由碳纤维和树脂基体组成。

它具有轻质、高强度、耐腐蚀等优点，在航空航天、汽车、体育器材等领域得到广泛应用。

CF工艺流程是将碳纤维与树脂进行预处理、预浸渍、层叠、固化等一系列步骤，最终制备出符合要求的CF复合材料制品。

2. 工艺流程步骤步骤一：准备工作在开始CF工艺流程之前，需要进行以下准备工作： - 准备所需原材料：包括碳纤维布（或预浸料）、树脂基体、固化剂等。

- 准备所需设备：包括模具、烘箱、真空袋等。

- 设计产品结构和尺寸，并准备好相关文档和图纸。

步骤二：预处理1.将碳纤维布切割成所需形状和尺寸。

2.对切割后的碳纤维布进行表面处理，去除杂质和油污，以提高树脂的附着性。

3.将处理后的碳纤维布进行烘干，以去除表面水分。

步骤三：预浸渍1.准备树脂基体和固化剂，并按照一定比例混合均匀。

2.将预处理后的碳纤维布放入预浸渍槽中，浸泡在树脂基体中。

3.控制预浸渍时间和温度，使树脂基体充分渗透到碳纤维布中。

步骤四：层叠1.将预浸渍后的碳纤维布取出，并轻轻挤去多余树脂。

2.将多层碳纤维布按照设计要求进行层叠，形成复合材料的结构。

3.在每一层之间加入适当数量的隔离纸或隔离膜，以防止粘连。

步骤五：固化1.将层叠好的复合材料放入模具中，并将模具封闭。

2.把封闭好的模具放入烘箱中，进行固化处理。

固化过程中需要控制温度和压力，以确保树脂基体充分固化。

3.固化时间根据树脂基体的类型和厚度而定，一般需要数小时至数十小时。

步骤六：后处理1.将固化后的复合材料取出模具，并进行修整、打磨等加工工序。

2.对加工后的复合材料进行非破坏性检测，以确保产品质量。

3.进行产品的表面处理，可以进行涂漆、喷涂等操作，以增加表面的美观性和耐久性。

3. 工艺流程优化为了提高CF工艺流程的效率和产品质量，可以采取以下优化措施： - 优化预浸渍过程中的温度、时间和压力参数，以提高树脂基体的渗透性。

複合材料的機械性質特徵
機械性質特徵
耐熱 為了增加氣體渦輪與噴射發動機的效率，儘可能增加入口氣體的溫度。但是目前使 用的超合金等耐熱材料其熔點的80%，即很難突破1,100度的高溫。如要突破則需 寄望於金屬基材的複合材料。 耐蝕 鐵放置在潮濕的空氣中，則易與空氣中的水分起反應而生氧化鐵，即所謂的紅銹。 銹是一種多孔且氧氣可自由流通的構造，生銹的反應沒有止境，一直到堅固物體都 蓋上一層銹。 輕量強度高 特殊機能
複合材製程介紹
製程介紹
1. 壓縮成型(熱固性最主要的加工) Compressing 壓縮成形法是將塑膠材料，放入模子的凹腔中，然後形成壓力於模子的上部， 或活塞部份，使軟化的塑膠受壓並延著模子的輪廓而成形。 壓縮成形法最適用於最後在模子中聚合作用的熱固性塑膠，因為模造是在壓 力下進行的，樹脂與填充劑及模子間可以緊密地接觸，減少蒸氣蒸發所引起的 分裂效果，可製得較緻密而強度高的成品，同時因為塑膠是在受熱狀態下放入 模腔中的，所比成形後即可取出，不必經過冷卻手續。熱塑性塑膠也可以用壓 縮成型法來製造
複合材製程介紹
製程介紹
2. 轉注成形 Transferring (RTM) 當所欲成形的零件太複製，或零件含有插件時，用壓縮成型可能破壞零件或 移動插件，於是衍生自壓縮成型的轉移成形法正可克服這些缺點。
複合材製程介紹
製程介紹
3. 真空輔助樹脂轉注成形技術(VARTM)(Autoclave) 當所欲成形的零件太複製，或零件含有插件時，用壓縮成型可能破壞零件或 移動插件，於是衍生自壓縮成型的轉移成形法正可克服這些缺點。
複合材製程介紹
製程參數(壓力釜RTM)
交貨Lead time : 3weeks 單價：9吋大小約 10~20 US (單取決於碳纖的組成 1000條>3000條>6000條) Cycle time：70 min 成形方式：採RTM成形(一模36穴) 碳纖厚度：0.45 (min) (紋路形碳纖---單層0.2~0.25mm，需疊2～3層) 噴漆：無需要 碳纖成形：光滑面是有模具壓平。紋路面沒有模具壓 碳纖：黑色；玻纖：白色/銀色 與鎂鋁 bonding 的膠為AB 膠 R角> 1.0 mm 良率預估：70％ 可以用碳纖加玻纖混合材 硬度：2H （一般）

實裝製程
— — — — — — ——
實 裝 工 程 流 程 簡 介
CELL面板工程 COG制程 COG點燈檢查 ACF贴附制程
LCD silicon
FOG制程 UV涂布制程 實裝點燈檢查
Silicon涂布制程 組立工程
silicon
silicon涂布机 silicon的作用：防止水气侵入，腐蚀引脚。
3是指利用acf直接在lcd玻璃面板上連接裸晶片barechipcog制程设备介绍制程设备介绍人工载入设备主体人工载出点灯检查cog制程材料介绍制程材料介绍ito引腳上偏光板下偏光板cftft基板端子部gate側source側cf側一面板一面板cog制程材料介绍制程材料介绍n二二acfq異方性導電膜異方性導電膜是一種半透明高分子的接續材料同時具有接著接著導電導電絕緣絕緣三種特性
作業：對M檢完LCD模組做外觀檢查 ，貼付出貨標籤。 材料：耐熱膠帶、標籤。 設備：人工作業。
組立製程
Burn-in
模組檢查
倉入製程
Packing (I)
倉入製程
Packing (II)
包裝製程
作業：使用包裝材將LCD模組包裝， 裝箱成板並利用盤膜機打包。 材料：防靜電袋、包裝紙箱、內外箱 出貨標籤、棧板、PE膜。 設備：人員作業、盤膜機。
MP4
大尺寸面板
中尺寸面板
手機
EeePC
數位相機
車載電視
PDA
GPS 數位像框
TFT LCD組成……模組結構圖
鐵框 PWB IC 面板 B/L
TFT LCD組成……模組迴路結構圖
S PWB
S-COF IC
中尺寸機種迴路 結構圖 ※不同於大尺寸機 種，使用COG製程 對應

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CHINA STAR
OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY
CF制程简介
目录
一
• CF结构功能介 绍
二
• CF制作方式
• CF制作流程
三
• 制程工艺简介
ITO膜厚； １５００Å 着色膜厚：1.5μm
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4/N
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OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY
1/N
光罩
BM 玻璃
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2/N
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7/N
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③露光
ＵＶ
ＢＭ
④现像
Photomask
Cussion层 酸素遮断层 着色感材层 玻璃基板
⑤Color Matrix
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钢模 精度+/-0.05mm,最小間距0.3mm,最小孔徑0.4mm 10萬次 高 3-5天
鐳射切割 精度+/-0.025mm,最小間距0.05mm,最小孔徑0.05mm N/A EQ
10.輔物料貼合
1. CVL在冷凍倉領料後要回溫4小時,再裁切成PNL,然後到 A50利用模具切成一個個SPCS,再到覆膜室貼合---假壓--快壓---烘烤,貼合方式是A60按C孔C線來貼合的
(2).原理: 曝光是實現圖像轉移一重要環節,其主要利用UV紫外線
照射把圖形轉移至幹膜上。通過黑白底片的遮擋,在曝光區 域，幹膜內的感光劑吸收光子分解成游離基，游離基引發 單體發生聚合反應，生成不溶於稀堿的空間網狀大分子結 構。而在未曝光區域，光致抗蝕劑保持原狀，不發生反應， 可溶於稀堿。利用二者在同種溶劑中具有不同的溶解性從 而達到影像轉移的目的。
CFP50 13
COMPEQ
注意:
(1).其中壓膜、曝光都是在無塵室內完成的。無塵室的等 級是10000級，溫度是21±2℃，濕度是55±5RH。
(2).前處理由酸洗+刷磨+SPS+酸洗+烘乾組成,間隔所用到 水洗暫未加入.
(3).幹膜的組成（有三層結構）：
外層是PET，聚脂類薄膜，在曝光後顯影前撕去。作 用是承載光阻劑，並有穿透UV光的能力，防止曝光時氧 氣向抗蝕劑層擴散，破壞游離基，引起感光度下降；
CFP50 20
COMPEQ
11.打靶:
1.原理: 根據X-RAY照出四角補正靶點,確認出板子漲縮,採用 124mil鑽頭進行鑽孔.(現有打靶機3台,機鑽靶為130mil) 注意事項: (1). 室內溫度要控制在25±2℃ (2).打靶機的倍率值=實際值(板漲或縮後的長箭靶兩孔的 距離)/原稿值(長箭靶兩孔設計時的距離) (3).抓4角補正靶,打出masslam對位T孔. (4).鑽孔500次需換鑽頭.

• 黑缺陷： 異物(RBM殘留、Particle、RGB光阻異物等)
• Mura缺陷： Mura(直/橫 Mura、黑Gap Mura、ITO色不均等)
“雪亮工程"是以区（县）、乡（镇） 、村（ 社区） 三级综 治中心 为指挥 平台、 以综治 信息化 为支撑 、以网 格化管 理为基 础、以 公共安 全视频 监控联 网应用 为重点 的“群 众性治 安防控 工程” 。
BM RGB
MVA 製程
OC
ITO
MVA
PS
Glass Input 水洗段Clean MVA光阻塗佈
曝光製程 顯影
AOI檢查 Oven
Glass Output
MVA製程 “雪亮工程"是以区（县）、乡（镇）、村（社区）三级综治中心为指挥平台、以综治信息化为支撑、以网格化管理为基础、以公共安全视频监控联网应用为重点的“群众性治安防控工程”。
“雪亮工程"是以区（县）、乡（镇） 、村（ 社区） 三级综 治中心 为指挥 平台、 以综治 信息化 为支撑 、以网 格化管 理为基 础、以 公共安 全视频 监控联 网应用 为重点 的“群 众性治 安防控 工程” 。
簡報大綱
液晶顯示器的基本構成元件 彩色濾光片的結構 CF製程介紹 CF不良简介
“雪亮工程"是以区（县）、乡（镇） 、村（ 社区） 三级综 治中心 为指挥 平台、 以综治 信息化 为支撑 、以网 格化管 理为基 础、以 公共安 全视频 监控联 网应用 为重点 的“群 众性治 安防控 工程” 。
OC
ITO
MVA
PS
1. 功用：遮光效用，防止TFT產生光電效應進而產生誤動作;
防止兩色相混，使兩顏料不會混合在一起;
增進色彩對比性;

面板CF制程中BM TP CPK不达标的分析及改善研究摘要：所谓CF即Color filter面板行业中的彩膜制程。

在RGB三道彩膜制程前需要成形规整的黑矩阵格子来承载RGB色条，形成的这个黑矩阵即为BM Black Matrix。

为了确定曝光出来的BM图形与设计所需图形的吻合程度，一个重要的SPC监控特性值是BM TP。

TP即Total Pitch线长，即图案实际长度与设计长度的误差容忍值，一般以ppm为单位。

目前行业内BM TP会监控8条边，规格要求为±0.8ppm，计算公式为：（实际线长-设计线长）/设计线长*1000000，并要求制程稳定度CPK≥1.33。

通过分析本文内容可以看出，提升BM TP的CPK除了传统的变更Scan Speed和机台模板Offset补正外，变更Scan layout方向，对BM TP CPK的改善也起到很大的作用。

鉴于此，本文就BM TP CPK不达标的分析及改善展开探讨，以期为相关工作起到参考作用｡关键词：TP、CPK、Scan Speed、Offset补正、Scan layout1、BM制程曝光系统的简单说明曝光机使用的是尼康曝光机，一般制程曝光的方法主要是以对位曝光为主。

但CF BM为首制程，基板为白玻璃无相应对位mark可供抓取，所以BM制程使用的是强制曝光。

强制曝光的实际图形与设计图形吻合程度需多次实验才能得到一套较好的工艺参数。

曝光机各主要部件有Illumination（照度系统）、Projection Lens（投影透镜）、Mask Stage（光罩台面）、Mask Loader（光罩载入台）、Plate Stage（基板台面）、Plate Loader（基板载入台）、Alignment System（对位系统）、Auto Focus（自动对焦）等组成。

具体示意如图1所示。

曝光系统是将设计在Mask（光罩）上的电路图形转移到Plate（玻璃基板）上（1：1正像）；曝光方式：扫描式曝光；控制的主要参数：Scan Speed，Offset，Plate温度（只有0.2℃的波动范围，不作为改善方向分析）1.BM TP分布说明及CPK达标状况本文所述8条BM TP分布于玻璃基板上的位置，如图2所示。

Source
深超光电（深圳）有限公司
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诚•正•速•俭
16
PEP4
BP（Passvition）：材料 SiNx （2000Å）
作用 1.TFT channel 保護層. 2.ITO與Drain的Contact Hole
PV-SiNx (2000?)
BP Hole
BP hole
深超光电（深圳）有限公司
Array Repair Anneal TEG Array Test AT2
Line defect
FI
Laser CVD TEG (Test key) 量測 device特性 與成膜特性( Ion / Ioff / Vth / MOB)
sampling
AT (Array Test) 利用Array Test 對 TFT device量測（线Defect/点Defect）,准确定位不良坐标 For Repair修补。 Laser repair & Laser-CVD 将Array Test宰出的可修補defect (point / line open / line short / residue)做修补, 使不良品经laser repair后成为良品, 提升产品良率.
+
Electric Field applied
E lectrode
TFT panel
Array Test测试原理：模拟Cell态液晶环境，通过探针给玻璃基板输入一个电压，将测试头 （Modulator→表面有ITO,内有液晶）与基板接近，此时基板与ITO之间存在压差驱动液晶旋 转，光线经反射再从同一方向穿透出去。若Pixel有异常，则反射光线偏离正常方向，不良坐 标上抛用以Repair修补。

Westinghouse Digital Electronic
bonding製程介紹&issue探討
LCMA
A to A+
WDE
整条Bonding线全貌
A to A+
unloader clean COG
OLB
PCB PCBI
LCMA
2
WDE
Panel Load----吸取Spacer
机台从PP BOX中将 Panel之间的 Spacer吸走
Head
PANEL
IC BUMP
LCMA
18
WDE
Production: MH0E5-L05
製程相關點檢
COG 偏移量 Production: MH0E5
X方向(Lx、Rx) ≦ ± 10µm
Y方向(Ly、Ry) ≦ ± 15µm
以PANEL的□視窗中心為基準，量測□視窗中心到chip ic 對位 mark中心的距 離 方向表示如右:
15
WDE
ACF導電原理
IC Bump
Adhesive
Panel Lead
Heat & Pressure
Conductive Particles
A to A+
LCMA
16
WDE
ACF壓著程度
➢ ACF粒子破裂適中，成小精 靈狀：Bump開窗區上至少要 有五顆小精靈。
➢ ACF粒子未破裂，成小圓 ➢ ACF粒子過碎，成不規則狀：
A to A+
LCMA
13
WDE
ACF構造
廠商：Hitachi Chemical 型號：AC-8405Z-23(FOR COG)
Polyethylene (聚乙烯) Separator(離型膜) 50 μｍ

2/5
CSOT-CONFIDENTIAL
一. TFT-LCD Structure
3/5
CSOT-CONFIDENTIAL
一. TFT-LCD Structure
彩色滤光片基本结构是由 1.玻璃基板（Glass Substrate） 2.黑色矩阵（Black Matrix） 3.彩色层（Color Layer） 4.ITO导电膜 5.Photo Space 彩色光片结构如下图(HVA)
三. Glass Flow/Corner Cut
Photo Process Layer：RGB/PS Line Glass Flow
CV
CP
Stage
CP
Stage
9/5
CSOT-CONFIDENTIAL
谢谢
10/5
CSOT-CONFIDENTIAL
二. Process Flow
CF Photo Process
黄光区
在此区域下光阻与光波长不会发生反应 – Exposure Light Source Spectrum
无尘室 (无尘服/无尘鞋/无尘紙 ………..) 主要目的为控制影像区之灰尘 (Particle), 避免因Particle污染造成影像的不完整
5/5
CSOT-CONFIDENTIAL
二. Process Flow
Black Matrix PS ITO
GLASS SUBSTRATE
Color Layer
4/5
CSOT-CONFIDENTIAL
二. Process Flow
Photo Process :
将影像转玻璃基板的程序成为Photo Process ,其中包括光阻的涂布、光阻与光的反应、影像的形成