下载文档原格式
电子线路考试大纲基本参考书：模拟电路部分，童诗白、华成英：模拟电子技术基础(第三版)教师手册数字电路部分，阎石：数字电子技术基础(阎石第四版课后习题答案详解)说明：每章要求中，“熟悉”内容为基本概念类内容，“掌握”内容为分析、设计与计算类内容。
1. 基本放大电路2. 多级放大电路与集成放大电路3. 负反馈放大电路4. 放大电路的频率特性5. 组合逻辑电路6. 触发器及其简单应用7. 时序逻辑电路1 基本放大电路本章要求：熟悉晶体管与场效应管的工作原理掌握场效应管的交流小信号等效模型和场效应管放大电路的动态分析掌握晶体管单管放大电路的工作点估算、共射（包括带发射极电阻的共射）电路和共集放大电路的动态分析了解三种接法的比较结果1.1 晶体管与场效应管1.1.1 晶体管的类型、结构与工作原理1.1.2 场效应管的类型、结构与工作原理1.2 晶体管单管放大电路1.2.1 晶体管的静态工作点估算1.2.2 晶体管的交流小信号等效模型1.2.3 共射放大电路的动态分析1.2.4 带发射极电阻的共射放大电路的动态分析1.2.5 共集放大电路的动态分析1.2.6 共基放大电路的动态分析1.2.7 三种接法的比较1.3 场效应管单管放大电路1.3.1 场效应管的静态工作点估算1.3.2 场效应管的交流小信号等效模型1.3.3 场效应管放大电路的动态分析2 多级放大电路与集成放大电路本章要求：熟悉多级放大电路的结构与级间耦合方式的特点熟悉集成运放的结构与特点、集成运放的性能指标掌握差分放大电路以及多级放大电路的动态分析2.1 多级放大电路2.1.1 多级放大电路的结构2.1.2 级间耦合方式2.1.3 多级放大电路的动态分析2.2 电流源电路2.2.2 其他电流源电路2.3 差分放大电路2.3.1 基本电路结构与特性2.3.2 差分放大电路的四种接法2.3.3 带电流源偏置电路的差分放大电路2.3.4 带电流源负载电路的差分放大电路2.4 互补输出级电路2.4.1 基本电路2.4.2 交越失真及其消除方法2.5 集成运放2.5.1 集成运放的结构与特点2.5.2 集成运放的性能指标3 负反馈放大电路本章要求：熟悉反馈的基本概念、四种基本组态及其对电路特性的影响掌握正确判断反馈的类型和反馈组态掌握深度负反馈电路的分析，能用深度负反馈电路的分析手段分析集成运放构成的一般电路3.1 反馈的判断3.1.1 反馈的基本概念3.1.2 反馈的判断3.2 负反馈电路的四种基本组态3.2.2 反馈组态的判断3.3 负反馈电路的特性3.3.1 四种基本组态的信号特征3.3.2 负反馈对于电路特性的影响3.4 深度负反馈电路和集成运放的运用3.4.1 深度负反馈电路的分析3.4.2 用集成运放构成的深度负反馈电路4 放大电路的频率特性本章要求：熟悉晶体管与场效应管的高频等效模型掌握晶体管与场效应管单管放大器的频率响应特性了解集成运放的频率响应特性，了解频率补偿的方法与作用4.1 晶体管与场效应管的高频等效模型4.1.1 晶体管的高频等效模型4.1.2 场效应管的高频等效模型4.2 单管放大电路的频率响应4.2.1 单管共射放大电路的频率响应4.2.2 单管共源放大电路的频率响应4.2.3 单管共集放大电路和共基放大电路的频率响应4.2.4 不同接法的放大电路的频率响应比较4.3 集成运放的稳定性与频率补偿4.3.1 集成运放的频率响应4.3.2 负反馈放大电路的稳定性4.3.3 集成运放的频率补偿5 组合逻辑电路本章要求：掌握逻辑代数的基本公式和基本定理掌握逻辑函数的卡诺图化简方法掌握组合逻辑电路的分析与设计过程了解组合逻辑电路中的竞争-冒险现象产生的原因及消除方法5.1 逻辑代数基础5.1.1 逻辑代数的基本公式和基本定理5.1.2 逻辑函数的标准表示方法5.1.3 逻辑函数的卡诺图化简5.2 组合逻辑电路的分析与设计5.2.1 组合逻辑电路的分析方法5.2.2 组合逻辑电路的设计方法5.3 常用的组合逻辑电路5.3.1 加法器5.3.2 编码器和译码器5.4 组合逻辑电路中的竞争-冒险现象5.4.1 组合逻辑电路中的竞争-冒险现象的成因及其判别5.4.2 组合逻辑电路中的竞争-冒险现象的消除6 触发器及其简单应用本章要求：掌握四种基本触发器的逻辑功能及它们的相互转换掌握触发器的简单应用6.1 四种基本触发器6.1.1 触发器的结构6.1.2 四种触发器的逻辑功能6.1.3 四种触发器之间的相互转换6.2 寄存器和移位寄存器6.2.1 寄存器6.2.2 移位寄存器6.3 异步计数器6.3.1 异步二进制计数器6.3.2 移位寄存器型计数器7 时序逻辑电路本章要求：掌握同步时序电路的分析与设计过程了解异步时序电路的分析与设计过程7.1 时序电路模型7.1.1 两种时序电路的模型7.2 同步时序电路的分析7.2.1 状态机7.2.2 同步时序电路分析7.3 同步时序电路的设计7.3.1 状态的构造7.3.2 同步时序电路设计7.4 异步时序电路的分析7.4.1 异步时序电路的分析7.4.2 异步时序电路中的竞争-冒险现象7.5 异步时序电路的设计7.5.1 异步时序电路设计的一般过程7.5.2 异步时序电路设计的例子。
模拟电子技术教案课程公司标准化编码 [QQX96QT-XQQB89Q8-NQQJ6Q8-MQM9N]模拟电子技术教案电子与信息工程学院目录第一章常用半导体器件第一讲半导体基础知识第二讲半导体二极管第三讲双极型晶体管三极管第四讲场效应管第二章基本放大电路第五讲放大电路的主要性能指标及基本共射放大电路组成原理第六讲放大电路的基本分析方法第七讲放大电路静态工作点的稳定第八讲共集放大电路和共基放大电路第九讲场效应管放大电路第十讲多级放大电路第十一讲习题课第三章放大电路的频率响应第十二讲频率响应概念、RC电路频率响应及晶体管的高频等效模型第十三讲共射放大电路的频率响应以及增益带宽积第四章功率放大电路第十四讲功率放大电路概述和互补功率放大电路第十五讲改进型OCL电路第五章模拟集成电路基础第十六讲集成电路概述、电流源电路和有源负载放大电路第十七讲差动放大电路第十八讲集成运算放大电路第六章放大电路的反馈第十九讲反馈的基本概念和判断方法及负反馈放大电路的方框图第二十讲深度负反馈放大电路放大倍数的估算第二十一讲负反馈对放大电路的影响第七章信号的运算和处理电路第二十二讲运算电路概述和基本运算电路第二十三讲模拟乘法器及其应用第二十四讲有源滤波电路第八章波形发生与信号转换电路第二十五讲振荡电路概述和正弦波振荡电路第二十六讲电压比较器第二十七讲非正弦波发生电路第二十八讲利用集成运放实现信号的转换第九章直流电源第二十九讲直流电源的概述及单相整流电路第三十讲滤波电路和稳压管稳压电路第三十一讲串联型稳压电路第三十二讲总复习第一章半导体基础知识本章主要内容本章重点讲述半导体器件的结构原理、外特性、主要参数及其物理意义，工作状态或工作区的分析。
首先介绍构成PN结的半导体材料、PN结的形成及其特点。
其后介绍二极管、稳压管的伏安特性、电路模型和主要参数以及应用举例。
然后介绍两种三极管（BJT和FET）的结构原理、伏安特性、主要参数以及工作区的判断分析方法。
第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.7V，锗管0.2V。
*开启电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
分析方法------ ----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路或压降0.7V);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
三、稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
第二章三极管及其基本放大电路一. 三极管的结构、类型及特点 1.类型---分为NPN 和PNP 两种。
2.特点---基区很薄，且掺杂浓度最低；发射区掺杂浓度很高，与基区接触 面积较小；集电区掺杂浓度较高，与基区接触面积较大。
二. 三极管的工作原理 1. 三极管的三种基本组态2. 三极管内各极电流的分配* 共发射极电流放大系数 (表明三极管是电流控制器件)其中I CEO 是穿透电流（越小越好），I CBO 是集电极反向电流。
模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R大的特点。
( √)其GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
