西安电子科技大学微电子概论复试题

07年微电子概论复试题（一共6道大题，满分100分，4月9日19：30～21：00）1，什么是N型半导体？什么是P型半导体？如何获得？2，简述晶体管的直流工作原理。

3，简述MOS场效应管的工作特性。

4，CMOS电路的基本版图共几层，都是哪几层？再描述一下COMS 工艺流程。

5，专用集成电路的设计方法有哪些？它们有什么区别？6，影响Spice软件精度的因素有哪些？08年微电子复试题1.半导体内部有哪几种电流？写出电流计算公式。

2.晶体管的基极宽度会影响那些参数？为什么？3.经过那些工艺流程可以实现选择“掺杂”？写出工艺流程。

4.双极ic和mos ic的隔离有何不同？5.rom有那些编程结构？各有和特点？6.画出稳压电路的结构图，解释工学原理。

09年微电子复试题1.pn结的寄生电容有几种，形成机理，对pn结的工作特性及使用的影响？15'2.什么是基区宽变效应，基区宽变效应受哪些因素影响？15'3.CMOS集成电路设计中，电流受哪些因素影响？15'4.CMOS集成电路版图设计中，什么是有比例设计和无比例设计，对电学参数有哪些影响？15'5.画出集成双极晶体管和集成MOSFET的纵向剖面图，并说明它们的工作原理的区别？20'6.对门电路而言，高电平噪声容限和低电平噪声容限受哪些因素影响？20'专业课面试1. 齐纳击穿与雪崩击穿的原理和区别2. 什么是有比例设计与无比例设计，其影响参数3. 高低电平噪声影响的参数4. 多级放大器的耦合方式及优缺点5. 什么是线性电源6. 直流电源的原理及构成7. PN节的两种电容的机理。

8. PN节有哪几种击穿？各自的机理及击穿曲线的特点？9. 简述CMOS的工艺流程，几层版图？10. 影响Spice软件精度的因素有哪些？11. 半导体中载流子的两种运动。

12. 模拟集成运算放大器的组成和性能。

13. 四探针法测电阻的原理。

电子科技大学微机原理复试试题微机原理第一章练习题及解一：单项选择题●若二进制数为010111.101，则该数的十进制表示为（ B ）。

A：23.5 B：23.625C：23.75 D：23.5125●若无符号二进制数为11000110，则该数的十进制表示为（ A ）。

A：198 B：70C：126 D：49●十进制数81的8421BCD码为（ A ）。

A：81H B：51HC：18H D：15H●11000110为二进制原码，该数的真值为（ A ）。

A：-70 B：+70C：-198 D：+198●11000110为二进制补码，该数的真值为（ D ）。

A：+198 B：-198C：+58 D：-58●01000110为二进制补码, 该数的真值为（ A ）。

A：+70 B：-70C：+58 D：-58●字符A的ASCII码为41H，字符a的ASCII码为（ C ）。

A：41H B：42HC：61H D：62H●字符A的ASCII码为41H，字符B的ASCII码为（ B ）。

A：41H B：42HC：61H D：62H●字符9 的ASCII码为（ C ）。

因为9与A之间有7个字符A：09H B：9C：39H D：99●8位二进制数的原码表值范围为（ C ）。

A：0 ~ 255 B：-128 ~ +127C：-127 ~ +127 D：-128 ~ +128●8位二进制数的反码表值范围为（ C ）。

A：0 ~ 255 B：-128 ~ +127C：-127 ~ +127 D：-128 ~ +128●8位二进制数的补码表值范围为（ B ）。

A：0 ~ 255 B：-128 ~ +127C：-127 ~ +127 D：-128 ~ +128●8位二进制数的无符号数表值范围为（ A ）。

即无符号位A：0 ~ 255 B：-128 ~ +127C：-127 ~ +127 D：-128 ~ +128●n+1位符号数X的原码表值范围为（ A ）。

共4页 第1页电子科技大学硕士研究生入学考试复试试卷（考试时间： 9：30 至 11：30 ，共 2 小时）考试科目 微机原理 考试方式 闭卷 考试日期 2012 年 3 月 30 日 一、选择题（每题2分，共50分）1. 在（ ）中，机器数零的表示形式是不唯一的。

A ．补码B ．原码C ．补码和反码D ．原码和反码2. 无符号二进制数右移一位，则数值（ ）。

A 、减小一倍B 、增大一倍C 、增大10倍D 、不变3. 执行两个补码数的减法时，对产生溢出的正确叙述为（ ）。

A 、结果的最高位有借位则产生溢出 B 、结果的符号位为0则产生溢出 C 、结果的符号位为1则产生溢出D 、结果与被减数的符号位相反，但与减数的符号位相同，则溢出 4. 计算机系统中软硬件在逻辑上是等效的，提高软件功能实现的比例将会（ ）。

A 、提高解题速度 B 、提高系统灵活性 C 、提高成本D 、减少所需存储容量5. 通常把用符号表示计算机指令的语言称为①（ ），计算机能真正执行的是②（ ）。

A 、机器语言B 、汇编语言C 、高级语言D 、仿真语言6. 某微处理器的结构之所以称为超标量结构，是因为该微处理器（ ）。

A 、不仅能进行32位运算，也能进行64位运算B 、内部含有多条指令流水线和多个执行部件C 、数据传输速度很快，每个总线周期最高能传送4个64位数据D 、芯片内部集成的晶体管数超过100万个，功耗很大 7. RISC 执行程序的速度优于CISC 的主要原因是（ ）。

A 、RISC 的指令数较少B 、程序在RISC 上编译的目标程序较短 C 、RISC 的指令平均周期数较少D 、.RISC 只允许Load/Store 指令访存8. 下列各种方式的数据传输过程中，无需CPU 执行指令的方式是（ ）传输。

A 、无条件B 、查询C 、DMAD 、中断9. 中断控制方式的优点是（ ）。

A ．提高CPU 的利用率 B ．软件编程容易 C ．硬件连接简单D ．无须CPU 干预考生编号 姓 名 学 院……………………密……………封……………线……………以……………内……………答……………题……………无……………效…………………共4页 第2页10. 计算机系统中的四级存储器，其存取速度从高到低的顺序是（ ）。

一、复试总体流程：一、笔试复试的第一个步骤是先进行笔试，电院的笔试是三选二：数处、数模电、微原。

选择两门，我去年选的是数处和数模电，数处没有选择题，没有填空题，全为计算题，总分50，第一题是判断线性非线性，考了一道循环卷积好像还有卷积，没有编程，没有蝶形运算，滤波器设计去年考的很少，基本上都是基础题。

数模电一共50分，模电有填空题，好像就是有关基极、集电极、发射极放大的问题，所以建议大家务必把那一章搞明白，另外还有运算器那一章最基本的问题，给出一个关系式，会画出原路图，数电相对来说较为简单，设计题较多，建议同学们把计数器搞明白，会画出N进制计算器的电路原理图。

二、面试面试的时候会有一个英文问答，不过能过电子所的线大概不用担心，在面试之前最好看看你的导师是研究什么的，因为一般情况下他会问道相关内容，英文一般会让你做自我介绍，外校的一般会让你介绍自己的学校，为什么要上西电，对西电的看法等等，有的老师还会问到你的毕业设计问题，这方面最好也准备一下，听说CAD所还让编程序。

总之，希望大家好好准备，能够在面试时从容不迫，应对自如。

三、体检面试结束会有一个体检。

体检结束，复试也就基本结束了。

二、复试目的及难度1）通过复试可使导师充分了解考生本科阶段的专业课理论基础，以达到考核考生专业课基本概念、基本理论以及基本的分析方法目的，从而把考生档次拉开；2）复试题难度与期末考试试题难度相当，主要考察专业课的基本概念、基本的分析方法；熟悉专业课的组成和原理；了解专业知识主要组成部分的实现方法。

三、复试笔试题（回忆版）模电1含有二极管的电路中，流过二极管的电流；2运放的比例电路，和积分电路设计；3最后有一道有一点难，还像是矩形波发生器电路，与耗尽型三极管组成开关电路什么的；4 7805稳压管的电压及功率计算；5单管互补功率放大电路的最大输出功率，及耐压值；6稳压管电路中电压的计算数电1设计100进制计数器；2由最大项化解为最小项表达式；3 J触发器的设计；4逻辑电路的设计例如：输入变量X输出变量Y满足想X<2,Y=0;2<=X<=5,Y=X+2;X>5,Y=1;数处1线性卷积的交换律，结合，律分配率的证明；2序列傅立叶变换的性质证明；3 Z变换性质的证明；4线性卷积的计算；5绘画直接1型框图；6线性，时不变，稳定性，因果的证明（滤波器的设计及希尔伯特变换没考）四、电院09年复试笔试题（回忆版）数处1.已知两个序列（用图给出），求两个序列的卷积和相乘，-------比较简单2.设X（ejw）为序列x（n）的傅里叶变换，求下列序列的傅里叶变换，用表示X（ejw）(1) Kx(n)(2) x(n-n0)(3) g(n)=x(2n)(4) g(n)= x(n/2) ..........n为偶数0 ...........n为奇数用定义证明。

西安电子科技大学研究生复试面试问题汇总传统面试问题（Sample Traditional Interview Questions）1、What can you tell me about yourself （关于你自己，你能告诉我些什么？）This is not an invitation to give your life history. The interviewer is looking for clues about yourcharacter qualifications ambitions and motivations.这一问题如果面试没有安排自我介绍的时间的话。

这是一个必问的问题。

考官并不希望你大谈你的个人历史。

是在寻找有关你性格、资历、志向和生活动力的线索。

来判断你是否适合读 MBA。

The following is a good example of a positive response. In high school I was involved incompetitive sports and I always tried to improve in each sport I participated in. As a collegestudent I worked in a clothing store part-time and found that I could sell things easily. The salewas important but for me it was even more important to make sure that the customer wassatisfied. It was not long before customers came back to the store and specifically asked for me tohelp them. Im very competitive and it means a lot to me to be the best. 下面是一个积极正面回答的好例子：在高中我参加各种竞争性体育活动，并一直努力提高各项运动的成绩。

西安电子科技大学研究生复试面试问题汇总传统面试问题（Sample Traditional Interview Questions）1、What can you tell me about yourself （关于你自己，你能告诉我些什么？）This is not an invitation to give your life history. The interviewer is looking for clues about yourcharacter qualifications ambitions and motivations.这一问题如果面试没有安排自我介绍的时间的话。

这是一个必问的问题。

考官并不希望你大谈你的个人历史。

是在寻找有关你性格、资历、志向和生活动力的线索。

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The following is a good example of a positive response. In high school I was involved incompetitive sports and I always tried to improve in each sport I participated in. As a collegestudent I worked in a clothing store part-time and found that I could sell things easily. The salewas important but for me it was even more important to make sure that the customer wassatisfied. It was not long before customers came back to the store and specifically asked for me tohelp them. Im very competitive and it means a lot to me to be the best. 下面是一个积极正面回答的好例子：在高中我参加各种竞争性体育活动，并一直努力提高各项运动的成绩。

《微型计算机原理及接口技术》试题一. 单项选择题1. 8086CPU芯片的外部引线中，数据线的条数为○①6条②8条③16条④20条2. 8088CPU上READY信号为下面哪种信号有效？○①上升边②下降边③高电平④低电平3. 8088CPU中的CS寄存器是一个多少位的寄存器？○①8位②16位③24位④32位4. 当8086CPU 读写内存的一个规则（对准）字（16位）时，BHE和A0的状态必须是○①00 ②01 ③10 ④115. 当8086CPU读I／O接口时，信号M／IO和DT／R的状态必须是○①00 ②01 ③10 ④116. 在8088CPU中, 用于寄存器间接寻址输入输出指令的寄存器是○①AX ②BX ③CX ④DX7. ISA总线是一种多少位的内（系统）总线？○①8位②16位③32位④64位8. 属于只读存贮器的芯片是○①SRAM ②DRAM ③EPROM ④SDRAM9. 需要定时刷新的存贮器是○①SRAM ②DRAM ③EPROM ④EEPROM10. 内存从A4000H到CBFFFH，共有○①124K ②160K ③180K ④224K11. 擦除EPROM是用○①＋5V电压②＋15V电压③＋21V电压④紫外光照射12. 采用查询方式来实现输入输出是因为它○①速度最快②CPU可以不介入③实现起来比较容易④在对多个事件查询工作时，能对突发事件做出实时响应13. 实现DMA传送，需要○①CPU通过执行指令来完成②CPU利用中断方式来完成③CPU利用查询方式来完成④不需要CPU参与即可完成14 下面哪种说法不正确○①内存地址也可做为接口地址使用②内存地址不可做为接口地址使用③接口地址不可做为内存地址使用④接口地址也可做为外存地址使用15. 8255工作在方式0时，下面哪种说法正确○①A、B、C三个口输入均有锁存能力②只有A口输入有锁存能力③只有C口输入有锁存能力④A、B、C三个口输入均无锁存能力二. 多项选择（在备选的答案中选出正确的答案，每小题2.5分, 本题共10分）1 . 在构成8 0 88最大模式下构成系统总线时，可用到下列哪些芯片？○①74LS373 ②8288 ③74LS245 ④74LS138 ⑤82892 . 8086CPU一个总线周期可以读（或写）的字节数为○①1个②2个③3个④4个⑤6个3. 当8255的A口工作在方式2，B口工作在方式0时，其C口可用作○①全部用作联络信号②5条用作联络信号③4条用作联络信号④3条用作I／O ⑤8条用作I／O4. 当8086CPU最大模式下读内存时，下列哪些信号的状态是正确的？○①MEMR＝0 ②MEMW＝0 ③IOW＝1 ④IOR＝0 ⑤DT／R＝0三. 判断题1. 8086CPU的复位启动地址为0FFFFH。

西安电子科技大学2011年微电子复试考试微电子概论部分（时间2011-4-610:30~12:00满分100答题纸上作答，写在试卷上无效）
一、填空题（每空0.5分，共20分）
1.半导体中的载流子有和两种。

2.半导体中引起的称为漂移电流，有引起的称为势垒电流。

3.半导体中的电容有和。

当PN结正偏时，大于；当PN结反偏时，小于。

4.光刻的流程包
括、、、、、、、。

5.集成电路的中的电容分为、、，电阻分为、、。

6.减少MOS的特征频率
f的方式有、、。

T
7.RAM分为、，ROM分为、、、。

8.集成电路的连接工艺有、、。

9.MOS的三种状态分别是、、。

二、名词解释（每题3分，共30分）
1.ASIC
2.FPGA
3.CAD
4.ROM
5.V
DS
at 6.MOS的特征频率
f7.PN结的击穿电压8.TTL
T
9.“掺杂”10.版图设计规则
三、问答题（每题10分，共50分）
1.解释随V ce 的增大β增大的现象，并说明对应的参数指标。

2.提高MOS 的T f 方法。

3.说明双极减小基区串联电阻和增大击穿电压的相互制约关系，并说明工艺上使用哪些措施消除影响。

4.利用CMOS 传输门构成D 触发器。

5.利用“与平面”和“或平面”构建以下逻辑关系。

00010100100011001101010100001001101100001001000101101111111011001010111110100101
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