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ESD

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半导 体公 司从 Ｉ ／ Ｏ尺 电路设 计 （ Ｔ） Ｏ的 尺寸基本上 没有发 生什 么变 化 。 高教利用 来完 成 。 目 ＭＦ 。 而 ／ ０ 前， 通过采用紧凑型的静电放电（ Ｓ 寸的缩 小 中获 利 ： Ｉ 尺寸 的缩小 又 Ｅ Ｄ） 与传统 技术相 比，在典 型 的 ０１ ．８
租发检发的件Ｒ 体Ｔ端 Ｖ】罢管 性‘ 以动 何 的动 态触 发 电路 ）来 完成 。图 ３示 出 触来测生事 （ 两的ｓ，接 。 能 可 自完 墨 Ｆ －２ 井 ＳＭ Ｊｉ 、 ２ ￣２ ） Ｆ 它
通不导通的晶体管触点 （ 加于Ｇ 的 Ｖ Ｓ 偏压信号） ３ Ｇ３ 成 。晟初 的设计 采用 了大量 了一种 已在 硅芯片上 得到证 实 的 输 ｃ内核 内 因而能够增加 １０美元甚至更多的收 ０
。 部 的小信 号 （ Ａ 计 ）与电子子 系统 人 ） 以¨
●电压 钳位效 率提高 ３ ％ ０
●接 通 电阻改进 ５ ％ ０ ●面积性 能提高 １ ～２倍
周 围的其他 信号 （ ｍ 以 Ａ计 ） 之间通 信
一
须 在片上采 取相应 的 Ｅ Ｄ保 Ｓ 护设 计 ，从而 导致 芯 片 尺寸
变大 。
的稳 流 或硅化物 阻 隔 ， 而可 以采用 过程
后端 元件 （ 触硅 、 聚合物 和硅化 物 如 触
多 晶硅 ） 来形 成一 个稳流 网络 。这种 方
要进行 Ｅ Ｄ 保护 设计 ， Ｓ
法 的关键 是稳流 电阻 “ 分段 概 念 的引
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用
Ｅ Ｄ技术沿着 ｌ 内核 的小型化 方 向压 缩 Ｉ Ｓ Ｃ １ ０尺寸
ＥＳ Ｔｅ ｈ ｏ ｏ ｙ Ｓ ｒｎ ｓＩ Ｄ ｃ ｎ ｌｇ ｈ ｉ ｋ ／ Ｏｓ
稳 ＭＢ 自 ０５ ｍ Ｃ Ｓ工艺 问世 以来 ，／ 在 。 流电阻 的设 置 可通过 硅片 面积 的 合 并 稳流 电路 布 局 （ Ｃ）和多 触点 ． ＭＯ Ｉ
达 数 安培 的 电流 ： 因此 ，必
硅 芯片设计 解决 方案与 Ｃ ＭＯＳ工 艺 完全兼 容 ， 无需 进行 工艺 变更 以及特
殊或 额外 的掩模 ＝这里 ，需要 改变三 种
传统 的做 法 ： 第 一 种 改 变就 是 要 了解 在 提 供 片 上 Ｅ Ｄ 保 护 的时候并 不需 要有效 面积 Ｓ
就 必须 对大 电流 的静 电放 电 日 ｌ 在 Ｄ Ｂ 器 Ｅ 件的截面目中 通过插凡已 ・ 建的电阻陛 稳流网 人 ： 图 １ 图 ２所示 ， 如 和 采用 多个并联 提供 适 当的稳 流 处理 。传 统 扩散具 有抗 Ｅ 。 性能 ‘ 视布局日 高 电阻来 形成 ｓ ＝顶 。 个 通用 的 、 具有 低 串联
得 驱动器 和 Ｅ Ｄ 晶体 管 的 状态 以导 通 Ｅ Ｄ 电流 。现在 ，让我们 Ｓ Ｓ 整 体 布 局 非 常 紧 凑 （ 图 采用 多 触 点 晶体 管 的 不均 匀 导 通状 态 见
２） ：
来 检 测正在 发生 的 Ｅ Ｄ。可 以导 出一 Ｓ
第 ｊ 种 传 统 做 法 的 变 个偏 压信号 以接通所有 的 晶体管 触点 ， 化 是 不 再 考 虑 多 触 点 晶 体 这能够 通过 采用最小 总宏稳 流 （ 需任 无
一
的做 法 是在灵 敏 器件 （ 为 多 ＮＭＯＳ晶体管 ）中提供具 有 有 效硅 问隙 的稳 流 电阻 。这
。
电阻的抗 Ｅ Ｄ器件。 Ｓ
该技术 不仅 提供 了卓越 的 Ｅ Ｄ 性 Ｓ
能 ，而且 不再 需 要硅化 物阻 隔。
样做虽能解决问题 ，但却付
出 了高 昂的代 价 ：稳 流 电阻
随着 近 期几 种 在硅 芯 片
共用以便 为 ２ （ 十 而不仅仅 是 １ 十）晶体管解点提供稳流
ＭＢ 相 上得 到证 实 的设 计创 新 方案 图 ２ 在 舍并稳流 电路 （ Ｃ）布局中， 同的硅资源可以被 法对于Ｉ ／ Ｏ晶体管宽度的每个有效微米
的 出现 ，上述 现象 已不 复 存
都是起作用的。
这 种 新颖 的设 计解 决 方 案 采 用 了
所 必需 的元 件 ： 需要 考虑对 Ｉ 晶体 管 运用 分段器件 设 ｝的后 端稳流 （ Ｅ 、 ／ Ｏ ｆ Ｂ Ｂ） 以减 小 Ｉ ｃ体积 ： 这些 晶体管 非 常宽 （ 达几 百ｖ ｍ，而内核 中的晶 体管仅宽 １ ｎ 右 ） 左 ｇ ｕ 。 此外 ， 可对 Ｉ ｃ产量构 成 威 胁 的静 电放 电也会 形成 高
２ 世 电 元 件 嚣 帆Ｊ界 子 器
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Ｄｅ ｉ ｎ ｘｆ ｓ＆
加倍， 就可 合并相邻 晶体 多触 点晶体 管 。当发生 Ｅ Ｄ 时 ，至 少 Ｓ
管 触点 的稳 流 区域 ， 而使 有 一个 晶体 管触 点 将 触 发 至其 快 反 向 从
设 计技术 ，ＩＯ 可 以 与 Ｉ 内核一 道被 将 导致 Ｉ ／ ｃ ｃ体积 的缩小 ，从 而使 得每块 ｎ Ｃ ｌ ＭＯＳ工艺 中， Ｅ ＭＢＣ和 ＭＦ Ｂ Ｂ、 Ｔ
压缩 。
芯 片能够 生产 出更多 的 Ｉ 每块 芯 片 ， 的组合 能够产生 以下结 果 ： Ｃ（
●Ｅ Ｄ性能 提高 ６ ％ Ｓ ０
占用 了很 大 的硅 片面 积 ，从
对于精密 电阻 ， 拟电路设计人员 模 通常采用硅 化物阻隔 ，对他们 而言这样 做 的好 处在 于 显著减 小 了漏・ 寄生 电 阱 容（ 比较～下最 小的漏极扩散 与 ３ ４ｔ ～１ ｔ ｍ 的 有效稳 流 漏极 扩散 ） 。而且 ，这 种 做
而增 加 了成本 。
的宏稳 流 电阻 ．它们 的作 用 于最 多 １ 个 触 的 ５ ｐ Ｎ ６ ０ｒ ＭＯ 晶体 ｏ Ｓ
第 二种 传 统 做 法 的变 化 是 要 知 晓 是 在单 触点导 通较小 的 Ｅ Ｄ 电流时迅 ｓ

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esd_百度百科

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4.1 应用领域：打印机、数码相机、笔记本
由于处理数据的速率高达480Mbps，USB 2.0 接口为了避免信号失真而需要配备具有超低线路电容的ESD 保护器件。Philips 的超低电容ESD
保护系列器件非常适合于USB 应用，包括打印机、数码相机和笔记本。
4.2 PRTR5V0U2X 重要特性
静电学主要研究静电应用技术，如静电除尘、静电复印、静电生物效应等。更主要的是静电防护技术，如电子工业、石油工业、兵器工业、纺织工业、橡胶工业以及兴航与军事领域的静电危害，寻求减少静电造成的损失
近年来随着科学技术的飞速发展、微电子技术的广泛应用及电磁环境越来越复杂，静电放电的电磁场效应如电磁干扰（EMI）及电磁兼容性（EMC）问题，已经成为一个迫切需要解决的问题。一方面，一些电阻率很高的高分子材料如塑料,橡胶等的制品的广泛应用以及现代生产过程的高速化,
另一个要考虑的问题是传送带速度。如果传送带运动速度太快，器件放到传送带上时就可能会滑动(或者器件保持不动而传送带继续在动)，这时就会形成摩擦生电，传送带如果接地能使电荷耗散掉，但是器件或PC板仍带有电荷而会造成危害。
导向装置和导轨
导向装置和导轨用来提供通道或者使器件放于一个固定的位置或保持一定的方向性，采用的材料应能使电荷耗散掉并且防止器件摩擦生电。表面电阻率为106Ω的材料具有良好耗散性而且不会损伤器件，如果送入的器件处于无静电状态，也可以使用导电性材料(表面电阻率低于106Ω)。
2. USB 1.1 – 端口保护
2.1 应用领域：MP3 播放器、PDA、数码相机通用串行总线（USB）是一种支持热插拔和可移动的系统，因此对静电特别敏感。Philips提供的ESP
保护二极管，以及联合ESD 保护、滤波和消除的器件，针对所有便携式USB 1.1应用，比如PDA、MP3 播放器和数码相机。
ESD基本知识

ESD基本知识

contents •ESD概述•ESD的基本原理•ESD的防护措施•ESD在实际应用中的注意事项目录静电放电电荷累积与放电ESD的定义引发火灾或爆炸在特定条件下，ESD可能点燃易燃物质，引发火灾或爆炸，对人员和财产安全构成威胁。

损坏电子元件ESD产生的瞬间电流和电磁脉冲可能损坏电子设备的敏感元件，如CMOS芯片，造成设备故障或性能下降。

对人体健康的影响ESD放电可能对人体造成电击，虽然通常不会对健康人造成严重影响，但对心脏病患者或使用心脏起搏器的人可能构成生命威胁。

ESD的危害ESD的防控意义保障生产安全提升产品质量和可靠性保护电子设备静电的产生摩擦起电当两个不同金属接触后再分开，也会产生静电，通常是由于电子从一种金属转移到另一种金属上所导致的。

接触带电感应带电1静电的放电23在高电压下，空气中的气体分子会被电离，产生带电粒子，这些粒子在空气中形成电流，并伴随着发光、发声等现象。

电晕放电在两个带电物体之间，当电压升高到一定程度时，会突然产生一道火花，使电荷得以中和。

火花放电在大气中，由于云层内部带电粒子的不断运动和碰撞，会产生大规模的静电放电现象，即闪电。

闪电放电静电的传导与消散表面传导01体积传导02消散0303培训与教育人员防护01穿戴防静电服02佩戴防静电手环设备与器材防护使用防静电包装材料对静电敏感器件采用防静电包装材料进行包装，以防止静电对其造成损害。

设备接地确保所有设备良好接地，以及时泄放静电，避免静电积聚。

采用防静电工作台在电子制造过程中，应采用防静电工作台，以防止静电对电子产品的损害。

静电消除器严格管理控制室内温度和湿度环境防护电子产品的ESD防护设计030201生产过程中的ESD防护措施工作人员应穿戴防静电服、防静电鞋、防静电手环等防护用品，以减少静电产生和积累。

人员防护环境控制设备防护物料管理生产现场应保持一定的湿度，减少静电产生。

使用防静电地板、防静电工作台等设施。

对生产设备采取防静电措施，如使用防静电涂料、安装防静电装置等。

ESD基本常识

ESD基本常识

延时失效约占受静电损害形式的90%。
1.5 静电放电模式 A．其他物体对本物体放电 -----当一带静电的物体（包括人体）对本
物体释放静电时，造成本物体的损坏。 B．对本物体放电-----当本物体带电并对其他物体进行放电时，造成
本物体的损坏。 C．电场感应放电-----当一物体聚积大量的静电时，在它的周围就有
一个感应的电场，如果静电敏感物体靠近接触到该电场，也会感应生 成电压，就可能造成静电敏感物体的损坏。
注：本物体是静电敏感（ESDS）物体。 1.6 静电保护安全静电压是多少 1.6.1静电保护的安全静电压和电子元器件本身承受静电损坏的程度有 关， 有三种方式可以确认元器件的静电承受等级。1.HBM（Human Body Model）人体模式； 2.CDM(Charged Device Model )物体带电模式 ； 3. Machine Model机械模式。
收料区域 检验区域 储物料区域和仓库 装配线 测试区域 研发部 包装区域 维修区 实验室 无尘室 3.3对有效的ESD控制，将静电释放在大地上是十分重要的。所以要将 工作区所有工作桌、机器、工作桌表面、人连接于相同的接地线上。 3.4控制人体上的静电
人体的静电是主要的静电源之一，他可能有上千伏。如果不适当的 控制，这项静电很容易对静电敏感器件造成损害，所以ESD控制程序特 别强调人体静电的解除。
3.5工作站的要求 标准ESD工作站须提供连接工作桌面、仪器、手环、辅助设备和地
板到相同的地上。 工作桌面和地板面的表面阻抗应在106---109 ohm之间。 图三：典型的ESD工作站图示
3.6 包装和ESD处理材料 包装是指用具有ESD防护功能的材料来包装静电敏感器件，防止静
电对它造成伤害。包装材料提供三种保护的方式：1.超低充电 2.静电 释放保护 3.屏蔽电场 ESD处理材料:
esd名词解释

esd名词解释

esd名词解释
ESD是一种英文缩写，在医学上主要指的是内镜黏膜下剥离术。

一般是用于治疗间质瘤、息肉等胃肠道良性或者低度恶性肿瘤的一种常用方法，可以代替传统的外科手术。

现在对于早期的癌变，也可以用ESD治疗，比如早期的食管癌、胃早期的间质瘤。

一般手术之后还要看病理情况，如果有局部浸润表现，还需要进一步改成传统的外科手术扩大切除，手术之后可以配合进一步的抗肿瘤治疗。

ESD现在开展的比较多，解除患者其他的外科手术并发症，可能创伤更小，但也是有适应症的，对于分期相对不是太早，是不适合做ESD的。