电子技术基础试题-1
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一、填空题:
1、晶体三极管的工作状态有状态、状态、状态。
2、整流电路是利用二极管的性将电转变为电。
3、PN结具有性能,即:加电压时PN结导通;加电压时
PN结截止。
4、滤波电路的作用是将电变为电,电容滤波电路中电容应与负载
(串联或并联)。
5、晶体三极管中有两个PN 结,其中一个PN 结叫做,另一个叫做。
6、晶体二极管的阳极电位是-12V,阴极电位是-6V,则该晶体二极管处于状态(正偏、反偏)。
7、半导体是一种导电能力介于和之间的物体。
8、当晶体二极管导通后,则硅二极管的正向压降为V,锗二极管的正向压降为
V。
9、硅三极管的饱和压降约为V,锗三极管的饱和压降约为V。
10、NPN型三极管的发射区是型半导体,集电区是型半导体,基区
是半导体。
二、判断题:
1、用万用表测量某晶体二极管的正向电阻时,插在万用表标有“-”号插孔中的测试表笔(通
常是黑色表笔)所连接的二极管的引脚是二极管的阳极,另一电极是阴极。
2、一般来说,硅晶体二极管的正向导通电压小于锗晶体二极管的正向导通电压。
3、为使三极管处于放大工作状态,其发射结应加反向电压,集电结应加正向电压。
4、无论是哪种三极管,当处于放大工作状态时,b极电位总是高于e极电位,c极电位也
总是高于b极电位。
5、对于NPN型三极管,当V BE>0时,V BE>V CE,则该管的工作状态是饱和状态。
三、选择题:
1.用万用表欧姆挡测量小功率晶体二极管性能好坏时,应把欧姆挡拨到()。
A.R×10KΩ挡B.R×1Ω挡C.R×100Ω或R×1KΩ挡
2. 在三极管放大电路中,三极管电位最高的一端是()。
A、NPN型三极管的发射极
B、PNP型三极管的发射极
C、NPN型三极管的基极
3. 晶体三极管工作在饱和状态时,集电极电流将()。
A、随基极电流增加而增加
B、随基极电流的增加而减小
C、与基极电流无关
4. 滤波电路的主要目的是()。
A、变交流电为直流电
B、去掉脉动直流电中的脉动成分
C、将高频变为低频
D、将正弦交流电变为脉冲信号
5. 一个标有220V,100W的灯泡,当把它接在图3-57所示的单相半波整流电路上,其消耗
的功率为()。
A、100W
B、50W
C、20.25W
D、10.5W
6.单相半波整流电路中,已知变压器次级电压V2=10伏,RL=10欧姆,则流过二极管的平均电流为()。
A.0.9安B.0.45安C.1.8安
7. 单相桥式整流电路中,如一只整流管接反,则()。
A、输出直流电压减小
B、将引起电源短路
C、将成为半波整流电路
D、仍为桥式整流电路
8.三极管的两个PN结都反偏时,则三极管所处的状态是()。
A.放大状态 B. 饱和状态 C.截止状态
9.当三极管的发射结反偏时,则三极管的基极电流将()。
A.增大 B. 减小 C.中断
10. 用万用表测得NPN型三极管各电极对地的电位是:V B=4.7V,V C=4.3V,V E=4V,则该三极管的工作状态是()。
A.饱和状态 B. 截止状态 C.放大状态
四、分析计算题:
1.单相桥式全波整流电路,若V L=9V,负载电流I L=1A,试求:
(1)变压器次级电压V2;
(2)二极管承受的最大反向电压V
;
RM
(3)流过二极管的平均电流I v。
2. 如图2所示的电路,Ui=10V,二极管正向压降0.3V,试判断图中二极管是导通还是截止,并求输出电压Uo。
3.根据下图中各三极管的三个电极对地电位,试判断各三极管处于何种工作状态,要说明各PN结的偏置情况。
发射结偏发射结偏发射结偏
集电结偏集电结偏集电结偏
三极管处于状态三极管处于状态三极管处于状态。