高频电子技术2
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制作整理:刘腾 钱玉婷任务二知识点(整理)(一) 单调谐回路放大器:1) 晶体管高频等效电路的建立有两种方法:一,根据晶体管内部发生的物理过程拟定模型而建立的物理参数等效电路,如常用的晶体管混合∏型参数等效电路;二,把晶体管看作一个有源二端口网络,先从外部端口列出电流和电压的方程,然后拟定满足方程的网络模型而建立的网络参数等效电路,如H 、Y 、Z 和G 参数等效电路。
2) 二端口Y 参数方程:(注:选bU ∙和cU ∙为自变量,bI ∙和cI ∙为因变量)b bc ie re c b cfe oe I Y U Y U I Y U Y U ∙∙∙∙∙∙=+=+符号说明:基极输入电流b I ∙、基极输入电压bU ∙、集电极输出电流cI ∙和集电极输出电压c U ∙3) 共射晶体管等效为二端口网络其中:cbie b 0UI Y U ==定义为放大器输出端短路时的输入导纳。
它反映了放大器输入电压对输入电流的控制作用,其倒数就是放大器的输入阻抗。
ccfe b0U I Y U ==定义为放大器输出端短路时的正向传输导纳。
它反映了放大器输入电压对输出电流的控制作用,或者说电路的放大作用。
fe Y 越大,放大能力越强。
b bre c 0UI Y U ==定义为放大器输入端短路时的反向传输导纳。
它反映了放大器输出电压对输入电流的影响,即放大器内部的反向传输作用或称放大器内部反馈作用。
re Y 越大,内部反馈越强。
bcoe c 0UI Y U ==定义为放大器输入端短路时的输出导纳。
它反映了放大器输出电压对输出电流的影响,其倒数就是放大器的输出阻抗。
4) 等效电路共射晶体管Y 参数等效电路小笔记:将输出的等效为受控源Y 参数:1.ie ie ie j Y g C ω=+ 2.oe io oe j Y g C ω=+3.re re re Y Y ϕ=∠ 4. fe fe fe Y Y ϕ=∠(二) 单级共射单调谐回路放大器的工作原理和等效电路1) 共射单调谐回路放大器原理电路\2) 其交流等效电路:小笔记:直流电源接地,旁路电容短路(部分接入)3) 放大器的Ya) 简化的Y 参数等效电路b) 假设负载为下一级晶体管,且型号与本级晶体管相同,则并项后的等效电路晶体管其中:221oe 2ie 0g p g p g g ∑=++221oe 2ie C p C p C C∑=++(三) 单级单调谐回路放大器的主谐振回路的主要技术指标1) 电压增益12feu0p p Y A g ∑=说明:1j j Y g C Lωω∑∑=++回路谐振时,Y g ∑=;负号表示输出电压和输入电压反相。
制作整理:刘腾 钱玉婷任务二知识点(整理)(一) 单调谐回路放大器:1) 晶体管高频等效电路的建立有两种方法:一,根据晶体管内部发生的物理过程拟定模型而建立的物理参数等效电路,如常用的晶体管混合∏型参数等效电路;二,把晶体管看作一个有源二端口网络,先从外部端口列出电流和电压的方程,然后拟定满足方程的网络模型而建立的网络参数等效电路,如H 、Y 、Z 和G 参数等效电路。
2) 二端口Y 参数方程:(注:选bU ∙和cU ∙为自变量,bI ∙和cI ∙为因变量)b bc ie re c b cfe oe I Y U Y U I Y U Y U ∙∙∙∙∙∙=+=+符号说明:基极输入电流b I ∙、基极输入电压bU ∙、集电极输出电流cI ∙和集电极输出电压c U ∙3) 共射晶体管等效为二端口网络其中:cbie b 0UI Y U ==定义为放大器输出端短路时的输入导纳。
它反映了放大器输入电压对输入电流的控制作用,其倒数就是放大器的输入阻抗。
ccfe b0U I Y U ==定义为放大器输出端短路时的正向传输导纳。
它反映了放大器输入电压对输出电流的控制作用,或者说电路的放大作用。
fe Y 越大,放大能力越强。
b bre c 0UI Y U ==定义为放大器输入端短路时的反向传输导纳。
它反映了放大器输出电压对输入电流的影响,即放大器内部的反向传输作用或称放大器内部反馈作用。
re Y 越大,内部反馈越强。
bcoe c 0UI Y U ==定义为放大器输入端短路时的输出导纳。
它反映了放大器输出电压对输出电流的影响,其倒数就是放大器的输出阻抗。
4) 等效电路共射晶体管Y 参数等效电路小笔记:将输出的等效为受控源Y 参数:1.ie ie ie j Y g C ω=+ 2.oe io oe j Y g C ω=+3.re re re Y Y ϕ=∠ 4. fe fe fe Y Y ϕ=∠(二) 单级共射单调谐回路放大器的工作原理和等效电路1) 共射单调谐回路放大器原理电路\2) 其交流等效电路:小笔记:直流电源接地,旁路电容短路(部分接入)3) 放大器的Ya) 简化的Y 参数等效电路b) 假设负载为下一级晶体管,且型号与本级晶体管相同,则并项后的等效电路晶体管其中:221oe 2ie 0g p g p g g ∑=++221oe 2ie C p C p C C∑=++(三) 单级单调谐回路放大器的主谐振回路的主要技术指标1) 电压增益12feu0p p Y A g ∑=说明:1j j Y g C Lωω∑∑=++回路谐振时,Y g ∑=;负号表示输出电压和输入电压反相。
高频电子技术试题库一、选择题1 LC串联谐振回路发生谐振时,回路电抗为。
()A.最大值B.最小值C.0解答:C2 LC串联谐振回路发生谐振时,回路总阻抗为。
()A.最大值B.最小值C.0解答:B3LC串联谐振回路发生谐振时,回路电流达到。
()A.最大值B.最小值C.0解答:A4串联谐振曲线是之间的关系曲线。
()A.回路电流与谐振回路电流B.回路电流幅值与信号电压频率C.回路电压幅值与信号电流频率解答:B5LC串联谐振回路,谐振特性曲线越尖锐。
()A.回路Q值大B.回路Q值大C.0解答:A6LC串联谐振回路Q值大,回路选择性。
()A.差B.好C.不能确定解答:B7单回路通频带B与谐振回路Q值成。
()A.正比B.反比C.无关解答:B8单回路通频带B与谐振频率f成。
()A.正比B.反比C.无关解答:A9 并联谐振回路发生谐振时,回路电纳为。
()A.最大值B.最小值C.0解答:C10 并联谐振回路发生谐振时,回路总导纳为。
()A.最大值B.最小值C.0解答:B11 并联谐振回路发生谐振时,阻抗为。
()A.最大值B.最小值C.0解答:A12并联谐振回路发生谐振时,电压为。
()A.最大值B.最小值C.0解答:A13 LC串联谐振回路发生失谐时,阻抗为。
()A.大B.小C.0解答:A14 LC串联谐振回路发生失谐时,当f<f0时,阻抗呈。
()A.容性B.感性C.0解答:A15 LC串联谐振回路发生失谐时,当f>f0时,阻抗呈。
()A.容性B.感性C.0解答:B16 并联谐振回路发生失谐时,当f<f0时,阻抗呈。
()A.容性B.感性C.0解答:B17 并联谐振回路发生失谐时,当f>f0时,阻抗呈。
()A.容性B.感性C.0解答:A18 负载回路采用部分接入方式接入电路时,接入系数n越小,二次负载等效到一次边是阻抗。
()A.越小B.0 C.越大解答:C19 负载回路采用部分接入方式接入电路时,接入系数n越小,对回路的影响。
高频电子技术第二版课程设计一、设计背景随着科技的发展和应用,高频电子技术的应用越来越广泛。
高频电子技术是电子技术的重要分支,涉及到射频、微波、天线等领域。
对于电子工程专业的学生来说,掌握高频电子技术知识是十分必要的。
因此,本课程设计旨在帮助学生更深入地理解高频电子技术,并能够通过实践掌握相关知识和能力。
二、设计目标1.帮助学生更深入地理解高频电子技术的基础理论、常用技术和应用场景;2.提高学生的实践能力,能够通过课程设计的实践环节掌握相关技能;3.培养学生独立思考和解决问题的能力。
三、设计内容及要求本次课程设计分为两个部分,理论部分和实践部分。
理论部分理论部分主要包括高频电子技术的基础理论、常用技术和应用场景,具体包括以下内容:1.高频基本概念与特性;2.高频信号的产生和载体;3.高频传输线和阻抗匹配;4.高频功率放大器设计;5.高频电路模拟分析;6.高频天线的设计和应用。
要求:学生需要通过自学、讨论和案例学习等方式,掌握上述内容,并完成相应的作业和实验。
实践部分实践部分主要是以课程设计为主线,通过实际设计和实验来巩固理论知识并提高实践能力,具体包括以下内容:1.选择一个高频电子技术应用场景,分析该场景的特点,设计满足场景需求的高频电路;2.使用仿真软件对设计的电路进行仿真分析,并进行优化;3.搭建高频电路实验平台,进行实验验证;4.对实验结果进行分析和总结,提出改进意见。
要求:学生需要组队完成课程设计,每个小组由3-4人组成。
完成设计报告和实验报告,并进行汇报。
四、设计评估及分数分配本次课程设计占总成绩的30%。
其中,理论部分占15%,实践部分占15%。
具体评分要素如下:理论部分评分1.作业(20%):完成每个章节的相关作业;2.考试(80%):理论知识掌握情况。
实践部分评分1.设计报告(50%):包括设计思路、仿真结果、实验结果和分析;2.实验报告(20%):包括实验设计、实验步骤和结果分析;3.汇报(10%):小组进行课程设计的汇报;4.个人表现(20%):个人在小组内的实际贡献情况。
高频电子线路课程<1>一、选择题〔每题2分、共30分〕将一个正确选项前的字母填在括号内1.二极管峰值包络检波器适用于哪种调幅波的解调〔C〕A.单边带调幅波B.抑制载波双边带调幅波C.普通调幅波D.残留边带调幅波2.欲提高功率放大器的效率,应使放大器的工作状态为〔D〕A.甲类B.乙类C.甲乙类D.丙类3.为提高振荡频率的稳定度,高频正弦波振荡器一般选用〔B〕A.LC正弦波振荡器B.晶体振荡器C.RC正弦波振荡器4.变容二极管调频器实现线性调频的条件是变容二极管的结电容变化指数γ为〔C〕A.1/3 B.1/2 C.2 D.45.假设载波u C(t)=U C cosωC t,调制信号uΩ(t)= UΩcosΩt,那么调相波的表达式为〔B〕A.u PM(t)=U C cos〔ωC t+m f sinΩt〕B.u PM(t)=U C cos〔ωC t+m p cosΩt〕C.u PM(t)=U C〔1+m p cosΩt〕cosωC t D.u PM(t)=kUΩU C cosωC tcosΩt 6.某超外差接收机的中频为465kHz,当接收550kHz的信号时,还收到1480kHz 的干扰信号,此干扰为〔C〕A.干扰哨声B.中频干扰C.镜像干扰D.交调干扰7.某调频波,其调制信号频率F=1kHz,载波频率为10.7MHz,最大频偏Δf m =10kHz,假设调制信号的振幅不变,频率加倍,那么此时调频波的频带宽度为〔B〕A.12kHz B.24kHz C.20kHz D.40kHz 8.MC1596集成模拟乘法器不可以用作〔D〕A.混频B.振幅调制C.调幅波的解调D.频率调制9.某单频调制的普通调幅波的最大振幅为10v,最小振幅为6v,那么调幅系数m a为〔C〕A.0.6 B.0.4 C.0.25 D.0.110.以下几种混频器电路中,输出信号频谱最纯洁的是〔C〕A.二极管混频器B.三极管混频器C.模拟乘法器混频器11.某丙类谐振功率放大器工作在临界状态,假设保持其它参数不变,将集电极直流电源电压增大,那么放大器的工作状态将变为〔D〕A.过压B.弱过压C.临界D.欠压12.鉴频的描述是〔B〕A.调幅信号的解调B.调频信号的解调C.调相信号的解调13.利用石英晶体的电抗频率特性构成的振荡器是〔B〕A.f=fs时,石英晶体呈感性,可构成串联型晶体振荡器B.f=fs时,石英晶体呈阻性,可构成串联型晶体振荡器C.f s<f<fp时,石英晶体呈阻性,可构成串联型晶体振荡器D.f s<f<fp时,石英晶体呈感性,可构成串联型晶体振荡器14.以下图所示框图能实现何种功能?〔C〕其中u s(t)= U s cosωs tcosΩt, u L(t)= U L cosωL tA.振幅调制B.调幅波的解调C.混频D.鉴频15.二极管峰值包络检波器,原电路正常工作。