常用晶振频率

25mhz晶振频率范围摘要：一、引言二、25MHz 晶振的频率范围介绍1.25MHz 晶振的基本概念2.25MHz 晶振的频率范围三、25MHz 晶振的应用领域1.通信领域2.电子消费品领域3.汽车电子领域四、25MHz 晶振的发展趋势与展望正文：【引言】在电子技术中，晶振是一种常见的电子元件，负责产生稳定的振荡信号，为整个电子系统提供时钟信号。

25MHz 晶振作为一种常用的晶振类型，具有广泛的频率范围和应用领域。

本文将详细介绍25MHz 晶振的频率范围及其在各个领域的应用。

【25MHz 晶振的频率范围介绍】1.25MHz 晶振的基本概念25MHz 晶振，即频率为25MHz 的晶体振荡器，是一种以石英晶体、陶瓷晶体等为振荡元件的电子元器件。

它可以产生稳定的振荡信号，为各类电子设备提供时钟信号。

在电子技术领域，晶振的稳定性、可靠性及稳定性是衡量其性能的主要指标。

2.25MHz 晶振的频率范围25MHz 晶振的频率范围通常在20MHz 至26MHz 之间，允许的频率偏差为±50ppm 至±100ppm。

在这个频率范围内，25MHz 晶振可以满足大多数应用场景的需求。

当然，根据不同的应用要求，还可以定制具有更窄频率范围的25MHz 晶振。

【25MHz 晶振的应用领域】1.通信领域在通信领域，25MHz 晶振广泛应用于无线通信基站、卫星通信、光纤通信等领域。

作为通信系统中的时钟信号源，25MHz 晶振的稳定性直接影响到通信系统的性能。

因此，25MHz 晶振在通信领域具有极高的可靠性和稳定性要求。

2.电子消费品领域在电子消费品领域，25MHz 晶振广泛应用于智能手机、平板电脑、数码相机、游戏机等设备。

这些设备对25MHz 晶振的性能要求相对较低，但需要具备良好的抗干扰性能和较小的体积。

3.汽车电子领域在汽车电子领域，25MHz 晶振主要应用于车载通信系统、防盗系统、导航系统等。

汽车电子设备对25MHz 晶振的性能要求较高，需要具备良好的抗震动、抗干扰性能以及较长的使用寿命。

30m晶振工作频率晶振是电子设备中常见的一种元器件，用于提供稳定的时钟信号。

30m晶振工作频率指的是晶振的振荡频率为30兆赫兹（MHz）。

在现代电子技术中，晶振被广泛应用于各种电子设备中，例如计算机、手机、电视机等，它们都需要一个精准的时钟信号来同步各个部件的工作。

30m晶振工作频率之所以被广泛采用，主要是因为它具备以下几个优点。

首先，30m晶振的频率相对较高，可以提供更精准的时钟信号，使得电子设备的工作更加稳定可靠。

其次，30m晶振的尺寸相对较小，可以方便地集成到电路板中，不会占用过多的空间。

此外，30m晶振的功耗也相对较低，可以节约能源并延长电池的使用寿命。

在实际应用中，30m晶振的工作频率需要与其他部件进行配合，以满足整个系统的要求。

例如，在计算机中，CPU、内存、硬盘等各个组件都需要一个统一的时钟信号来同步它们的工作。

通过合理地选择30m晶振的频率，并通过电路设计来实现时钟信号的分配和调节，可以确保整个系统的稳定性和性能。

除了在计算机中的应用，30m晶振还可以在其他领域发挥重要作用。

例如，在通信设备中，30m晶振可以提供精确的时钟信号，使得数据传输更加可靠。

在工业控制系统中，30m晶振可以实现各个设备之间的协调工作，提高生产效率和质量。

在科学研究中，30m晶振可以作为实验仪器的时基，确保实验数据的准确性。

需要注意的是，30m晶振的工作频率并不是越高越好。

在实际应用中，需要根据具体的需求来选择合适的晶振频率。

如果频率过低，可能会导致系统工作不稳定；而频率过高，则可能会增加功耗和成本。

因此，在设计电子设备时，需要综合考虑各个方面的因素，选择最合适的晶振工作频率。

30m晶振工作频率作为一种常见的时钟信号源，被广泛应用于各种电子设备中。

它具备精确、稳定、节能等优点，可以有效地提高系统的性能和可靠性。

在选择30m晶振时，需要根据具体需求来进行合理的选择，并进行适当的电路设计和优化，以保证整个系统的正常运行。

1.8432MHz 18.432MHZ 25MHZ 4 MHZ 12 MHZ 16 MHZ 13 MHZ 21.47727 MHZ 33.8688 MHZ 3.6864 MHZ 10.245 MHZ 14.7456 MHZ 7.9296875 MHZ 24.576 MHZ 7.2 MHZ 22.1184 MHZ 21.504 MHZ 1.8432 MHZ 13.25 MHZ 24 MHZ 2 MHZ 9.8304 MHZ 20.945 MHZ 9.216 பைடு நூலகம்HZ 14.31818 MHZ 76.8 MHZ 7.3728 MHZ 11.0592 MHZ 44.545 MHZ 40 MHZ 16.384 MHZ 27 MHZ 26 MHZ 48 MHZ 45 MHZ 90 MHZ 130 MHZ 112.32 MHZ 130 MHZ 45.1 MHZ 110.52 MHZ 21.4 MHZ 106.95 MHZ 128.45 MHZ 21.4 MHZ 38.85 MHZ 70 MHZ
4.032 MHZ 3.6864 MHZ 19.2 MHZ 21.504 MHZ 16.8 MHZ 12.6 MHZ 12.8 MHZ 16.9344 MHZ 11.150 MHZ 21.245 MHZ 21.24 MHZ 42.105 MHZ 24.431 MHZ 33.868 MHZ 23.040 MHZ 600KHZ 96 MHZ 100KHZ 200KHZ 307.200 MHZ 153.600 MHZ 42.496 MHZ 38.4 MHZ 76.8 MHZ 20.945 MHZ 3.579 MHZ 4.433 MHZ 27.7 MHZ 28.8 MHZ 6.772 MHZ 7.3728 MHZ 7.6 MHZ 29.4912 MHZ 70.5 MHZ 27 MHZ 4.915 MHZ 4.195 MHZ 66.66 MHZ 60 MHZ 11.288 MHZ 54 MHZ NDK 7.1137 MHZ 6.431091MHZ 6.000MHZ 7.000MHZ

12mhz的晶振频率
12MHz 的晶振频率是一种常见的时钟频率，广泛应用于电子设备中。

它的频率为每秒1200 万次振动，通常用于提供时钟信号或作为计数器的时钟源。

在电子设备中，时钟信号是非常重要的，它用于控制设备的运行速度和时序。

晶振是一种能够产生稳定时钟信号的元件，它通过晶体的机械振动来产生高频信号。

12MHz 的晶振频率可以提供非常精确和稳定的时钟信号，因此在许多电子设备中得到了广泛应用。

在计算机、手机、平板电脑等设备中，12MHz 的晶振频率通常用于提供系统时钟信号，以确保设备的正常运行。

在计数器、定时器等电路中，12MHz 的晶振频率也常被用作时钟源，以实现精确的计数和定时功能。

12MHz 的晶振频率是一种常见的时钟频率，具有精确、稳定的特点，广泛应用于电子设备中。

晶振电路周期性输出信号的标称频率（Normal Frequency），就是晶体元件规格书中所指定的频率，也是工程师在电路设计和元件选购时首要关注的参数。

晶振常用标称频率在1～200MHz之间，比如32768Hz、8MHz、12MHz、24MHz、125MHz等，更高的输出频率也常用PLL（锁相环）将低频进行倍频至1GHz以上。

输出信号的频率不可避免会有一定的偏差，我们用频率误差（Frequency Tolerance）或频率稳定度（Frequency Stability）来表示，单位是ppm，即百万分之一（parts per million）（1/106），是相对标称频率的变化量，此值越小表示精度越高。

比如，12MHz晶振偏差为±20ppm，表示它的频率偏差为12×±20Hz=±240Hz，即频率范围是（11999760～12000240Hz）。

另外，还有一个温度频差（Frequency Stability vs Temp），表示在特定温度范围内，工作频率相对于基准温度时工作频率的允许偏离，它的单位也是ppm。

我们经常还看到其它的一些参数，比如负载电容、谐振电阻、静电容等参数，这些与晶体的物理特性有关。

石英晶体有一种特性，如果在晶片某轴向上施加压力时，相应施力的方向会产生一定的电位。

相反的，在晶体的某轴向施加电场时，会使晶体产生机械变形；如果在石英晶片上加上交变电压，晶体就会产生机械振动，机械形变振动又会产生交变电场，尽管这种交变电场的电压极其微弱，但其振动频率是十分稳定的。

当外加交变电压的频率与晶片的固有频率（与切割后的晶片尺寸有关，晶体愈薄，切割难度越大，谐振频率越高）相等时，机械振动的幅度将急剧增加，这种现象称为“压电谐振”。

将石英晶片按一定的形状进行切割后，再用两个电极板夹住就形成了无源晶振，其符号图如下所示：下图是一个在谐振频率附近有与晶体谐振器具有相同阻抗特性的简化电路。

晶振指标参数介绍如下：
晶振（Crystal oscillator）是一种电子元器件，其指标参数主要包括以下几个方面：
1.频率（Frequency）：晶振的频率通常用赫兹（Hz）表示，即每秒钟振荡的次数。

晶
振的频率决定了其在电子系统中的应用范围和精度。

2.稳定度（Stability）：晶振的稳定度指其输出频率的变化范围，通常用单位百万分之一
（ppm）表示。

晶振的稳定度越高，其输出频率的变化范围就越小，输出频率就越稳定。

3.相位噪声（Phase noise）：晶振的相位噪声指其输出频率随时间的变化，通常用分贝
（dBc/Hz）表示。

相位噪声越小，晶振输出的频率波动就越小，稳定性越好。

4.工作温度范围（Operating temperature range）：晶振的工作温度范围指其能够正常
工作的温度范围，通常用摄氏度（℃）表示。

晶振的工作温度范围应该适应于所需应用环境的温度范围。

5.电源电压（Supply voltage）：晶振的电源电压指其需要的电源电压，通常用伏特（V）
表示。

晶振的电源电压应该适应于所需应用环境的电源电压。

需要根据具体的应用需求来选择合适的晶振，以保证电路的性能和稳定性。

常用晶振频率常用晶振频率是指在电子设备中经常使用的晶振的频率。

晶振是一种能够产生稳定的振荡信号的元件，广泛应用于各种电子设备中，如计算机、手机、电视等。

不同的设备和电路需要不同的晶振频率，因此了解常用的晶振频率对于电子工程师和电子爱好者来说是非常重要的。

在常用晶振频率中，最常见的是12MHz和16MHz。

这两个频率在许多设备和电路中都被广泛使用。

例如，计算机主板上的时钟电路通常使用12MHz或16MHz的晶振来提供稳定的时钟信号。

此外，一些微控制器和单片机也需要12MHz或16MHz的晶振来运行。

除了12MHz和16MHz，还有其他一些常用的晶振频率。

例如，4MHz和8MHz也被广泛应用于各种电子设备中。

这些频率通常用于一些低功耗的应用，如无线传感器网络和电子表。

20MHz和25MHz也是常用的晶振频率。

这些频率通常用于一些高性能的应用，如高速通信和图像处理。

在一些需要高速运算的设备中，20MHz和25MHz的晶振可以提供更高的时钟频率，从而提高设备的运行速度。

除了以上的几个常用晶振频率外，还有一些其他的频率也被广泛使用。

例如，32.768kHz的晶振常用于实时时钟电路，因为它可以提供准确的时间基准。

此外，48MHz和72MHz的晶振通常用于一些高性能的应用，如USB接口和音频处理。

总结一下，常用晶振频率包括12MHz、16MHz、4MHz、8MHz、20MHz、25MHz、32.768kHz、48MHz和72MHz等。

这些频率在各种电子设备中都有广泛的应用。

了解这些常用晶振频率对于电子工程师和电子爱好者来说是非常重要的，可以帮助他们选择合适的晶振来满足设备和电路的需求。

通过合理选择晶振频率，可以提高电子设备的性能和稳定性，从而更好地满足用户的需求。

25mhz晶振频率范围
晶振，又称晶体振荡器，是一种产生稳定振荡信号的电子元器件。

它主要由晶体谐振器、振荡电路和放大器等部分组成。

晶振在我国的科研、生产、生活中有着广泛的应用，其中25MHz晶振是其中一种较为常见的频率。

25MHz晶振的应用领域十分广泛，主要包括：
1.通信领域：25MHz晶振在通信设备中扮演着重要角色，如无线通信、光纤通信等，其稳定的振荡信号为通信系统提供了精确的时钟信号。

2.计算机领域：25MHz晶振在计算机系统中用于计时、数据传输等，保证计算机系统的正常运行。

3.测量仪器：25MHz晶振应用于各种测量仪器，如示波器、频谱分析仪等，为仪器提供准确的时间基准。

4.航空航天领域：25MHz晶振在航空航天器上用于导航、定位等关键系统，确保飞行安全。

在选购25MHz晶振时，应注意以下几点：
1.品质因素（Q）：高品质的晶振具有较高的Q值，能产生更稳定的振荡信号。

2.频率精度：选购时应根据实际需求选择合适的频率精度，一般有
±50ppm、±10ppm等不同精度等级。

3.环境适应性：考虑晶振在不同环境下的稳定性，如温度、湿度等环境参数。

使用25MHz晶振时，应注意以下几点：
1.避免振动：晶振在振动环境下易产生频率漂移，影响其稳定性。

2.正确连接：确保晶振与电路的连接正确，避免损坏晶振。

3.电源稳定：保证供电稳定，避免电压波动对晶振产生影响。

总之，25MHz晶振在我国的各个领域具有广泛的应用，正确选购和使用25MHz晶振，能确保相关电子设备的稳定运行。

stm32单片机晶振频率
在stm32单片机中，晶振频率是一个非常重要的参数，它关系到单片机的时钟和运行
速度。

晶振的频率是指每秒钟晶体振动的次数，单位为赫兹(Hz)，常见的晶振频率有8MHz、16MHz、32MHz等。

STM32单片机的晶振频率对于单片机的各种功能都有影响。

例如，在使用定时器、串
口通信、SPI通信等外设时，都需要根据晶振频率来进行参数的设置。

另外，在使用USB等高速通信接口时，晶振频率也需要达到一定的要求才能够正常工作。

对于较高的晶振频率，还需要注意 PCB 的布局和设计，以保证信号的稳定传输。

在STM32单片机中，晶振的频率可以通过修改代码中的时钟配置参数来设置。

一般来说，需要在程序运行之初设置时钟，以确保各个外设能够正常工作。

具体来说，需要使用‘RCC_RCC_GetClocksFreq’ 函数来获取系统时钟的频率，然
后根据外设的要求设置时钟分频系数，最终得到外设需要的时钟。

除了硬件方面的设置，还需要在软件中对晶振频率进行处理。

在使用延时函数时，需
要根据晶振频率来计算延时的时间。

总之，stm32单片机晶振频率是一个非常关键的参数，它对单片机的性能和稳定性都
有着极大的影响。

因此，在使用 stm32 单片机时必须认真考虑晶振频率的设置，以保证
系统的正常运行。

单片机最小系统晶振电路的作用单片机最小系统是指单片机最基本的电路系统，它由单片机、晶振、电源和复位电路组成。

其中，晶振电路是最为重要的一部分，它的作用是为单片机提供稳定的时钟信号，使单片机能够按照预定的程序运行。

晶振电路是由晶振和两个电容组成的，晶振是一种能够产生稳定的高频振荡信号的元件，它的工作原理是利用晶体的压电效应，将外界的电场作用下，晶体内部的离子发生微小的振动，从而产生高频振荡信号。

晶振的频率一般在几十KHz到几十MHz之间，常用的有4MHz、8MHz、12MHz等。

晶振电路的作用是为单片机提供稳定的时钟信号，时钟信号是单片机运行的基础，它决定了单片机的运行速度和精度。

单片机的内部结构是由许多寄存器和逻辑电路组成的，这些电路都需要按照时序要求进行操作，如果时钟信号不稳定，就会导致单片机内部电路的运行出现问题，从而影响整个系统的稳定性和可靠性。

晶振电路的稳定性是指晶振的频率和振幅的稳定性，频率稳定性是指晶振的频率变化范围，振幅稳定性是指晶振输出的振幅变化范围。

晶振的稳定性对单片机的运行速度和精度有着非常重要的影响，如果晶振的稳定性不好，就会导致单片机的运行速度和精度下降，从而影响整个系统的性能。

晶振电路的设计需要考虑多个因素，如晶振的频率、电容的选择、线路的布局等。

晶振的频率应该根据单片机的工作频率来选择，一般情况下，晶振的频率应该是单片机工作频率的2~3倍。

电容的选择应该根据晶振的频率来选择，一般情况下，电容的值应该是晶振频率的1/10~1/20。

线路的布局应该尽量避免干扰，保证晶振电路的稳定性。

在实际应用中，晶振电路的稳定性对系统的性能有着非常重要的影响，因此，我们应该选择质量好、稳定性高的晶振和电容，同时，还应该注意线路的布局和干扰的问题，以保证晶振电路的稳定性和可靠性。

晶振电路是单片机最小系统中最为重要的一部分，它的作用是为单片机提供稳定的时钟信号，保证单片机的运行速度和精度。

在设计晶振电路时，我们应该选择质量好、稳定性高的晶振和电容，同时，还应该注意线路的布局和干扰的问题，以保证晶振电路的稳定性和可靠性。

常用晶振频率表及其在部分电子产品中应用的常见频率 晶振常用频率表32.768KHz 100KHz200KHz455KHz600KHz1MHz1.8432MHz2MHz2.68MHz3MHz3.2MHz3.575611MHz 3.579MHz 3.579545MHz 3.64MHz3.6864MHz 3.6864MHz4MHz4.032MHz 4.09MHz4.096MHz 4.14MHz4.194MHz 10.7MHz10.8MHz11.013MHz11.0592MHz11.15MHz11.15MHz11.288MHz11.5MHz12MHz12.288MHz12.288MHz12.5MHz12.6MHz12.8MHz12.8MHz13MHz13.25MHz13.5MHz13.56MHz14MHz14.31818MHz14.74MHz14.745MHz21.47727MHz21.47727MHz21.504MHz21.504MHz22.1184MHz23.04MHz24MHz24.0014MHz24.431MHz24.5535MHz24.576MHz24.6MHz24.6MHz25MHz25MHz26MHz26.05MHz26.8MHz26.8MHz26.975MHz27MHz27MHz27MHz56MHz56.448MHz60MHz60MHz61.5MHz65MHz66.66MHz67.75MHz70MHz70.5MHz73.72MHz75MHz76.8MHz76.8MHz85.38MHz90MHz96MHz100MHz106.95MHz110.52MHz112.32MHz125MHz128.45MHz4.195MHz4.1952MHz 4.25MHz4.332MHz4.433MHz4.433619MHz 4.49923MHz 4.5MHz4.91MHz4.915MHz5MHz5.927MHz6MHz6.431091MHz6.772MHz7.1137MHz 7.2MHz7.2MHz7.3728MHz 7.3728MHz 7.6MHz7.732MHz7.9296875MHz8.192MHz8.38MHz9.216MHz 14.7456MHz15.36MHz15.36MHz15.36MHz15.36MHz15.4MHz15.4MHz15.5MHz16MHz16MHz16.367667MHz16.368MHz16.384MHz16.8MHz16.8MHz16.8MHz16.9344MHz16.9344MHz17.28MHz17.734MHz17.734475MHz18.432MHz18.432MHz19.2MHz19.2MHz19.3125MHz27.145MHz27.7MHz28.224MHz28.63MHz28.704MHz28.8MHz29.4912MHz29.5MHz30MHz31.5MHz32MHz32MHz32.1MHz32.256MHz33MHz33.333MHz33.86MHz33.868MHz33.8688MHz33.8688MHz33.8688MHz35.4689MHz36.86MHz37MHz38.4MHz38.85MHz130MHz130MHz150MHz153.6MHz153.6MHz225MHz243.5MHz280MHz307.2MHz310MHz311.06MHz315MHz360MHz433.92MHz446MHz465MHz842.5MHz881.5MHz897MHz897.5MHz897.5MHz898MHz903.5MHz926.5MHz942.5MHz947.5MHz9.216MHz 9.6MHz 9.6MHz 9.8MHz 9.83MHz 9.8304MHz 9.8304MHz 10MHz 10.01MHz 10.238MHz 10.24MHz 10.245MHz 10.245MHz 10.25MHz 19.44MHz19.6608MHz19.68MHz19.68MHz19.68MHz19.8MHz20MHz20.25MHz20.945MHz20.945MHz21.24MHz21.245MHz21.4MHz21.4MHz39.168MHz40MHz40.32MHz42.105MHz42.496MHz44MHz44.545MHz45MHz45.1MHz45.1MHz48MHz49MHz50MHz54MHz1016MHz1323MHz1441MHz1489MHz1575.45MHz1747MHz1747.5MHz1750MHz1842.5MHz1842.5MHz1847MHz1880MHz1960MHz1960MHz1964MHz晶振在消费类电子、通讯产品、电脑周边产品中应用的常见频率消费类电子1、电视主要用到的频率为：4.433619MHz，3.579545MHz，12.000MHz。

cpu的晶振CPU的晶振是指中央处理器（CPU）上的晶体振荡器，它是计算机系统中非常重要的组成部分。

晶振的作用是提供一个稳定的时钟信号，用于同步计算机内部各个组件的工作。

本文将从晶振的原理、工作方式和应用等方面进行阐述。

一、晶振的原理晶振是利用晶体的机械振动产生电信号的装置。

在CPU中，晶振通过振荡晶体的机械振动产生一定频率的电信号，这个频率就是CPU 的工作频率。

晶振的原理是利用晶体的压电效应和回路反馈原理，通过在晶体上施加电压，使晶体发生机械振动，从而产生电信号。

二、晶振的工作方式晶振由晶体振荡器和频率稳定电路组成。

晶体振荡器是通过在晶体上施加电场，使晶体的机械振动频率与晶体的谐振频率保持一致，从而产生稳定的时钟信号。

频率稳定电路用于对晶振输出的时钟信号进行滤波和放大，以保证时钟信号的稳定性和可靠性。

三、晶振的应用晶振广泛应用于计算机、通信设备、电子仪器等领域。

在计算机中，晶振作为时钟源，用于控制CPU和其他硬件组件的工作频率，确保计算机系统的正常运行。

在通信设备中，晶振用于同步数据传输和调整通信速率。

在电子仪器中，晶振用于提供精确的时间基准，以保证仪器的测量和控制精度。

晶振的频率决定了CPU的工作速度和性能。

目前常用的晶振频率有3.2GHz、3.6GHz、4.0GHz等，随着技术的不断发展，晶振的频率也在不断提高。

高频率的晶振可以提高CPU的计算速度和数据处理能力，但也会带来更高的功耗和发热量，需要进行散热和功耗管理。

晶振的选择和设计对计算机系统的性能和稳定性有着重要影响。

一方面，选择合适的晶振频率可以提升系统性能，但过高或过低的频率都会导致系统不稳定或性能下降。

另一方面，晶振的精度和稳定性也会影响系统的时钟同步和数据传输，不同领域的应用对晶振的要求也不同。

总结起来，CPU的晶振作为计算机系统中的重要组成部分，提供稳定的时钟信号，确保系统的正常运行。

晶振的原理是利用晶体的机械振动产生电信号，通过晶振器和频率稳定电路实现。

KDS常用晶振型号频率指标技术规格KDS常用晶振型号频率指标技术规格产品名称常用晶振型号频率指标技术规格温补晶振 1.25MHZ DIP14 2PPM SINE -20-70 3.3V晶体谐振器 2.176MHz 5030 4P 3.3V 50ppm晶体谐振器 3.57954MHz HC-49S 20PPM 20PF晶体谐振器 3.57MHz 5070 5V 30PPM 20PF 无电压晶体谐振器 3.58mhz ZTTCC3.58MG SMD Ceramic resonator晶体谐振器 3.58mhz ZTTCC3.58MG SMD Ceramic resonator温补晶振 3.6864MHZ DIP14 -55-+85℃ 10PPM 5V TTL温补晶振4.096MHZ DIP14 HCMOS ±0.5ppm@（-20-+70℃）压控 3.温补晶振 4.096MHZ DIP14 HCMOS ±0.5ppm@（-20-+70℃）压控 3.温补晶振4.096MHZ DIP14 HCMOS ±0.5ppm@（-20-+70℃）压控 3.恒温晶振4.0MHz DIP36X27 ±1×10-7 0-50 TTL 5V AT 压控 125d 恒温晶振4.0MHz DIP36X27 ±1×10-9 0-50 TTL 5V SC 压控 125d 晶体谐振器 4.0mhz ZTTCC3.58MG SMD Ceramic resonator晶体谐振器 4.0mhz ZTTCC3.58MG SMD Ceramic resonator晶体谐振器 5.0688MHZ HC-49SMD 20PF +/-50PPM恒温晶振 5.0MHz DIP36X27 SINE 3PPB 0-60 -145DBC 1K 12V 5X10?钟振 5.12MHZ DIP14 5V 30PPM数字温补 5.12MHz DIP40X25 0.1ppm 12V 方波 -20+70 机械微温补晶振 5.12MHz DIP40X25 0.5ppm 12V 方波 -20+70 机械微晶体谐振器 6.0MHZ CSTCC6M00G53-R0 Crystal晶体谐振器 6.0MHZ CSTCC6M00G53-R0 Crystal晶体谐振器 6.0MHz HC-49SMD 20PPM 20PF晶体谐振器7.3728MHZ HC-49SMD 20PF +/-50PPM晶体谐振器7.68MHz 5030 4P 3.3V 50ppm晶体谐振器8.0MHZ HC-49SMD 30PPM 16pF晶体谐振器8.0MHZ 5032 10PF 20PPM温补晶振8.0MHZ 5070 准确度在1PPM以下 -40～85度方波 3.晶体谐振器8.0MHZ HC-49S 18PF 30ppm 无电压晶体谐振器8.0MHz SMD8045 2脚 30PPM温补晶振8.388608MHZ 5070 3.3V 1PPM CMOS 调节8ppm -10-+75℃晶体谐振器9.8304MHz HC-49S 20pF 30PPM 温补晶振10.0MHZ 3225 3.3V 0.5PPM SMI温补晶振10.0MHZ 3225 3.3V 0.5PPM KDS温补晶振10.0MHZ 5032 3.3V 0.5PPM KDS温补晶振10.0MHZ 5032 3.3V 1PPM SMI温补晶振10.0MHZ 5032 DAS535SD 0.5ppm温补晶振10.0MHZ 5032 DS5032TC温补晶振10.0MHZ 5032 方波 2ppm 3.3v -40-85温补晶振10.0MHZ 5070 -40-85 1PPM 削峰正旋波不带压控温补晶振10.0MHZ 5070 TCXO 0.5ppm -40 to +85度，方波温补晶振10.0MHZ 5070 VCTCXO 0.28ppm -30 to +85度，方波温补晶振10.0MHZ 5070 4P 3.3V HCMOS 0.5ppm VCTCXO -35—65 温补晶振10.0MHZ 5070 TCVCXO 1PPM 3.3v -40-+85 HCMOS温补晶振10.0MHZ 5070 VCTCXO 0.5ppm -40+85 方波温补晶振10.0MHZ 5070 VCTCXO 泰艺 2.5ppm -40+85 clippedsine 控晶体谐振器10.0MHz CSTCC10M0G53-R0 Resonator Murata 数字温补10.0MHZ DIP14 ±0.05ppm－40℃85℃ 3.3V 20MA Hcmos DTXO数字温补10.0MHZ DIP14 0.1ppm 3.3V -40—85温补晶振10.0MHZ DIP14 0.3PPM SINE 5V恒温晶振10.0MHZ DIP14 1*10-7 12V -10-+60° 电平极：0dB 温补晶振10.0MHZ DIP14 1ppm 3.3v 正弦波机械调节调节范围几温补晶振10.0MHZ DIP14 1PPM -30-+70 0.5PPM 5V SINE VCTCXO温补晶振10.0MHZ DIP14 1PPM SINE 3.3V 机械微调温补晶振10.0MHZ DIP14 5V <0.28PPM ±0.14 -40~85C LVCMOS -1 1KHz温补晶振10.0MHZ DIP14 5V <0.28PPM ±0.14-40~85C LVCMOS -131KHz恒温晶振10.0MHZ DIP14 OCXO ±0.2ppm -40-+85 5V 方波恒温晶振10.0MHZ DIP14 OCXO ±0.2ppm -40-+85 5V 正玄波温补晶振10.0Mhz DIP14 sine 0~10dBm 1ppm 年老化率0.5ppm SC 温补晶振10.0MHZ DIP14 TCXO ±0.5ppm SINE -40-+85 5V恒温晶振10.0MHZ DIP20X20 ±0.05ppm－40℃85℃ 3.3V 20MA Hcmo 恒温晶振10.0Mhz DIP20X20 sine 0~10dBm 0.05ppm 年老化率 0.5恒温晶振10.0MHz DIP21X21 0.05PPM 0.03PPM -20-70 5V SINE 1K 恒温晶振10.0MHz DIP21X21 0.05PPM 0.03PPM -20-70 5V SINE 1K 恒温晶振10.0MHz DIP21X21 0.05PPM 0.03PPM -20-70 5V SINE 1K 恒温晶振10.0MHZ DIP25X25 0.1ppm 3.3V -40—85恒温晶振10.0MHz DIP25X25 3.3V -10-60±10ppb 准确20ppb SIN -140@1KHz恒温晶振10.0MHz DIP25X25 3.3V -10-60±10ppb 准确20ppb SIN -140@1KHz恒温晶振10.0MHZ DIP36X27 小于0.05PPM -55-85 10K -160DBC 温补晶振10.0MHZ SMD11X9 3.3V CMOS -10-+60℃ ±1PPM VCTCX 温补晶振10.0MHZ SMD11X9 电压3.3V 带压控方波1PPM -55-85C温补晶振10.0MHz SMD14X9 ±0.5ppm －20℃ +70℃ 3.3V sine输调整恒温晶振10.0MHz SMD25X22 SINE 0.02PPM -145 1K 5V -20-70 温补晶振10.24MHZ 3225 3V 2.5PPM -30~85 KDS温补晶振10.36MHZ 5070 3.3V 1PPM CMOS 调节8ppm -10-+75℃温补晶振10.386MHz DIP14 3ppm 3.3V -40-+85C HCOMS 频率调整晶体谐振器11.0592MHZ HC49/U 30PPM 20PF 晶体谐振器11.0592MHZ HC-49S 20PPM 20PF晶体谐振器11.0592MHZ HC49U 20PF 30PPM 无电压晶体谐振器11.2896MHz HC-49SMD 30ppm 20pf温补晶振12.0MHz 2520 20ppm 1.8V 3mA -40-+85℃钟振12.0MHZ 3225 30ppm 3.3v 4脚晶体谐振器12.0Mhz 5032 2p ±30PPM 18PF钟振12.0mhz 5032 3.3V 20ppm 四脚钟振12.0MHZ 5032 3.3V 30PPM TXC钟振12.0MHZ 5070 5V 30PPM TXC晶体谐振器12.0MHZ 6035 18PF 20PPM钟振12.0MHz SMD2520 3V 50ppm晶体谐振器12.288MHz 5032 2P 18pF 20ppm NDK恒温晶振12.288MHz DIP36X27 SINE 0.005PPM 0.01PPM -20-60 5V恒温晶振12.288MHz 短稳 +-5E-9 长期绝对精度1us -150dBc 1KH 温补晶振12.8MHz 3225 3.3V 0.5PPM KDS温补晶振12.8MHz 3225 3.3V 1PPM SMI温补晶振12.8MHZ 3225 1.5PPM SMI温补晶振12.8MHz 3225 1.5PPM 3.3V(3V) -40~85 clippedsine 温补晶振12.8MHz 5032 1.5ppm温补晶振12.8MHz 5032 1.5PPM 3.3V(3V) -40~85 clippedsine 温补晶振12.8MHZ 5070 -40-85 1PPM 削峰正旋波带压控库存TAITIEN温补晶振12.8MHz 5070 TCXO 0.5ppm -40 to +85度，方波温补晶振12.8MHz 5070 VCTCXO 0.5ppm -40+85 方波数字温补12.8MHz DIP14 ±0.05ppm－40℃85℃ 3.3V 20MA Hcmos DTXO恒温晶振12.8MHZ DIP14 0.025PPM 5V 0.1PPM 1K 135DB HCMOS温补晶振12.8MHz DIP14 3.3V 1PPM 4脚 -30-85 长方形正弦波恒温晶振12.8MHz DIP14 -40-70 0.1PPM SC切年老化0.1PPM 全尺恒温晶振12.8MHz DIP14 -40-85 0.1PPM SC切年老化0.1PPM 全尺温补晶振12.8Mhz DIP14 sine 0~10dBm 1ppm 年老化率 0.5ppm SC恒温晶振12.8MHz DIP20X20 ±0.05ppm－40℃85℃ 3.3V 20MA Hcm 控恒温晶振12.8Mhz DIP20X20 sine 0~10dBm 0.05ppm 年老化率 0.5恒温晶振12.8MHz DIP21X21 0.05PPM 0.03PPM -20-70 5V SINE 1K 恒温晶振12.8MHz DIP21X21 0.05PPM 0.03PPM -20-70 5V SINE 1K 恒温晶振12.8MHz DIP21X21 0.05PPM 0.03PPM -20-70 5V SINE 1K 恒温晶振12.8MHZ DIP60X60 ±2X10-8 ±20PPB -20+80 12V SINE S 温补晶振13.0MHZ 3225 3.3V 0.5PPM KDS 温补晶振13.0MHZ 3225 3.3V 1PPM KDS温补晶振13.0MHZ 3225 3V 2.5PPM CLIPPED温补晶振13.0MHZ 5032 -20-+70 3ppm 3.3v 5*3.2 TAITIEN温补晶振13.0MHZ 5032 -20-+70 3ppm 3.3v 5*7 TAITIEN晶体谐振器13.0MHZ 5070 3.3V/5V 30PPM/50PPM恒温晶振13.0MHz DIP36X27 SINE 0.01PPM -30-70 12V 150DBC 1K 晶体谐振器13.52127MHz 6035 10pF ±20ppm -40-85 ±30ppm晶体谐振器13.560MHz 3225 18pF ±20ppm -40-85 ±30ppm 晶体谐振器13.56MHz HC-49SMD 30ppm 20pf晶体谐振器13.56MHZ 5032 4P 30PPM 16PF NDK钟振13.5MHZ 5070 3.3V ±20PPM晶体谐振器14.31818MHz SMD6035 +/-50PPM KDS晶体谐振器14.318MHZ SMD6035 2P +/-50PPM晶体谐振器14.318MHz 5032 4p 不带电压 30ppm晶体谐振器14.4MHZ 5032 四脚的小于10PPM 10PF 对讲机温补晶振14.7456MHZ 5070 4PIN -40-85 1PPM 3.3V TC 温补晶振14.7456MHZ DIP14 3PPM -55℃-+85℃ 3.3V晶体谐振器14.7456MHZ HC-49S 30PPM 20PF晶体谐振器14.7456MHz HC-49SMD 30ppm 20pf晶体谐振器15.0MHz HC-49SMD 30ppm 20pf晶体谐振器16.0Mhz 3225 50ppm 12PF FA-238 EPSON晶体谐振器16.0MHZ 3225 12PF 9PF 20PF 20PPM 无电压 NDK EPSON 晶体谐振器16.0MHZ 3225 30ppm 12pf温补晶振16.0MHZ 5070 准确度在1PPM以下 -40～85度方波 3温补晶振16.0MHZ DIP38X38 DIP 5V TTL 0-70℃ 1ppm 不带调晶体谐振器16.0MHZ HC-49U ±100PPM -20-+70 公差±20PPM 18晶体谐振器16.0MHZ SMD2520 10ppm 8PF -20-75 NX2520SA NDK 温补晶振16.32MHZ 5032 DSA535SD 3.3V ±0.5ppm -40-80℃ CLIP 晶体谐振器16.3676MHZ 3225 10PF +-10ppm温补晶振16.3676MHZ 5032 DSB535SD 0.5ppm温补晶振16.368mhz 3225 ±0.5ppm SMD3225 KSS温补晶振16.368mhz 3225 DSB321SDA ±0.5ppm温补晶振16.368mhz 3225 DSB321SDA ±0.5ppm温补晶振16.369MHZ 3225 1.8V 0.5ppm -30-85 GPS温补晶振16.384MHz 3225 2.5ppm -40～80 3.3V 销峰正弦波温补晶振16.384MHz 5070 2.5ppm -40～80 3.3V 销峰正弦波温补晶振16.777216MHZ 5070 3.3V 1PPM CMOS 调节8ppm -10-+75温补晶振16.8MHz 5032 0.5ppm SMD SMI晶体谐振器16.9344MHz 5032 20PPM 18PF 4脚温补晶振17.28MHz DIP14 1.5ppm 3.3V HCMOS -40-+85C温补晶振18.285714MHz DIP14 ±1.0ppm温补晶振18.285714MHz DIP14 ±2.5ppm温补晶振18.432MHz 5070 2ppm －40-85 CLIPPED SINE 3.3V 温补晶振18.432MHz 5070 2ppm －40-85 HCMOS 3.3V晶体谐振器18.432MHZ SMD4025 ±20PPM无电压温补晶振18.651429MHz DIP14 ±1.0ppm温补晶振18.651429MHz DIP14 ±2.5ppm温补晶振19.2MHZ 3225 3.3V CLIPPED -30-+85 0.5PPM DSB321S 温补晶振19.2MHZ 5032 3.3V 2.5PPM -3075 clipped TAITIEN VC-温补晶振19.2MHZ 5032 DSA535SD 0.5ppm clipped sine温补晶振19.44MHZ 3225 3V 2.5PPM CLIPPED压控晶振19.44MHZ 贴片和直插VCXO 牵引范围+/-50或100PPM 3.恒温晶振19.68MHZ DIP14 0.01ppm 正弦波－20－70 数字温补19.68MHZ DIP14 0.05ppm DIP20*20*10 正弦波－20－70恒温晶振19.68MHZ DIP20X20 0.01ppm 正弦波－20－70 温补晶振20.0MHZ 3225 ±0.5ppm VC-TCXO -40-85 3.0V KDS SM 温补晶振20.0MHZ 5032 0.5PPM钟振20.0MHZ 5032 3.3V 30PPM TXC温补晶振20.0MHZ 5032 DSA535SGA 0.28ppm温补晶振20.0MHZ 5032 DSA535SGA 0.28ppm温补晶振20.0MHZ 5032 DSA535SGA 0.28ppm温补晶振20.0MHZ 5070 VCTCXO +-2ppm 3.3v HCMOS -40-+85C恒温晶振20.0MHZ D1P14 21*13*12 5V 方波±0.05ppm -20—70 温补晶振20.0MHZ DIP14 -55℃ 1.5ppm数字温补20.0MHZ DIP14 ±0.05ppm－40℃85℃ 3.3V 20MA HcmosDTXO钟振20.0MHZ DIP14 3.3V ±30ppm ±30ppm -20-+70℃钟振20.0MHZ DIP14 4插脚长方5V ±30ppm ±30ppm -20-+输出温补晶振20.0MHZ DIP14 CMOS 5V 1*10-7 年老化率1×10-温补晶振20.0MHZ DIP14 CMOS 5V 1*10-7 年老化率1×10-恒温晶振20.0MHZ DIP20X20 ±0.05ppm－40℃85℃ 3.3V 20MA Hcmo 恒温晶振20.0MHZ DIP20X20 -40-85 0.05PPM 相躁1K -155 恒温晶振20.0MHZ DIP20X20 -40-85 0.05PPM 相躁1K -155 温补晶振20.0MHZ DIP8 TCXO 不带压控1ppm -20-70 sine 3.3v 半温补晶振20.0MHZ SMD11X9 -55℃ 2PPM温补晶振20.48MHZ 3225 0.5PPM 3V 削顶正弦波温补晶振20.48MHz 3225 3.3V -25-55 0.5PPM 方波温补晶振22.4MHz 5070 TCXO 3.3v -40-+85 0.5PPM HCMOS 带压温补晶振22.4MHz 5070 TCXO 3.3v -40-+85 1PPM HCMOS 带压晶体振荡器22.576MHz 3225 3.3V 50PPM恒温晶振22.5792MHZ DIP25X25 SC切正弦压调-20-60 ±0.5PPM 晶体振荡器22.579MHz 3225 3.3V 50PPM晶体谐振器24.0Mhz 5032 2p ±30PPM 18PF晶体谐振器24.0MHz 5032 50ppm 16PF晶体谐振器24.0MHz 3225 30PPM HOSONIC 无电压晶体谐振器24.0MHz 5032 ±30ppm, 18p SMD 4-pad温补晶振24.0MHZ 5070 0.5ppm HCMOS 3.3V -40-+85钟振24.0MHZ 5070 30ppm 3.3v 4脚晶体谐振器24.0MHZ HC-49S 18PF 30ppm晶体谐振器24.0MHZ SMD6035 4P +/-30PPM晶体振荡器24.5535MHZ 3225 3.3V 20PPM晶体振荡器24.576MHz 3225 3.3V 50PPM温补晶振24.576MHZ 5070 0.5ppm sine 3.3V -40-+85温补晶振24.576MHZ DIP14 5ppm 正弦波 3.3V -20-+70温补晶振24.576MHZ DIP14 0.5ppm 正弦波 3.3V -40-+85恒温晶振24.576MHZ DIP25X25 SC切正弦压调-20-60 ±0.5PPM 温补晶振24.704MHz 5070 3.3V HCMOS SINE 2.5ppm 钟振24.704MHz 5070 +/-100PPM晶体谐振器25.0MHz HC-49SMD 18pF +-30ppm晶体谐振器25.0MHz HC-49SMD 30ppm 20pf晶体谐振器25.0MHZ SMD6035 +/-50PPM KDS晶体振荡器25.0MHz 3225 1.8V 30PPM温补晶振25.0MHZ 3225 3V 0.5PPM VCTCXO DSA321SDA KDS晶体谐振器25.0MHz 5032 ±30ppm, 20PF SMD 4-pad温补晶振25.0Mhz 5070 2.5PPM 3.3V HCMOS -40-85° 带压控温补晶振25.0MHz 5070 TCVCXO 1PPM 3.3v -40-+85 HCMOS 晶体谐振器25.0MHZ HC-49S 20PF 20PPM晶体谐振器25.0MHZ SMD6035 2P +/-50PPM 无电压温补晶振25.6MHZ 5070 0.5PPM 3.3V HCMOS温补晶振26.0MHz 3225 4-SMD ±2.5ppm 3V VCTCXO 晶体振荡器26.0MHZ 3225 2.8V 20PPM 京瓷晶体振荡器26.0MHz 3225 2.8V 50PPM NDK温补晶振26.0MHz 3225 DSA321SCA/L KDS温补晶振26.0MHz 3225 DSB321SCL温补晶振26.0MHZ 3225 DSB321SDA-3.0V TCXO晶体谐振器26.0MHZ 3225 NX3225SA 10PPM 12.5PF温补晶振26.0MHZ 5032 -20-+70 3ppm 3.3v 5*3.2 TAITIEN 温补晶振26.0MHZ 5032 -20-+70 3ppm 3.3v 5*3.2 TAITIEN 晶体谐振器26.0MHZ 5032 4P 25PPM 12PF 无电压即无源钟振26.0Mhz 5032 4p 3.3v ±2.5PPM温补晶振26.0MHZ 5070 -20-+70 3ppm 3.3v 5*7 TAITIEN温补晶振26.0MHZ DIP14 3.3V 0.5PPM sine 带压控数字温补26.0MHZ DIP14 ±0.05ppm－40℃85℃ 3.3V 20MA Hcmos DTXO恒温晶振26.0MHZ DIP20X20 ±0.05ppm－40℃85℃ 3.3V 20MA Hcm 控晶体谐振器26.0MHZ SMD2520 10ppm 8PF -20-75 NX2520SANDK 无钟振27.0mhz 5032 3.3V 20ppm 四脚钟振27.0MHZ 5032 4P 3.3V 25ppm -20 - +70C HCMOS晶体谐振器27.0MHZ 5070 ±50ppm; -20+70 15pF 3.3V钟振27.0MHZ DIP8 半尺寸工业级 -40-85 3.3V 30PPM温补晶振27.0MHz SMD2520 20ppm 1.8V 3mA 2.5*2.0mm -40-+85℃晶体谐振器27.0MHZ SMD6035 2P +/-50PPM 晶体谐振器27.12Mhz 5032 2p ±30PPM 18PF晶体谐振器27.12MHZ 3225 8PF 15PPM epson温补晶振29.4912MHZ 3225 3V 2.5PPM -30~85 KDS温补晶振29.4912MHZ 3225 3V 2.5PPM -30~85 KDS温补晶振29.4912MHZ 3225 3V 2.5PPM -30~85 KDS压控晶振30.0MHZ 11X11 3.3V -20-+70 20PPM VCXO恒温晶振30.0MHZ -20-+70 频率稳定度小于0.004ppm晶体谐振器30.0MHZ 3225 ±30PPM -20-70 12PF温补晶振30.0MHZ 3225 0.5PPM 方波 3.3V 工业级 -40-85 不带压晶体谐振器30.0MHZ 3225 4PAD 30PPM 12PF -0-+70 钟振30.0MHZ 5032 5V 30PPM CTZ温补晶振30.0MHz 5070 HCMOS 2PPM -30-80 3.3V温补晶振30.0MHZ DIP14 0.5PPM 方波 3.3V 工业级 -40-85 不带压温补晶振30.24MHZ 5070 3.3V -20 +70 1PPM温补晶振30.72MHZ 5070 1ppm 3.3V 方波 -20—+70°C晶体谐振器31.996314MHz 5032 4P 16pF +/10ppm温补晶振32.0MHZ 5032 TCXO 3.3V clippedsine 10PPM KTS533EG-温补晶振32.0MHZ 5070 TCXO 3.3V HCMOS 1PPM 温补晶振32.0MHz DIP14 HCMOS 1.5PPM -20-70 3.3V 1K 120DBC温补晶振32.0MHZ SMD11X9 -40-85 0.5PPM 3.3V SINE温补晶振32.0MHZ SMD25X25 -40-85 0.5PPM 3.3V SINE温补晶振32.512MHZ 5070 1PPM -40~85 方波TT 相位 115DBC 温补晶振32.51MHZ 5070 2ppm 3.3v HCMOS晶体谐振器32.768KHZ SMD4.9X1.8 2P 12.5PF +-10ppm晶体谐振器32.768KHZ SMD8x3.8 12.5PF +-20ppm晶体振荡器32.768KHZ 5032 4P 有源 10PPM晶体谐振器32.768Khz DIP2X6MM ±20PPM -10-+60 12.5PF 晶体谐振器32.768kHZ MS1V-T1K 2*6MM 12.5PF晶体谐振器32.768KHZ 3225 +/-20PPM 9PF KDS 无电压晶体谐振器32.768KHZ 3225 2P 20PPM 12.5PF晶体谐振器32.768KHz 3225 3.3V 50PPM晶体谐振器32.768KHZ 3225 3.3V ±25ppm晶体谐振器32.768KHZ 3225 4P 20PPM 3.3V晶体谐振器32.768KHz 5070 3.3V 50PPM晶体谐振器32.768KHZ CM200C/12.5PF/20PPM/ROHS CITIZEN数字温补32.768KHZ DIP14 0.1PPM 3.3V -20-70恒温晶振32.768KHZ DIP14 温度稳定1E-8 温度特性0.01PPM -20-晶体谐振器32.768KHZ DIP2X6 12.5PF 20PPM晶体谐振器32.768KHZ DIP2X6 20ppm 12.5pF晶体谐振器32.768KHZ DIP3X8 20ppm 12pF 镀镍晶体谐振器32.768KHZ DIP3X8 20ppm 12pF 镀锡晶体谐振器32.768KHZ DIP3X8 12.5PF 20PPM晶体谐振器32.768KHZ SMD3.2X1.5MM ±20PPM 12.5PF 70KΩ晶体谐振器32.768KHz SMD4.1X1.5 12.5pF + -20PPM晶体谐振器32.768KHZ SMD4.1X1.5 70PPM KDS晶体谐振器32.768KHZ SMD6.9x1.4mm ±20ppm 12.5pF 4-SM 温补晶振32.768MHZ 3225 0.5ppm 3.3v 常温DSA321SDA-32.768MH温补晶振32.768MHZ DIP14 ±0.5ppm 3.3v HCMOS或SINE -30-8控温补晶振32.768MHZ DIP14 ±0.5ppm 3.3v HCMOS或SINE -40-8控温补晶振32.768MHZ DIP14 1PPM 5V -40-+85温补晶振32.768MHZ DIP14 2PPM 5V -40-+85 机械微调温补晶振32.768MHZ DIP14 -40-+85 0.2PPM 5V Sine VCTCXO 钟振33.0Mhz 5032 4p 3.3v ±30PPM 18PF钟振33.0MHZ 5070 30ppm 3.3v 4脚温补晶振33.0MHZ 5070 ±1PPM 3.3V HCMOS-40-+85℃温补晶振34.6822MHZ DIP14 2PPM恒温晶振38.4MHz DIP36X27 ±0.001PPM -20-70 5V 1K 140 SINE 恒温晶振38.4MHz DIP36X27 ±0.001PPM -40-85 5V 1K 140 SINE 恒温晶振38.4MHz DIP36X27 ±0.01PPM -20-70 5V 1K 140 SINE 压控晶振39.4917MHZ DIP-14 电压5V ±100PPM VCXO 温补晶振39.95MHz SMD14.4x9.5 3ppm 5V -40-+85C HCOMS SMD1晶体谐振器40.0MHz 3225 20ppm 3.3V EPSON 钟振40.0MHZ 5070 30ppm 3.3v 4脚温补晶振40.0mhz 3225 0.5ppm 3.3v 常温DSA321SDA-40MHz温补晶振40.0MHz 3225 DSA321SDA KDS温补晶振40.0MHZ 5070 VCTCXO +-2ppm 3.3v HCMOS -40-+85C恒温晶振40.0MHz DIP36X27 SINE 5.5V 0.01PPM -40-80 -150DBC 温补晶振40.96MHZ 5070 -30℃~+85℃ ±1PPM 3.3V 压控范围±5PP 钟振44.645MHz DIP14 20PPM温补晶振45.0MHZ 5070 ±2PPM HCMOS +3.3VDC -30 to +85 温补晶振45.0MHZ 5070 -30-80 方波 3.3V 带压控±2.0ppm温补晶振45.0MHZ 5070 -40-85 方波 3.3V 带压控±2.0ppm温补晶振45.0MHZ 5070 -40-85 方波 3.3V 带压控±2.0ppm温补晶振45.0MHZ DIP14 ±2PPM HCMOS +3.3VDC -30 to +85温补晶振45.0MHZ DIP14 -30-80 方波 3.3V 带压控±2.0ppm温补晶振45.0MHZ DIP14 -40-85 方波 3.3V 带压控±2.0ppm温补晶振45.0MHZ DIP14 -40-85 方波 3.3V 带压控±2.0ppm钟振48.0mhz 5032 3.3V 20ppm 四脚温补晶振48.0MHZ DIP38X38 DIP 5V TTL 0-70℃ 1ppm 不带调晶体振荡器50.0MHZ 3225 3.3V +-50ppm -40-+85C钟振50.0MHZ 3225 3.3V ±50ppm台湾亚陶钟振50.0MHz 5032 3.3V 30ppm钟振50.0MHZ 5032 3.3V ±50ppm温补晶振50.0MHz 5070 0.5ppm HCMOS 3V 0-50度钟振50.0MHZ 5070 3.3V ±50ppm晶体振荡器50.0MHZ 5070 3V 20PPM SMD温补晶振50.0MHz DIP14 0.5ppm Sine 3V 0-50度恒温晶振50.0MHZ DIP14 3.3V 1KHZ 125 10KHZ 130 +-200PPB +-10温补晶振50.0MHZ DIP14 3.3V -20+70 1.0ppm 正弦波温补晶振50.0MHZ DIP14 3.3V -20+70 1.0ppm 正弦波恒温晶振50.0MHZ DIP25X25 5PPB 0.005ppm 5.0V 0-+75℃ HCMO 恒温晶振50.0MHz DIP36X27 TTL 0.05PPM -20-70 140DBC 1K 5V压温补晶振51.2MHZ 5070 -30℃~+85℃ ±1PPM 3.3V 压控范围±5PP 恒温晶振52.0Mhz DIP20X20 0.05PPM@-20~70 5V 方波晶体谐振器54.0MHZ SMD2520 10ppm 8PF -20-75 NX2520SA NDK钟振54MHZ 5070 3.3V 30ppm温补晶振55.296MHZ 5070 4PIN -40-85 2PPM 3.3V TCV 压控晶振61.44MHZ SMD14X9温补晶振62.0Mhz SMD11X9 0.5ppm -40-+85 5v clipped sine 温补晶振62.0Mhz SMD11X9 0.5ppm -40-+85 5v clipped sine 温补晶振62.0MHz SMD11X9 0.5PPM SINE -40-85 105DBC 1K 3.3V 温补晶振64.0MHz DIP14 HCMOS 1.5PPM -20-70 3.3V 1K 120DBC 恒温晶振65.536MHZ DIP36X27 -40-80 1E-10 0.2ppb 30ppb 5VHC 钟振66.666MHz 5070 3.3V ±25PPM温补晶振67.584MHz DIP14 HCMOS ±1.5 5V -20-70 机械微调温补晶振70.455MHz DIP14 1PPM -35-70 5V SINE 1KHZ 110DBC 温补晶振72.448MHZ DIP14 0.5ppm 正弦波－20－70恒温晶振76.8MHz 0.05PPM 5V电压工业级 OCXO恒温晶振78.0MHZ DIP36X27 SC 0.02PPM 0-40 5V SINE VCOCXO 恒温晶振78.0MHZ DIP36X27 稳定性+-0.2PPM 压控可调恒温晶振78.6432MHz DIP25X25 2*10-8 0.02ppm -20-70 0.1ppm/年1K/-135dBc恒温晶振78.6432MHz DIP25X25 2*10-8 0.02ppm -20-70 0.1ppm/年1K/-150dBc温补晶振80.0MHZ 5070 1PPM -40-+85 3.3V HCMOS温补晶振80.0MHZ 5070 1PPM -40-+85 3.3V HCMOS温补晶振80.0MHZ DIP14 1PPM 3.3V 0-65℃温补晶振80.0MHz SMD11X9 0.3PPM -40-85 SINE 3.3 -110DBC 温补晶振80.0MHz SMD11X9 3PPM -55-90 CLIPP SINE 3.3 -110D 钟振81.360MHz DIP14 ±30 ppm 0＋70 5V CMOS TTL ≤5nS 恒温晶振97.536MHZ DIP25X25 1×10-7 -55℃～90℃温补晶振100.0MHZ 5070 1PPM -30~80 相噪 1KHz -100 方波3.3V 晶体振荡器100.0MHZ 5070 3.3V -40-85 50PPM TXC温补晶振*****************************.3VSINE-20-60 温补晶振100.0MHZ DIP14 1PPM -10-60 HCMOS 3.3V 温补晶振100.0MHZ DIP14 1PPM -10-60 HCMOS 3.3V温补晶振100.0MHZ DIP20X20 5V SINE HCMOS -30-85 0.5PPM -130温补晶振******************************* 3.3V SINE -20-7恒温晶振100.0MHz DIP25X25 0.1ppm Sine 3.3V -30--+80C 1KHz/恒温晶振100.0MHZ DIP25X25 1×10-7 -55℃～90℃恒温晶振100.0MHz DIP25X25 SINE 0.5PPM -10-60 135DBC 1K 压控恒温晶振100.0MHz DIP36X27 SINE 0.01PPM 0.05PPM 1K-155DBC 9差分晶振100.0MHz DIP8 13X13 LVPECL 0.5PPM 3.3V 5PPM -4恒温晶振100.02MHz DIP14 + -0.1ppm 0-70 1kHZ -155dbc/HZ 恒温晶振102.4MHZ DIP25X25 0.1PPM 正弦波方波OCXO温补晶振102.4MHZ DIP25X25 0.3PPM 正弦波方波 TCXO压控晶振122.88MHZ SMD14X9压控晶振122.88mhz SMD14X9 VCXO LV-PECL VC3D4B210-122.8压控晶振122.88mhz SMD14X9 VCXO LV-PECL VC3D4B210-122.8温补晶振124.0MHZ DIP14 1PPM -10-60 HCMOS 3.3V 温补晶振125.0MHZ DIP14 1PPM -10-60 HCMOS 3.3V差分晶振125.0MHz DIP8 13X13 LVPECL 0.5PPM 3.3V 5PPM -4温补晶振127.5MHz DIP14 不压控温特性1ppm 年老化1ppm 3.3V 温补晶振140.0MHz DIP14 -20-70 1PPM 5V 5X10-6秒稳输出幅度大于欧姆差分晶振148.5MHZ 5070 2.5V/3.3V 输出LVDS PECL工业级温补晶振299.792458MHZ DIP14 1PPM -20-70 5V TTL HCMOS 温补晶振300.0MHZ DIP14 1PPM -20-70 5V TTL HCMOS。

频率偏差ppmppb晶振，全称晶体振荡器，它能够产⽣中央处理器（CPU）执⾏指令所必须要的时钟频率信号，CPU⼀切指令的执⾏都是建⽴在这个基础上的，时钟信号频率越⾼，通常CPU的运⾏速度也就越快。

晶振有⼏个重要参数：1，晶体元件规格书中所指定的频率，也是⼯程师在电路设计和元件选购时⾸要关注的参数。

晶振常⽤标称频率在1～200MHz之间，⽐如32768Hz、8MHz、12MHz、24MHz、125MHz等，更⾼的输出频率也常⽤PLL（锁相环）将低频进⾏倍频⾄1GHz以上。

我们称之为标称频率。

2，输出信号的频率不可避免会有⼀定的偏差，我们⽤频率误差（Frequency Tolerance）或频率稳定度（Frequency Stability），⽤单位ppm来表⽰，即百万分之⼀（parts per million）（1/10^6），是相对标称频率的变化量，此值越⼩表⽰精度越⾼。

⽐如，12MHz晶振偏差为±20ppm，表⽰它的频率偏差为12×20Hz=±240Hz，即频率范围是（11999760～12000240Hz）3，还有⼀个温度频差（Frequency Stability vs Temp）表⽰在特定温度范围内，⼯作频率相对于基准温度时⼯作频率的允许偏离，它的单位也是ppm。

4，另外，负载电容CL（Load capacitance），它是电路中跨接晶体两端的总的有效电容（不是晶振外接的匹配电容），主要影响负载谐振频率和等效负载谐振电阻，与晶体⼀起决定振荡器电路的⼯作频率，通过调整负载电容，就可以将振荡器的⼯作频率微调到标称值。

更准确⽽⾔，⽆源晶体的负载电容是⼀项⾮常重要的参数，因为⽆源晶体属于被动元器件，所谓的被动元器件即是⾃⾝不能⼯作，需要外部元器件协助⼯作，⽆源晶体即是！其中：CS为晶体两个管脚之间的寄⽣电容（⼜名晶振静态电容或Shunt Capacitance），在晶体的规格书上可以找到具体值，⼀般0.2pF~8pF不等。