- 1 - d965管脚参数
D965是一种常用的三极管，常见于功率放大电路及音频放大电路中。了解D965管脚参数可以帮助我们更好地运用它。
1. Emitter (E) 发射极
发射极是三极管中输出端，其极性为N型，用来接收输入信号并放大。
2. Base (B) 基极
基极是三极管中控制端，其极性为P型，用来控制发射极输出信号的放大倍数。
3. Collector (C) 集电极
集电极是三极管中输入端，其极性为N型，用来输出经过放大的信号。
D965管脚排列顺序为E-B-C，其中发射极最左侧，集电极最右侧，基极在中间。
D965管脚参数如下：
1. 最大耗散功率（Pd）：0.625W
2. 最大集电极电压（Vceo）：120V
3. 最大集电极-基极电压（Vcb）：150V
4. 最大发射极-基极电压（Veb）：5V
5. 最大集电极电流（Ic）：1.5A
6. 最大基极电流（Ib）：0.2A
以上就是D965管脚参数的详细介绍。在实际应用中，我们需要 - 2 - 根据电路的要求选择合适的管子。
Datasheet 150KHz 60V 3A开关电流降压型DC-DC转换器 XL2596HVT
Rev 1.0 1 特点 推荐工作电压：4.5V~50V 输出ADJ、3.3V、5.0V、12V电压版本 输出电压范围：1.23V~48V 最大占空比100% 反馈基准电压精度±1.5% 输入与输出最小压差1.5V 恒定150KHz开关频率 最大3A开关电流 内置高压功率晶体管 效率高达90%以上 出色的线性调整率与负载调整率 EN引脚TTL关机功能 内置热关断保护功能 内置限流保护功能 内置短路保护功能 温度等级1级：-40℃至125℃的环境工作温度范围 器件HBM ESD分类等级Class3B TO220-5L封装 描述 XL2596HVT是一款高电压，高效率的降压型DC-DC开关转换器，恒定150KHz开关频率，输出电流能力高达3A，XL2596HVT支持4.5V~50V的宽输入操作电压范围，同时支持最大占空比100%输出，芯片内置环路补偿模块有效减少系统元器件数量，降低整个电源系统的成本并减小印制电路板的空间。 XL2596HVT提供ADJ可调输出电压版本，3.3V、5.0V、12V固定输出电压版本。芯片内置热关断保护功能、输出限流保护功能、短路保护功能等。当短路保护功能启用时，开关频率从150KHz降至30KHz左右。 应用 汽车电子 工业控制 通讯设备 物联网 典型应用示意图 0.00.20.40.60.81.01.21.41.61.82.02.22.42.62.83.020253035404550556065707580859095100Efficiency VS Output CurrentEfficiency(%)Output Current(A) VIN=12V,VOUT=5.0V,IOUT=0.1A~3A VIN=24V,VOUT=5.0V,IOUT=0.1A~3A VIN=36V,VOUT=5.0V,IOUT=0.1A~3A VIN=48V,VOUT=5.0V,IOUT=0.1A~3A 图1.XL2596HVT-5.0典型应用示意图和转换效率曲线 XL2596HVT-5.0L1FBGNDEN7V~50VSWVIN5.0VC1C2D1ONOFF Datasheet 150KHz 60V 3A开关电流降压型DC-DC转换器 XL2596HVT
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SD965/A NPN SILICON TRANSISTOR
1 of 4 Copyright © 2005 Unisonic Technologies Co., Ltd QW-R209-007,B LOW VOLTAGE HIGH CURRENT TRANSISTOR FEATURES * Collector current up to 5A * UTC 2SD965: Collector-Emitter voltage up to 20 V * UTC 2SD965A: Collector-Emitter voltage up to 30 V APPLICATIONS * Audio amplifier * Flash unit of camera * Switching circuit TO-921TO-25211SOT-89*Pb-free plating product number: 2SD965L/2SD965AL ORDERING INFORMATION Order Number Pin Assignment Normal Lead Free Plating Package 1 2 3 Packing 2SD965-x-AB3-R 2SD965L-x-AB3-R SOT-89 B CE Tape Reel 2SD965-x-T92-B 2SD965L-x-T92-B TO-92 E CB Tape Box 2SD965-x-T92-K 2SD965L-x-T92-K TO-92 E CB Bulk 2SD965-x-TN3-R 2SD965L-x-TN3-R TO-252 B CE Tape Reel 2SD965-x-TN3-T 2SD965L-x-TN3-T TO-252 B CE Tube 2SD965A-x-AB3-R 2SD965AL-x-AB3-R SOT-89 B CE Tape Reel 2SD965A-x-T92-B 2SD965AL-x-T92-B TO-92 E CB Tape Box 2SD965A-x-T92-K 2SD965AL-x-T92-K TO-92 E CB Bulk 2SD965A-x-TN3-R 2SD965AL-x-TN3-R TO-252 B CE Tape Reel 2SD965A-x-TN3-T 2SD965AL-x-TN3-T TO-252 B CE Tube 2SD965L-x-AB3-R(1)Packing Type(2)Package Type(3)Rank(4)Lead Plating(1) B: Tape Box, K: Bulk, R: Tape Reel, T: Tube(2) AB3: SOT-89, T92: TO-92, TN3: TO-252(3) x: refer to Classification of hFE2(4) L: Lead Free Plating, Blank: Pb/Sn 元器件交易网2SD965/A NPN SILICON TRANSISTOR UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2 of 4 QW-R209-007,B ABSOLUTE MAXIMUM RATING (Ta=25℃) PARAMETER SYMBOLRATINGS UNIT Collector-Base Voltage VCBO 40 V 2SD965 20 V Collector-Emitter Voltage 2SD965AVCEO 30 V Emitter-Base Voltage VEBO 7 V SOT-89 500 mW TO-92 750 mW Collector Dissipation TO-252 PC 1 W Collector Current IC 5 A Junction Temperature TJ 150 Storage Temperature TSTG -65 ~ +150 Note: Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged. Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied. ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃, unless otherwise specified) PARAMETER SYMBOLTEST CONDITIONS MINTYP MAX UNITCollector-Base Breakdown Voltage BVCBO IC=100µA, IE=0 40 V 2SD965 20 V Collector-Emitter Breakdown Voltage 2SD965A BVCEO IC=1mA, IB=0 30 V Emitter-Base Breakdown Voltage BVEBO IE=10µA, IC=0 7 V Collector Cut-off Current ICBO VCB=10V, IE=0 100 nA Emitter Cut-off Current IEBO VEB=7V, IC=0 100 nA VCE=2V, IC=1mA 200 VCE=2V, IC=0.5A 230 800 DC Current Gain(note) hFE VCE=2V, IC=2A 150 Collector-Emitter Saturation Voltage VCE(SAT)IC=3A, IB= 0.1A 1 V Current Gain Bandwidth Product fT VCE=6V, IC=50mA 150 MHzOutput Capacitance Cob VCB=20V, IE=0, f=1MHz 50 pF CLASSIFICATION OF hFE2 RANK Q R S RANGE 230-380 340-600 560-800 元器件交易网2SD965/A NPN SILICON TRANSISTOR UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 3 of 4 QW-R209-007,B TYPICAL CHARACTERISTICS Static CharacteristicsCollector-Emitter Voltage ( V)Collector Current, IC(A)00.40.81.21.62.001.01.52.02.53.0DC Current GainCollector Current, IC (mA)DC Current Gain, hFE VCE=2V10010110210310-1101102103104IB=3.0mAIB=2.5mAIB=2.0mAIB=1.0mAIB=1.5mAIB=0.5mA Base-Emitter on VoltageCollector Current, IC(mA)Saturation Voltage (mV)Saturation VoltageIC=30·IBTa=75℃-25℃25℃VCE=2V012345600.81.21.62.0 Base to Emitter Voltage, VBE(V)0.4Collector Current, IC (A)101102103104100101102103104VBE(SAT)VCE(SAT) Current Gain-Bandwidth ProductCollector Output Capacitance Collector Current, IC (mA)Current Gain-Bandwidth Product,fT(MHz)VCE=6VCollector-Base Voltage (V)Capacitance, Cob(pF)100101102103100101102103f=1MHzIE=010010110210310-1100101102 元器件交易网2SD965/A NPN SILICON TRANSISTOR UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 4 of 4 QW-R209-007,B TYPICAL CHARACTERISTICS Safe Operation AreaCollector-Emitter Voltage, VCE(V)Collector Current, IC(A)Single pulse Ta=25℃t=10mst=1sIcpIC0.010.11101000.1110100 UTC assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values thatexceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges, orother parameters) listed in products specifications of any and all UTC products described or containedherein. UTC products are not designed for use in life support appliances, devices or systems wheremalfunction of these products can be reasonably expected to result in personal injury. Reproduction inwhole or in part is prohibited without the prior written consent of the copyright owner. The informationpresented in this document does not form part of any quotation or contract, is believed to be accurateand reliable and may be changed without notice. 元器件交易网
9011,9012,9013,9014,8050,8550三极管的区别
9011 NPN 30V 30mA 400mW 150MHz 放大倍数20-80
9012 PNP 50V 500mA 600mW 低频管 放大倍数30-90
9013 NPN 20V 625mA 500mW 低频管 放大倍数40-110
9014 NPN 45V 100mA 450mW 150MHz 放大倍数20-90
8050 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz 放大倍数30-100
8550 PNP 40V 1500mA 1000mW 200MHz 放大倍数40-140
详情如下：
90系列三极管参数
90系列三极管大多是以90字为开头的，但也有以ST90、C或A90、S90、SS90、UTC90开头的，它们的特性及管脚排列都是一样的。
9011 结构：NPN
集电极-发射极电压 30V
集电极-基电压 50V
射极-基极电压 5V
集电极电流 0.03A
耗散功率 0.4W
结温 150℃
特怔频率 平均 370MHZ
放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198
9012 结构：PNP
集电极-发射极电压 -30V
集电极-基电压 -40V
射极-基极电压 -5V
集电极电流 0.5A
耗散功率 0.625W
结温 150℃
特怔频率 最小 150MHZ
放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-300
9013 结构：NPN
集电极-发射极电压 25V
集电极-基电压 45V
射极-基极电压 5V
集电极电流 0.5A
耗散功率 0.625W
结温 150℃
特怔频率 最小 150MHZ
放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-300
Author: admin Category: [ IC品牌 ]
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品名 极性 管脚功能参数
MPSA42 NPN 21E 电话视频放大 300V0.5A0.625W
MPSA92 PNP 21E 电话视频放大 300V0.5A0.625W
MPS2222A NPN 21 高频放大 75V0.6A0.625W300MHZ
9011 NPN EBC 高频放大 50V30mA0.4W150MHz
9012 PNP 贴片 低频放大 50V0.5A0.625W
9013 NPN EBC 低频放大 50V0.5A0.625W
9013 NPN 贴片 低频放大 50V0.5A0.625W
9014 NPN EBC 低噪放大 50V0.1A0.4W150MHZ
9015 PNP EBC 低噪放大 50V0.1A0.4W150MHZ
9018 NPN EBC 高频放大 30V50MA0.4W1GHZ
8050 NPN EBC 高频放大 40V1.5A1W100MHZ
8550 PNP EBC 高频放大 40V1.5A1W100MHZ
2N2222 NPN 4A 高频放大 60V0.8A0.5W25/200NSβ=45
2N2222A NPN 小铁 高频放大 75V0.6A0.625W300MHZ
2N2369 NPN 4A 开关 40V0.5A0.3W800MHZ
2N2907 NPN 4A 通用 60V0.6A0.4W26/70NSβ=200
2N3055 NPN 12 功率放大 100V15A115W
2N3440 NPN 6 视放 开关 450V1A1W15MHZ
2N3773 NPN 12 音频功放开关 160V16A150W COP 2N6609
2N3904 NPN 21E 通用 60V0.2Aβ=100-400
2N3906 PNP 21E 通用 40V0.2Aβ=100-400
