电子线路(线性部分)试题
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图2某放大器中晶体三极管三个极的电位分别是:2V、1.3V、5V图4 图62. 电路如图5所示,uo等于_______3. 电路如图6所示,该电路为_______4. 电路如图1所示,增大电容C1,中频电压放大倍数将5. 电路如图1所示,f l=50HZ,f h=100000 HZ,7. 电路如图7所示,已知U i=3V,E=1V,(二极管的正向压降可忽略不计),U O等于_______伏?8. 电路如图8所示,两个稳压管稳压值均是6V,正向压降可忽略不计, U i=1V时,U O等于_______伏?图7 图8三、(15分) 电路如图所示,已知β=37.5,Rb1=20kΩ, Rb2=10kΩ, Rc=2kΩ, Re=2kΩ;Vcc=12V, R L=6kΩ,Rs=0.2KΩ,r bb’ =0.2KΩ求:(1) 静态工作点Q(2)输入电阻;输出电阻(3)电压放大倍数,源电压放大倍数四、(10分)电路如图12所示,V CC=V EE=12V,R=23.3KΩ,R C=12KΩ,R W=200Ω,R L=24KΩ,R b=2KΩ,各三极管的特性相同,r bb’=100Ω,U BE=0.7V, β=100。
(1)求静态工作点I C1,I C2,U CE1,U CE2,I B1,I B2(2)求差模放大倍数(15分)电路如图11所示,R1=47KΩ,(1)判断电路中有那些反馈(只说明级间反馈)?各有什么作用?(2)计算深度负反馈条件下,电压放大倍数。
(3)若输出波形出现失真,应如何调整(10分)判断题试用相位平衡条件判断图a和图b电路是否能产生自激振荡。
)电路如图所示,变压器副绕组的有效值为20V,R L=30Ω当开关K打开,请写出U O的平均值,二极管承受的最高反相压降,当一个二管断开时,当开关K闭合时,请写出U O的平均值,二极管承受的最高反相压降,当一个二管断开时,当开关K闭合时, R L断开, 求U O《模拟电子技术A 》(A )卷答案及评分标准一、是非题(20分)1.( 1分) ×2. ( 1分) √3. ( 1分) ×4.( 1分) × 5.( 1分) √ 6. ( 1分) × 7.( 1分) × 8. ( 1分) × 9. ( 1分) × 10.( 1分) √二、填空题 (每空1分)1. 3级;直接。
电子线路第四版线性部分-谢嘉奎-复习资料全申明:本复习资料仅作为考试参考,不代表百分百会考本资料上的容。
一、选择填空题1、本征半导体:纯净的、不含杂质的半导体称为本征半导体。
2、本征激发是半导体中产生自由的电子空穴对的条件。
3、N型半导体:本征半导体中掺入少量五价元素构成。
4、P型半导体:本征半导体中掺入少量三价元素构成。
5、PN结的基本特性:单向导电性(即正向导通,反向截止)。
除了单向导电性外还有反向击穿特性、温度特性、电容特性。
6、PN结的伏安特性方程式:正偏时:反偏时:其中:热电压倍。
7、硅PN结:VD(on)=0.7V锗PN结:VD(on)=0.3V8、PN结的击穿特性:热击穿(二极管损坏,不可恢复),齐纳击穿(可恢复)。
9、PN结的电容特性:势垒电容、扩散电容。
10、三极管部结构特点:发射区掺杂浓度大;基区薄;集电结面积大。
11、三极管的工作状态及其外部工作条件:放大模式:发射结正偏,集电结反偏;饱和形式:发射结正偏,集电结正偏;≈26mV(室温);温度每升高10℃,Is约增加一截止模式:发射结反偏,集电结反偏。
12、三极管工作在放大模式下:对NPN管各极电位间要求:Ve<Vb<Vc对PNP管各极电位间要求:Ve>Vb>Vc解:电压值都为正,可判断为NPN管;假设三极管工作在放大状态,根据电位间要求:Ve<Vb<Vc,可判断U1=10V 为C极电压,U2-U3=0.7V,可判断U2=3V为B极电压;U3=2.3V为E极电压;且UCE=10-2.3=7.7V>0.3V,由此可判断此三极管为NPN型三极管,且工作在放大状态,假设成立。
13、三极管静态工作点:IBQ、TCQ、VCEQ14、公式:15、三极管的三种组态:16、混合Π型小号电路模型:vB Er b ei BQiEvB EiBiEQ26(1)re(1)ICQrce三极管输出电阻,数值较大。
线性电子线路试题一、选择题(20分)1.为使N 型半导体变成P 型半导体应掺入( ) A 三价元素 B 五价元素 C 增加温度 2.多级放大器级联后,其通频带( ) A 变宽 B 变窄 C 不变3.已知中频区 βO = 100,当f = f T 时,|β| 等于( ) A 100 B 1 C 2/1004.当温度升高时,N 型半导体的空穴浓度将( ) A 显著增加 B 显著减小 C 基本不变5.电路负载固定,为使电压增益稳定,应采用( ) A 电压负反馈 B 电流负反馈 C 上述两种负反馈均可6.单级共发电路,当信号频率等于上限频率时,v o 与v i 的相位差为( ) A -45︒ B -135︒ C -225︒7.已知A 、B 两放大器,它们的A v 相同,但R i 、R o 不同,若采用内阻为R S 的相同信号源激励,测得R L 开路时,A 放大器的v o 小,这说明A 的( )A R i 大B R i 小C R o 大D R o 小8.测得三极管三个电极对地直流电位分别为9 V 、6 V 、6.7 V ,则三个电极按顺序分别为( )A c 、e 、bB b 、c 、eC e 、c 、b9.在基本放大电路中引入电压串联负反馈,可使电路( ) A R i ↑、R o ↓、A v ↑ B R i ↓、R o ↓、A v ↑ C R i ↑、R o ↓、A v ↓10.已知三极管极限参数P CM = 150 mW ,I CM = 100 mA ,V BR(CEO) = 30 V ,当工作电压V CE = 10 V 时,工作电流I C 不得超过( )A 100 mAB 1.5 mAC 50 mA二、(8分)图示电路中二极管是理想的,已知输入电压t v ωsin 6i =(V),试画出输出电压v o 的波形。
tv i6 O-6v i三、(12分)图示电路,假设电路参数已知,r ce 忽略不计,各电容对交流呈短路。
线性电子电路试题浙江省2003年4月高等教育自学考试线性电子电路试题课程代码:02340一、填空题(每空1分,共20分)1.利用晶体二极管的___________和___________特性,可以构成整流、稳压、限幅等各种功能电路。
2.半导体中,由浓度差引起非平衡载流子运动,形成___________电流,由外加电场引起载流子运动形成___________电流。
3.已知某晶体三极管的VBE=0.7V,VCE=1.0V,则该管工作在区,由___________材料制造。
4.晶体管工作在放大状态时,其发射结的结电容主要是___________电容,集电结的结电容主要是___________电容。
5.通常将反型层称为增强型MOS管的源区和漏区之间的___________沟道,其中由___________形成的沟道称为N沟道。
6.场效应管工作在非饱和区时,其ID和VDS之间呈___________关系,故又称该区为___________。
7.在晶体管放大器中,即能放大电压也能放大电流的是___________组态放大电路;可以放大电压但不能放大电流的是___________组态放大电路。
8.放大电路的失真分为___________和___________两大类。
9.放大电路中,引入直流负反馈的作用是___________,引入交流负反馈的目的是改善放大器的___________。
10.深度负反馈条件是___________,此时反馈放大器的增益近似等于___________。
二、单项选择题(在每小题的四个备选答案中,选出一个正确答案,并将正确答案的序号填在题干的括号内。
每小题2分,共20分)1.当PN结外加正向电压时,扩散电流( )漂移电流。
A.大于B.小于D.近似等于2.当P型半导体和N型半导体相接触时,在P型和N型半导体交界处,形成一个区域,下列的哪种名称不能描述该区域?( )A.阻挡层B.耗尽层C.空间电荷区D.突变层3.有四个晶体三极管:已知它们的电流放大系数β及穿透电流ICEO的值,使用时选用哪个更合适?( )A.β=200,ICEO=10μAB.β=10,ICEO=0.1μAC.β=50,ICEO=0.1μAD.β=100,ICEO=10μA4.常温下,某晶体三极管在ICQ=1mA处,rbe=1.6KΩ,β=50,则等于( )。
电子线路试题及参考答案试 题一、单项选择题(在下列各题的四个选项中,只有一项是最符合题意的。
本大题共35小题,每小题2分,共70分)1.在杂质半导体中,少数载流子的浓度主要取决于( )A .掺杂工艺B .温度C .杂质浓度D .晶体缺陷2.在半导体材料中,其正确的说法是( )A .P 型半导体和N 型半导体材料本身都不带电。
B .P 型半导体中,由于多数载流子为空穴,所以它带正电。
C .N 型半导体中,由于多数载流子为自由电子,所以它带负电。
D .N 型半导体中,由于多数载流子为空穴,所以它带负电。
3.由理想二极管组成的电路如图1所示,其A 、B 两端的电压为( )A .–12VB .+6VC .–6VD .+12V 4.使用万用表直流电压挡,测得电路中晶体管各极相对于某一参考点的电位如图2所示,从而可判断出该晶体管工作在( )A .饱和状态B .放大状态C .截止状态D .倒置状态5.对于图3所示复合管,设r be1和r be2分别为T 1、T 2管的输入电阻,则复合管的输入电阻r be 为( )A .r be =r be1B .r be =r be2C .r be =r be1+(1+ )r be2D .r be =r be1+r be26.在图4电路中,设c 1、c 2对交流信号影响可忽略不计。
当输入f =1kHz 的正弦电压信号后,用示波器观察V i 和V o ,则二者相位关系为( )A .相差90°B .相差45°C .同相D .相差180° 7.为了减小温漂,通用型运放的输入级大多采用( ) A .共射电路 B .差分放大电路C .OCL 电路(互补对称电路)D .共集电路8.差分放大电路用恒流源代替长尾电阻R e 是为了( )A .提高共模电压放大倍数B .提高差模电压放大倍数C .提高差模输入电阻图 1图 2 图 3图4D .提高共模抑制比9.测得放大电路的开路电压放大倍数为6V ,接入2k Ω负载电阻后,其输出电压降为4V ,则此放大器的输出电阻R o 为( )A .R o =1K ΩB .R o =2K ΩC .R o =4K ΩD .R o =6K Ω10.电路如图5所示,设集成电路具有理想的特性,电阻R 2=10K Ω,当R 1的阻值为下列哪种情况时,可以产生较好的正弦波振荡。
一、在括号内用“ ”或“×”表明下列说法是否正确。
(1)只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用;()(2)可以说任何放大电路都有功率放大作用;()(3)放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的;()(4)电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的;()(5)放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作;()(6)由于放大的对象是变化量,所以当输入信号为直流信号时,任何放大电路的输出都毫无变化;()(7)只要是共射放大电路,输出电压的底部失真都是饱和失真。
()解:(1)×(2)√(3)×(4)×(5)√(6)×(7)×二、试分析图T2.2所示各电路是否能够放大正弦交流信号,简述理由。
设图中所有电容对交流信号均可视为短路。
图T2.2解:(a)不能。
因为输入信号被V B B短路。
(b)可能。
(c)不能。
因为输入信号作用于基极与地之间,不能驮载在静态电压之上,必然失真。
(d)不能。
晶体管将因发射结电压过大而损坏。
(e)不能。
因为输入信号被C2短路。
(f)不能。
因为输出信号被V C C短路,恒为零。
(g)可能。
(h)不合理。
因为G-S间电压将大于零。
(i)不能。
因为T截止。
三、在图T2.3所示电路中, 已知V C C =12V ,晶体管的β=100,'b R =100k Ω。
填空:要求先填文字表达式后填得数。
(1)当iU =0V 时,测得U B E Q =0.7V ,若要基极电流I B Q =20μA , 则'b R 和R W 之和R b= ≈ k Ω;而若测得U C E Q =6V ,则R c = ≈ k Ω。
(2)若测得输入电压有效值i U =5mV 时,输出电压有效值'o U =0.6V , 则电压放大倍数uA = ≈ 。
若负载电阻R L 值与R C 相等 ,则带上负载图T2.3 后输出电压有效值o U = = V 。
一、填空题(本大题共10小题,每小题1分,共10分)1.PN结的反向击穿有雪崩和________两种击穿。
2.杂质半导体中的多数载流子是由掺杂产生的,少数载流子是由________产生的。
3.衡量双极型三极管放大能力的参数是________。
4.已知某晶体三极管的fT和β,则fβ=________。
5.根据外加电压的不同,场效应管的输出特性曲线族可划分为________区、饱和区、截止区和击穿区。
6.MOS场效应管按导电沟道划分为N和________两大类。
7.对放大器偏置电路的要求有两个:一是合适,二是________。
8.放大电路的失真按失真机理分为线性失真和________失真两大类。
9.若引入反馈使放大器的增益________,这样的反馈称为负反馈。
10.放大电路中,为稳定静态工作点,应引入________反馈。
11.如图所示两级放大电路,其中级间采用耦合方式,T1接成组态,T2接成组态,R1和R2的作用是。
12.差分放大器的基本特点是放大、抑制。
13.集成运放主要包括输入级、、和偏置电路。
14.放大电路静态工作点设置过高,则输出电压波形容易出现失真。
15.理想运放工作在线性区域的两个重要特性是、_____________。
16.已知某开环放大电路在输入信号电压为1mV时,输出电压为1V;当加上负反馈后达到同样的输出电压时,需加输入信号为10mV。
由此可知基本放大器的电压增益为___________,反馈系数为_________。
17.工作在放大区的某三极管,如果当IB从12uA增大到22uA时,IC从1mA变为2mA,约为。
那么它的18.在单级共射电路中,若输入为正弦波形,用示波器观察UO和UI的波形,则UO和UI的相位关系为;若为共集电路,则UO和UI的相位关系为。
19.在多级放大电路中,放大倍数等于______________,后级的输入电阻是前级的,而前级的输出电阻则也可视为后级的。
线性电子线路试题一、是非题(20分)1.室温下,温度升高时,P型半导体中的电子浓度将显著增加。
()2.场效应管中,当沟道出现预夹断时,漏极电流为零。
()3.三种组态电路比较,共基电路电流增益最大。
()4.若一个电路带负载能力强,则它的输出电阻必定很小。
()5.三极管共发放大器,若Q点过高,通常会产生截止失真。
()6.分压偏置共发放大器,若集电极电阻R C增加,则Q点上移。
()7.三极管输入电阻r'be,随静态电流I CQ的增加而减小。
()8.后级放大器输入电阻越大,对前级放大器影响越小。
()9.共集放大器输出电压v o比输入电压v i差一个V BE(on)。
()10.为使共集放大器A v s ≈ 1,应尽量增大R S和R L值。
()二、(20分)图示电路,各三极管 β = 100,V= 0.7 V,r ce忽略不计,各电容对BE(on)交流呈短路。
(1)求静态电流I CQ1、I CQ2;(2)画出电路的交流通路;(3)求R i、A V、A v s。
三、(10分)图示电路,已知场效应管的g= 1 mS,r ds = 200 kΩ。
(1)画出电路的m交流等效通路。
(2)计算电压增益A V。
四、(15分)图示电路,已知 β = 50,VBE(on)= 0.7 V。
r ce忽略不计。
(1)估算I CQ1、V CQ1。
(2)计算R id、R od、A v d。
五、(15分)指出下列电路的反馈极性与反馈类型,并在深度负反馈条件下估算Av fs。
已知各管参数相同,β = 100,r'be = 1 kΩ。
六、(10分)下列电路运放是理想的,试写出输出电压vo的表达式。
v iv oV EEv i(-6V)v ov i10 k七、(10分)下列电路运放是理想的,设电容两端初始电压为0,试写出输出电压vo 的表达式。
v i1v ov参考答案一、对、错、错、对、错、错、对、对、错、错 二、(1)I CQ1 ≈ I CQ2 = βI BQ1 = 1.07 mA(2)(3)A v = A v 1 A v 2 ≈ -123.92,86.67is i -≈+=R R A R A vvs ,Ω≈='k 42.2//e1b 1B i r R R三、(1)(2)R i = R G3 + R G1 // R G2 = 1 075 k Ω,33.311S m Dm -=+-=R g R g A v四、(1)I CQ1 = 0.65 mA 、V CQ1 = 4.05 V ;(2)R id = 24 k Ω,R od = 3 k Ω,A vd = -37.5 五、前三级电路构成电流串联负反馈。
电子线路测试题三一、选择题(每题2.5分,共85分):1、放大器必须对电信号有()放大作用。
A电流B电压 C功率 D电流、电压和功率2、某交流放大器的输入电压是100mV,输入电流为0.5mA,输出电压为1V,输出电流为50mA,则该放大器的功率放大倍数为()A 10B 100C 1000D 100003、某交流放大器的输入电压是100mV,输入电流为0.5mA,输出电压为1V,输出电流为50mA,则该放大器的功率增益为()A 10B 20C 30D 404、某放大器的电压放大倍数为100,则它的电压增益是()A 2B 10C 20D 405、某放大器的电流放大倍数为100,则它的电压增益是()A 2B 10C 20D 406、按电路中的电压和电流符号写法的规定,直流分量用()表示。
A大写字母和大写下标 B大写字母和小写下标C小写字母和大写下标 D小写字母和小写下标7、把放大器的输入端(),则放大器处于无信号输入状态,称为静态。
A断路B短路C以上均可8、画直流通路时,电容视作()。
A开路 B短路 C电阻 D以上均可9、画直流通路时,电感线圈视作()。
A开路 B短路 C电阻 D以上均可10、画交流通路时,电容视作()。
A开路 B短路 C电阻 D以上均可11、画交流通路时,电感线圈视作()。
A开路 B短路 C电阻 D以上均可12、画交流通路时,直流电源视作()。
A开路 B短路 C电阻 D以上均可13、关于单级放大器,以下说法错误的选项是()A为了使放大器不失真地放大信号,放大器必须建立适宜的静态工作点B单级共发射极放大电路兼有放大和反相作用C在交流放大器中同时存有着直流分量和交流分量两种成分D对信号的电压具有放大功能的电路就是放大器14、单级共发射极放大器的输出信号的正半周被局部削除,原因是()A静态工作点过高B静态工作点过低C以上均不对15、若静态工作点在交流负载线上的位置过高,会造成()失真。
A截止 B饱和 C交越 D附加16、若静态工作点在交流负载线上的位置过低,会造成()失真。
一、判断下列说法是否正确,用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。
( )
(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。
( )
(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。
( )
解:(1)√ (2)× (3)√
二、选择正确答案填入空内。
(1)PN 结加正向电压时,空间电荷区将 。
A. 变窄
B. 基本不变
C. 变宽
(2)设二极管的端电压为U ,则二极管的电流方程是 。
A. I S e U
B. T U U I e S
C. )1e (S -T U U I
(3)稳压管的稳压区是其工作在 。
A. 正向导通
B.反向截止
C.反向击穿
解:(1)A (2)C (3)C
三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D =0.7V 。
图T1.3
解:U O 1≈1.3V ,U O 2=0,U O 3≈-1.3V ,U O 4≈2V ,U O 5≈1.3V ,
U O 6≈-2V 。
四、已知稳压管的稳压值U Z =6V ,稳定电流的最小值I Z mi n =5mA 。
求图T1.4所示电路中U O 1和U O 2各为多少伏。
图T1.4
解:U O1=6V,U O2=5V。
1.1选择合适答案填入空内。
(1)在本征半导体中加入元素可形成N型半导体,加入元素可形成P型半导体。
A. 五价
B. 四价
C. 三价
(2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将。
A. 增大
B. 不变
C. 减小
解:(1)A ,C (2)A
1.2 能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端?为什么?
解:不能。
因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,当端电压为1.5V时,管子会因电流过大而烧坏。
1.3 电路如图P1.3所示,已知u i=10sinωt(v),试画出u i与u O的波形。
设二极管正向导通电压可忽略不计。
图P1.3
解图P1.3
解:u i和u o的波形如解图P1.3所示。
1.4 电路如图P1.4所示,已知u i=5sinωt(V),二极管导通电压U D=0.7V。
试画出u i与u O的波形,并标出幅值。
图P1.4
解图P1.4
解:波形如解图P1.4所示。
1.5 电路如图P1.5(a)所示,其输入电压u I1和u I2的波形如图(b)所示,二极管导通电压U D=0.7V。
试画出输出电压u O的波形,并标出幅值。
图P1.5
解:u O的波形如解图P1.5所示。
解图P1.5
1.6 电路如图P1.6所示,二极管导通电压U D=0.7V,常温下U T≈26mV,电容C对交流信号可视为短路;u i为正弦波,有效值为10mV。
试问二极管中流过的交流电流有效值
为多少?
解:二极管的直流电流
I D=(V-U D)/R=2.6mA
其动态电阻
r D≈U T/I D=10Ω
故动态电流有效值
I d=U i/r D≈1mA 图P1.6
1.7现有两只稳压管,它们的稳定电压分别为6V和8V,正向导通电压为0.7V。
试问:
(1)若将它们串联相接,则可得到几种稳压值?各为多少?
(2)若将它们并联相接,则又可得到几种稳压值?各为多少?
解:(1)两只稳压管串联时可得 1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。
(2)两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。
1.8 已知稳压管的稳定电压U Z =6V ,稳定电流的最小值I Z m i n =5mA ,最大功耗P Z M =150mW 。
试求图P1.8所
示电路中电阻R 的取值范围。
解:稳压管的最大稳定电流
I Z M =P Z M /U Z =25mA
电阻R 的电流为I Z M ~I Z m i n ,所以其
取值范围为
Ω=-=k 8.136.0Z Z I ~I U U R 图P 1.8
1.9 已知图P1.9所示电路中稳压管的稳定电压U Z =6V ,最小稳定电流I Z m i n =5mA ,最大稳定电流I Z ma x =25mA 。
(1)分别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值;
(2)若U I =35V 时负载开路,则会
出现什么现象?为什么?
解:(1)当U I =10V 时,若U O =U Z
=6V ,则稳压管的电流为4mA ,小于其最
小稳定电流,所以稳压管未击穿。
故
V 33.3I L
L O ≈⋅+=U R R R U 当U I =15V 时,稳压管中的电流大于最 图P 1.9
小稳定电流I Z m i n ,所以
U O =U Z =6V
同理,当U I =35V 时,U O =U Z =6V 。
(2)=-=R U U I )(Z I D Z 29mA >I Z M =25mA ,稳压管将因功耗过大而损坏。
1.10 在图P1.10所示电路中,发光二极管导通电压U D =1.5V ,正向电流在5~15mA 时才能正常工作。
试问:
(1)开关S 在什么位置时发光二极管才能发光?
(2)R 的取值范围是多少?
解:(1)S 闭合。
(2)R 的范围为。
Ω=-=Ω
≈-=700)(233)(Dmin D max Dmax D min I U V R I U V R 图P 1.10
1.11 电路如图P1.11(a )、(b )所示,稳压管的稳定电压U Z =3V ,R 的取值合适,u I 的波形如图(c )所示。
试分别画出u O 1和u O 2的波形。
图P 1.11
解:波形如解图P 1.11所示
解图P1.11。