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《电子技术基础》课程标准课程代码：学时：116 学分：7一、课程的地位与任务《电子技术基础与技能》是一门主干专业课和专业基础课程，其先修课程为《电工基础与技能》，后续课程为专业课程。
通过《电子技术基础与技能》的教学，使学生了解和掌握电子技术的基础知识和基础技能，培养学生分析解决电子技术问题的能力，为今后学习后续课程和从事相关电子技术方面的实际工作打下扎实的理论基础。
二、课程的主要内容及学时分配1.课程的主要内容第一章二极管及应用第一节晶体二极管的特性、结构与分类（1）二极管器件的结构及电路符号（2）二极管的伏安特性（3）二极管的主要参数（4）特殊二极管第二节整流电路及应用（1）整流电路的组成、作用及工作原理；（2）半波整流电路及元件选用（3）桥式整流电路及元件选用第三节滤波电路（1）电容滤波电路及输出电压的估算（2）电感滤波电路（3）复式滤波电路第二章三极管及放大电路基础第一节晶体三极管及应用（1）晶体三极管的结构及符号（2）晶体三极管的电流放大作用（3）晶体三极管的伏安特性曲线(4)晶体三极管的主要参数(5)晶体三极管的测试第二节三极管基本放大电路(1)放大电路的基本知识(2)三极管基本放大电路(3)放大器中电流、电压符号规定(4)放大电路的工作原理(5)放大电路三种组态特点第三节放大电路的分析方法(1)估算静态工作点(2)估算交流参数第四节静态工作点稳定的放大电路(1)放大电路静态工作点不稳定的原因(2)分压式偏置放大电路(3)电路参数的估算第五节多级放大电路(1)多级放大器的组成(2)多级放大电路的耦合方式(3)多级放大器的简单分析第六节场效应晶体管放大器(1)场效应管的结构及符号(2)场效应晶体管的特性曲线(3)场效应晶体管电压放大作用(4)场效应晶体管的使用注意事项第三章常用放大器第一节放大电路中的反馈及负反馈(1)反馈放大电路的组成(2)反馈的分类及判别方法(3)负反馈的四种组态及其判别第二节功率放大电路的基本要求及分类(1)对功率放大电路的基本要求(2)功率放大器的分类第三节双电源互补对称电路(OCL电路)(1)电路基本结构(2)工作原理(3)输出功率和效率(4)交越失真及其消除方法第四节单电源互补对称电路(OTL电路)(1)电路基本结构(2)工作原理(3)输出功率和效率第五节集成运算放大器(1)集成运算放大器的结构和特点(2)集成运算放大器的应用第四章直流稳压电源第一节稳压二极管并联型稳压电路(1)电路组成(2)工作原理(3)电路特点第二节三极管串联型稳压电路(1)电路组成(2)工作原理(3)输出电压VO的调节第三节集成稳压器(1)三端固定集成稳压器(2)三端可调输出集成稳压器(3)直流稳压电路性能指标第四节开关型稳压电源(1)开关型稳压电源的组成(2)开关型稳压电源的原理图(3)开关型稳压电源稳压原理第五章数字电路基础第一节数字电路基本知识(1)数字电路的应用(2)数字电路的优点(3)数字信号(4)数字信号的表示方法第二节数制与码制(1)数制(2)不同数制间的转换(3)码制第三节逻辑门电路(1)基本逻辑门电路(2)集成TTL门电路第四节集成逻辑门电路(1)普通TTL集成门电路(2)OC门(3)三态输出门(4)TTL门电路使用注意事项第五节基本逻辑运算(1)逻辑代数运算定律(2)逻辑函数的公式化简第六章组合逻辑电路第一节组合逻辑电路的基础知识(1)组合逻辑电路的特点及结构(2)组合逻辑电路的分析(3)组合逻辑电路的设计(4)组合逻辑部件的种类第二节编码器(1)二进制编码器(2)二一十进制编码器(3)优先编码器第三节数据选择器与分配器(1)数据选择器(2)数所分配器第四节译码器(1)通用译码器(2)二一十进制译码器(3)常用数码显示器第七章触发器第一节RS触发器(I)基本RS触发器(2)同步RS触发器第二节触发器的几种触发方式(1)同步触发(2)上升沿触发(3)下降沿触发(4)主从触发第三节JK触发器(1)JK触发器的构成(2)JK触发器的逻辑功能(3)集成JK触发器第四节D触发器(1)D触发器的结构与符号(2)D触发器的逻辑功能(3)集成D触发器第五节T触发器(1)电路组成(2)逻辑功能第八章时序逻辑电路第一节寄存器(1)数码寄存器(2)移位寄存器第二节计数器(1)异步计数器(2)同步计数器第九章脉冲波形的产生与变换第一节555集成定时器(1)555集成定时器的组成(2)555集成定时器的基本功能第二节555集成定时器的应用(1)555集成定时器组成多谐振荡器(2)555集成定时器组成单稳态触发器第十章A/D转换与D/A转换第一节A/D转换器(1)A/D转换器的组成及基本工作原理(2)A/D转换器主要技术指标(3)A/D转换器的常见类型(4)A/D转换器的典型应用第二节D/A转换器(1)D/A转换器的工作原理(2)D/A转换器的指标(3)D/A转换的典型应用2.学时分配本课程在注重学生基础理论知识理解的同时，要求更侧重对学生实践能力的培养，并具有一定分析问题、解决问题的能力。
山东建筑工程学院2006~2007学年第2学期函授转生本科2006 年级电气工程专业自学周历课程名称：数字电子技术周次教材章节学习重点、难点习题作业测验作业交批时11.1~1.6数字逻辑基础基本逻辑运算和逻辑问题的描述1.3.1(3)、1.3.2(1)1.3.3(2)、1.3.4(4)7.6.1622.1~2.3二、三极管的开关特性基本逻辑门电路2.2.1(1)(2)2.3.2(1)7.6.3 2.4TTL逻辑门电路 2.4.1、2.4.20 7. 6.42.6~2.8CMOS、NMOS逻辑门电路正负逻辑问题2.6.12.7.27.6.53.1~3.2逻辑代数逻辑函数的卡诺图化简法3.1.3(acegikm)3.1.63.2.2(aceg)3.2.37.6.63.3~3.5组合逻辑电路的分析、设计和竞争冒险3.3.23.3.73.4.57.6.74.1~4.2编码器译码器∕数据分配器4.1.44.2.1～4.2.37.6.84.3~4.5数据选择器、数值比较器加法器4.3.14.3.54.5.14.3.67.6.9 5.1触发器的电路结构与工作原理 5.1.3～5.1.50 7. 6.1 0 5.2触发器的功能5.2.1、5.2.2负跳沿5.1.105.2.47.6.1 16.1~6.3时序逻辑电路的基本概念和分析方法同步时序逻辑电路的设计方法6.2.16.2.66.3.16.2.76.3.4检查自启7.6.1 27.1~7.2计数器寄存器和移位寄存器7.1.27.1.97.1.187.1.57.1. 87.1. 127.6.1 38.1~8.2RAM结构、原理和容量的扩展ROM简介7.6.1 49.1~9.3多谐振荡器、单稳态触发器、施密特触发器7.6.1 5 9.4555定时器及应用9.3.37.6.1 610.1.110.D∕A转换器和A∕D转换器简介10.1.17.6.说明：1. 各章节学习要求分掌握、理解、了解三个层次，详见课程基本要求。
【9-1】在下列各种情况下，应分别采用哪种类型(低通、高通、带通、带阻)的滤波电路？ 1．抑制50HZ交流电源的干扰；2．处理具有1kHZ固定频率的有用信号； 3．从输入信号中取出低于2kHZ的信号； 4．抑制频率为100kHZ以上的高频干扰。
解：1. 带阻；2. 带通；3. 低通；4. 低通。
【9-2】试说明图9.11.1所示各电路，属于哪种类型的滤波电路，是几阶滤波电路，图(b)中R2C2 R1C1。
oUioa( )b( )图9.11.1 题9-2电路图解：（a）一阶高通滤波器；（b）二阶带通【9-3】设一阶LPF和二阶HPF的通带放大倍数均为2，通带截止频率分别为3kHZ和2kHZ，试用他们构成一个带通滤波电路，并画出频率特性。
解：把二者串联即可。
【9-4】分别导出图9.11.2所示各电路的传递函数，并说明他们属于哪种类型的滤波电路?写出通带截止频率的表达式。
UiR( )U o o图9.11.2 题9-4电路图解：第6章集成运算放大器基本应用电路 181UR11（a）高通滤波器，o=-2⋅，截止频率f0= UiR11-j02πR1C1ωUR11（b）低通滤波器，o=-2⋅，截止频率f0= UiR11+j2πR2Cω0【9-5】在图9.11.3所示电路中，已知通带放大倍数为2，截止频率为1kHZ，C1＝C2=1μF。
试选取电路中各电阻的阻值。
Ui(s)o(s)解：R1=R2=10k R=0.16k【9-6】简述开关电容滤波电路的特点。
解：1. 易集成，单片集成化。
2. 其时间常数依赖于电容的比值，可以实现大时间常数，且滤波器的参数准确性和稳定性高。
3. 与数字滤波器相比，它可以对模拟量的离散值直接进行处理，不需要模/数转换器，省略量化过程。
【9-7】什么是调制？什么是调幅、调频和调相？什么是解调？解：将低频信息加载到作为信息载体的高频信号上，以便传输的信号处理过程，称为调制；解调是调制的逆过程，是指将调制信号与载波信号分离的信号处理过程。
【4-1】填空： 1．场效应管从结构上分成 和 两种类型，它的导电过程仅仅取决于 载流子的流动；因而它又称做 器件。
2．场效应管属于 控制型器件，而双极型晶体管是 控制型器件。
1. 结型，绝缘栅型，多数，单极型。
2. 电压，电流。
【4-2】两个场效应管的转移特性曲线分别如图4.7.1 (a)、(b)所示，分别确定这两个场效应管的类型，并求其主要参数（开启电压或夹断电压，低频跨导）。
测试时电流i D 的参考方向为从漏极D 到源极S 。
u G S/ Vu G S / V10V=(a) (b)图4.7.1 题4-2特性曲线：（a ）P 沟道增强型MOS 管，开启电压U GS （th ）＝－2V ，I DO = -1mA 在工作点（U GS ＝－5V， I D ＝－2.25mA ）处，g m =G S(th )1.5m S U =-（b ）N 沟道耗尽型MOSFET ，夹断电压G S(off)4V U=-，DSS 4mA I =在工作点（U GS ＝－2V ， I D ＝1mA ）处，【4-3】已知图4.7.2(a)所示电路中场效应管的转移特性如图4.7.2(b)所示。
求解电路的Q 点和A u 。
u GS / V(a)(b) 图4.7.2 题4-3电路图解：由图4.3(b)转移特性曲线可得：U GS(th)=2V ，过点(6,4)和(4,1) 代入2G S D D O G S(th)(1)u i I U =-，可得I DO =1mA由图4.3(a)电路图可得：U GSQ =3V G SQ 22D Q D O G S(th)3(1)1(1)0.25m A 2u I I U =-=⋅-=U DSQ =V DD -I DQ R d =15V -0.25mA10 k Ω=12.5V()0.5m S 2m G S th g U ===A u =-g m R d =-0.5mS·10 k Ω=-5【4-4】电路如图4.7.3所示，设MOS 管的参数为U GS(th)=1V ，I DO =500uA 。
