思考与练习答案第1章半导体器件一、填空题1.过热烧毁击穿2.单向导电性3.放大区截止区饱和区放大区4.发射结集电结放大区截止区饱和区5.100 2.5mA6.正偏反偏7.几~几十1.5〜3V8.光电反偏9.放大10.100 4mA11.集电极发射极12.⑴集电基发射(2)50 ⑶PNP13.电压电场效应14.结绝缘栅15.源极漏极16.控制极触发P N栅极反向维持二、选择题1. B2.B3.B A4.B5.C6.C7.A8. B9. B 10. B 11.B 12.C A B三、综合题1.图(a)“Ao = 6V；图(b)”Ao = 0V;图(C)U A0=12V；图(d)U A0=-6V2,两只稳压值不等的稳压管串联使用，有4种接法，结果分别为13. 5V、6. 7V、8. 2V、1.4V；两只稳压值不等的稳压管并联使用，有4种接法，只是得到的稳压值只有两种，结果为6V 和0. 7V；四、实训题1.答：⑴黑笔接的是万用表内部电源的正极，红笔接的是万用表内部电源的负极。
在万用表测得的阻值小的情况下，说明此时二极管外加的电压是正向电压(正向偏置)，所以黑笔(电源正极)接的是二极管的正极，红笔接的是二极管的负极。
⑵若将红、黑笔对调后，万用表指示的方向与⑴相反，即阻值很大，近似为无穷大。
(3)如正向、反向电阻值均为无穷大，二极管内部为断路。
(4)如正向、反向电阻值均为零，二极管内部短路。
(5)如正向和反向电阻值接近，说明此时二极管已不具有单向导电的性能。
2.答：⑴基极 (2)基极NPN 型PNP 型第2章 三极管放大电路一、填空题1.静态 Q /BQ /CQ U BEQ U CEQ2.动态 输入信号 电源直流交流3.不失真地放大输入信号4.开路 短路 短路5.基极 射极 集电极6.相反7,同 减小 低提高8.截止失真减小饱和失真增大输入信号过大 9.截止饱和R B10.集电 共集电极11. 1电压 电流和功率 相同 12.共射组态 共集组态 共射组态 13.阻容耦合 变压器耦合直接耦合14.减小增大 15. 30 P A 3mA16. (1) 48u A,2.4mA, 5.2V,放大(2) 1000uA,50mA, 0V,饱和 (3) 10 V, 截止二、选择题1. C2. B3.B4. B5. A C6. C四、实训题 1.答：用万用表测量静态工作点/CQ 时，应选择万用表的电流挡位(具体挡位应根据被测电 路的参数来选择)，将万用表串联接在电路中。
上海第二工业大学专升本专业综合考试大纲电气信息类考试内容包括二部份：《电工技术》（电路）、《电子技术》（模拟电子、数字电子），考试时刻 2小时，总分值150分。
电工技术（电路）第一章：电路的大体概念与大体定律把握：电路的大体物理量的物理意义、电压、电流参考方向，电压源、电流源的性质，电路中各点电位的计算，功率的计算，KCL、KVL大体定律。
了解：电源开路、短路概念。
第二章：电路的分析方式。
把握：无源二端网络的等效变换，电阻的串联、分压公式；电阻的并联、分流方式。
含源二端网路的等效变换，理想电源的简化，电压源与电流源的等效互换。
等效电源定理；戴维南定理、诺顿定理。
电路的分析方式：支路电流法、叠加原理、节点电位法。
了解：网孔法及含受控源电路分析方式。
第三章：电路的暂态分析。
把握：暂态进程的含义、产生的缘故和条件。
RC和RL电路的暂态进程中电流电压的分析计算，画出波形，三要素分析方式的应用。
了解：微分电路，积分电路，τ的意义。
第四章：正弦交流电路。
把握：正弦交流电三要素，相位关系，有效值的含义。
用相量、相量法分析方式，对简单R、L、C参数电路的分析与计算。
了解有功功率、无功功率、视在功率的意义与计算，功率因数及提高意义。
谐振条件及经常使用谐振电路。
第五章：三相交流电路。
明白得：三相电源，三相负载星形接法、三角形接法的电压、电源的关系与计算，三相功率计算方式，三相四线制电路中线的作用。
电子技术（模拟电子、数字电子）第十四章：二极管和三极管了解：本征半导体、P型半导体、N型半导体的特点、PN结的形成及单向导电性、二极管伏安特性曲线、二极管的参数，稳压二极管的特性和参数，三极管的电流放大作用，电流分派关系、三极管的特性曲线和参数。
第十五章：大体放大电路。
把握：共发射极放大电路的直流通道，交流通道，微变等效电路，静态分析、动态分析和计算方式；射极输出器，互补对称功率放大电路的分析和计算。
明白得：分压式静态工作点的稳固电路原理，单管放大电路中直流负载线、交流负载线与放大电路的放大倍数、输出范围、失真的关系。
