半导体物理学

半导体物理学前置课程
半导体物理学前置课程一般包括以下内容：
1. 固体物理学基础知识：晶体结构、晶格振动、电子能带理论、电子自旋、晶格缺陷等。

2. 电磁学基础知识：电场、磁场、电磁辐射等。

3. 量子力学基础知识：量子力学原理、波函数、量子态、哈密顿算符等。

4. 固体能带理论：包括价带和导带的理解、半导体的能带结构、半导体材料的能带间隙等。

5. 简单能带模型：包括紧束缚模型、自由电子气模型、等效质量近似等。

6. 电子与声子的相互作用：介电函数、声子谱、声子与电子的散射等。

7. 电子在晶体中的输运性质：包括导电性、迁移率、扩散、简单的输运方程等。

8. 光电子学基础知识：吸收、发射、散射、色谱、光电子光谱等。

9. pn结和二极管：pn结的形成、Zero bias和封锁态、偏置态、
二极管的I-V特性、二极管的基本应用等。

10. 器件物理：包括MOS结和MOSFET、BJT、HEMT、HBT 等器件的基本原理和工作原理。

以上是一个大致的半导体物理学前置课程的内容，具体课程内容可能会根据不同学校和教师的要求有所不同。

半导体物理学第8版半导体物理学是研究半导体材料及其性质、行为和应用的学科。

随着半导体技术的不断发展与应用，半导体物理学也成为了现代电子学中的重要分支领域。

半导体物理学的研究对象主要是半导体材料，这些材料具有介于导体和绝缘体之间的特性。

半导体材料的主要特点是在低温下表现为绝缘体，但在高温下或受到外界电场或光照的激励下表现出导体的特性。

这种特性使得半导体材料在电子学和光电子学领域中具有广泛的应用。

在半导体物理学中，研究者主要关注半导体材料的电子结构、载流子输运、能带理论、半导体器件等方面。

电子结构研究揭示了半导体材料中电子的能级分布情况，以及能带间距、禁带宽度等参数的影响。

载流子输运研究则关注电子和空穴在半导体中的运动规律，以及外界电场对其运动的影响。

能带理论是解释半导体材料中电子行为的基础理论，它描述了电子在能带中的分布和运动规律。

半导体器件研究则是将半导体材料制成各种电子器件，如二极管、晶体管、光电二极管等，研究其工作原理和性能。

半导体物理学的研究对现代电子技术的发展起到了重要的推动作用。

半导体材料的特性使得它在电子学中具有广泛的应用。

例如，晶体管作为一种重要的半导体器件，被广泛应用于放大和开关电路中。

光电二极管则利用半导体材料对光的敏感性，实现了光电转换功能。

此外，半导体材料还被应用于光电子学领域，如激光器、太阳能电池等。

半导体物理学的研究也促进了半导体材料的制备技术的发展。

通过研究和理解半导体材料的物理性质，科学家们不断改进半导体材料的制备方法，提高材料的纯度和晶体质量。

这些技术进步为半导体器件的制造提供了可靠的基础，也为电子技术的发展提供了强大的支持。

半导体物理学作为研究半导体材料及其性质、行为和应用的学科，对现代电子学的发展起到了重要的推动作用。

通过对半导体材料的电子结构、载流子输运、能带理论和半导体器件等方面的研究，我们可以深入了解半导体材料的特性和行为，从而推动半导体技术的不断发展与应用。

材料物理学中的半导体物理学基础半导体是材料物理学中的重要研究领域，它是指在温度低于一定值时，电子和空穴在半导体内的运动形式。

半导体具有众多的应用，如电子器件、光电器件、太阳能电池、光纤通信等。

因此，研究半导体物理学基础对于半导体的开发和利用至关重要。

半导体的能带结构是物理学中的基础概念。

半导体的能带是指在材料中电子的能量状态，可以理解为一段区域，其中电子的能量只能存在于这个区域中。

一般来说，半导体的能带分为价带和导带两部分。

在温度为零时，价带中没有自由电子，导带中也没有空穴。

当外界施加电磁场或者加热半导体材料时，电子从价带上跃迁到导带，这一过程形成了电导率，即电流流动的能力。

在半导体中，价带和导带之间的带隙非常重要。

带隙是指两个能带之间的能量差，其大小决定了电子能否被激发到导带中，并产生电流。

对于氧化物半导体材料，带隙一般约为3.5-4.5电子伏特（eV），而对于硅和锗等元素半导体材料，带隙则较小，约为0.6-1.1电子伏特（eV）。

在半导体材料中，带隙的大小是材料电特性的重要参数之一。

半导体的电导率和自由电子浓度密切相关。

热激发可以使部分价带内的电子跃迁到导带内，形成导电效应。

另外，在加上外部电场的作用下，电子可以被加速到足以克服带隙的极限电压，从而产生电流。

传导带中的电子数目与温度和掺杂浓度有关，一般越高的温度和掺杂浓度会有更多的自由电子，因此，导电效应也会更加显著。

掺杂是半导体物理学中的重要研究领域。

为了使半导体具有更多的自由电子，人们将一些杂质元素质入半导体中，改变其能带结构，从而使其导电性质得到改善。

掺杂可以分为两类，即N型和P型。

在N型半导体中，掺入的杂质元素一般为五价元素，如磷，可以使其失去一个电子，形成自由电子。

而在P型半导体中，掺入的杂质元素一般为三价元素，如硼，可以形成一个空穴，在空穴中存在的电子数目较少，因此可以形成空穴电流。

掺杂的专业术语是替位杂质、替位掺杂，实际上就是使一部分Si或Ge离子受到片上杂质原子的影响而发生质点和电子的复合作用，产生N、P两种导电材料。

半导体物理学题库半导体物理学是研究半导体材料物理性质和内部微观过程的学科，它对于现代电子技术的发展起着至关重要的作用。

为了帮助大家更好地学习和掌握这门学科，我们精心整理了一份半导体物理学题库。

一、选择题1、以下哪种材料不是常见的半导体？（）A 硅B 锗C 铜D 砷化镓答案：C解析：铜是导体，不是半导体。

硅、锗和砷化镓都是常见的半导体材料。

2、半导体中载流子的主要类型有（）A 电子和空穴B 正离子和负离子C 质子和中子D 原子和分子答案：A解析：在半导体中，参与导电的载流子主要是电子和空穴。

3、本征半导体的电导率主要取决于（）A 温度B 杂质浓度C 晶体结构D 外加电场答案：A解析：本征半导体的电导率主要由温度决定，温度升高，本征激发增强，载流子浓度增加，电导率增大。

4、施主杂质在半导体中提供（）A 电子B 空穴C 电子和空穴D 既不提供电子也不提供空穴答案：A解析：施主杂质能够释放电子，从而增加半导体中的电子浓度。

5、受主杂质在半导体中提供（）A 电子B 空穴C 电子和空穴D 既不提供电子也不提供空穴答案：B解析：受主杂质能够接受电子，从而增加半导体中的空穴浓度。

二、填空题1、半导体的能带结构中，导带和价带之间的能量间隔称为________。

答案：禁带宽度2、常见的半导体晶体结构有________、＿_______和________。

答案：金刚石结构、闪锌矿结构、纤锌矿结构3、本征半导体中，电子浓度和空穴浓度的乘积是一个________。

答案：常数4、半导体中的扩散电流是由________引起的。

答案：载流子浓度梯度5、当半导体处于热平衡状态时，费米能级的位置在________。

答案：禁带中央附近三、简答题1、简述半导体的导电机制。

答：半导体的导电机制主要依靠电子和空穴两种载流子。

在本征半导体中，温度升高时，价带中的电子获得能量跃迁到导带，形成电子空穴对，从而产生导电能力。

在外加电场作用下，电子和空穴分别向相反的方向移动，形成电流。

半导体物理学基本概念有效质量-----载流子在晶体中的表观质量，它体现了周期场对电子运动的影响。

其物理意义：1）有效质量的大小仍然是惯性大小的量度；2）有效质量反映了电子在晶格与外场之间能量和动量的传递，因此可正可负。

空穴-----是一种准粒子，代表半导体近满带（价带）中的少量空态，相当于具有正的电子电荷和正的有效质量的粒子，描述了近满带中大量电子的运动行为。

回旋共振----半导体中的电子在恒定磁场中受洛仑兹力作用将作回旋运动，此时在半导体上再加垂直于磁场的交变磁场，当交变磁场的频率等于电子的回旋频率时，发生强烈的共振吸收现象，称为回旋共振。

施主-----在半导体中起施予电子作用的杂质。

受主-----在半导体中起接受电子作用的杂质。

杂质电离能-----使中性施主杂质束缚的电子电离或使中性受主杂质束缚的空穴电离所需要的能量。

n-型半导体------以电子为主要载流子的半导体。

p-型半导体------以空穴为主要载流子的半导体。

浅能级杂质------杂质能级位于半导体禁带中靠近导带底或价带顶，即杂质电离能很低的杂质。

浅能级杂质对半导体的导电性质有较大的影响。

深能级杂质-------杂质能级位于半导体禁带中远离导带底（施主）或价带顶（受主），即杂质电离能很大的杂质。

深能级杂质对半导体导电性质影响较小，但对半导体中非平衡载流子的复合过程有重要作用。

位于半导体禁带中央能级附近的深能级杂质是有效的复合中心。

杂质补偿-----在半导体中同时存在施主和受主杂质时，存在杂质补偿现象，即施主杂质束缚的电子优先填充受主能级，实际的有效杂质浓度为补偿后的杂质浓度，即两者之差。

直接带隙-----半导体的导带底和价带顶位于k空间同一位置时称为直接带隙。

直接带隙材料中载流子跃迁几率较大。

间接带隙-----半导体的导带底和价带顶位于k空间不同位置时称为间接带隙。

间接带隙材料中载流子跃迁时需有声子参与，跃迁几率较小。

平衡状态与非平衡状态-----半导体处于热平衡态时，载流子遵从平衡态分布，电子和空穴具有统一的费米能级。

半导体物理学刘恩科知识点总结半导体是一种由大量导电粒子组成的具有特殊性质，特别是对电流敏感、且不易被杂质和缺陷所掺杂的物质。

半导体又称为绝缘体，但这只是相对而言，它仍然可以被看做导体。

从结构上来说，纯净的半导体也是由两种载流子：导带中的电子和价带中的空穴所组成；另外还存在着三种束缚态：即导带底中的自由电子，价带顶中的空穴和禁带中的空穴。

我们把这样的半导体叫做绝缘体。

现实生活中最常见到的半导体是硅（ si）材料，其他常用的材料还包括砷化镓、磷化镓、锑化铟、锗（ ge）等等。

硅属于金属氧族元素，化学符号为 Si，常温下硅以单质状态存在，常见的硅材料是一种具有金属光泽的灰黑色固体，无毒无味，比较柔软，容易切割，具有优良的导热性、导电性和延展性，在化工生产中应用很广泛。

硅材料具有“刚柔并济”的特点。

刚性表现在受力之后会马上断裂，如果加入氧、氮等元素，还会形成导电、导热性更好的材料。

柔性则是指当受压或受拉伸时，内部分子的排列顺序容易发生变化，使得分子间的连接变弱甚至断开，从而获得弹性。

总的来说，硅材料兼具导电、耐高温的性能。

此外，将硅与硼、铝等非金属元素掺合后，还可制成性能独特的多种半导体器件，例如红外探测器、光电倍增管、热释电探测器等。

所谓“特殊”就是不能再导电了！为什么呢？答案就在半导体中出现的各类缺陷中。

通俗地讲，半导体就像人体的血液一样，流动着各式各样的“细胞”，它们之间交换的信息都通过载流子传递给了外界环境。

在这些携带着数据信息的“小蝌蚪”（电子）中，除了少量与原料本身的性质直接相关之外，其余的大部分都起到调控作用。

为什么要选择硅作为原材料呢？主要基于几方面的考虑：第一、纯度较高，这里的纯度指的是没有掺杂杂质的硅；第二、物理特性稳定，不怕腐蚀；第三、导电性好，在电路设计中必须要求对电流比较敏感；第四、具有较低的价格。

第五、高温条件下仍然保持优良的稳定性，能够满足大规模集成电路芯片的需要。

正是由于具备了这些先天的优势，使得半导体材料从诞生伊始便迅速崛起，短短百年的时间已经取代了电子技术领域中许多重要的基础性元件。

刘恩科半导体物理学半导体物理学是研究半导体材料及其性质、特性和应用的学科。

刘恩科半导体物理学是以中国科学家刘恩科命名的，他是中国半导体物理学的开拓者和奠基人。

本文将介绍刘恩科半导体物理学的研究内容、重要成果以及对半导体技术发展的贡献。

刘恩科半导体物理学主要研究半导体材料的电学和光学性质，以及半导体器件的物理特性和工作原理。

半导体材料是介于导体和绝缘体之间的一类材料，具有导电能力的同时也能够控制电流流动。

半导体器件是利用半导体材料的特性制成的电子器件，如二极管、场效应晶体管（MOSFET）、光电二极管等。

刘恩科半导体物理学的研究内容包括半导体材料的能带结构、电子与空穴运动、载流子的输运、杂质掺杂、PN结、MOS结构等。

通过对这些基本的物理过程的研究，可以深入理解半导体材料的特性和器件的工作原理，从而推动半导体技术的发展。

刘恩科半导体物理学的重要成果之一是对半导体光电子学的研究。

光电子学是利用光与半导体材料相互作用的现象和机制来实现能量转换和信息处理的学科。

刘恩科在半导体光电子学领域做出了重要贡献，研究了半导体材料的光学性质以及光与电子的相互作用机制，提出了一系列重要理论和实验结果。

这些成果不仅推动了半导体光电子学的发展，也为光电子器件的设计与制造提供了基础。

刘恩科半导体物理学还研究了半导体材料的电子输运性质。

电子输运是指载流子（电子或空穴）在半导体材料中自由移动的过程。

刘恩科通过理论计算和实验研究，揭示了半导体材料中电子输运的机制和规律，为半导体器件的性能优化和电子设备的制造提供了理论依据。

刘恩科半导体物理学对半导体技术的发展产生了深远影响。

半导体技术是现代电子信息技术的基础，广泛应用于计算机、通信、光电子、能源等领域。

刘恩科半导体物理学的研究成果为半导体技术的进步提供了理论支持和实验依据，推动了半导体材料与器件的创新和改进。

刘恩科半导体物理学是一门研究半导体材料及其性质、特性和应用的学科，主要研究半导体材料的电学和光学性质，以及半导体器件的物理特性和工作原理。

半导体物理学基础知识半导体是一种固体材料，它的电导率介于导体和绝缘体之间，因而得名。

半导体的特殊性质使得它在电子学、光电子学、计算机科学等众多应用领域具有重要的地位。

本文将介绍半导体物理学的基础知识，包括半导体材料的结构和性质，电子在半导体中的运动和掺杂等方面。

一、半导体材料的结构和性质半导体材料的基本结构由四个元素构成：硅、锗、砷和磷。

这些元素除了硅和锗是单质以外，其余的都是化合物。

半导体材料的晶体结构通常为立方晶体或四面体晶体。

半导体材料的电性质由其晶格结构和掺杂情况决定。

在材料内的原子构成规则的晶格结构中，每个原子都有定位，并与其他原子通过化学键相互链接。

晶格结构可以分为晶格点和间隙两个部分。

如果每个原子都占据晶格点，那么该半导体材料的结构就是类似于钻石的结构，实际上就是一个绝缘体。

但是，如果一些晶格点中有缺陷，或是有一些原子没有在晶格点上占据位置，则可以导致半导体材料成为电导率介于导体和绝缘体之间的半导体。

在半导体材料中，掺杂是一种常用技术，对于改变其电性质尤其有效。

掺杂就是在半导体中加入少量的另一种元素，以改变其电子结构和电导率。

掺杂元素是指半导体材料中所加入的杂质原子。

它们可以分为两类：施主和受主。

施主原子是比半导体材料中的原子更多的元素（例如磷或硼），在它占据晶格点时，它的外层电子一般比材料中的原子多，这些电子比较容易脱离施主原子并移动到其他位置，从而形成了自由电子。

受主原子是原子数比材料中的原子少的元素（例如锑或砷），因此它会在晶体中形成一些空位。

与施主原子不同的是，受主原子会接受电子，从而形成电子空穴。

二、电子在半导体中的运动在半导体中，电子的运动可以由以下几个方面来描述：载流子流动、漂移、扩散、复合效应。

载流子是电子在半导体中运动的基本单元，携带带电粒子的特性。

在半导体中，载流子通常包括自由电子和空穴。

电子的自由运动和空穴的自由运动是载流子流动的两种形式。

载流子流动的基本原理是，施主和受主原子的掺杂，带来了半导体内部电子和空穴的浓度不平衡，因此会发生电场和电流。

半导体物理学的发展随着现代科技的发展，人类的生活方式也得到了极大的改变，这其中半导体技术功不可没。

半导体物理学是研究半导体材料、器件、电子结构、光学性质以及其它物理现象的一个学科。

本文将从半导体理论的开端开始，介绍半导体物理学的发展历程，以及未来它可能带来的应用前景。

半导体理论的开端19世纪后期，克鲁兹和赫茨在研究光电效应的过程中发现，金属表面经过紫外线照射后会排出一些电子，这个现象被称为光电效应。

这个现象的发现证明了电子具有粒子性和波动性，为电子学的兴起奠定了基础。

1900年，普朗克发现了黑体辐射中的能量量子化现象，这一发现奠定了量子力学基础，随之而来的是量子力学的飞速发展。

20世纪初叶，物理学家开始研究电子在晶体中运动的规律。

瑞典物理学家玻尔和德布罗意分别发现了玻尔模型和德布罗意波，这些理论被认为是半导体物理学发展的基础。

半导体物理的研究半导体的发现20世纪初叶，有一些物理学家在研究固体物质的电导率时发现，某些材料的电导率随温度升高而升高，而另一些材料的电导率随温度升高而下降。

这些材料被称为半导体。

半导体物理的理论20世纪30年代初，几位科学家开始研究半导体的特性。

丹纳提出了半导体材料中电子行为的几个假设，这些理论被称为丹纳模型。

该模型解释了在半导体中电子的行为，并形成了半导体物理的基础。

然而，丹纳模型存在一些局限性，无法解释某些实验现象。

1950年代初，肖克利和普兰特提出了PN结理论，极大地推动了半导体物理的发展。

PN结是由不同类型半导体材料接触形成的，可用于制造半导体二极管和其他器件。

半导体技术的应用半导体技术在电子工业和无线通信行业得到广泛应用。

今天，半导体器件是现代电路和电子设备的基础，如手机、计算机、电视等。

半导体技术的应用还包括太阳能电池板、发光二极管、半导体激光器、传感器和医疗设备。

半导体技术的未来半导体技术的发展前景非常广阔。

随着人工智能技术的进步和互联网的普及，协处理器、GPU、FPGA等硬件设备的需求会越来越大，而这都离不开半导体技术。

物理学中的半导体物理学原理物理学是关于自然界本质和基本规律的研究。

而半导体物理学作为物理学的一个分支，是在电子学发展的基础上产生的。

它主要研究半导体材料和器件的性质及其应用。

半导体器件是当今电子技术应用最广泛的器件之一，如今已经成为各行各业的发展所需要的。

那么，物理学中的半导体物理学原理是什么呢？首先，半导体是介于导体和绝缘体之间的物质。

半导体中自由电子数很少，但也不像绝缘体那样阻塞电流，因此在外电场作用下，其电导率介于导体和绝缘体之间，这是半导体物理学的重要特性。

从其能带结构来看，半导体表现出与金属类似的导电特性，但其电性取决于材料中的缺陷和掺杂。

材料中杂质原子能够改变其性质，对半导体进行有控制的掺杂，可调节半导体电性。

其次，半导体特性中涉及一些基本的物理概念。

在半导体中，导带和价带之间的带隙（禁带宽度）是非常重要的因素。

在自由电子不能从价带跃迁到导带时，半导体将不导电。

在正偏电压的作用下，利用热激发和光激发等效应，能够增加电子的能量，从而使电子能够跃迁到导带，电导率增加；在反偏电压下，由于散射的增多和电子少的结果，导电性大幅下降。

掺杂是半导体物理学中一项重要的技术。

通过添加致电离杂质，可以大大调节半导体的电学性质。

掺杂实际上是通过掺入一个或多个杂质原子来改变半导体的导电性。

常用的杂质有三种：硼、磷和锗。

硼原子即为p型半导体，磷原子则为n型半导体，而具有一定数量的硼和磷杂质的材料即为p-n结。

材料中的p-n结可以发挥一定的电学特性，包括整流、放大、开关等。

另一个半导体物理学的原理是PN结的正向、反向和击穿特性。

PN结由不同掺杂材料组成，具有正向、反向电压的特性。

在正偏电压作用下，PN结翻转一部分电子，电子与空穴混合，导电性高；反之，在反向电压作用下，PN结阻挡外来电子，使电流很小，在反压达到一定大小后就进入击穿状态，发生大电流放电等现象。

最后，半导体器件中的场效应管和集成电路是半导体物理学的一个重要应用领域。

半导体物理爱因斯坦关系式半导体物理学是当代物理科学中极为重要的学科之一，其中爱因斯坦关系式在半导体物理学中扮演着重要的角色。

爱因斯坦关系式不仅深刻阐述了电子在半导体中的运动规律，还直接影响了半导体器件的设计和使用。

爱因斯坦关系式是指在半导体中电子的能量E与动量p之间的关系式，也称为质量-速度关系式。

其表达式为E=pc，其中p是电子的动量，c是光速，E是电子的能量，这个关系式是爱因斯坦提出的。

其实就是前面提到的相对论能量动量关系式。

在半导体中，电子不像在导体中那样能自由移动。

因为半导体中晶格结构不完美，存在一些缺陷和杂质，导致电子的运动受到很多限制。

同时，电子和结构中其他自由运动的粒子（如空穴）也会发生相互作用，导致电子的能量和动量之间的关系更加复杂。

爱因斯坦关系式正是在这种复杂情况下提出的。

具体来说，爱因斯坦关系式指出，在半导体中，电子的速度越高，其能量也就越大；电子的质量越大，其速度也就越小。

这就解释了为什么一些半导体器件需要高速运转，而另一些器件则需要更精准的控制。

例如，在集成电路中，需要同时满足高速和精准性，因此根据爱因斯坦关系式，需要选择具有较小质量的电子。

此外，爱因斯坦关系式还启示了半导体器件设计的新思路。

例如，通过改变半导体材料的晶体结构，可以控制材料中电子的质量和速度之间的关系，从而实现更加高效的电子运动。

同时，爱因斯坦关系式的应用也会不断推动半导体物理学的发展，为人类创造更多的科技美好未来。

总之，半导体物理学是一门极具挑战性和发展前景的学科。

而爱因斯坦关系式在半导体物理学中的应用不仅是当代科技进步的基础，还是人类科学之路的重要里程碑。

学习和研究这个关系式，有助于深入理解半导体物理学的本质和实用意义，从而为我们日常生活和人类社会的发展做出更大的贡献。

第一章 半导体中的电子状态§1。

1 锗和硅的晶体结构特征 金刚石结构的基本特征§1.2 半导体中的电子状态和能带 电子共有化运动概念绝缘体、半导体和导体的能带特征。

几种常用半导体的禁带宽度; 本征激发的概念§1.3 半导体中电子的运动 有效质量导带底和价带顶附近的E(k ）~k 关系()()2*2nk E k E m 2h -0=； 半导体中电子的平均速度dEv hdk=； 有效质量的公式：222*11dk Ed h m n =.§1.4本征半导体的导电机构 空穴空穴的特征:带正电；p n m m **=-；n p E E =-；p n k k =-§1.5 回旋共振§1。

6 硅和锗的能带结构 导带底的位置、个数； 重空穴带、轻空穴第二章 半导体中杂质和缺陷能级§2。

1 硅、锗晶体中的杂质能级基本概念：施主杂质,受主杂质，杂质的电离能，杂质的补偿作用。

§2。

2 Ⅲ—Ⅴ族化合物中的杂质能级 杂质的双性行为第三章 半导体中载流子的统计分布热平衡载流子概念§3.1状态密度定义式：()/g E dz dE =；导带底附近的状态密度：()()3/2*1/232()4ncc m g E VE E h π=-；价带顶附近的状态密度：()()3/2*1/232()4p v Vm g E V E E hπ=-§3.2 费米能级和载流子的浓度统计分布 Fermi 分布函数：()01()1exp /F f E E E k T =+-⎡⎤⎣⎦；Fermi 能级的意义：它和温度、半导体材料的导电类型、杂质的含量以及能量零点的选取有关。

1）将半导体中大量的电子看成一个热力学系统，费米能级F E 是系统的化学势;2）F E 可看成量子态是否被电子占据的一个界限。

3）F E 的位置比较直观地标志了电子占据量子态的情况，通常就说费米能级标志了电子填充能级的水平。

《半导体物理学》读后感
《半导体物理学》内容为：半导体的晶格结构和电子状态；杂质和缺陷能级；载流子的统计分布；载流子的散射及电导问题；非平衡载流子的产生、复合及其运动规律；半导体的表面和界面——包括pn结、金属半导体接触、半导体表面及MIS结构、半导体异质结；半导体的光、热、磁、压阻等物理现象和非晶半导体。

半导体物理学研究半导体原子状态和电子状态以及各种半导体器件内部电子过程的学科。

是固体物理学的一个分支。

研究半导体中的原子状态是以晶体结构学和点阵动力学为基础，主要研究半导体的晶体结构、晶体生长，以及晶体中的杂质和各种类型的缺陷。

研究半导体中的电子状态是以固体电子论和能带理论为基础，主要研究半导体的电子状态，半导体的光电和热电效应、半导体的表面结构和性质、半导体与金属或不同类型半导体接触时界面的性质和所发生的过程、各种半导体器件的作用机理和制造工艺等。

主要内容为：半导体的晶格结构和电子状态；杂质和缺陷能级；载流子的统计分布；载流子的散射及电导问题；非平衡载流子的产生、复合及其运动规律；半导体的表面和界面――包括p－n结、金属半导体接触、半导体表面及MIS结构、异质结；半导体的光、热、磁、压阻等物理现象和非晶半导体。

本书全面地论述了半导体物理的基础知识，半导体物理学与我们的生活息息相关，我们的生活中同样离不开物理学及其应用。

我们影注意观察生活中无处不在的物理学的应用，同时学会将所学知识与实
践良好地结合，使我们的生活更美好！。