第3章 场效应管及其基本放大电路 参考答案

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第 3
章 场效应管及其基本放大电路
3.1填空题
(1)按照结构,场效应管可分为 。

它属于 型器件,其最大的优点是 。

(2)在使用场效应管时,由于结型场效应管结构是对称的,所以 极和 极可互换。

MOS 管中如果衬底在管内不与 极预先接在一起,则 极和 极也可互换。

(3)当场效应管工作于恒流区时,其漏极电流D i 只受电压 的控制,而与电压 几乎无关。

耗尽型D i 的表达式为 ,增强型D i 的表达式为 。

(4)一个结型场效应管的电流方程为2
GS D 161mA 4U I
=×− ,则该管的
DSS I = ,p U = 。

(5)某耗尽型MOS 管的转移曲线如习题3.1.5图所示,由图可知该管的DSS I = ,p U = 。

(6)N 沟道结型场效应管工作于放大状态时,要求
GS 0u ≥≥ ,DS u > ;而N 沟道增强型MOS 管
工作于放大状态时,要求GS u > ,DS u > 。

(7)耗尽型场效应管可采用 偏压电路,增强型场效应管只能采用 偏置电路。

(8)在共源放大电路中,若源极电阻s R 增大,则该电路的漏极电流D I ,跨导m g ,电压放大倍数 。

(9)源极跟随器的输出电阻与 和 有关。

答案:(1)结型和绝缘栅型,电压控制,输入电阻高。

(2)漏,源,源,漏,
源。

(3)GS u ,DS u ,2GS D DSS P 1u i I U =− ,2
GS D DO T 1u i I U
=−。

(4)16mA ,4V 。

(5)
习题3.1.5图
4mA ,−3V 。

(6)p U ,GS p u U −,T U ,GS T u U −。

(7)自给,分压式。

(8)减小,
减小,减小。

(9)m g ,s R 。

3.2试分别画出习题3.2图所示各输出特性曲线在恒流区所对应的转移特性曲
线。

解:
3.3在带有源极旁路电容s C 的场效应管放大电路如图3.5.6(a )所示。

若图中的
场效应管为N 沟道结型结构,且p 4V U =−,DSS 1mA I =。

DD 16V V =,g 1MΩR =,
g1160kΩR =,g240kΩR =,d 10kΩR =,s 8kΩR =,L 1MΩR =。

试计算(1)静
态工作点;(2)输入电阻i R 和输出电阻o R ;(3)中频电压放大倍数u
A ɺ。

解:(1)
GSQ DQ DQ 2GSQ DQ 40kΩ16V 8kΩ 3.2V 8kΩ(16040)kΩ1mA 14V U I I U I
=×−⋅=−⋅ +
=⋅− −
求解此方程组得DQ1 1.52mA I ≈,DQ20.53mA I ≈。

由于DQ1DSS I I >,不符合题意,舍去,故漏极电流DQ 0.53mA I =。

进而可得
(a ) (b ) (c )
习题3.2图
(a ) (b ) (c )
习题3.2图解
GSQ DQ 3.2V 8kΩ 3.2V 8kΩ0.53mA 1.04V U I =−⋅=−×=− DSQ DD DQ d s ()16V 0.53mA (108)kΩ 6.46V U V I R R =−+=−×+=
(2)i g g1g2//(10.16//0.04)MΩ 1.03MΩR R R R =+=+≈,o d 10kΩR R ≈= (3)因GSQ DSS m P P 221mA 1.04V 110.37mA/V 4V 4V U I g U U ×−
=−
−=−×−= −−
故3u m L
0.37(10//110) 3.66A g R ′=−=−××≈−ɺ。

3.4在习题3.4图所示的场效应管放大电路中,设GSQ 2V U =−,DD 20V V =,
g 1MΩR =,d 10kΩR =;管子参数DSS 4mA I =,p 4V U =−。

(1)求电阻1R 和静态
电流DQ I ;(2)保证静态DSQ 4V U =时2R 的值;(3)计算u
A ɺ。

解:(1)由转移曲线方程2
GS DSS P 1u i I U
=−
D 得
2
2
GSQ DSS P 21411mA 4U I I U − =−=×−= −
DQ

由GSQ DQ 1U I R =−得GSQ 1DQ
2
2kΩ1
U R I −=−
=−
= (2)由DSQ DD DQ d 12()U V I R R R =−++得
DD DSQ
2d 1DQ
204
()(102)4kΩ1
V U R R R I −−=
−+=
−+= (3)GSQ
DSS m P P 2242111mA/V 44U I g U U ×−
=−
−=−
×−= −−
m d u
m 12110 1.431()11(24)
g R A g R R ×=−=−≈−+++×+ɺ
3.5带有源极电容s C 的场效应管放大电路如图3.5.6(a )所示。

设DD 18V V =,
g 10MΩR =,g1 2.2MΩR =,g251kΩR =,d 33kΩR =,s 2kΩR =,已知场效应管的m 2mA/V g =,各电容都足够大。

(1)求空载时的中频电压放大倍数u A ɺ;(2)若接上负载电阻L 100kΩR =,求中频电压放大倍数u A ɺ;(3)求输入电阻和输出电阻;
(4)若s C 开路,那么接上L R 后的u
||A ɺ下降到原来的百分之几? 解:(1)u m d
23366A g R =−=−×=−ɺ (2)u m d L
(//)2(33//100)49.62A g R R =−=−×≈−ɺ (3)663i g g1g2//1010(2.210)//(5110)10.05MΩR R R R =+=×+××≈
o d 33kΩR R ≈=
(4)若s C 开路,u u
m L u u
m s 0.211225
A A g R A A g R ′−′====++×ɺɺɺɺ,即下降到原来的20%。

3.6在习题3.6图所示的场效应管放大电路中,设p 3V U =−,DSS 3mA I =。

DD 20V V =,g 1MΩR =,d 12kΩR =,s1s2500ΩR R ==。

试计算(1)静态工作点;
(2)u1A ɺ和u2A ɺ;(3)i R 、o1R 和o2R 。

解:(1)
22
GSQ GSQ DSS P GSQ s1s21313()(500500)
U U I I U U I R R I =−=×−

=−+=−+ DQ DQ DQ 解方程得
DQ1 1.15mA I ≈,DQ27.86mA I ≈(舍去)
3GSQ s1s2() 1.1510(500500) 1.15V U I R R −=−+=−××+=−DQ DSQ DD DQ d s1s2()20 1.15(120.50.5) 5.05V U V I R R R =−++=−×++=
(2)GSQ
DSS m P P 223 1.1511 1.24mA/V 33U I g U U ×−
=−
−=−×−≈ −−
m d u1
m s1 1.24129.1911 1.240.5g R A g R ×=−=−≈−++×ɺ m s1u2
m s1 1.240.50.3811 1.240.5
g R A g R ×==≈++×ɺ (3)i g 1MΩR R ==
o1d 12kΩR R ≈= o2s1m 11//
0.5//0.31kΩ1.24
R R g ==≈ 3.7如图3.6.1(a )所示的场效应管放大电路中,设DD 20V V =,g 1MΩR =,
g12MΩR =,g2500kΩR =,s 10kΩR =,L 10kΩR =。

且GSQ 0.2V U =−,
m 1.2mA mV g =/。

试计算(1)静态值DQ I 、DSQ U ;(2)u A ɺ、i R 和o
R 。

解:(1)由g2GSQ DD DQ s g1g2
R U I R R R =
−+得
g2DQ
DD GSQ s g1g211500200.20.42mA 102000500
R I U R R R =−=××+= ++
DSQ DD DQ s 200.421015.8V U V I R =−=−×=
(2)o m s L u i m s L
(//) 1.2(10//10)0.861(//)1 1.2(10//10)U g R R A U g R R ×===≈++×ɺɺɺ i g g1g2//12//0.5 1.4MΩR R R R =+=+= o s m 11
//
10//0.77kΩ1.2
R R g ==≈。