AN7254中文资料

(10.0)
7.7±0.3
Unit : mm
12
φ3.6
M Di ain sc te on na tin nc ue e/ d
R1.8
+0.10 0.25 –0.05 2.54
(12.5)
19.1±0.3
21.9±0.3
s Block Diagram
45 dB
Mute
STB
s Pin Descriptions
e
vi
si
tf o ht llow tp in :// g pa U na RL so a ni bo c. u ne t l t/s ate c/ st en in f
or m
at io n.
5
Request for your special attention and precautions in using the technical information and semiconductors described in this book
Output noise voltage
*1
VIN = 0 mV,PG = 10 kΩ
or m
0.27 0.05 5.0 0 50 1 80 3.0 64
Quiescent current
VIN = 0 mV
Total harmonic distortion Maximum output 1 Channel balance Ripple rejection Standby current Muting effects Crosstalk
Unit V
Parameter
Symbol ICQ GV VNO
Conditions

引言许多应用都需要用EEPROM（电可擦可编程只读存储器）来存储非易失性数据。

低成本目的使得STM32F101xx和STM32F103xx 器件没有使用EEPROM。

而是使用了嵌入式闪存来实现EEPROM模拟。

这篇应用笔记解释了外部EEPROM和嵌入式闪存的区别，并且它还描述了一种软件方法，这个方法是为了使用STM32F101xx和STM32F103xx器件的片上闪存来模拟EEPROM。

这篇文档也致力于一些针对模拟EEPROM数据存储的嵌入式方面，这些是假定读者知道的。

术语中等密度器件是指那些闪存存储范围在32和128Kb之间的STM32F101xx和STM32F103xx微控制器。

高密度器件是指那些闪存存储范围在256和512Kb之间的STM32F101xx和STM32F103xx微控制器。

目录1嵌入式闪存vs EEPROM:主要区别1.1写访问时间的区别1.2写方法的区别1.3擦除时间的区别2模拟EEPROM的实现2.1原理2.1.1应用举例2.1.2EEPROM软件描述3嵌入式应用方面3.1数据间隔尺寸管理3.1.1一个字一个字的编程3.1.2一个字节一个字节的编程3.2平均抹写存储区块：闪存持续时间的改善3.2.1平均抹写存储区块实现的举例3.3功率损耗下的页数据头恢复3.4可擦写性能4出版历史表格清单表1. 内嵌式闪存和EEPROM之间的区别表2. 状态组合和采取的行动表3. 模拟EEPROM中储存变量的最大值（10000个周期） 表4. 文档修正历史图清单图1. Page0和Page1之间的页状态切换图2. EEPROM变量格式化图3. 数据更新流程图4. 写变量流程图图5. 四页的页交换计划（平均抹写存储区块）1嵌入式闪存VS EEPROM:主要区别电可擦可编程只读存储器（EEPROM）是许多嵌入式应用程序的关键组成部分，这些应用程序要求非易失性存储数据在运行的时候一个字或者一个字节的更新。

500
350
AC Feedthrough3 at OUT1 at OUT2
0.25
0.25
0.5
0.5
0.25
0.25
0.5
0.5
ns max
% FSR max % FSR max
OUT1 Load = 100 Ω, CEXT = 13 pF; WR, CS = 0 V; DB0–DB7 = 0 V to VDD to 0 V.
Data Setup Time
tDS AD7524J, K, L, A, B, C
135
60
170
AD7524S, T, U
135
60
170
Data Hold Time
tDH All Grades
10
10
10
120 30 30 120
+13.5 +1.5 ± 10 5 20
130 150
0
130 150
Parameter
Limit, TA = +25؇C
Limit, TMIN, TMAX1
VDD = +5 V VDD = +15 V VDD = 5 V VDD = +15 V Units
Test Conditions/Comments
STATIC PERFORMANCE Resolution Relative Accuracy J, A, S Versions K, B, T Versions L, C, U Versions Monotonicity Gain Error2 Average Gain TC3
VREF = ± 10 V, 100 kHz Sine Wave; DB0–DB7 = 0 V; WR, CS = 0 V

W/oC oC
HARRIS SEMICONDUCTOR IGBT PRODUCT IS COVERED BY ONE OR MORE OF THE FOLLOWING U.S. PATENTS:
4,364,073 4,587,713 4,641,162 4,794,432 4,860,080 4,969,027
2N6975/2N6977 (Note 1) 400 400 5 ±20 5 10 100 0.8
-55 to +150
1. JEDEC registered value.
2N6976/2N6978 (Note 1) 500 500 5 ±20 5 10 100 0.8
-55 to +150
UNITS V V V V A A W
ICE, COLLECTOR CURRENT (A)
10 PULSE TEST, VCE = 10V PULSE DURATION = 80µs
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
7.5
5.0
+125oC
10 VGE = +10V VGE = +8V
EFFECTIVE TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE (NORMALIZED)
ZθJC(t) = r(t)RθJC D CURVES APPLY FOR POWER PULSE
TRAIN SHOWN READ TIME AT t1 10 TJ(PEAK) - TC = P(PEAK)ZθJC(t)
Absolute Maximum Ratings TC = +25oC, Unless Otherwise Specified.
Collector-Emitter Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . VCES Collector-Gate Voltage (RGE = 1MΩ) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .VCGR Reverse Collector-Emitter Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .VCES(REV.) Gate-Emitter Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .VGE Collector Current Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . IC Collector Current Pulsed . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ICM Power Dissipation Total at TC = +25oC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . PD Power Dissipation Derating TC > +25oC Operating and Storage Junction Temperature Range . . . . . . . . . . . . . . . . . . TJ, TSTG NOTE: