最新二极管三极管基础概念练习题

第9章 二极管和三极管一.选择题1、在本征半导体中掺入微量的 价元素，形成N 型半导体。

A.二B.三C.四D.五2、在P 型半导体中，自由电子浓度 空穴浓度。

A.大于B.等于C.小于3、本征半导体温度升高以后， 。

A.自由电子增多，空穴数基本不变B.空穴数增多，自由电子数基本不变C.自由电子数和空穴数都增多，且数目相同D.自由电子数和空穴数都不变4、空间电荷区是由 构成的。

A.电子B.空穴C.离子D.分子5、PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。

A. 变窄B. 基本不变C. 变宽D. 无法确定6、稳压管的稳压区是其工作在 。

A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿7、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。

A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏D. 前者反偏、后者正偏8、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 。

A. 增大B. 不变C. 减小D. 都有可能9、工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12μA 增大到22μA 时，I C 从1mA 变为2mA ，那么它的β约为 。

A. 83B. 91C. 100D. 1010、晶体管是 器件。

A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流11、在正常放大的电路中，测得晶体管三个电极的对地电位如图所示，试判断管子的类型和材料。

图1为 ；图2为 。

[基极电位总是处于中间]A.NPN 硅管B.PNP 硅管C.NPN 锗管D.PNP 锗管12、场效应管是 器件。

A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流13、基本共射放大电路中，基极电阻R b 的作用是 。

A.限制基极电流，使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路B.把基极电流的变化转化为输入电压的变化C.保护信号源D.防止输出电压被短路① 0V 5.7V 图1 ① 9V 2.3V 图214、基本共射放大电路中，集电极电阻R c的作用是。

二极管三极管练习题一、选择题1. 二极管的主要功能是：A. 放大信号B. 开关电路C. 电压稳定D. 电流放大2. 二极管的PN结在正向偏置时，其特性是：A. 电阻增大B. 电阻减小C. 电流增大D. 电流减小A. 半导体器件B. 电子元件C. 电阻元件D. 电容元件4. 三极管中的基极、发射极和集电极分别对应：A. 输入端、输出端、控制端B. 控制端、输出端、输入端C. 输入端、控制端、输出端D. 输出端、输入端、控制端5. 三极管工作在放大状态时，其集电极电流与基极电流的关系是：A. 集电极电流等于基极电流B. 集电极电流小于基极电流C. 集电极电流大于基极电流D. 集电极电流与基极电流无关二、填空题1. 二极管正向导通的条件是______。

2. 三极管放大电路中，基极电压比发射极电压______。

3. 三极管在放大状态时，______电流控制______电流。

4. 二极管的伏安特性曲线在______区域内表示正向导通。

三、判断题1. 二极管在反向偏置时，电流会迅速增大。

（）2. 三极管工作在饱和状态时，基极电压高于发射极电压。

（）3. 二极管具有单向导电性，可以用来实现整流功能。

（）4. 三极管放大电路中，集电极电流与基极电流成反比关系。

（）四、简答题1. 简述二极管的主要特性。

2. 简述三极管的三种工作状态及其特点。

3. 解释什么是三极管的放大作用。

4. 简述二极管整流电路的工作原理。

五、计算题1. 已知二极管正向压降为0.7V，正向电流为10mA，求二极管的正向电阻。

2. 一个三极管放大电路中，基极电流为1mA，集电极电流为10mA，求电流放大倍数。

3. 在一个简单的放大电路中，输入信号电压为1V，输出信号电压为10V，求电压放大倍数。

六、分析题1. 分析二极管在电路中的作用，并举例说明其在实际应用中的几个典型应用。

2. 分析三极管在不同工作状态下的电流和电压关系，并解释为什么三极管能够实现信号放大。

1半导体器件复习练习题二极管、三极管、场效应管、差动放大电路、集成运放半导体基本知识和半导体器件（二极管、三极管、场效应管、集成运放）一、选择题：1、PN结外加正向电压时，其空间电荷区（）。

A.不变B.变宽C.变窄D.无法确定2、PN结外反正向电压时，其空间电荷区（）。

A.不变B.变宽C.变窄D.无法确定3、当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流I s将增大，是因为此时PN结内部的（）A. 多数载流子浓度增大B.少数载流子浓度增大C.多数载流子浓度减小D.少数载流子浓度减小4、PN结反向向偏置时，其内电场被（）。

A.削弱B.增强C.不变D.不确定5、在绝对零度（0K）和没有外界激发时，本征半导体中( ) 载流子。

A.有B.没有C.少数D.多数6、集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以（）。

A．减小温漂 B. 增大放大倍数C. 提高输入电阻D. 减小输出电阻7、以下所列器件中，（）器件不是工作在反偏状态的。

A、光电二极管B、发光二极管C、变容二极管D、稳压管8、当晶体管工作在放大区时，（）。

A. 发射结和集电结均反偏B.发射结正偏，集电结反偏C. 发射结和集电结均正偏D.发射结反偏，集电结正偏9、稳压二极管稳压时，其工作在( )，A．正向导通区 B．反向截止区 C．反向击穿区 D.不确定10、抑制温漂（零漂）最常用的方法是采用（）电路。

A.差放B.正弦C.数字D.功率放大11、在某放大电路中，测得三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10A．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管C.PNP 型硅管D.PNP 型锗管12、某场效应管的转移特性如右图所示，该管为（）。

A．P沟道增强型MOS管 B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.N沟道耗尽型MOS管13、通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（）。

A．输入电阻高 B.输出电阻低C.共模抑制比大D.电压放大倍数大14、如右图所示复合管，已知V1的β1 = 30，V2的β2 = 50，则复合后的β约为（）。

二极管和三极管一、单选题：9．射极输出器的输出阻抗（），故常用在输出极。

A：较高B：低C：不高不低D：很高10．二极管半波整流时负载两端的直流电压等于（）。

A：0.75U2B：U2C：0.45U2D：0.9U212．射极输出器的电压放大倍数约等于（）。

A：80--100 B：1 C：<50 D：20．在放大电路中，为了稳定输出电流，应引入（）。

A：电压负反馈B：电压正反馈C：电流负反馈D：电流正反馈22．在三极管放大电路中，为了增强带负载的能力应采用（）放大电路。

A：共发射极B：共基极C：共集电极D：共阴极24．已知放大电路中三个管脚对地的电位是（1）0V；（2）0.7V；（3）6V，则该三极管是（）型。

A：NPN B：PNP C：硅管D：锗管25．放大器采用射极偏置改善工作点偏离的是（）。

A：电流正反馈B：电流负反馈C：电压正反馈 D：电压负反馈33．晶体三极管发射结反偏置、集电结处于偏置，晶体三极管处于（）工作状态。

A：放大B：截止C：饱和D：开路34．晶体三极管发射结处于正偏，集电结处反偏，则三极管的工作状态为（）。

A：饱和B：截止C：放大D：导通39．晶体三极管处于放大工作状态，测得集电极电位为6V，基极电位0.7V，发射极接地，则该三极管为（）型。

A：NPN B：PNP C：N D：P41．共发射极放大器，集电极电阻R C的作用是（）。

A：实现电流放大B：晶体管电流放大转变速器成电压放大C：电流放大与电压放大D：稳定工作点二、多选题：4．多级放大器极间耦合形式是（）。

A：二极管B：电阻C：阻容D：变压器E：直接23．已知放大电路中三极管三个管脚对地电位是（1）0V，（2）0.7V，（3）6V。

该三极各管脚对应的电场是（）。

A：（1）是基极B：（2）是基极C：（1）是发射极D：（3）是集电极E：（3）是发射极24．三极管的极限参数主要有（）。

A：集电极最大允许电流I CM B：集—射极击穿电压（基极开路）U CEOC：集电极—基极反向饱和电流I CBO D：穿透电流I CEOE：集电极最大允许耗散功率P CN25．放大电路的三种组态是（）。

基础知识2 二极管、三极管
1、[单选题]下列属于半导体材料的是（）
A、铁
B、硅
C、橡胶
D、电线
答案: B
2、[单选题]只允许电流单向通过的电子元件是（）
A、显像管
B、二极管
C、三极管
D、场效应管
答案：B
3、[单选题] 以下哪种器件常作为指示灯用？（例如交通信号灯）
A、三极管
B、二极管
C、电容器
D、电位器
答案：B
4、[单选题]发光二极管有正负两极,短脚为（）、长脚为（）。

A.正极、负极
B.负极、正极
C.正极、正极
D.负极、负极
答案：B
1、[多选题]下列属于半导体器件的是（）
A、二极管
B、三极管
C、光敏电阻
D、热敏电阻
答案：ABCD
1、[判断题]人们利用了半导体的热敏和光敏特性，制成了半导体热敏器件和光敏器件。

答案：正确
2、[判断题]在电路中，三极管除了可以放大电流外，还可以把三极管当作开关使用。

（）答案：正确
3、[判断题]三极管是一种用于放大或开关电信号的半导体器件。

（）
答案：正确
4、[判断题]常见的二极管有发光二极管，整流二极管，光敏二极管等。

（）
答案：正确。

一、选择合适答案填入空内。

1、在本征半导体中加入元素可形成N型半导体，加入元素可形成P型半导体。

A. 五价B. 四价C. 三价2、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。

A. 增大B. 不变C. 减小3、工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β约为。

A. 83B. 91C. 1001、A ，C2、A3、C4、A二、计算1、能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？解：不能。

因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为 1.5V时，管子会因电流过大而烧坏。

2、电路如下图所示，已知u i＝10sinωt(v)，试画出u i与u O的波形。

设二极管正向导通电压可忽略不计。

解：u i和u o的波形图所示。

3、电路如下图所示，已知u i＝5sinωt(V)，二极管导通电压U D＝0.7V。

试画出u i与u O的波形，并标出幅值。

解：波形如解图所示。

4、电路如图所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D＝0.7V。

试画出输出电压u O的波形，并标出幅值。

图P1.5第 1 页第 2 页解：u O 的波形如下图所示。

5、 电路如下图所示，二极管导通电压U D ＝0.7V ，常温下U T ≈26mV ，电容C 对交流信号可视为短路；u i 为正弦波，有效值为10mV 。

试问二极管中流过的交流电流有效值为多少？ 解：二极管的直流电流I D ＝（V －U D ）/R ＝2.6mA其动态电阻 r D ≈U T /I D ＝10Ω 故动态电流有效值I d ＝U i /r D ≈1mA 6、 现有两只稳压管，它们的稳定电压分别为6V 和8V ，正向导通电压为0.7V 。

试问：（1）若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？ （2）若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？解：（1）两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。

《汽车电工》（二极管和三极管）练习题学号姓名一、填空题：1、图1所示处于正向导通状态的PN结，则a、b两区分别是PN结的区、区。

2、用万用表的欧姆档对二极管进行正反两次测量，若两次读数都为∞，则此二极管_____；若两次读数都接近零，则此二极管_____________；若读数一次很大，一次读数小，则此二极管______________。

3、三极管的内部结构是有区、区、区及结和结组成的。

三极管对外引出的电极分别是极、极、极。

4、二极管有个PN结，二极管的主要特性是，三极管有个PN结，三极管的主要作用是。

二、是非题：1、因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

（）2、N型半导体中的多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。

（）3、P型半导体中的多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。

（）4、发射结处于反偏的三极管，它一定工作在截止区。

（）5、三极管是由两个PN结组合而成的，所以将两个二极管对接，也可以当三极管使用。

（）二、选择题：1、某晶体管的发射极电流等于1mA , 基极电流等于20µA, 则它的集电极电流等于( )mA.A、0.98B、1.02C、0.8D、1.22、当晶体管工作在放大区时，（）。

A. 发射结和集电结均反偏B.发射结正偏，集电结反偏C. 发射结和集电结均正偏D.发射结反偏，集电结正偏3、测得三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，则这只三极管是（）。

A．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管4、三极管工作在饱和状态的条件是（）。

A.发射结正偏，集电结正偏B.发射结正偏，集电结反偏C.发射结反偏，集电结反偏D.发射结反偏，集电结正偏5、测得工作在放大状态的三极管三个管脚1、2、3对地电位分别为0V，-0.2V，-3V，则1、2、3脚对应的三个极是（）。

A.ebcB.ecbC.cbeD.bec6、若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏，好的管子应为( )。

二极管、三极管部分--－-习题————————————————————————————————作者: ————————————————————————————————日期：模拟电子技术部分习题及答案——直流稳压电源项目一、二极管与三极管的基础知识二极管习题一、熟悉概念与规律1．半导体２.P型半导体3.N型半导体４．ＰN结5．单向导电性６.整流二极管７．稳压二极管８.发光二极管９.开关特性10.三极管1１．三极管的饱合特性１2.三极管的截止特性1３．三极管的放大特性二、理解与计算题１.当温度升高时,二极管的正向压降＿变小,反向击穿电压变小。

2.硅稳压二极管并联型稳压电路中，硅稳压二极管必须与限流电阻串联，此限流电阻的作用是(C——调压限流）。

A、提供偏流Ｂ、仅限流电流C、兼有限流和调压两个作用3. 有两个2CW15稳压管，一个稳压值是８Ｖ,另一个稳压值是7.５V,若把两管的正极并接,再将负极并接,组合成一个稳压管接入电路,这时组合管的稳压值是（Ｂ——7.５V）。

8V；B、７.５Ｖ;Ｃ、１５.5V4.稳压管DW稳压值为5.3Ｖ，二极管ＶD正向压降０．7V，当ＶＩ为12V时,DW和ＶD是否导通，V０为多少？R电阻的作用。

答：DW和ＶD 不导通,V０为5.3Ｖ,R电阻的作用是分压限流。

５.下图中D1-Ｄ3为理想二极管，A,B,C灯都相同,试问哪个灯最亮?（）６．在图所示的电路中，当电源V=5V 时，测得Ｉ=１mA。

若把电源电压调整到Ｖ=１0V，则电流的大小将＿＿＿__。

A.I=2ｍＡB.I<2ｍAC.Ｉ>2mA７.图所示电路，设Ui=ｓinωt(V),V=2V,二极管具有理想特性,则输出电压Ｕo的波形应为图示__＿____图。

8.图所示的电路中,Dz１和Dz2 为稳压二极管,其稳定工作电压分别为6V 和7V，且具有理想的特性。

由此可知输出电压Ｕｏ为＿_＿__＿_。

9.二极管最主要的特性是_＿________＿＿，它的两个主要参数是反映正向特性的＿______＿_＿_＿和反映反向特性的＿______＿__＿_。

一、填空题1．纯净的具有晶体结构的半导体称为，采用一定的工艺掺杂后的半导体称为。

2．本征半导体的主要特性有、、。

3．杂质半导体中有和两种载流子参与导电，其中带正电，而带负电。

4．N型半导体是在本征半导体中掺入__ _价元素，其多数载流子是_ ___，少数载流子是__ _。

5．P型半导体是在本征半导体中掺入___价元素，其多数载流子是____ _，少数载流子是__ __ _。

6．已知杂质半导体中的载流子和离子如图0001所示，请指出各为何种类型的杂质半导体：(a)为；(b为。

图0001 杂质半导体中的载流子和离子7．PN结正向偏置时，内、外电场方向；PN结反向偏置时，内、外电场方向。

8．PN结具有性，______偏置时导通，______偏置时截止。

9．PN结的电击穿包括和两类。

10．按材料不同，二极管可分为和两类。

11．按制造工艺及结构不同，二极管可分为、两类。

12．二极管P区接（高，低）电位端，N区接（高，低）电位端，称正向偏置，二极管导通；反之，称反向偏置，二极管截止，所以二极管具有性。

13．U T为温度的电压当量，当温度为室温时，U T≈mV。

14．三极管属控制型器件。

15．在构建放大电路时，双极型三极管应工作于区，即发射结应为偏置，集电结应为偏置。

16．根据器件的符号填上器件的名称：7．某三极管，当测得A I B μ30=时，mA I C 2.1=，则发射极电流=E I mA18．根据图0014填空（设晶体管处于放大状态）。

图001419．某处于放大状态的三极管，测得三个电极的对地电位为U 1=-9V ，U 2=-6V ，U 3=-6.2V ，则三极管为 型管。

单项选择题1．杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于（ ）。

A. 温度B. 掺杂工艺C. 掺杂浓度D. 晶体缺陷2．当环境温度降低时，二极管的反向电流（ ）A. 不变B. 增大C. 减小D. 无法判断3．用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等于1k Ω，说明该二极管（ ）。

二极管、三极管练习一、是非题：（8分）（）1、二极管是根据PN结的单向导电特性制成的，因此，二极管也具有单向导电性。

（）2、二极管的电流一电压特性关系可大概理解为反向偏置导通、正向偏置截止。

（）3、用万用表识别二极管的极性时，若侧的是二极管的正向电阻，那么和标有" + ”号的测试笔相连的是二极管的正极，另一端是负极。

（）4、一•般来说，硅二极管的死区电压小于馅二极管的死区电压。

（）5、晶体管由两个PN结组成，所以，能用两个二极管反向连接起来充当晶体管使用。

（）6、品体管相当于两个反向连接的二极管，所以，基极断开后还可以作为二极管使用。

（）7、发射结处于正向偏置的晶体管，一定是工作在放大状态。

（）8、既然晶体管的发射区和集电区是由同一种类型的半导体构成，故E极和C极可以互换使用。

二、选择题：（20分）1、如果二极管的正、反向电阻都很大，则该二极管（）。

A、正常B、已被击穿C、内部断路2、如果二极管的正、反向电阻都很小或为零，则该二极管（）。

A、正常B、已被击穿C、内部断路3、用万用表电阻档测量小功率二极管的特性好坏时，应把电阻档拨到（）。

A、R*100 或 R*1000 档B、R*1 档C、R*10K 档4、用万用表电阻档测试二极管的电阻时，如果用双手分别捏紧测试笔和二极管引线的接触处，测得二极管正、反向电阻，这种测试方法引起显著误差的是（）。

A、正向电阻B、反向电阻C、正、反向电阻误差同样显著D、无法判断5、当晶体管的两个PN结都反偏时，晶体管处于（）。

A、饱和状态B、放大状态C、截止状态6、当品体管的两个PN结都正偏时，品体管处于（）。

A、饱和状态B、放大状态C、截止状态7、当晶体管的发射结正偏，集电结反偏时，晶体管处于（）。

A、饱和状态B、放大状态C、截止状态8、当晶体管处于饱和状态时，它的集电极电流将（）。

A、随基极电流的增加而增加B、随基极电流的增加而减小C、与基极电流变化无关，只取决于Ucc和Rc9、NPN型硅晶体管各电极对地电位分别为U c=9V, U B=0.7V,U E=OV，贝ij该晶体管的工作状态是（）。