蚀刻工艺简介(2D-3D)

4、⼲法蚀刻（dryetch）原理介绍前⾯已经简单介绍⼲法蚀刻的基本过程，这⼀节深⼊介绍⼲法蚀刻的基本原理，包括物理蚀刻，化学蚀刻，和反应离⼦蚀刻。

物理蚀刻主要是⽤plasma轰击wafer表⾯，粒⼦与粒⼦之间发⽣碰撞，达到蚀刻的⽬的，整个过程全部是物理变化，没有新的物质⽣成。

物理蚀刻是各向异性的，蚀刻⽅向沿着plasma速度⽅向，其他⽅向基本没有蚀刻，物理蚀刻没有选择性，⾼能离⼦可能会损伤器件。

化学蚀刻主要是⽤plasma与wafer表⾯材料发⽣化学反应，⽣成副产物，然后被抽⾛的过程，化学蚀刻有个要求就是副产物主要是⽓体，容易被抽⾛，化学蚀刻是各项同性的，但蚀刻过程中会产⽣聚合物polymer，会沉积在侧壁，实现各向异性的效果，通过调节化学蚀刻⽓体⽐例可以实现不同flim的选择⽐。

反应离⼦蚀刻的原理是综合物理和化学蚀刻的过程，⼀般的⼲法蚀刻都是反应性离⼦蚀刻，单纯的物理和化学蚀刻很少在⼯业上应⽤。

图1 physical etching ⽰意图图2 chemical etching⽰意图图3 reactive ion etching ⽰意图物理蚀刻主要是⽤氩⽓（Ar）轰击wafer表⾯材料，由于Ar是惰性⽓体，不会影响plasma的化学性质，物理蚀刻效果明显。

化学蚀刻主要⽤含碳氟⽓体（CXFY），基本原理是F⾃由基与Si结合⽣成⽓态的SiF4，副产物容易被抽⾛。

碳氟⽓体（CF4，CHF3，C3F8等）在化学蚀刻过程中⽣成的不饱和物质会发⽣链化反应⽣成聚合物（polymer），沉积在侧壁的polymer会阻⽌横向蚀刻的进⾏，这对吃出⾼的深宽⽐形貌有利，但沉积在电极和chamber⾥的polymer是defect source，掉下来就会形成surface particle 和pattern fail，这是dry etch 两种典型的defect。

氟碳⽐（F/C）决定polymer的⽣成，其中F/C越⼩，⽣成的polymer越多，反之F/C越⼤，⽣成的polymer越少，其中的原理是F主要与Si反应⽣成 SiF4， C是形成polymer的源头，C含量越⾼，polymer越多，⾄于为什么是碳⽣成polymer，这涉及到⾼分⼦材料的知识，这⾥不仔细介绍，感兴趣的朋友可以私底下找我交流。

微加工技术——刻蚀简介自从半导体诞生以来，很大程度上改变了人类的生产和生活。

半导体除了在计算机领域应用之外，还广泛地应用于通信、网络、自动遥控及国防科技领域。

本文主要介绍半导体制造工艺中的刻蚀工艺。

随着半导体制造大规模集成电路技术的发展，图形加工线条越来越细，硅片尺寸越来越大，对刻蚀工艺的要求也越来高。

因此，学习了解刻蚀工艺十分必要。

本文将主要从刻蚀简介、刻蚀参数及现象、干法刻蚀和湿法刻蚀四个方面进行论述。

1、刻蚀简介1.1 刻蚀定义及目的刻蚀就是用化学的、物理的或同时使用化学和物理的方法，有选择地把没有被抗蚀剂掩蔽的那一部分薄膜层除去，从而在薄膜上得到和抗蚀剂膜上完全一致的图形。

刻蚀的基本目的，是在涂光刻胶(或有掩膜)的硅片上正确的复制出掩膜图形[1]。

刻蚀，通常是在光刻工艺之后进行。

通过刻蚀，在光刻工艺之后，将想要的图形留在硅片上。

从这一角度而言，刻蚀可以被称之为最终的和最主要的图形转移工艺步骤。

在通常的刻蚀过程中，有图形的光刻胶层〔或掩膜层)将不受到腐蚀源显著的侵蚀或刻蚀，可作为掩蔽膜，保护硅片上的部分特殊区域，而未被光刻胶保护的区域，则被选择性的刻蚀掉。

其工艺流程示意图如下。

1.2 刻蚀的分类从工艺上分类的话，在半导体制造中有两种基本的刻蚀工艺：干法刻蚀和湿法腐蚀。

干法刻蚀，是利用气态中产生的等离子体，通过经光刻而开出的掩蔽层窗口，与暴露于等离子体中的硅片行物理和化学反应，刻蚀掉硅片上暴露的表面材料的一种工艺技术法[1]。

该工艺技术的突出优点在于，是各向异性刻蚀（侧向腐蚀速度远远小于纵向腐蚀速度，侧向几乎不被腐蚀），因此可以获得极其精确的特征图形。

超大规模集成电路的发展，要求微细化加工工艺能够严格的控制加工尺寸，要求在硅片上完成极其精确的图形转移。

任何偏离工艺要求的图形或尺寸，都可能直接影响产品性能或品质，给生产带来无法弥补的损害。

由于干法刻蚀技术在图形转移上的突出表现，己成为亚微米尺寸下器件刻蚀的最主要工艺方法。

机种ALL机台号ALL名称蚀刻生产工艺一、生产设备的设定 1. 生产设备蚀刻及除油墨设备生产线分酸蚀、碱蚀、水洗、超声波清洗、风刀、烘干六段。

酸蚀、碱蚀段带水洗部分。

各段喷头要畅通, 不能有堵塞现象。

此设备可用于蚀刻ITO Glass 或ITO Film 。

欣裕达(新)蚀刻线酸蚀段只有一槽酸，其酸浓度为18%~26%[调机值23、24]，专门用于ITO Film 的蚀刻。

科宇达（旧）蚀刻线酸蚀段有两槽：第一槽酸浓度为18%~26%[调机值23、24]，第二槽的酸浓度为18%~26%[调机值23、24]。

专门用于ITO Glass 的蚀刻，且须同时使用两槽酸液。

2. 机器参数的设定 (1)膜－酸蚀刻参数表A. ITO Film材料类别材料编码 材料方阻 Ω/□ 酸液浓度 HCL 设置温度 ℃ 设置速度m/min酸喷淋压力 水喷淋压力P 上 kg/c ㎡ P 下 kg/c ㎡ P 上 kg/c ㎡ P 下kg/c ㎡ 膜ALL350~50018%-26%30～451.8-2.51.0-1.50.8-1.30.5注：a.以上Film 材料为我司现常用物料，生产过程中如遇新物料蚀刻参数可咨询工程部；b.酸液蚀刻Film 材料时设置的温度、速度、需根据酸液的浓度及材料导电层附着力的强弱而调节。

以能完全刻断、不短路为原则。

如出现刻不断等其它的现象时请优先调整各阶段的速度，以1.8为基准往上调或往下调；c.生产前需做首件检测原材料方阻，方阻需在要求范围之内才可正常生产；d.酸液流量要适中范围；e.酸槽的速度必须小于且不等于纯水槽的速度。

B. ITO Glass(1)玻璃－酸蚀刻参数表注:a.第一、二槽酸液蚀刻Glass 材料时设置的温度、速度、需根据酸液的浓度及材料导电层附着力的强弱而调节,以能完全蚀刻、不短路为原则并配合碱段的参数；b.同时生产前需做首件检测原材料方阻,方阻需在要求范围之内才可正常生产；c.两槽酸液流量要适中范围；d.如出现刻不断等其它的现象时请优先调整各阶段的速度以1.5为基准往上调或往下调；e.酸槽的速度必须小于不等于碱槽的速度。

不锈钢蚀刻工艺流程
《不锈钢蚀刻工艺流程》
不锈钢蚀刻是一种常用的表面处理工艺，可以在不锈钢表面形成图案或文字，从而增加其装饰性和实用性。

下面将介绍不锈钢蚀刻工艺的相关流程。

1. 设计图案：首先，需要根据需求设计好要在不锈钢表面上蚀刻的图案或文字。

可以使用电脑绘图软件进行设计，也可以在不锈钢表面上直接绘制，然后将图案转化为数字格式。

2. 制作模板：设计好图案之后，根据图案制作蚀刻模板。

通常使用光敏膜或者激光刻版机来制作蚀刻模板。

将模板覆盖在不锈钢表面上，并用胶水固定，待干燥后即可进行下一步操作。

3. 蚀刻处理：在制作好的模板上涂抹蚀刻膏，然后将不锈钢表面浸泡在蚀刻腐蚀液中。

根据不同的蚀刻腐蚀液浓度和时间的不同，可以控制蚀刻的深浅和速度。

蚀刻完成后，将不锈钢表面清洗干净，去除残留的蚀刻膏和腐蚀液。

4. 表面处理：经过蚀刻处理的不锈钢表面会有一层薄膜，需要进行表面处理以增加光泽和美观度。

可以使用抛光机进行表面抛光，也可以进行酸洗处理或者电镀处理，最后再进行清洁和干燥。

5. 质量检验：最后，对蚀刻后的不锈钢表面进行质量检验，检查是否达到设计要求，并进行包装和保护，以防止在运输和使
用过程中受到损坏。

以上就是不锈钢蚀刻工艺的流程，通过严格的操作和质量控制，可以生产出高质量的不锈钢蚀刻制品，广泛应用于家居装饰、商业广告和工业标识等领域。

一、DES拉工艺流程：显影→蚀刻→褪膜（注：显影也称冲板）目的：将曝光时由菲林转移到干膜上的图形在铜面上表现出来。

即：干膜曝光区域的铜会留下来，未曝光区域的铜会蚀刻掉。

二、DES拉开机注意事项及参数控制1.开机前检查药水缸及水缸液位是否足够，检查冷却水、压缩空气是否打开。

2.开机后检查各段药水温度压力是否在要求范围。

3.参数控制药水参数控制：药水名称浓度显影： PC2034B 0.6~1.2%蚀刻： Cu2+ 110~170g/lH+ 1.6~2.8 N褪膜： NaOH 2~4%酸洗： H2SO4 1~3%溶液浓度配制：显影缸：A5：10LT A6：25LT A7：25LT褪膜缸：A5：27kg A6：30kg A7：30kg酸洗缸：A5：3LT A6：3LT A7：3LT配药房：显影开料缸：PC2031B 25LT褪膜开料缸：NaOH 25kg三、冲板注意事项：1.在批量冲板前，首先必须做首板，待拉长恢复，首板OK后方可生产。

2.对板面铜厚不一以及光面板/细线板，一定要按照拉长所要求的方式去放板，同时注意板的型号、层次，必须保证不放错板。

3.对于冲大背板，必须站起来冲板；对于板厚小于5mil、H/H以下的板（根据拉长要求）必须带板条冲板。

4.冲板时，板与板之间的距离保持大于2inch（即5.08cm）5.在撕膜时，板两面保护膜要同时撕下。

不允许撕了一面然后再撕另一面，避免菲林碎粘到板面，导致蚀板不净现象。

6.在撕膜时，一定要注意严防撕膜不净的问题发生，且刀片不能划入图形，以防划伤，导致报废。

7.放板时，必须双手拿板，轻拿轻放，发现有板弯或板角翘，一定将其抚平，并放好放正以防卡板。

8.对每够一批量LOT卡时，用一胶片隔开，作为该批板已完的标识。

四、执漏注意事项：1.在检查板面时，必须戴黑色胶手套，手拿板边。

严防显影不净，显影过度，撕膜不净的板流入蚀刻。

2.在操作过程中，必须做到小心操作，不要划伤板面，发现显影不净等不良板时，即时通知冲板员工停放，然后通知拉长解决。

金属蚀刻工艺，其实很多工程师都不了解“蚀刻”二字，从字面上看表示通过侵蚀、腐蚀等方法去除物体上部分材料的意思。

其原理可能不是专业人士理解起来有点困难，但是下面这个词相信很多人都能听过：水滴石穿。

水滴石穿这个成语最早出自东汉班固的《汉书·枚乘传》，原文为“水非石之钻，索非木之锯，渐靡使之然也'，指不断滴落的水滴可以滴穿石头，比喻只要坚持不懈，即使力量微弱也能达成艰巨的任务。

这是文学上的解释，但从科学的角度上看，被水“滴穿”的那部分石头，到底是怎样消失掉了呢？由于“水滴石穿”现象发生的时间跨度大，其形成的环境因素很多（物理因素、化学因素等），由于物理因素跟本文主题关系不大就不细说了，但是有一化学因素是存在的：那就是被水腐蚀了，那水是怎么样腐蚀石头的呢？我们知道，石头常见的成分有碳酸钙(CaCO₃)、硅酸盐（如CaSiO₃)和二氧化硅（SiO₂）等。

当水滴落的过程中，遇到空气中的二氧化碳（CO₂），就会生成碳酸（H₂CO₃），当然，这里可能还跟其他气体生成其他的酸性物质，碳酸和碳酸钙反应生成可溶的碳酸氢钙，化学式如下：CaCO₃+CO₂+H₂O=Ca(HCO₃)₂，由于碳酸是一种弱酸，且生成的量少，所以石头被水“滴穿”的过程是很缓慢的，所以在自然环境下，只有不断滴落的水滴才能慢慢腐蚀掉部分石头，这种现象其实就是简单的蚀刻。

完美的分割线金属蚀刻，业内通常称蚀刻，也称光化学蚀刻(photochemical etching)，指通过曝光制版、显影后，将要蚀刻区域的保护膜去除，在蚀刻时接触化学溶液，达到溶解腐蚀的作用，形成凹凸或者镂空成型的效果。

蚀刻加工技术分为湿式蚀刻与干式蚀刻，湿式蚀刻最为常用，利用特定的溶液与薄膜间所进行的化学反应来去除薄膜未被光阻覆盖的部分，而达到蚀刻的目的，这种蚀刻方式也就是所谓的湿式蚀刻，所以本文重点介绍的也是湿式蚀刻。

蚀刻加工可快速、低成本地生产具有凹凸图案或纹理的金属零件，以及某些其它加工技术可能不适合加工的薄金属网孔零件。

干法刻蚀之铝刻蚀在集成电路的制造过程中，刻蚀就是利用化学或物理方法有选择性地从硅片表面去除不需要的材料的过程。

从工艺上区分，刻蚀可以分为湿法刻蚀和干法刻蚀。

前者的主要特点是各向同性刻蚀；后者是利用等离子体来进行各向异性刻蚀，可以严格控制纵向和横向刻蚀。

干法的各向异性刻蚀，可以用表面损伤和侧壁钝化两种机制来解释。

表面损伤机制是指，与硅片平行的待刻蚀物质的图形底部，表面的原子键被破坏，扩散至此的自由基很容易与其发生反应，使得这个方向的刻蚀得以持续进行。

与硅片垂直的图形侧壁则因为表面原子键完整，从而形态得到保护。

侧壁钝化机制是指，刻蚀反应产生的非挥发性的副产物，光刻胶刻蚀产生的聚合物，以及侧壁表面的氧化物或氮化物会在待刻蚀物质表面形成钝化层。

图形底部受到离子的轰击，钝化层会被击穿，露出里面的待刻蚀物质继续反应，而图形侧壁钝化层受到较少的离子轰击，阻止了这个方向刻蚀的进一步进行。

在半导体干法刻蚀工艺中，根据待刻蚀材料的不同，可分为金属刻蚀、介质刻蚀和硅刻蚀。

金属刻蚀又可以分为金属铝刻蚀、金属钨刻蚀和氮化钛刻蚀等。

目前，金属铝作为连线材料，仍然广泛用于DRAM和flash等存储器，以及0.13um 以上的逻辑产品中。

本文着重介绍金属铝的刻蚀工艺。

金属铝刻蚀通常用到以下气体：Cl2、BCl3、Ar、 N2、CHF3和C2H4等。

Cl2作为主要的刻蚀气体，与铝发生化学反应，生成的可挥发的副产物AlCl3被气流带出反应腔。

BCl3一方面提供BCl3＋，垂直轰击硅片表面，达到各向异性的刻蚀。

另一方面，由于铝表面极易氧化成氧化铝，这层自生氧化铝在刻蚀的初期阻隔了Cl2和铝的接触，阻碍了刻蚀的进一步进行。

添加BCl3 则利于将这层氧化层还原（如方程式1），促进刻蚀过程的继续进行。

Al2O3 + 3B Cl3→ 2AlCl3 + 3BOCl （1）Ar电离生成Ar＋，主要是对硅片表面提供物理性的垂直轰击。

N2、CHF3和C2H4是主要的钝化气体，N2与金属侧壁氮化产生的AlxNy，CHF3和C2H4与光刻胶反应生成的聚合物会沉积在金属侧壁，形成阻止进一步反应的钝化层。

9-1 前言蚀刻是将材料使用化学反应或物理撞击作用而移除的技术。

蚀刻技术可以分为『湿蚀刻』(wet etching)及『干蚀刻』(dry etching)两类。

在湿蚀刻中是使用化学溶液，经由化学反应以达到蚀刻的目的，而干蚀刻通常是一种电浆蚀刻(plasma etching)，电浆蚀刻中的蚀刻的作用，可能是电浆中离子撞击芯片表面的物理作用，或者可能是电浆中活性自由基(Radical)与芯片表面原子间的化学反应，甚至也可能是这两者的复合作用。

在航空、机械、化学工业中，蚀刻技术广泛地被使用于减轻重量(Weight Reduction)仪器镶板，名牌及传统加工法难以加工之薄形工件等之加工。

在半导体制程上，蚀刻更是不可或缺的技术。

9-2 湿蚀刻(Wet etching)湿蚀刻是将芯片浸没于适当的化学溶液中，或将化学溶淬喷洒至芯片上，经由溶液与被蚀刻物间的化学反应，来移除薄膜表面的原子，以达到蚀刻的目的。

湿蚀刻三步骤为扩散→反应→扩散出如图（一）所示图（一）以湿式法进行薄膜蚀刻时，蚀刻溶液（即反应物）与薄膜所进行的反应机制。

湿蚀刻进行时，溶液中的反应物首先经由扩散通过停滞的边界层(boundary layer)，方能到达芯片的表面，并且发生化学反应与产生各种生成物。

蚀刻的化学反应的生成物为液相或气相的生成物，这些生成物再藉由扩散通过边界层，而溶入主溶液中。

就湿蚀刻作用而言，对一种特定被蚀刻材料，通常可以找到一种可快速有效蚀刻，而且不致蚀刻其它材料的『蚀刻剂』(etchant)，因此，通常湿蚀刻对不同材料会具有相当高的『选择性』(selectivity)。

然而，除了结晶方向可能影响蚀刻速率外，由于化学反应并不会对特定方向有任何的偏好，因此湿蚀刻本质上乃是一种『等向性蚀刻』(isotropic etching)。

等向性蚀刻意味着，湿蚀刻不但会在纵向进行蚀刻，而且也会有横向的蚀刻效果。

横向蚀刻会导致所谓『底切』(undercut)的现象发生，使得图形无法精确转移至芯片，如图（二）所示。

蚀刻蚀刻的作⽤：线路成型。

蚀刻的作⽤：蚀刻分为⼲蚀刻与湿蚀刻，其区别如下：⼲蚀刻：利⽤不易被物理、化学作⽤破坏的物质光阻来阻挡不欲去除的部分，利⽤电浆的离⼦轰击效应和化学反应去掉想去除的部分，从⽽将所需要的线路图形留在玻璃基板上。

⼲蚀刻等向性蚀刻与异向性蚀刻同时存在。

湿蚀刻：利⽤化学药液将需要蚀刻掉的物质蚀刻掉。

湿蚀刻为等向性蚀刻。

湿蚀刻机台便宜，蚀刻速度快，但难以精确控制线宽和获得极其精细的图形并且需要⼤量⽤⽔，污染⼤；⼲蚀刻机台价格昂贵，蚀刻速度速度慢，但可以精确控制线宽能获得极其精细的图形，⽽且不需要⽤⽔，污染⼩。

Etching process in ArrayDry etching ：特点：1.异向性较强的蚀刻 2.能进⾏微细加⼯3.对panel造成的damage较⼤Wet etching：特点：1.等向性蚀刻2.设备成本较低且易维护DET制程介绍Dryetching（⼲蚀刻）将特定⽓体置于低压状态下施以电压，将其激发成各种不同的带电荷离⼦、原⼦团、分⼦以及电⼦（这种物质状态称为Plasma）并利⽤这些解离后带能量的反应性的离⼦及原⼦团，对特定层膜加以化学性的蚀刻及离⼦轰击，达到膜层去除的⼀种蚀刻⽅式。

Dry etching中起作⽤的主要是radical和ion。

Radical是电中性，因为化学性质很活泼，所以和膜表⾯分⼦发⽣反应，可达到膜层去除的作⽤。

反应⽣成物作为gas被排⽓。

带正电的ion被selfbias的负电位吸引⼏乎垂直撞向基板，轰击膜层表⾯的分⼦键合，促进radical的化学反应，并使表⾯产⽣的反应物脱落。

Etching是以radical为主，还是以ion为主。

根据使⽤的不同，Dry etching分为2种：Physicaland Chemical etchingPlasma在⼲蚀刻中的应⽤在⾼周波电场中电⼦被来回加速，加速后的电⼦轰击⽓体分⼦或原⼦，使分⼦或粒⼦解离出新的电⼦(α作⽤) ⽽产⽣Ion，或者使分⼦解离为⾼活性的⾃由基。

蚀刻des工艺流程介绍英文回答：Etching is a widely used process in the semiconductor industry to selectively remove material from the surface of a wafer. It is an essential step in the fabrication of integrated circuits and other electronic devices. In the context of semiconductor manufacturing, the term "dry etching" refers to a variety of techniques that use plasma to remove material, while "wet etching" involves the use of chemical solutions.Dry etching, also known as plasma etching, is a highly controlled process that involves the use of reactive gases in a vacuum chamber. The most common types of dry etching used in semiconductor manufacturing are reactive ion etching (RIE) and plasma etching. In RIE, a high-energy plasma is used to bombard the wafer surface, causing the reactive gases to chemically react with the material and remove it. Plasma etching, on the other hand, uses a low-energy plasma to selectively remove material through physical sputtering.Wet etching, as the name suggests, involves immersing the wafer in a chemical solution to remove material. The choice of etchant depends on the material being etched. For example, silicon dioxide can be etched using hydrofluoric acid, while aluminum can be etched using a mixture of phosphoric acid and nitric acid. Wet etching is a slower process compared to dry etching, but it is often used for certain applications where high selectivity and precision are not required.In both dry and wet etching processes, a mask is used to protect certain areas of the wafer from being etched. The mask can be made of a variety of materials, such as photoresist or silicon nitride. The etchant only reacts with the exposed areas of the wafer, leaving the masked areas unaffected. This allows for the precise patterning of the wafer surface, which is crucial for the fabrication of integrated circuits.Overall, the etching process is a critical step in semiconductor manufacturing, allowing for the precise removal of material from the wafer surface. It plays a crucial role in the fabrication of integrated circuits and other electronic devices, enabling the creation of complex patterns and structures necessary for their functionality.中文回答：蚀刻是半导体工业中广泛使用的一种工艺，用于选择性地从晶片表面去除材料。

显影、蚀刻、去膜工艺指(DES) 导书．）工位的工作内容和步骤。

DES一.目的：本指导书规定显影、蚀刻、去膜（二.范围：本指导书适用于内层和掩孔法外层的显影、蚀刻、和去膜的工作过程。

设备：.三IML DES线材料：四.碳酸钠、盐酸、双氧水、氢氧化钠、去泡剂、软化水、该工位的生产板。

工艺：五.5．1操作步骤启动11．5将“MAIN SWITCH ”转至“ON”的位置，送入主电力电源，在按下控制面板上“POWER”钮，此时“POWER”钮内之显示灯亮，并注意“END STOP”灯是否亮着，若有应即将控制面板上或机台.上之紧急停止按钮予以复归开机操作顺序5.12首先确定所有的开关均置OFF状态；将CONTROL SOURCE的旋钮旋开,使电源输入；将所有的加热系统依流程顺序压下,先使其预热；再将所有的温度设定器,依流程顺序,设定在所需的作业温度；压上CON钮使其输送,再调整CON SP ADJ 旋钮并调整适当的作业速度；待温度到达所设定之温度时再将所有的PUMP钮依顺序压下即完成作业前的开机程序；分钟润湿辊轮。

10放板前关机操作顺序135．依显影、蚀刻、去膜顺序依次关掉PUMP钮，关掉所有加热，热风车继续送风，观察蚀刻段温度有否升高趋势。

当热风车自动停止，且蚀刻段温度没有升高趋势时，压下STOP按钮，关掉总电。

OFFMAIN SWITCH 转至源POWER，将警报发生系统5.14故障警报系统依停机与否分二大类::a.停机此项警报定义为主机或其一电器元件发生异常而无法运做或为保护人体安全而设置,如其一故障或保护条件成立便会使系统停止,须将故障或异常问题排除后再启动系统否则启动无效。

:b.不停机此项警报定义为预先警报或周边设备警报发生不会影响主机系统生产,所以异常发生本身停止而不会停止主系统运转。

,运转:故障紧急处理方式:步骤当紧急状况发生是时,须先按紧急停止钮,瞬间停止设备之一切动作,以保安全；停机后如内部尚有板子在内时,先行确认输送系统无异常后,可用EMG 佃屎钮以寸动的方式强行将板子送出；使输送部分运转,将其板子全部输送后,再将操作箱上之电源开关关闭然后再检查故障区域；依指示区检查确认故障区的警示灯是何处故障；再开机；,待将所有的故障区全部检修完毕开机时请遵守操作顺序开机；接板时不允许有叠板现象。