模拟电路复习题纲_20120531

模拟电路部分综合复习题一、判断题1.共模信号都是直流信号，差模信号信号都是交流信号。

（×）2. P型半导体带正电，N型半导体带负电。

（×）3.正弦波振荡电路的振荡频率应决定于选频网络，而不应决定于晶体管的极间电容、分布电容等。

（√）4.深度负反馈放大电路中，由于开环增益很大，因此在高频段因附加相移使负反馈变成正反馈时容易产生高频自激。

（√）5.差模信号是差分放大电路两个输入端电位之差（√）。

6.顾名思义，功率放大电路有功率放大作用，电压放大电路只有电压放大作用而没有功率放大作用。

（×）7.直接耦合多级放大电路只能放大交流信号。

（×）8.差分放大电路的发射极公共电阻R e对共模信号和放大差模信号都存在影响，因此，这种电路是靠牺牲差模电压放大倍数来换取对共模信号的抑制作用的。

（×）9.在运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地。

（×）10.当输入电压为正弦波时，若PNP管共发射极放大电路发生饱和失真，则基极电流的波形将正半波削波，（√）。

11.功率放大电路所要研究的问题就是一个输出功率大小的问题。

（×）12. BJT由两个PN结构成，因此可以用两个二极管背靠背相连构成一只三极管。

（×）13.三极管工作在放大区时，若i B为常数，则u CE增大时，i C几乎不变，故当三极管工作在放大区时可视为一电流源。

（√）14.光电二极管是受光器件，能将光信号转换电信号。

（√）15.集成运放在工作在非线性状态时，不存在“虚短”，但存在“虚断”。

（√）16.只有输出与输入反相的电路才能引入负反馈。

（×）17.理想集成运放用作电压比较器时，其输出电压应为高电平或低电平。

（√）18.在负反馈放大电路中，反馈度越深，闭环放大倍数就越稳定。

（√）19.测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为 20，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数应为400。

模拟电路基础复习资料模拟电路基础复习资料一、填空题1．在P型半导体中，多数载流子是（空隙），而少数载流子是（自由电子）。

2．在N型半导体中，多数载流子是（电子），而少数载流子是（空隙）。

3．当PN结反向偏置时，电源的正极应接（N）区，电源的负极应接（P）区。

4．当PN结正向偏置时，电源的正极应接（P）区，电源的负极应接（N）区。

4.1、完全纯净的具有晶体结构完整的半导体称为本征半导体，当掺入价微量元素便形成N型半导体，其电子为多数载流子，空穴为少数载流。

当掺入三价微量元素便形成P型半导体，其空穴为多子，而电子为少子。

.2、二极管的正向电流是由多数载流子的扩散运动形成的，而反向电流则是由少子的漂移运动形成的。

4.3、二极管有一个PN结，它具有单向导电性，它的主要特性有：掺杂、热敏性、光敏性。

可作开关、整流、限幅等用途。

硅二极管的死区电压约为0.5V，导通压降约为0.7V，锗二极管的死区电压约为0.1V、导通压降约为0.2V。

5、三极管具有三个区：放大区、截止区、饱和区，所以三极管工种状态：工作状态、饱和状态、截止状态，作放大用时，应工作在放大状态，作开关用时，应工作在截止、饱和状态。

5.1、三极管具有二个结：即发射结和集电结。

饱和时：两个结都应正；截止时：两个结都应反偏。

放大时：发射结应（正向）偏置，集电结应（反向）偏置。

5.2、三极管放大电路主要有三种组态，分别是：共基极电路、共集电电路、共发射极电路。

共射放大电路无电压放大作用，但可放大电流。

基极放大电路具有电压放大作用，没有倒相作用。

且共基接法的输入电阻比共射接法低.5.3、共射电极放大电路又称射极输出器或电压跟随器,其主要特点是电压放大倍数小于近似于1、输入电阻很大、输出电阻很小。

5.4单管共射放大电路中，1.交直流并存，2.有电压放大作用，3.有倒相作用。

5.5微变等效电路法适用条件：微小交流工作信号、三极管工作在线性区。

5.6图解法优点:1.即能分析静态,也能分析动态工作情况；2.直观形象；3.适合分析工作在大信号状态下的放大电路。

一、填空1.杂质半导体分为 N 型和 P 型两种类型。

2.在下述电路中，能使二极管导通的电路是 a 。

3.在电路中测出某硅材料NPN 三极管的三个电极对地电位为Vb=1.3V 、Ve=0.6V 、Vc=5V ，则该三极管处于 放大 工作状态。

4.衡量双极型三极管放大能力的参数是 β ，衡量其温度稳定性的参数是__I CBO ___。

5.N 沟道J 型FET _ u ds ＞U GS （OFF ）__，它的截止条件为__ u Gs ≤U GS （OFF ）__。

6.在基本OCL 功放电路中，设电源电压为±15V，负载电阻R L =8Ω，则理想情况最大输出功率为_ 14.06 _ W ，理想效率为 78.5%_。

7.在集成电路中广泛采用的恒流源电路，在实际电路中，经常作为 偏置电路 和 有源负载 广泛使用。

8.通用型集成运放的输入级一般采用_差分放大电路_电路，其主要目的是 抑制0点漂移 。

９.为了稳定放大电路的静态工作点，可以引入直流负反馈_，为了稳定放大倍数应引人__交流负反馈_。

10.正弦波振荡电路就是一个没有输入信号的带选频网络的正反馈放大电路。

要使正弦波振荡电路产生持续振荡,必须满足的振幅平衡条件是_∣AF∣=1_，相位平衡条件是_ΦA+ΦF =0_。

11.在放大电路的设计中，主要引入_负__反馈以改善放大电路的性能。

此外，利用这种反馈，还可增加增益的恒定性，减少非线性失真，抑制噪声，扩展频带以及控制输入和输出阻抗，所有这些性能的改善是以牺牲_放大倍数__为代价的。

11.Ｎ型半导体是在单晶硅中掺入五价的微量元素而形成的，多数载流子是自由电子，少数载流子是空穴。

12.半导体PN结具有单相导电性特性。

13.在常温下，硅二极管的开启电压约为0.5V，锗二极管的开启电压约为0.1 V，14.晶体三极管基本放大电路有共射极、共集电极和共基极三种组态。

15.在差动式放大电路中，差模输入信号等于两个输人端信号的_之差_；共模输入信号等于两个输入信号的__和的一半_。

模拟电子技术基础复习题图 1图 2一、填空题1、现有基本放大电路：①共射放大电路 ④共源放大电路②共基放大电路 ③共集放大电路一般情况下，上述电路中输入电阻最大 的电路是 ③ ，输入电阻最 ，频带最宽 的电路是 ；只能放大电流，小 的电路是②，输出电阻最小 的电路是③② ；既能放大电流，又能放大电压 的电路是 ①不能放大电压 的电路是 ③；只能放大电压，不能放大电流 的电路是②。

2、如图 1所示电路中，已知晶体管静态时 B- E 间电压为 U ，电流放大系BEQ数为β，B- E 间动态电阻为 r 。

填空：beV CC U BEQ（ 1）静态时， I 的表达式为BQ， I 的表达式为CQI BQR BI CQ I BQ；，U 的表达式为CEQU CEQ V CC I R C CQR L （2）电压放大倍数 的表达式为A u，输入电阻 的表达式为r be，输出电阻 的表达式为R R // r be R R ；0 Ci B（3）若减小 R ，则 I 将 A ，r 将 C ，将 C ，R 将iC ，A B CQ bc u R 将 B 。

oA.增大B.不变C.减小当输入电压不变时， R 减小到一定程度，输出将产生 BA 失真。

A.饱和B.截止 3、如图 1所示电路中，（1）若测得输入电压有效值为 10mV ，输出电压有效值为 1.5V ，则其电压放 大倍数 = 150 ；若已知此时信号源电压有效值为 20mV ，信号源内阻A u为 1k Ω，则放大电路 的输入电阻 R = 1 。

i（2）若已知电路空载时输出电压有效值为 1V ，带 5 k Ω负载时变为 0.75V ， 则放大电路 的输出电阻 Ro（3）若输入信号增大引起电路产生饱和失真，则可采用将 R BRc 减小 的方法消除失真；若输入信号增大使电路既产生饱和失真又产生 1.67。

增大或将截止失真，则只有通过设置合适 的静态工作点 的方法才能消除失真。

《模拟电路基础（B）》期末复习提纲（终极版）《模拟电路基础（B）》期末复习提纲（终极版）第一章1.电流与电压的关系，关联参考方向与非关联参考方向电路中没有电压就一定没有电流吗？电流电压的正负与参考方向有什么关系？怎么才是关联参考、非关系参考？联系后面的知识，关联参考与非关联参考会造成什么样的不同？2.欧姆定律注意电流与电压是否为关联参考方向，U=RI公式前面的“+”、“-”3.基尔霍夫定律KCL、KVL，计算时注意符号，使用KCL时注意要标明电流的方向，使用KVL时注意选择的回路绕行方向4.功率及功率计算P=UI，注意U和I的参考方向是否为关联参考，公式前面的“+”、“-”注意吸收功率（消耗功率）、提供功率（释放功率）、功率平衡（可用于验算）熟悉P19页1.4、1.7第二章1.电源的等效变换注意电压源与电流源的转换条件，分别是什么样的电路结构才可以进行变换，变换后的电路结构是怎么样的；电压变电流，电流的大小与方向；电流变电压，电压的大小及方向等2.电路的一般分析方法熟悉支路电流法、网孔电流法、结点电压法（弥尔曼定理，这个定理用好了有意想不到的效果），重点关注一下结点电压法，想想什么情况下使用此方法会使求解更简单熟悉P56页2.6、2.9（用结点电压法也求一次）3.电路定理注意叠加定理的适用情况，功率是否可以叠加，非线性电路里是否可以使用叠加定理？第三章1.正弦量的三要素幅值（峰值）、角频率、初相（P61-62）有效值与幅值的关系P63正弦电压的表达式P61页式3.1.1，注意Um（幅值）、ω、Ψ这三个参数的意义，给你其中一个参数能够写出其瞬时表达式相位差，注意只有同频率的正弦量才可以比较相位差（这点要十分小心），比较相位差时都要化成标准的3.1.1式即都要是sin的形式，如果是cos则要先变成sin，相位差即初相相减即可熟悉P64例3.1.12.正弦量的相量表示注意相量的运算法则（与复数运算相同），注意角度与复坐标的运用，注意旋转因子j 与角度的关系（P67），熟悉P66例3.2.13.阻抗与导纳注意电容与电感这两个元件的容抗与感抗阻抗的组成（例如R与L的串联而成的阻抗与多少？表达式怎么写？）与阻抗三角形熟悉P81例3.5.14.一般正弦交流电的计算注意方法，一般需要将电容和电感先化成容抗与感抗的形式，再按正常的电路分析方法（支路电流、网孔电流、结点电压法等）求解，注意相量的运算熟悉P81例3.5.15.无功功率、视在功率与平均功率的关系无功功率是不是表示元件在电路中不起任何作用？6.谐振的产生条件（了解）7.三相交流电注意三相四线制的特点（中性线电流为0）第五章1.换路定则电容、电感换路前后的不变量，初值的计算，P133例5.1.12.零输入、零状态、全响应三种情况的计算注意全响应的计算，三要素法，注意时间常数τ的计算（需要作电阻等效变换）熟悉P143例5.4.2、例5.4.1第六章1.P、N型半导体的概念注意多子、少子的组成及其与温度的关系2.二极管单向导电特性击穿与烧坏的关系稳压管的工作状态（工作在反向击穿区）3.三极管三极管的三个电极、硅管（锗管）、PNP（NPN）型的判别，P176习题6.14，P173例6.4.1三极管三个电流的关系、电流放大倍数4.三极管的微变等效电路第七章1.静态工作点的计算（7.3节，P188-P191）静态工作点与失真情况的关系P186-1872.动态分析（放大倍数、输入电阻、输出电阻）（7.3节，P188-P191）求解过程中注意分步计算3.多级放大电路注意输入电阻与输出电阻，几种耦合方式特点第八章1.反馈的分类与判别正、负反馈；电压电流反馈；串联并联反馈；反馈的四种组态；反馈对电路性能的影响（电压[电流]负反馈用来稳定输出电压[电流]、串联[并联]能增大[减小]输入电阻）2.负反馈的基本方程P231-232，注意深度负反馈A f的计算熟悉P238例8.3.1第九章1.理想运算放大器概念及特点P221，重点关注工作在线性区与非线性区的特点2.运算放大电路比例运算、加减法运算，注意电路结构及计算公式（电压比较器难了点，不作为考点了）第十章1.自激振荡的概念及起振条件P277-278第十一章1.单相整流电路半波整流与全波整流特点、选用二极管的条件。

模拟电子技术考试复习提纲第一章半导体二极管及其基本电路熟练掌握1．两种载流子，扩散和漂移，PN结的形成，半导体二极管的单向导电性，稳压管的稳压作用；2．半导体二极管的外特性，主要参数的定义；正确理解3．使用注意事项；第二章双极型晶体管及放大电路基础熟练掌握1．晶体管的外特性和放大作用，三种工作状态；2．放大倍数、输入电阻、输出电阻；3．静态、动态，直流通路、交流通路；4．微变等效电路；5．CE、CC、CB的工作原理及各种计算（单级、多级）；6．合理的近似。

7．晶体管的极限参数正确理解8．用图解法确定静态工作点及输出波形失真及最大不失真输出电压；9．三种组态的比较和选择；第三章场效应管及其放大电路熟练掌握1．耗尽层，沟道，场效应管的外特性及放大作用，三种工作状态；2．放大倍数、输入电阻、输出电阻；3．静态、动态，直流通路、交流通路；4．场效应管的微变等效电路；5．CS的工作原理及各种计算（单级、多级）；正确理解6．CD的工作原理及计算；7．阻容耦合、变压器耦合；第四章功率放大电路熟练掌握1．功放的基本原理，输出功率、效率和非线性失真；2．OCL直接耦合功率放大电路的工作原理、输出功率的估算；3．交越失真的概念，消除方法4．攻放管的选择及计算；正确理解5．甲乙类互补对称功率放大电路的工作原理、分析计算；第五章集成电路运算放大器熟练掌握1．零点漂移、差模、共模、恒流源等概念；2．差模放大倍数的有关计算；正确理解3．共模抑制比及其计算；4．镜象电流源及集成运算放大器的工作原理；5．运算放大器的主要参数。

第六章放大电路的频率响应熟练掌握1．频率特性等概念及影响频率特性的因素；2．波特图与表达式的转换；3．能够定性画出含有一个时间常数的波特图正确理解4．多级放大电路与单级放大电路频宽之间的关系。

第六章负反馈放大电路熟练掌握1．开环、闭环、正反馈、负反馈、直流反馈、交流反馈等概念；2．负反馈放大电路增益的一般表达式3．判断组态的方法；4．深度负反馈放大电路的近似估算；5．四种组态的特点及其对放大电路性能的影响；正确理解6．负反馈放大电路产生自激的原因；7．用Bode图判断负反馈放大电路是否会自激；消除自激的基本方法。

模拟电子线路课程内容概要（复习提纲）1.半导体器件基础：（1）了解半导体的结构，弄清什么是本征半导体，什么是N型半导体，什么是P型半导体，以及它们的多数载流子是什么？少数载流子是什么？答：纯净的、不含杂质的半导体称为本征半导体。

在4价的硅（或锗）晶体中掺入少量的5价杂质元素，如磷，锑，砷等，这种杂质半导体主要依靠电子导电的半导体称电子型半导体或N型半导体。

其多数载流子为电子，少数载流子为空穴；在4价的硅（或锗）晶体中掺入少量的3价杂质元素，如硼，镓，铟等，这种杂质半导体主要依靠空穴导电的半导体称空穴半导体或P型半导体。

其多数载流子为空穴，少数载流子为电子。

（2）PN结具有哪些特性，主要特性是什么？二极管的导通条件是什么？二极管的管压降为多少？什么是门坎电压？必须了解二极管的伏安曲线。

答：PN结有单向导电性、感光特性、感温特性、变容特性、变阻特性，其主要特性是单向导电性。

二极管的导通条件是PN结正向偏置。

硅二极管的管压降为0.6~0.8V，锗二极管的管压降为0.2~0.3V。

门坎电压即死区电压，是指二极管刚好导通时两端的电压差，硅二极管的死区电压为0.5V左右，锗二极管的死区电压为0.1V左右。

（3）三极管的导电机理是什么？三极管起正常放大作用的外部条件是什么？能否通过三极管各电极电位来判断它的工作状态。

三极管的输出特性曲线分为哪几个区域？起正常放大作用的三极管必须工作在哪些区域上？答：三极管导电机理是当基极电压Ub有一个微小的变化时，基极电流也会随之有一小的变化，受基极电流Ib的控制，集电极电流Ic会有一个很大的变化，基极电流Ib越大，集电极电流Ic也越大，反之，基极电流越小，集电极电流也越小，即基极电流控制集电极电流的变化。

三极管起正常放大作用的外部条件是发射结正向偏置，集电结反向偏置。

发射极反偏，集电极反偏为截止状态；发射极正偏，集电极反偏为放大状态；发射极正偏，集电极正偏为饱和状态，由此来判断它的工作状态。

题型为选择题、判断题、简答题和电路分析题。

第一章
名词解释，课件中练习一
第二章
1、掌握共射放大电路的组成原则。

2、知道静态工作点的概念以及放大电路的主要动态性能指标。

3、知道单管放大电路的三种组态（共射、共基、共集）的特点。

4、掌握放大电路的图解分析方法。

（例题2-2，课后习题2-5）
5、熟练掌握各种电路分析，会画直流通路求静态工作点，会画交流通路和微变等效电路求动态性能参数。

（例题2-3（1、2、3），课后习题2-9）
第三、四章
1、掌握零点漂移的概念，知道产生零点漂移的主要原因以及抑制零点漂移的方法。

了解直接耦合和阻容耦合的特点。

2、为了更好的抑制零漂，集成运放的输入级别大多采用什么电路？
3、掌握共模抑制比的概念
第五章
1、掌握理想集成运算放大器的主要参数、“虚短”和“虚断”特性的概念，并能够熟练运用在电路分析中。

2、能够熟练掌握叠加法在多输入信号集成运放中的应用。

书上例题5-1,5-2,5-4（1、2），5-5
课后习题5-7,5-8
第六章
1、了解反馈的概念，学会判别电路反馈类别。

（选择题）
2、掌握负反馈对放大倍数的影响。

例题6-4。

《模拟电子技术与数字电子技术复习提纲及模拟试题》复习提纲1、半导体基础知识、半导体二极管了解半导体的性质和导电特性，掌握二极管外特性2、晶体管掌握晶体管的电流放大作用及主要参数3、共射放大电路的工作原理、放大电路分析方法掌握放大电路的性能指标及共射放大电路的静态分析方法；了解图解分析法，重点掌握等效电路分析法4、静态工作点的稳定了解静态工作点稳定的必要性和典型的稳定电路5、单管放大电路的三种接法掌握共射放大电路的分析；了解共集、共基放大电路的分析6、多级放大电路掌握多级放大电路的耦合方式及多级放大电路的动态分析7、直接耦合放大电路了解零漂现象8、直接耦合放大电路掌握差分放大电路的组成和分析方法9、反馈的基本概念与基本组态掌握反馈的概念及反馈放大电路的分析方法、10、负反馈放大电路的方块图及一般表达式、深度负反馈分析掌握负反馈放大电路四种组态方块图表示方法；11、负反馈对放大电路性能影响及稳定性掌握深度负反馈的近似计算、了解负反馈对放大电路性能的影响，了解自激振荡现象12、基本运算电路掌握基本运算电路的分析方法13、正弦波振荡电路掌握正弦波振荡电路的组成和分析方法14、电压比较器掌握电压比较器的组成特点和分析方法15、数制、码制及逻辑代数、逻辑代数的基本公式和基本定理掌握数制、码制的概念及逻辑代数的三种基本运算；掌握逻辑代数的基本公式和基本定理16、逻辑函数及公式法化简掌握逻辑函数的表示方法和公式法化简、掌握逻辑函数的卡诺图化简法17、基本门电路了解二极管、三极管的开关特性和基本门电路18、组合电路掌握组合电路的分析方法和设计方法。

了解编码器、译码器、数据选择器、加法器、数值比较器的工作原理及其应用19、触发器掌握RS、JK、D、T触发器的结构、工作原理与动作特点；掌握触发器的功能及描述方法20、时序电路了解时序电路的分类，掌握时序电路的分析方法。

了解寄存器和移位寄存器的工作原理，掌握其使用方法、掌握计数器的功能和任意进制计数器的构成方法。

学习资料第一章 半导体器件 一、学习要求1. 掌握半导体管的伏安特性和主要参数（U ON 、I S 、U BR 、I Z 、P ZM )2. 掌握三极管的输入和输出特性（1.3.3）3. 掌握场效应管的工作原理（如何形成导电沟道然后工作在恒流区）4. 理解PN 结的单向导电性5. 理解三极管的放大原理二、复习思考题1. 选择正确答案填入空内。

（1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。

A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽（2）设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 。

A. I S e U B. TU U I eS C. )1e (S －T U U I（3）稳压管的稳压区是其工作在 。

A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。

A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏（5）在本征半导体中，电子浓度 空穴浓度，在P 型半导体中，电子浓度 空穴浓度。

当PN 节外加正向电压时，扩散电流 漂移电流。

2、 电路如图所示，V CC ＝15V ，β＝100，U BE ＝0.7V 。

试问： （1）R b ＝50k Ω时，u O ＝？（2）若T 临界饱和，则R b ≈？3、 已知图所示电路中稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，最小稳定电流I Zmin ＝5mA ，最大稳定电流I Zmax ＝25mA 。

（1）分别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值；（2）若U I ＝35V 时负载开路，则会出现什么现象?为什么？第二章放大电路的基本原理和分析方法一、学习要求1. 掌握放大电路的主要技术指标（2.2节、放大电路技术指标测试示意图）2. 掌握放大电路静态和动态的概念和分析方法（直流通路和交流通路的概念、图解法、微变等效电路法）3. 掌握两种单管共射放大电路的工作原理（估算静态工作点Q、A U、R I、R O)4. 掌握放大电路三种基本组态的性能特点（2.6.3节）5. 理解图解法的对输出波形失真情况的分析；最大不失真输出电压的概念和求解6. 理解放大电路的三种耦合方式；直接耦合放大电路的温漂现象二、复习思考题1. （1）共集电极放大电路的特点是电压放大倍数A__________，输入电阻_________，输出电阻_________。