芯片的封装认识
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芯片封装原理及分类1.芯片封装原理芯片封装是指将微电子器件(包括集成电路、晶体管等)连接到封装基座上的工艺过程。
其原理是将芯片导线通过焊接或焊球连接到封装基座上的金属脚,然后采用封装材料将芯片进行封装。
这样可以保护芯片免受外界环境的影响,并且提供了芯片与外部世界之间的连接接口。
2.芯片封装分类(1)DIP封装(Dual In-line Package)DIP封装是最早的一种芯片封装方式,其特点是通过两排金属脚与外部电路连接。
这种封装方式成本低、可焊接,但体积大,适用于较低密度的集成电路。
(2)SOP封装(Small Outline Package)SOP封装是DIP封装的改进版,其特点是脚距更近,体积更小,适用于较高密度的集成电路。
SOP封装有多种形式,如SOIC(Small Outline Integrated Circuit)、TSOP(Thin Small Outline Package)等。
(3)QFP封装(Quad Flat Package)QFP封装是一种表面贴装封装方式,其特点是四个侧面都带有金属端子,适用于较高密度、中等规模的集成电路。
QFP封装有多种形式,如TQFP(Thin Quad Flat Package)、LQFP(Low-profile Quad Flat Package)等。
(4)BGA封装(Ball Grid Array)BGA封装是一种表面贴装封装方式,在封装基座上布置了一定数量的焊球来实现与外部电路的连接。
BGA封装的特点是密封性好、性能稳定,并且适用于超高密度的集成电路。
BGA封装有多种形式,如CABGA (Ceramic Ball Grid Array)、TBGA(Thin Ball Grid Array)等。
(5)CSP封装(Chip Scale Package)CSP封装是一种紧凑型封装方式,其特点是尺寸和芯片相似,在封装基座上布置了少量焊球或焊盘。
CSP封装的优势在于占据空间小、重量轻、功耗低,并且适用于高密度的集成电路。
芯片封装介绍范文芯片封装是一种将芯片器件封装在外部包装中的技术过程。
它起到保护芯片免受外界环境影响的作用,同时也为芯片与外部世界进行连接提供了可能。
芯片封装可分为多种形式,如塑封、球栅阵列封装(BGA)、无引线封装(QFN)等。
早期的芯片封装主要采用塑封封装。
塑封封装通过将芯片与塑料基片进行固定连接,然后使用塑料材料进行封装。
塑封封装方式简单、成本较低,适用于低功耗芯片,如逻辑芯片和存储器芯片。
然而,随着集成度的不断提高和功耗的增加,塑封封装的局限性也逐渐暴露出来,如散热不佳、引脚容易受损等。
为解决塑封封装的问题,球栅阵列封装(BGA)应运而生。
BGA封装采用无引线设计,通过在底部安装一个由球形焊球组成的阵列,与印刷电路板焊接在一起。
相较于塑封封装,BGA封装具有更好的热性能和导热性能,能够更好地满足高密度与高功率芯片的需求。
此外,BGA封装的焊点可靠性也较高,能够适应复杂环境和振动应力。
因此,BGA封装逐渐成为高性能芯片封装的主流技术。
除了BGA封装之外,无引线封装(QFN)也是一种常见的芯片封装形式。
与BGA封装类似,QFN封装也采用无引线设计,通过焊接芯片与印刷电路板的底部金属接触面相连接。
与BGA封装相比,QFN封装在尺寸上更加紧凑,适用于小型化和轻量化的应用,如移动设备和无线通信模块。
此外,QFN封装还具有低成本、良好的导热性能和可靠性等优势。
除了上述封装形式,另外还有多种芯片封装技术,如多芯片模块(MCM)、3D封装等。
多芯片模块将多个芯片集成在一个封装中,以实现更高的功能集成和性能。
3D封装则是将多个芯片堆叠在一起,通过垂直连接实现信号传输和功耗管理。
这些封装形式在高端应用领域得到广泛应用,如服务器、网络设备和高性能计算机等。
总之,芯片封装是将芯片器件封装在外部包装中的技术过程,它为芯片提供了物理保护和外部连接的功能。
在不同类型的封装中,塑封封装适用于低功耗芯片,BGA和QFN封装适用于高性能芯片,而MCM和3D封装则适用于高度集成和功能复杂的芯片。
先进芯片封装知识介绍芯片封装是将半导体芯片封装成具有特定功能和形状的封装组件的过程。
芯片封装在实际应用中起着至关重要的作用,它不仅保护芯片免受外部环境的干扰和损害,同时也为芯片提供了良好的导热特性和机械强度。
本文将介绍先进芯片封装的知识,包括封装技术、封装材料和封装工艺等方面。
一、芯片封装技术芯片封装技术主要包括无引线封装(Wafer-Level Package,简称WLP)、翻装封装(Flip-Chip Package,简称FCP)和探针封装(Probe Card Package,简称PCP)等。
1.无引线封装(WLP):无引线封装是在芯片表面直接封装焊盘,实现对芯片进行封装和连接。
它可以使芯片的封装密度更高,并且具有优秀的热传导和电性能。
无引线封装技术广泛应用于移动设备和无线通信领域。
2.翻装封装(FCP):翻装封装是将芯片颠倒翻转后通过导电焊球连接到基板上的封装技术。
它可以提供更好的电路性能和更高的封装密度,适用于高性能芯片的封装。
3.探针封装(PCP):探针封装是通过探针头将芯片连接到测试设备进行测试和封装的技术。
它可以快速进行芯片测试和封装,适用于小批量和多品种的芯片生产。
二、芯片封装材料芯片封装材料是指用于封装过程中的材料,包括基板、封装胶料和焊盘等。
1.基板:基板是芯片封装的重要组成部分,主要用于支撑和连接芯片和其他封装组件。
常用的基板材料包括陶瓷基板、有机基板和金属基板等。
2.封装胶料:封装胶料用于固定和保护芯片,防止芯片受损。
常见的封装胶料包括环氧树脂、硅胶、聚酰亚胺等。
3.焊盘:焊盘是连接芯片和基板的关键部分,用于传递信号和电力。
常见的焊盘材料包括无铅焊料、焊接球和金属焊点等。
三、芯片封装工艺芯片封装工艺是指在封装过程中实施的一系列工艺步骤,主要包括胶黏、焊接和封装等。
1.胶黏:胶黏是将芯片和其他封装组件固定在基板上的工艺步骤。
它通常使用封装胶料将芯片和基板粘接在一起,并通过加热或压力处理来保证粘结的强度。
常见芯片封装的类型介绍芯片封装是指将芯片与外部环境隔离,保护芯片并为其提供连接电路的过程。
它把芯片放在一个封装材料中,通常是塑料或陶瓷,并通过引脚或接口与其他电子元件或系统连接。
根据封装形式的不同,常见的芯片封装类型可以分为以下几类。
1. DIP封装(Dual In-line Package)DIP封装是最早也是最常见的芯片封装类型之一、DIP芯片封装的引脚排列成双排直线,并通过插座与电路板连接。
DIP封装适用于许多低功耗和小尺寸的集成电路,如运算放大器、逻辑门、存储器等。
2. QFP封装(Quad Flat Package)QFP封装在DIP的基础上进行了改进和创新,使得芯片引脚的数量更多,且致密度更高。
QFP封装的引脚排列成四个直角,并且可以铺贴在电路板的表面上。
QFP封装常用于高密度的集成电路,如微处理器、存储器和信号处理器等。
3. BGA封装(Ball Grid Array)BGA封装是一种先进的封装技术,尤其适用于高密度、高速度和高功率的集成电路。
BGA芯片封装将芯片引脚替换为在芯片底部的焊球,通过这些焊球与电路板上的焊盘相连接。
BGA封装具有良好的散热性能和良好的电气特性,因此广泛应用于微处理器、图形芯片和FPGA等。
4. CSP封装(Chip Scale Package)CSP封装是一种尺寸与芯片尺寸相近或稍大,并适合高密度集成电路的封装形式。
CSP封装通常比BGA封装更小,可以实现极高的引脚密度,从而提高系统的可靠性和性能。
CSP封装常用于移动设备、智能卡、传感器等领域。
5. SOP封装(Small Outline Package)SOP封装是一种小型、表面安装的封装形式,非常适用于密度较低的电子元件。
SOP封装通常有两个版本:SOP和SSOP。
SOP封装引脚间距较大,而SSOP封装的引脚间距更小,更适合于有限的PCB空间和高密度的应用场景。
SOP封装广泛用于晶体管、逻辑门和模拟转换器等。
芯片的封装方式
芯片的封装方式是指将芯片组合在一起并进行保护的方法。
芯片是一种非常小的电子器件,通常是几毫米的正方形或矩形,用于存储或处理数据等。
封装方式的选择取决于芯片的用途、成本和尺寸等因素。
芯片封装方式可以分为以下几类:
1. DIP封装:DIP封装是最古老的封装方式之一,是通过将芯片插入一个双排针脚插座来实现的。
这种封装方式容易制造,但不适用于高密度集成电路。
2. QFP封装:QFP封装是一种较新的封装方式,它采用了表面贴装技术。
这种封装方式具有高密度、小尺寸和易制造等优点,常用于高端计算机、通信和消费电子产品。
3. BGA封装:BGA封装是一种最新的封装方式,它通过将芯片焊接到一个具有多个球形焊点的基板上来实现。
这种封装方式具有高速传输、低噪声、低功耗和可靠性等优点,常用于微处理器、图像传感器和高速通信芯片等。
4. CSP封装:CSP封装是一种非常小型的封装方式,通常用于移动设备和便携式电子产品。
这种封装方式具有小尺寸、低功耗和高可靠性等优点,但也存在生产成本高和焊接难度大等缺点。
总之,芯片的封装方式在电子工业中起着至关重要的作用,无论是传统的DIP封装还是现代的BGA封装和CSP封装都有着各自的优缺点。
因此,在选择封装方式时应考虑到产品的实际需求,以达到最佳
的性价比和性能。
集成电路芯片封装的概念集成电路芯片封装的概念1. 引言集成电路芯片封装是现代电子技术中非常重要的一环。
它是将微小的芯片封装在保护性外壳中,以便保护芯片免受损坏,并提供电气连接和散热功能。
本文将深入探讨集成电路芯片封装的概念,从封装形式、封装材料、封装技术以及封装的发展趋势等多个方面展开,帮助读者更全面、深刻地了解这一关键电子技术。
2. 集成电路芯片封装的形式集成电路芯片封装有多种形式,每种形式都有不同的特点和适用范围。
常见的封装形式包括:2.1 芯片级封装(Chip-scale Package,CSP):CSP封装将芯片直接封装在微小的外壳中,尺寸比传统封装更小。
它适用于高密度集成电路和轻薄移动设备等应用。
2.2 简单封装(Dual in-line Package,DIP):DIP封装是最早的一种封装形式。
芯片被封装在具有导脚的塑料外壳中,易于插拔和焊接。
但该封装形式占用空间较大,适用于较低密度的应用。
2.3 小型封装(Small Outline Package,SOP):SOP封装是一种相对较小的封装形式,兼具DIP封装的插拔性和CSP封装的高密度特点。
2.4 超薄封装(Thin Small Outline Package,TSOP):TSOP封装比SOP封装更薄,适用于具有高密度布局的应用。
2.5 高温封装(High-Temperature Package,HTP):HTP封装在高温环境下依然能够保持电性能,适用于高温工作环境中的电子设备。
3. 集成电路芯片封装的材料3.1 塑料封装材料塑料封装材料是集成电路芯片封装中最常见的材料之一。
它具有廉价、轻便、隔热、防潮的特点,适用于大规模生产。
常见的塑料封装材料有聚酰亚胺(Polyimides)、环氧树脂(Epoxy Resin)等。
3.2 陶瓷封装材料陶瓷封装材料的热导率较高,能够较好地散热,适用于高性能和高功率的集成电路芯片。
常见的陶瓷封装材料有氧化铝(Alumina)和氮化铝(Aluminium Nitrite)等。
芯片的封装芯片的封装是指将芯片封装在外部材料中,以保护芯片免受机械损伤和环境危害。
封装可以使芯片更加稳定,并且可以提供电气连接和散热功能。
在整个电子产业中,封装技术是非常重要的一环。
芯片封装的目的主要有以下几个方面:1. 保护芯片:芯片是电子产品的核心部件,它包含了大量的精密电路。
如果芯片暴露在外部环境中,很容易受到尘埃、湿气、静电和机械损伤等的影响。
封装技术可以将芯片封装在外部材料中,使其免受这些影响,在使用中更加稳定可靠。
2. 提供电气连接:封装不仅可以保护芯片,还可以提供芯片与外部电路之间的连接。
通过封装,芯片可以与电路板等其他元器件进行连接,实现电气信号的传输和交互。
这使得芯片可以与外部世界进行通信,实现各种功能。
3. 散热功能:芯片在工作过程中会产生大量的热量,如果不能及时散热,会导致芯片温度过高,从而影响正常工作和寿命。
封装中通常会设计有散热结构,如散热片、散热塑料等,用于将芯片产生的热量散发到外部环境中,保持芯片的工作温度在安全范围内。
芯片封装的分类方式有很多,常见的封装形式包括以下几种:1. DIP(Dual In-line Package)双列直插封装:这是一种最早的封装形式,多用于集成电路较少的芯片。
DIP封装的特点是引脚直插在封装底部两行排列,引脚直接与外部电路板进行焊接连接。
2. QFN(Quad Flat No-leads)无引脚封装:这是一种比较新的封装形式,它的引脚被隐藏在封装底部,不可见。
QFN封装通过底部焊盘与外部电路板连接,具有较小的尺寸和良好的散热性能。
3. BGA(Ball Grid Array)球栅阵列封装:这是一种高密度封装形式,芯片下方具有一定数量的小球,通过球与外部电路板进行焊接连接。
BGA封装适用于集成电路较多的芯片,它的引脚数量较大,具有较好的电气连接和散热性能。
除了以上常见的封装形式外,还有许多其他种类的芯片封装,如CSP(Chip Scale Package)芯片级封装、SIP(System In Package)系统级封装、COB(Chip On Board)芯片贴片封装等。
芯片常用封装芯片常用封装是指对芯片进行包装和封装的一种技术,它可以保护芯片,提高芯片的可靠性和稳定性,并方便芯片的使用和安装。
芯片常用封装形式主要有晶圆级封装和后封装两种。
1. 晶圆级封装晶圆级封装是指将芯片直接封装在晶圆上。
这种封装方式具有高度集成、高密度、高性价比等优点。
晶圆级封装主要有以下几种形式。
(1) 裸芯封装:将芯片直接封装在晶圆上,没有任何其他材料进行封装。
这种封装方式适用于一些对成本要求较高、不需要对芯片进行保护的应用场景。
(2) 热压封装:将芯片通过热压工艺与晶圆封装。
这种封装方式可以提高芯片的可靠性和热导性能。
(3) 胶粘封装:将芯片封装在晶圆上,并使用胶粘剂进行固定。
这种封装方式可以提高芯片的抗震性和抗振动性能。
(4) 焊接封装:将芯片封装在晶圆上,并通过焊接工艺进行连接。
这种封装方式可以提高芯片的可靠性和连接性能。
2. 后封装后封装是指将已经完成芯片制造的芯片进行封装。
这种封装方式可以根据不同的应用需求选择不同的封装形式。
(1) DIP封装:DIP封装是一种早期的常用封装形式,它可以直接插入到电路板上。
DIP封装具有安装方便、维修性好等优点,但是不适用于集成度高的芯片。
(2) BGA封装:BGA封装是一种较新的封装技术,它将芯片通过球形焊盘进行连接。
BGA封装具有高集成度、高密度、高可靠性等优点,适用于高性能芯片的封装。
(3) QFP封装:QFP封装是一种表面贴装封装技术,它将芯片通过引脚焊接到电路板上。
QFP封装具有体积小、重量轻、适用于高速信号传输等优点,适用于一些对体积要求较小的应用场景。
(4) CSP封装:CSP封装是一种超小型封装技术,它将芯片直接封装在引脚上。
CSP封装具有体积小、能耗低、适用于高光性能等优点,适用于一些对体积和能耗要求较高的应用场景。
综上所述,芯片常用封装形式有晶圆级封装和后封装两种,各有不同的优点和适用场景。
在选择封装形式时,需要根据芯片的性能要求、应用场景和成本等因素进行综合考虑选择。
芯片封装知识,你要知道的都在这里啦一.封装是什么?封装,就是指把硅片上的电路管脚,用导线接引到外部接头处,以便与其它器件连接.封装形式是指安装半导体集成电路芯片用的外壳。
它不仅起着安装、固定、密封、保护芯片及增强电热性能等方面的作用,而且还通过芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上,这些引脚又通过印刷电路板上的导线与其他器件相连接,从而实现内部芯片与外部电路的连接。
因为芯片必须与外界隔离,以防止空气中的杂质对芯片电路的腐蚀而造成电气性能下降。
另一方面,封装后的芯片也更便于安装和运输。
由于封装技术的好坏还直接影响到芯片自身性能的发挥和与之连接的PCB(印制电路板)的设计和制造,因此它是至关重要的。
衡量一个芯片封装技术先进与否的重要指标是芯片面积与封装面积之比,这个比值越接近1越好。
二.封装时主要考虑的因素1、芯片面积与封装面积之比为提高封装效率,尽量接近1:1;2、引脚要尽量短以减少延迟,引脚间的距离尽量远,以保证互不干扰,提高性能;3、基于散热的要求,封装越薄越好。
三. 封装大致经过了如下发展进程结构方面:TO->DIP->PLCC->QFP->PGA->BGA ->CSP->MCM;材料方面:金属、陶瓷->陶瓷、塑料->塑料;引脚形状:长引线直插->短引线或无引线贴装->球状凸点;装配方式:通孔插装->表面组装->直接安装四.封装的分类:封装有不同的分类方法。
按封装的外形、尺寸、结构分类可分为引脚插入型、表面贴装型(SMD,见注释)和高级封装。
从不同的角度出发,其分类方法大致有以下几种:1,按芯片的装载方式;2,按芯片的基板类型;3,按芯片的封接或封装方式;4,按芯片的封装材料等;5,按芯片的外型结构.前三类属一级封装的范畴,涉及裸芯片及其电极和引线的封装或封接,笔者只作简单阐述,后二类属二级封装的范畴,对PCB设计大有用处,笔者将作详细分析. 1.按芯片的装载方式分类裸芯片在装载时,它的有电极的一面可以朝上也可以朝下,因此,芯片就有正装片和倒装片之分,布线面朝上为正装片,反之为倒装片. 另外,裸芯片在装载时,它们的电气连接方式亦有所不同,有的采用有引线键合方式,有的则采用无引线键合方式 2.按芯片的基板类型分类基板的作用是搭载和固定裸芯片,同时兼有绝缘,导热,隔离及保护作用.它是芯片内外电路连接的桥梁.从材料上看,基板有有机和无机之分,从结构上看,基板有单层的,双层的,多层的和复合的. 3.按芯片的封接或封装方式分类裸芯片裸芯片及其电极和引线的封装或封接方式可以分为两类,即气密性封装和树脂封装,而气密性封装中,根据封装材料的不同又可分为:金属封装,陶瓷封装和玻璃封装三种类型. 4.按芯片的封装材料分类按芯片的封装材料分有金属封装,陶瓷封装,金属-陶瓷封装,塑料封装. 金属封装:金属材料可以冲,压,因此有封装精度高,尺寸严格,便于大量生产,价格低廉等优点. 陶瓷封装:陶瓷材料的电气性能优良,适用于高密度封装. 金属-陶瓷封装:兼有金属封装和陶瓷封装的优点. 塑料封装:塑料的可塑性强,成本低廉,工艺简单,适合大批量生产. 5.按芯片的外型,结构分类大致有:DIP,SIP,ZIP,S-DIP,SK-DIP,PGA,SOP,MSP,QFP,SVP,LCCC,PLCC,SOJ,BGA,CSP,TCP等,其中前6种属引脚插入型,随后的9种为表面贴装型,最后一种是TAB型(见注释).1. DIP:双列直插式封装.顾名思义,该类型的引脚在芯片两侧排列,是插入式封装中最常见的一种,引脚节距为2.54 mm,电气性能优良,又有利于散热,可制成大功率器件. 2. SIP:单列直插式封装.该类型的引脚在芯片单侧排列,引脚节距等特征与DIP基本相同.ZIP:Z型引脚直插式封装.该类型的引脚也在芯片单侧排列,只是引脚比SIP粗短些,节距等特征也与DIP基本相同. 3. S-DIP:收缩双列直插式封装.该类型的引脚在芯片两侧排列,引脚节距为1.778 mm,芯片集成度高于DIP. 4. SK-DIP:窄型双列直插式封装.除了芯片的宽度是DIP的1/2以外,其它特征与DIP相同.PGA:针栅阵列插入式封装.封装底面垂直阵列布置引脚插脚,如同针栅.插脚节距为2.54 mm或1.27mm,插脚数可多达数百脚.用于高速的且大规模和超大规模集成电路. 5. SOP:小外型封装.表面贴装型封装的一种,引脚端子从封装的两个侧面引出,字母L状.引脚节距为1.27mm. 6. MSP:微方型封装.表面贴装型封装的一种,又叫QFI等,引脚端子从封装的四个侧面引出,呈I字形向下方延伸,没有向外突出的部分,实装占用面积小,引脚节距为1.27mm. 7. QFP:四方扁平封装.表面贴装型封装的一种,引脚端子从封装的两个侧面引出,呈L字形,引脚节距为1.0mm,0.8mm,0.65mm,0.5mm,0.4mm,0.3mm,引脚可达300脚以上. 8. SVP:表面安装型垂直封装.表面贴装型封装的一种,引脚端子从封装的一个侧面引出,引脚在中间部位弯成直角,弯曲引脚的端部与PCB键合,为垂直安装的封装.实装占有面积很小.引脚节距为0.65mm,0.5mm . 9. LCCC:无引线陶瓷封装载体.在陶瓷基板的四个侧面都设有电极焊盘而无引脚的表面贴装型封装.用于高速,高频集成电路封装. 10. PLCC:无引线塑料封装载体.一种塑料封装的LCC.也用于高速,高频集成电路封装. 11. SOJ:小外形J引脚封装.表面贴装型封装的一种,引脚端子从封装的两个侧面引出,呈J字形,引脚节距为1.27mm. 12. BGA:球栅阵列封装.表面贴装型封装的一种,在PCB的背面布置二维阵列的球形端子,而不采用针脚引脚.焊球的节距通常为1.5mm,1.0mm,0.8mm,与PGA相比,不会出现针脚变形问题. 13. CSP:芯片级封装.一种超小型表面贴装型封装,其引脚也是球形端子,节距为0.8mm,0.65mm,0.5mm等. 14. TCP:带载封装.在形成布线的绝缘带上搭载裸芯片,并与布线相连接的封装.与其他表面贴装型封装相比,芯片更薄,引脚节距更小,达0.25mm,而引脚数可达500针以上.五、按封装历史介绍封装形式(TO->DIP->PLCC->QFP->PGA->BGA->CSP->MCM)1、DIP双列直插式封装图1 DIP封装图DIP(DualIn-line Package)是指采用双列直插形式封装的集成电路芯片,绝大多数中小规模集成电路(IC)均采用这种封装形式,其引脚数一般不超过100个。
集成电路芯片封装的概念一、前言随着电子技术的不断发展,集成电路芯片封装也得到了不断的改进和创新。
集成电路芯片封装是将芯片封装在塑料或金属外壳中,并通过引脚与外部器件相连接的过程。
本文将从概念、分类、工艺、特点等方面进行详细介绍。
二、概念集成电路芯片封装是指将芯片封装在塑料或金属外壳中,并通过引脚与外部器件相连接的过程。
其主要目的是保护芯片,以及便于与其他器件进行连接和使用。
同时,集成电路芯片封装还可以对信号进行滤波和放大等处理。
三、分类根据不同的封装方式,集成电路芯片可以分为以下几种类型:1. DIP(双列直插式):该类型是最早应用的一种封装方式,具有引脚数量较多且易于手动插拔等特点。
2. SOP(小轮廓封装):该类型采用表面贴装技术制作,具有体积小、功耗低、频率高等优点。
3. QFP(四边形平面封装):该类型采用四边形平面结构,具有引脚数量多、密度高、体积小等特点。
4. BGA(球形网格阵列封装):该类型采用球形焊珠连接芯片和PCB 板,具有密度高、功耗低、频率高等优点。
5. CSP(芯片级封装):该类型是最小的一种封装方式,将芯片直接封装在塑料或金属外壳中,具有体积小、功耗低等特点。
四、工艺集成电路芯片封装的工艺主要包括以下几个步骤:1. 芯片切割:将硅晶圆切割成单个芯片。
2. 焊盘制作:在PCB板上制作出与芯片引脚相对应的焊盘。
3. 封装过程:将芯片放入塑料或金属外壳中,并通过引脚与焊盘相连接。
4. 焊接:使用焊接设备将引脚与焊盘进行连接。
五、特点集成电路芯片封装具有以下几个特点:1. 保护性强:集成电路芯片通过封装可以有效地保护其不受外部环境的影响。
2. 功能强大:集成电路芯片封装可以对信号进行滤波、放大等处理,具有强大的功能。
3. 体积小巧:集成电路芯片封装体积小,可以方便地携带和使用。
4. 稳定性高:集成电路芯片封装具有稳定性高的特点,可以长时间稳定工作。
六、结语集成电路芯片封装是现代电子技术中非常重要的一个环节。
芯片封装介绍范文芯片封装是指将集成电路芯片连接到引脚或其他外部设备上的过程。
它是电子产品制造中的关键步骤之一,可以保护芯片不受外界环境的干扰,并提供连接和扩展功能。
本文将介绍芯片封装的基本原理、常见封装类型、封装材料以及未来发展趋势。
一、基本原理芯片封装的基本原理是将芯片通过焊接、黏贴或其他方法连接到引脚或其他外部设备上,并用封装材料将芯片包裹起来。
这样可以保护芯片免受静电、水分、化学物质等外界环境的影响。
同时,封装还可以提供电信号传输、散热、机械支撑等功能。
二、常见封装类型1.芯片封装分类根据封装时芯片的裸露状态,芯片封装可以分为无封装(chip-scale package, CSP)、裸芯封装(die attach, DA)和裸片封装(chip-on-board, COB)三种类型。
无封装是将芯片直接焊接在印刷电路板上,裸芯封装是将芯片放置在封装基座上后封装,裸片封装是将多个裸芯封装组合在一起。
2.封装形式根据封装结构形式,常见的封装类型有双列直插封装(Dual In-line Package, DIP)、表面贴装封装(Surface Mount Technology, SMT)、无引线封装(Leadless Package, LGA/QFN/BGA)等。
DIP封装是最早使用的一种封装形式,引脚呈两列排列。
SMT封装是一种体积小、重量轻、可自动化组装的封装形式。
无引线封装是指芯片的引脚直接焊接到封装的底部,并通过焊球或焊盘与PCB连接,适用于高密度集成。
三、封装材料封装材料对芯片封装的效果和性能起着重要作用。
常见的封装材料有封装基座、封装胶水和引线材料。
1.封装基座封装基座是芯片封装的主要组成部分,其材料应具有良好的导热性、机械强度和耐候性。
常见的封装基座材料有金属、陶瓷、塑料等。
金属基座具有良好的导热性能,适用于需要高功率处理的芯片。
陶瓷基座具有优良的机械强度和导热性能,适用于高频和高温环境下的应用。
先进芯片封装知识介绍芯片封装是指将芯片封装到具有引脚和外壳的封装中的过程。
封装是芯片最后一个工艺步骤,也是芯片与外部环境连接的关键环节。
芯片封装技术的先进性对于提高芯片的性能、可靠性和尺寸方面具有重要意义。
本文将介绍芯片封装的先进技术和其应用。
首先,先进芯片封装技术的主要应用之一是微型化。
随着电子产品的发展,对芯片体积的要求越来越高。
微型化封装技术可以将芯片封装得越来越小,从而提高产品的集成度和性能。
常见的微型封装技术有BGA(Ball Grid Array)和CSP(Chip Scale Package)等。
BGA封装利用了球形引脚的布局方式,将芯片封装在小型外壳内,可以实现更高的可靠性和更高的热传导性能。
CSP封装则采用更加紧凑的设计,将芯片封装成与芯片尺寸几乎相同的封装,从而实现最小化的封装。
其次,先进芯片封装技术还包括多芯片封装和三维封装。
多芯片封装是将多个芯片封装在同一个封装中,以实现更高的集成度和更小的体积。
常见的多芯片封装技术有MCM(Multi-Chip Module)和SiP(System in Package)等。
MCM封装将多个芯片封装在同一个封装中,通过高密度连接技术实现芯片之间的互联。
SiP封装则将多个芯片封装在同一个封装中,并通过高密度互联技术实现芯片之间的通信。
三维封装则是将芯片在垂直方向上堆叠,以实现更高的集成度和更小的尺寸。
另外,先进芯片封装技术还包括高可靠性封装和高温封装。
随着电子产品的应用场景不断扩大,对芯片封装的可靠性和耐高温性能要求也越来越高。
高可靠性封装技术通过设计更加稳定可靠的引脚结构和封装结构,以提高产品的可靠性。
高温封装技术则通过选择高温稳定的材料和设计结构,以实现芯片在高温环境下的可靠运行。
这些封装技术在汽车电子、航空航天等领域具有广泛的应用。
最后,先进芯片封装技术还包括智能封装和光学封装。
智能封装技术将传感器和控制电路封装在一起,以实现智能化的功能。
常见芯片封装的类型介绍芯片封装,简单点来讲就是把制造厂生产出来的集成电路裸片放到一块起承载作用的基板上,再把管脚引出来,然后固定包装成为一个整体。
它可以起到保护芯片的作用,相当于是芯片的外壳,不仅能固定、密封芯片,还能增强其电热性能。
所以,封装对CPU 和其他大规模集成电路起着非常重要的作用。
下面是常见的芯片封装类型及其特点。
一、DIP双列直插式DIP(Dual Inline-pin Package)是指采用双列直插形式封装的集成电路芯片,绝大多数中小规模集成电路(IC)均采用这种封装形式,其引脚数一般不超过100个。
采用DIP封装的CPU芯片有两排引脚,需要插入到具有DIP结构的芯片插座上。
当然,也可以直接插在有相同焊孔数和几何排列的电路板上进行焊接。
DIP封装的芯片在从芯片插座上插拔时应特别小心,以免损坏引脚。
特点:1、适合在PCB(印刷电路板)上穿孔焊接,操作方便。
2、芯片面积与封装面积之间的比值较大,故体积也较大。
Intel系列CPU中8088就采用这种封装形式,缓存(Cache)和早期的4004、8008、8086、8088等CPU都采用了DIP封装,通过其上的两排引脚可插到主板上的插槽或焊接在主板上。
在内存颗粒直接插在主板上的时代,DIP封装形式曾经十分流行。
DIP还有一种派生方式SDIP(Shrink DIP,紧缩双入线封装),它比DIP的针脚密度要高六倍。
二、组件封装式(PQFP/PFP封装)PQFP(Plastic Quad Flat Package)封装的芯片引脚之间距离很小,管脚很细,一般大规模或超大型集成电路都采用这种封装形式,其引脚数一般在100个以上。
用这种形式封装的芯片必须采用SMD(表面安装设备技术)将芯片与主板焊接起来。
采用SMD安装的芯片不必在主板上打孔,一般在主板表面上有设计好的相应管脚的焊点。
将芯片各脚对准相应的焊点,即可实现与主板的焊接。
用这种方法焊上去的芯片,如果不用专用工具是很难拆卸下来的。
28种芯片封装技术的详细介绍芯片封装技术是针对集成电路芯片的外包装及连接引脚的处理技术,它将裸片或已经封装好的芯片通过一系列工艺步骤引脚,并封装在特定的材料中,保护芯片免受机械和环境的损害。
在芯片封装技术中,有许多不同的封装方式和方法,下面将详细介绍28种常见的芯片封装技术。
1. DIP封装(Dual In-line Package):为最早、最简单的封装方式,多用于代工生产,具有通用性和成本效益。
2. SOJ封装(Small Outline J-lead):是DIP封装的改进版,主要用于大规模集成电路。
3. SOP封装(Small Outline Package):是SOJ封装的互补形式,适用于SMD(Surface Mount Device)工艺的封装。
4. QFP封装(Quad Flat Package):引脚数多达数百个,广泛应用于高密度、高性能的微处理器和大规模集成电路。
5. BGA封装(Ball Grid Array):芯片的引脚通过小球焊接在底座上,具有较好的热性能和电气性能。
6. CSP封装(Chip Scale Package):将芯片封装在极小的尺寸内,适用于移动设备等对尺寸要求极高的应用。
7. LGA封装(Land Grid Array):通过焊接引脚在底座上,适用于大功率、高频率的应用。
8. QFN封装(Quad Flat No-leads):相对于QFP封装减少了引脚长度,适合于高频率应用。
9. TSOP封装(Thin Small Outline Package):为SOJ封装的一种改进版本,用于闪存存储器和DRAM等应用。
10. PLCC封装(Plastic Leaded Chip Carrier):芯片通过引脚焊接在塑料封装上,适用于多种集成电路。
11. PLGA封装(Pin Grid Array):引脚排列成矩阵状,适用于计算机和通信技术。
12. PGA封装(Pin Grid Array):引脚排列成网格状,适用于高频、高功率的应用。
集成电路芯片封装的概念1. 概念定义集成电路芯片封装是将裸芯片(bare die)通过一系列工艺和材料封装成可独立使用的电子元件的过程。
它是集成电路设计与制造中的重要环节,通常包括芯片封装设计、封装制造和封装测试等步骤。
2. 关键概念2.1 裸芯片(Bare Die)裸芯片指的是没有任何保护外壳或引脚的集成电路芯片。
裸芯片在制造完成后,需要进行封装才能进行实际应用。
2.2 封装(Packaging)封装是将裸芯片放置在一个外部支撑结构中,并通过连接技术将其与外部引脚相连,以便于安装和连接到电子设备中。
封装不仅提供了物理保护,还提供了对外界环境的隔离。
2.3 引脚(Pins)引脚是集成电路用于与外部世界进行信息传递和能量传输的接口。
它们通常位于封装底部,并通过焊接或插入等方式连接到印刷电路板(PCB)上。
2.4 封装类型常见的封装类型包括:•DIP(Dual In-line Package)双列直插封装:引脚位于芯片两侧,每一列都有一排引脚。
•SOP(Small Outline Package)小型外延封装:引脚位于芯片的两侧,但比DIP更紧密。
•QFP(Quad Flat Package)四边平封装:引脚位于芯片四周,并且以表面贴装技术连接到PCB上。
•BGA(Ball Grid Array)球栅阵列封装:引脚以球形焊珠连接到底部,广泛应用于高密度集成电路。
2.5 封装材料封装材料主要包括基材、导体和保护层。
基材通常由塑料、陶瓷或金属等制成,用于提供结构支撑和热传导。
导体用于连接裸芯片和外部引脚,常见的导体材料有铜、银和金等。
保护层用于保护裸芯片免受机械损伤和环境侵害,通常是一层环氧树脂或硅胶等。
2.6 尺寸和引脚数量封装的尺寸直接影响集成电路芯片的体积和功耗。
较小的封装可以实现更高的集成度,但可能会增加散热困难和制造成本。
引脚数量则决定了芯片与外部世界的连接接口数量,对于不同应用需求有不同要求。
1、BGAball grid array球形触点陈列,表面贴装型封装之一;在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚,在印刷基板的正面装配LSI 芯片,然后用模压树脂或灌封方法进行密封;也称为凸点陈列载体PAC;引脚可超过200,是多引脚LSI 用的一种封装; 封装本体也可做得比QFP四侧引脚扁平封装小;例如,引脚中心距为1.5mm 的360 引脚 BGA 仅为31mm 见方;而引脚中心距为0.5mm 的304 引脚QFP 为40mm 见方;而且BGA 不用担心QFP 那样的引脚变形问题; 该封装是美国Motorola 公司开发的,首先在便携式电话等设备中被采用,今后在美国有可能在个人计算机中普及;最初,BGA 的引脚凸点中心距为1.5mm,引脚数为225;现在也有一些LSI 厂家正在开发500 引脚的BGA; BGA 的问题是回流焊后的外观检查;现在尚不清楚是否有效的外观检查方法;有的认为 , 由于焊接的中心距较大,连接可以看作是稳定的,只能通过功能检查来处理; 美国Motorola 公司把用模压树脂密封的封装称为OMPAC,而把灌封方法密封的封装称为GPAC见OMPAC 和GPAC;2、BQFPquad flat package with bumper带缓冲垫的四侧引脚扁平封装;QFP 封装之一,在封装本体的四个角设置突起缓冲垫以防止在运送过程中引脚发生弯曲变形;美国半导体厂家主要在微处理器和ASIC 等电路中采用此封装;引脚中心距0.635mm,引脚数从84 到196 左右见QFP;3、碰焊PGAbutt joint pin grid array 表面贴装型PGA 的别称见表面贴装型PGA;4、C-ceramic表示陶瓷封装的记号;例如,CDIP 表示的是陶瓷DIP;是在实际中经常使用的记号;5、Cerdip用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装,用于ECL RAM,DSP数字信号处理器等电路;带有玻璃窗口的Cerdip 用于紫外线擦除型EPROM 以及内部带有EPROM 的微机电路等;引脚中心距2.54mm,引脚数从8 到42;在日本,此封装表示为DIP-GG 即玻璃密封的意思;6、Cerquad表面贴装型封装之一,即用下密封的陶瓷QFP,用于封装DSP 等的逻辑LSI 电路;带有窗口的Cerquad 用于封装EPROM 电路;散热性比塑料QFP 好,在自然空冷条件下可容许1. 5~2W 的功率;但封装成本比塑料QFP 高3~5 倍;引脚中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、 0.4mm 等多种规格;引脚数从32 到368;7、CLCCceramic leaded chip carrier带引脚的陶瓷芯片载体,表面贴装型封装之一,引脚从封装的四个侧面引出,呈丁字形 ; 带有窗口的用于封装紫外线擦除型EPROM 以及带有EPROM 的微机电路等;此封装也称为QFJ、QFJ-G见QFJ;8、COBchip on board板上芯片封装,是裸芯片贴装技术之一,半导体芯片交接贴装在印刷线路板上,芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现,芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现,并用树脂覆盖以确保可靠性;虽然COB 是最简单的裸芯片贴装技术,但它的封装密度远不如TAB 和倒片焊技术;9、DFPdual flat package双侧引脚扁平封装;是SOP 的别称见SOP;以前曾有此称法,现在已基本上不用;10、DICdual in-line ceramic package陶瓷DIP含玻璃密封的别称见DIP.11、DILdual in-lineDIP 的别称见DIP;欧洲半导体厂家多用此名称;12、DIPdual in-line package双列直插式封装;插装型封装之一,引脚从封装两侧引出,封装材料有塑料和陶瓷两种 ; DIP 是最普及的插装型封装,应用范围包括标准逻辑IC,存贮器LSI,微机电路等; 引脚中心距2.54mm,引脚数从6 到64;封装宽度通常为15.2mm;有的把宽度为7.52mm 和10.16mm 的封装分别称为skinny DIP 和slim DIP窄体型DIP;但多数情况下并不加区分, 只简单地统称为DIP;另外,用低熔点玻璃密封的陶瓷DIP 也称为cerdip见cerdip;13、DSOdual small out-lint双侧引脚小外形封装;SOP 的别称见SOP;部分半导体厂家采用此名称;14、DICPdual tape carrier package双侧引脚带载封装;TCP带载封装之一;引脚制作在绝缘带上并从封装两侧引出;由于利用的是TAB自动带载焊接技术,封装外形非常薄;常用于液晶显示驱动LSI,但多数为定制品; 另外,0.5mm 厚的存储器LSI 簿形封装正处于开发阶段;在日本,按照EIAJ日本电子机械工业会标准规定,将DICP 命名为DTP;15、DIPdual tape carrier package同上;日本电子机械工业会标准对DTCP 的命名见DTCP;16、FPflat package扁平封装;表面贴装型封装之一;QFP 或SOP见QFP 和SOP的别称;部分半导体厂家采用此名称;17、flip-chip倒焊芯片;裸芯片封装技术之一,在LSI 芯片的电极区制作好金属凸点,然后把金属凸点与印刷基板上的电极区进行压焊连接;封装的占有面积基本上与芯片尺寸相同;是所有封装技术中体积最小、最薄的一种; 但如果基板的热膨胀系数与LSI 芯片不同,就会在接合处产生反应,从而影响连接的可靠性;因此必须用树脂来加固LSI 芯片,并使用热膨胀系数基本相同的基板材料;18、FQFPfine pitch quad flat package小引脚中心距QFP;通常指引脚中心距小于0.65mm 的QFP见QFP;部分导导体厂家采用此名称;19、CPACglobe top pad array carrier美国Motorola 公司对BGA 的别称见BGA;20、CQFPquad fiat package with guard ring带保护环的四侧引脚扁平封装;塑料QFP 之一,引脚用树脂保护环掩蔽,以防止弯曲变形; 在把LSI 组装在印刷基板上之前,从保护环处切断引脚并使其成为海鸥翼状L 形状; 这种封装在美国Motorola 公司已批量生产;引脚中心距0.5mm,引脚数最多为208 左右;21、H-with heat sink表示带散热器的标记;例如,HSOP 表示带散热器的SOP;22、pin grid arraysurface mount type表面贴装型PGA;通常PGA 为插装型封装,引脚长约3.4mm;表面贴装型PGA 在封装的底面有陈列状的引脚,其长度从1.5mm 到2.0mm;贴装采用与印刷基板碰焊的方法,因而也称为碰焊PGA;因为引脚中心距只有1.27mm,比插装型PGA 小一半,所以封装本体可制作得不怎么大,而引脚数比插装型多250~528,是大规模逻辑LSI 用的封装;封装的基材有多层陶瓷基板和玻璃环氧树脂印刷基数;以多层陶瓷基材制作封装已经实用化;23、JLCCJ-leaded chip carrierJ 形引脚芯片载体;指带窗口CLCC 和带窗口的陶瓷QFJ 的别称见CLCC 和QFJ;部分半导体厂家采用的名称;24、LCCLeadless chip carrier无引脚芯片载体;指陶瓷基板的四个侧面只有电极接触而无引脚的表面贴装型封装;是高速和高频IC 用封装,也称为陶瓷QFN 或QFN-C见QFN;25、LGAland grid array触点陈列封装;即在底面制作有阵列状态坦电极触点的封装;装配时插入插座即可;现已实用的有227 触点1.27mm 中心距和447 触点2.54mm 中心距的陶瓷LGA,应用于高速逻辑LSI 电路; LGA 与QFP 相比,能够以比较小的封装容纳更多的输入输出引脚;另外,由于引线的阻抗小,对于高速LSI 是很适用的;但由于插座制作复杂,成本高,现在基本上不怎么使用 ;预计今后对其需求会有所增加;26、LOClead on chip芯片上引线封装;LSI 封装技术之一,引线框架的前端处于芯片上方的一种结构,芯片的中心附近制作有凸焊点,用引线缝合进行电气连接;与原来把引线框架布置在芯片侧面附近的结构相比,在相同大小的封装中容纳的芯片达1mm 左右宽度;27、LQFPlow profile quad flat package薄型QFP;指封装本体厚度为1.4mm 的QFP,是日本电子机械工业会根据制定的新QFP 外形规格所用的名称;28、L-QUAD陶瓷QFP 之一;封装基板用氮化铝,基导热率比氧化铝高7~8 倍,具有较好的散热性; 封装的框架用氧化铝,芯片用灌封法密封,从而抑制了成本;是为逻辑LSI 开发的一种封装, 在自然空冷条件下可容许W3的功率;现已开发出了208 引脚0.5mm 中心距和160 引脚 0.65mm 中心距的LSI 逻辑用封装,并于1993 年10 月开始投入批量生产;29、MCMmulti-chip module多芯片组件;将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装;根据基板材料可分为MCM-L,MCM-C 和MCM-D 三大类; MCM-L 是使用通常的玻璃环氧树脂多层印刷基板的组件;布线密度不怎么高,成本较低 ; MCM-C 是用厚膜技术形成多层布线,以陶瓷氧化铝或玻璃陶瓷作为基板的组件,与使用多层陶瓷基板的厚膜混合IC 类似;两者无明显差别;布线密度高于MCM-L;MCM-D 是用薄膜技术形成多层布线,以陶瓷氧化铝或氮化铝或Si、Al 作为基板的组件; 布线密谋在三种组件中是最高的,但成本也高;30、MFPmini flat package小形扁平封装;塑料SOP 或SSOP 的别称见SOP 和SSOP;部分半导体厂家采用的名称;31、MQFPmetric quad flat package按照JEDEC美国联合电子设备委员会标准对QFP 进行的一种分类;指引脚中心距为0.65mm、本体厚度为3.8mm~2.0mm 的标准QFP见QFP;32、MQUADmetal quad美国Olin 公司开发的一种QFP 封装;基板与封盖均采用铝材,用粘合剂密封;在自然空冷条件下可容许2.5W~2.8W 的功率;日本新光电气工业公司于1993 年获得特许开始生产 ;33、MSPmini square packageQFI 的别称见QFI,在开发初期多称为MSP;QFI 是日本电子机械工业会规定的名称;34、OPMACover molded pad array carrier模压树脂密封凸点陈列载体;美国Motorola 公司对模压树脂密封BGA 采用的名称见 BGA;35、P-plastic表示塑料封装的记号;如PDIP 表示塑料DIP;36、PACpad array carrier凸点陈列载体,BGA 的别称见BGA;37、PCLPprinted circuit board leadless package印刷电路板无引线封装;日本富士通公司对塑料QFN塑料LCC采用的名称见QFN;引脚中心距有0.55mm 和0.4mm 两种规格;目前正处于开发阶段;38、PFPFplastic flat package塑料扁平封装;塑料QFP 的别称见QFP;部分LSI 厂家采用的名称;39、PGApin grid array陈列引脚封装;插装型封装之一,其底面的垂直引脚呈陈列状排列;封装基材基本上都采用多层陶瓷基板;在未专门表示出材料名称的情况下,多数为陶瓷PGA,用于高速大规模逻辑 LSI 电路;成本较高;引脚中心距通常为2.54mm,引脚数从64 到447 左右; 了为降低成本,封装基材可用玻璃环氧树脂印刷基板代替;也有64~256 引脚的塑料PG A; 另外,还有一种引脚中心距为1.27mm 的短引脚表面贴装型PGA碰焊PGA;见表面贴装型PGA;40、piggy back驮载封装;指配有插座的陶瓷封装,形关与DIP、QFP、QFN 相似;在开发带有微机的设备时用于评价程序确认操作;例如,将EPROM 插入插座进行调试;这种封装基本上都是定制品,市场上不怎么流通;41、PLCCplastic leaded chip carrier带引线的塑料芯片载体;表面贴装型封装之一;引脚从封装的四个侧面引出,呈丁字形 , 是塑料制品;美国德克萨斯仪器公司首先在64k 位DRAM 和256kDRAM 中采用,现在已经普及用于逻辑LSI、DLD或程逻辑器件等电路;引脚中心距1.27mm,引脚数从18 到84; J 形引脚不易变形,比QFP 容易操作,但焊接后的外观检查较为困难; PLCC 与LCC也称QFN相似;以前,两者的区别仅在于前者用塑料,后者用陶瓷;但现在已经出现用陶瓷制作的J 形引脚封装和用塑料制作的无引脚封装标记为塑料LCC、PC LP、P -LCC 等,已经无法分辨;为此,日本电子机械工业会于1988 年决定,把从四侧引出 J 形引脚的封装称为QFJ,把在四侧带有电极凸点的封装称为QFN见QFJ 和QFN;42、P-LCCplastic teadless chip carrierplastic leaded chip currier有时候是塑料QFJ 的别称,有时候是QFN塑料LCC的别称见QFJ 和QFN;部分LSI 厂家用PLCC 表示带引线封装,用P-LCC 表示无引线封装,以示区别;43、QFHquad flat high package四侧引脚厚体扁平封装;塑料QFP 的一种,为了防止封装本体断裂,QFP 本体制作得较厚见QFP;部分半导体厂家采用的名称;44、QFIquad flat I-leaded packgac四侧I 形引脚扁平封装;表面贴装型封装之一;引脚从封装四个侧面引出,向下呈I 字 ; 也称为MSP见MSP;贴装与印刷基板进行碰焊连接;由于引脚无突出部分,贴装占有面积小于QFP; 日立制作所为视频模拟IC 开发并使用了这种封装;此外,日本的Motorola 公司的PLL IC 也采用了此种封装;引脚中心距1.27mm,引脚数从18 于68;45、QFJquad flat J-leaded package四侧J 形引脚扁平封装;表面贴装封装之一;引脚从封装四个侧面引出,向下呈J 字形 ; 是日本电子机械工业会规定的名称;引脚中心距1.27mm;材料有塑料和陶瓷两种;塑料QFJ 多数情况称为PLCC见PLCC,用于微机、门陈列、 DRAM、ASSP、OTP 等电路;引脚数从18 至84;陶瓷QFJ 也称为CLCC、JLCC见CLCC;带窗口的封装用于紫外线擦除型EPROM 以及带有EPROM 的微机芯片电路;引脚数从32 至84;46、QFNquad flat non-leaded package四侧无引脚扁平封装;表面贴装型封装之一;现在多称为LCC;QFN 是日本电子机械工业会规定的名称;封装四侧配置有电极触点,由于无引脚,贴装占有面积比QFP 小,高度比QFP 低;但是,当印刷基板与封装之间产生应力时,在电极接触处就不能得到缓解;因此电极触点难于作到QFP 的引脚那样多,一般从14 到100 左右; 材料有陶瓷和塑料两种;当有LCC 标记时基本上都是陶瓷QFN;电极触点中心距1.27mm;塑料QFN 是以玻璃环氧树脂印刷基板基材的一种低成本封装;电极触点中心距除1.27mm 外, 还有0.65mm 和0.5mm 两种;这种封装也称为塑料LCC、PCLC、P-LCC 等;47、QFPquad flat package四侧引脚扁平封装;表面贴装型封装之一,引脚从四个侧面引出呈海鸥翼L型;基材有陶瓷、金属和塑料三种;从数量上看,塑料封装占绝大部分;当没有特别表示出材料时, 多数情况为塑料QFP;塑料QFP 是最普及的多引脚LSI 封装;不仅用于微处理器,门陈列等数字逻辑LSI 电路,而且也用于VTR 信号处理、音响信号处理等模拟LSI 电路;引脚中心距有1.0mm、0.8mm、 0.65mm、0.5mm、0.4mm、0.3mm 等多种规格;0.65mm 中心距规格中最多引脚数为304;日本将引脚中心距小于0.65mm 的QFP 称为QFPFP;但现在日本电子机械工业会对QFP 的外形规格进行了重新评价;在引脚中心距上不加区别,而是根据封装本体厚度分为QFP2.0mm~3.6mm 厚、LQFP1.4mm 厚和TQFP1.0mm 厚三种;另外,有的LSI 厂家把引脚中心距为0.5mm 的QFP 专门称为收缩型QFP 或SQFP、VQFP; 但有的厂家把引脚中心距为0.65mm 及0.4mm 的QFP 也称为SQFP,至使名称稍有一些混乱 ; QFP 的缺点是,当引脚中心距小于0.65mm 时,引脚容易弯曲;为了防止引脚变形,现已出现了几种改进的QFP 品种;如封装的四个角带有树指缓冲垫的BQFP见BQFP;带树脂保护环覆盖引脚前端的GQFP见GQFP;在封装本体里设置测试凸点、放在防止引脚变形的专用夹具里就可进行测试的TPQFP见TPQFP; 在逻辑LSI 方面,不少开发品和高可靠品都封装在多层陶瓷QFP 里;引脚中心距最小为 0.4mm、引脚数最多为348 的产品也已问世;此外,也有用玻璃密封的陶瓷QFP见Gerqa d;48、QFPFPQFP fine pitch小中心距QFP;日本电子机械工业会标准所规定的名称;指引脚中心距为0.55mm、0.4mm 、0.3mm 等小于0.65mm 的QFP见QFP;49、QICquad in-line ceramic package陶瓷QFP 的别称;部分半导体厂家采用的名称见QFP、Cerquad;50、QIPquad in-line plastic package塑料QFP 的别称;部分半导体厂家采用的名称见QFP;51、QTCPquad tape carrier package四侧引脚带载封装;TCP 封装之一,在绝缘带上形成引脚并从封装四个侧面引出;是利用TAB 技术的薄型封装见TAB、TCP;52、QTPquad tape carrier package四侧引脚带载封装;日本电子机械工业会于1993 年4 月对QTCP 所制定的外形规格所用的名称见TCP;53、QUILquad in-lineQUIP 的别称见QUIP;54、QUIPquad in-line package四列引脚直插式封装;引脚从封装两个侧面引出,每隔一根交错向下弯曲成四列;引脚中心距1.27mm,当插入印刷基板时,插入中心距就变成2.5mm;因此可用于标准印刷线路板 ;是比标准DIP 更小的一种封装;日本电气公司在台式计算机和家电产品等的微机芯片中采用了些种封装;材料有陶瓷和塑料两种;引脚数64;55、SDIP shrink dual in-line package收缩型DIP;插装型封装之一,形状与DIP 相同,但引脚中心距1.778mm小于DIP2.54 mm,因而得此称呼;引脚数从14 到90;也有称为SH-DIP 的;材料有陶瓷和塑料两种;56、SH-DIPshrink dual in-line package同SDIP;部分半导体厂家采用的名称;57、SILsingle in-lineSIP 的别称见SIP;欧洲半导体厂家多采用SIL 这个名称;58、SIMMsingle in-line memory module单列存贮器组件;只在印刷基板的一个侧面附近配有电极的存贮器组件;通常指插入插座的组件;标准SIMM 有中心距为2.54mm 的30 电极和中心距为1.27mm 的72 电极两种规格 ; 在印刷基板的单面或双面装有用SOJ 封装的1 兆位及4 兆位DRAM 的SIMM 已经在个人计算机、工作站等设备中获得广泛应用;至少有30~40%的DRAM 都装配在SIMM 里;59、SIPsingle in-line package单列直插式封装;引脚从封装一个侧面引出,排列成一条直线;当装配到印刷基板上时封装呈侧立状;引脚中心距通常为2.54mm,引脚数从2 至23,多数为定制产品;封装的形状各异;也有的把形状与ZIP 相同的封装称为SIP;60、SK-DIPskinny dual in-line packageDIP 的一种;指宽度为7.62mm、引脚中心距为2.54mm 的窄体DIP;通常统称为DIP见 DIP;61、SL-DIPslim dual in-line packageDIP 的一种;指宽度为10.16mm,引脚中心距为2.54mm 的窄体DIP;通常统称为DIP;62、SMDsurface mount devices表面贴装器件;偶而,有的半导体厂家把SOP 归为SMD见SOP;63、SOsmall out-lineSOP 的别称;世界上很多半导体厂家都采用此别称;见SOP;64、SOIsmall out-line I-leaded packageI 形引脚小外型封装;表面贴装型封装之一;引脚从封装双侧引出向下呈I 字形,中心距1.27mm;贴装占有面积小于SOP;日立公司在模拟IC电机驱动用IC中采用了此封装;引脚数 26;65、SOICsmall out-line integrated circuitSOP 的别称见SOP;国外有许多半导体厂家采用此名称;66、SOJSmall Out-Line J-Leaded PackageJ 形引脚小外型封装;表面贴装型封装之一;引脚从封装两侧引出向下呈J 字形,故此得名; 通常为塑料制品,多数用于DRAM 和SRAM 等存储器LSI 电路,但绝大部分是DRAM;用SO J 封装的DRAM 器件很多都装配在SIMM 上;引脚中心距1.27mm,引脚数从20 至40见SIMM ;67、SQLSmall Out-Line L-leaded package按照JEDEC美国联合电子设备工程委员会标准对SOP 所采用的名称见SOP;68、SONFSmall Out-Line Non-Fin无散热片的SOP;与通常的SOP 相同;为了在功率IC 封装中表示无散热片的区别,有意增添了NFnon-fin标记;部分半导体厂家采用的名称见SOP;69、SOFsmall Out-Line package小外形封装;表面贴装型封装之一,引脚从封装两侧引出呈海鸥翼状L 字形;材料有塑料和陶瓷两种;另外也叫SOL 和DFP;SOP 除了用于存储器LSI 外,也广泛用于规模不太大的ASSP 等电路;在输入输出端子不超过10~40 的领域,SOP 是普及最广的表面贴装封装;引脚中心距1.27mm,引脚数从8 ~44;另外,引脚中心距小于1.27mm 的SOP 也称为SSOP;装配高度不到1.27mm 的SOP 也称为TSOP见SSOP、TSOP;还有一种带有散热片的SOP;70、SOW Small Outline PackageWide-Jype宽体SOP;部分半导体厂家采用的名称;。
芯片的封装认识一、什么叫封装封装,就是指把硅片上的电路管脚,用导线接引到外部接头处,以便与其它器件连接.封装形式是指安装半导体集成电路芯片用的外壳。
它不仅起着安装、固定、密封、保护芯片及增强电热性能等方面的作用,而且还通过芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上,这些引脚又通过印刷电路板上的导线与其他器件相连接,从而实现内部芯片与外部电路的连接。
因为芯片必须与外界隔离,以防止空气中的杂质对芯片电路的腐蚀而造成电气性能下降。
另一方面,封装后的芯片也更便于安装和运输。
由于封装技术的好坏还直接影响到芯片自身性能的发挥和与之连接的PCB(印制电路板)的设?坪椭圃欤 虼怂 侵凉刂匾 摹:饬恳桓鲂酒 庾凹际跸冉 敕竦闹匾 副晔切酒 婊 敕庾懊婊 龋 飧霰戎翟浇咏?1越好。
封装时主要考虑的因素:1、芯片面积与封装面积之比为提高封装效率,尽量接近1:1;2、引脚要尽量短以减少延迟,引脚间的距离尽量远,以保证互不干扰,提高性能;3、基于散热的要求,封装越薄越好。
封装主要分为DIP双列直插和SMD贴片封装两种。
从结构方面,封装经历了最早期的晶体管TO(如TO-89、TO92)封装发展到了双列直插封装,随后由PHILIP公司开发出了SOP小外型封装,以后逐渐派生出SOJ(J型引脚小外形封装)、TSOP(薄小外形封装)、VSOP(甚小外形封装)、SSOP(缩小型SOP)、TSSOP(薄的缩小型SOP)及SOT(小外形晶体管)、SOIC(小外形集成电路)等。
从材料介质方面,包括金属、陶瓷、塑料、塑料,目前很多高强度工作条件需求的电路如军工和宇航级别仍有大量的金属封装。
封装大致经过了如下发展进程:结构方面:TO->DIP->PLCC-> QFP->BGA ->CSP;材料方面:金属、陶瓷->陶瓷、塑料->塑料;引脚形状:长引线直插->短引线或无引线贴装->球状凸点;装配方式:通孔插装->表面组装->直接安装二、具体的封装形式1、SOP/SOIC封装SOP是英文Small Outline Package 的缩写,即小外形封装。
SOP封装技术由1968~1969年菲利浦公司开发成功,以后逐渐派生出SOJ(J型引脚小外形封装)、TSOP(薄小外形封装)、VSOP(甚小外形封装)、SSOP(缩小型SOP)、TSSOP(薄的缩小型SOP)及SOT(小外形晶体管)、SOIC(小外形集成电路)等。
2、DIP封装DIP是英文Double In-line Package的缩写,即双列直插式封装。
插装型封装之一,引脚从封装两侧引出,封装材料有塑料和陶瓷两种。
DIP 是最普及的插装型封装,应用范围包括标准逻辑IC,存贮器LSI,微机电路等。
3、PLCC封装PLCC是英文Plastic Leaded Chip Carrier 的缩写,即塑封J引线芯片封装。
PLCC封装方式,外形呈正方形,32脚封装,四周都有管脚,外形尺寸比DIP封装小得多。
PLCC封装适合用SMT表面安装技术在PCB上安装布线,具有外形尺寸小、可靠性高的优点。
4、TQFP封装TQFP是英文thin quad flat package的缩写,即薄塑封四角扁平封装。
四边扁平封装(TQFP)工艺能有效利用空间,从而降低对印刷电路板空间大小的要求。
由于缩小了高度和体积,这种封装工艺非常适合对空间要求较高的应用,如PCMCIA 卡和网络器件。
几乎所有ALTERA的CPLD/FPGA都有TQFP 封装。
5、PQFP封装PQFP是英文Plastic Quad Flat Package的缩写,即塑封四角扁平封装。
PQFP封装的芯片引脚之间距离很小,管脚很细,一般大规模或超大规模集成电路采用这种封装形式,其引脚数一般都在100以上。
6、TSOP封装TSOP是英文Thin Small Outline Package的缩写,即薄型小尺寸封装。
TSOP内存封装技术的一个典型特征就是在封装芯片的周围做出引脚,TSOP适合用SMT技术(表面安装技术)在PCB(印制电路板)上安装布线。
TSOP封装外形尺寸时,寄生参数(电流大幅度变化时,引起输出电压扰动) 减小,适合高频应用,操作比较方便,可靠性也比较高。
7、BGA封装BGA是英文Ball Grid Array Package的缩写,即球栅阵列封装。
20世纪90年代随着技术的进步,芯片集成度不断提高,I/O引脚数急剧增加,功耗也随之增大,对集成电路封装的要求也更加严格。
为了满足发展的需要,BGA封装开始被应用于生产。
采用BGA技术封装的内存,可以使内存在体积不变的情况下内存容量提高两到三倍,BGA与TSOP相比,具有更小的体积,更好的散热性能和电性能。
BGA封装技术使每平方英寸的存储量有了很大提升,采用BGA封装技术的内存产品在相同容量下,体积只有TSOP封装的三分之一;另外,与传统TSOP封装方式相比,BGA封装方式有更加快速和有效的散热途径。
BG A封装的I/O端子以圆形或柱状焊点按阵列形式分布在封装下面,BGA技术的优点是I/O引脚数虽然增加了,但引脚间距并没有减小反而增加了,从而提高了组装成品率;虽然它的功耗增加,但BGA能用可控塌陷芯片法焊接,从而可以改善它的电热性能;厚度和重量都较以前的封装技术有所减少;寄生参数减小,信号传输延迟小,使用频率大大提高;组装可用共面焊接,可靠性高。
说到BGA封装就不能不提Kingmax公司的专利TinyBGA技术,TinyBGA英文全称为Tiny Ball Grid Array(小型球栅阵列封装),属于是BGA封装技术的一个分支。
是Kingmax公司于1998年8月开发成功的,其芯片面积与封装面积之比不小于1: 1.14,可以使内存在体积不变的情况下内存容量提高2~3倍,与TSOP封装产品相比,其具有更小的体积、更好的散热性能和电性能。
采用TinyBGA封装技术的内存产品在相同容量情况下体积只有TSOP封装的1/3。
TSOP封装内存的引脚是由芯片四周引出的,而TinyBGA则是由芯片中心方向引出。
这种方式有效地缩短了信号的传导距离,信号传输线的长度仅是传统的TSOP技术的1/4,因此信号的衰减也随之减少。
这样不仅大幅提升了芯片的抗干扰、抗噪性能,而且提高了电性能。
采用TinyBGA封装芯片可抗高达300MHz的外频,而采用传统TSOP封装技术最高只可抗150MHz的外频。
TinyBGA封装的内存其厚度也更薄(封装高度小于0.8mm),从金属基板到散热体的有效散热路径仅有0.36mm。
因此,TinyBGA内存拥有更高的热传导效率,非常适用于长时间运行的系统,稳定性极佳。
三、国际部分品牌产品的封装命名规则资料1、MAXIM前缀是“MAX”。
DALLAS则是以“DS”开头。
MAX×××或MAX××××说明:1、后缀CSA、CWA 其中C表示普通级,S表示表贴,W表示宽体表贴。
2、后缀CWI表示宽体表贴,EEWI宽体工业级表贴,后缀MJA或883为军级。
3、CPA、BCPI、BCPP、CPP、CCPP、CPE、CPD、ACPA后缀均为普通双列直插。
举例MAX202CPE、CPE普通ECPE普通带抗静电保护MAX202EEPE 工业级抗静电保护(-45℃-85℃),说明E指抗静电保护MAXIM数字排列分类1字头模拟器2字头滤波器3字头多路开关4字头放大器5字头数模转换器6字头电压基准7字头电压转换8字头复位器9字头比较器DALLA S命名规则例如DS1210N.S. DS1225Y-100IND N=工业级S=表贴宽体MCG=DIP封Z=表贴宽体MNG=DIP工业级IND=工业级QCG=PLCC封Q=QFP 2、AD产品以“AD”、“ADV”居多,也有“OP”或者“REF”、“AMP”、“S MP”、“SSM”、“TMP”、“TMS”等开头的。
后缀的说明:1、后缀中J表示民品(0-70℃),N表示普通塑封,后缀中带R表示表示表贴。
2、后缀中带D或Q的表示陶封,工业级(45℃-85℃)。
后缀中H表示圆帽。
3、后缀中SD或883属军品。
例如:JN DIP封装JR表贴JD DIP陶封3、BB产品命名规则:前缀ADS模拟器件后缀U表贴P是DIP封装带B表示工业级前缀INA、XTR、PGA等表示高精度运放后缀U表贴P代表DIP PA表示高精度4、INTEL产品命名规则:N80C196系列都是单片机前缀:N=PLCC封装T =工业级S=TQFP封装P=DIP封装KC20主频KB主频MC代表84引角举例:TE28F640J3A-120 闪存TE=TSOP DA=SSOP E=TSOP5.以“IS”开头比如:IS61C IS61LV 4×表示DRAM 6×表示SRAM 9×表示EEPROM 封装:PL=PLCC PQ=PQFP T=TSOP TQ=TQFP6、以产品名称为前缀LTC1051CS CS表示表贴LTC1051CN8 **表示*IP封装8脚7、IDT的产品一般都是IDT开头的后缀的说明:1、后缀中TP属窄体DIP2、后缀中P 属宽体DIP3、后缀中J 属PLCC 比如:IDT7134SA55P 是DIP封装IDT7132SA55J 是PLCC IDT7206L25TP 是DIP8、NS的产品部分以LM 、LF开头的LM324N 3字头代表民品带N圆帽LM2 24N2字头代表工业级带J陶封LM124J 1字头代表军品带N塑封封装:DP代表DIP封装DG代表SOP封装DT代表TSOP封装。