TW4901移动电源管理IC
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移动电源三合一方案解析
什幺是移动电源三合一方案?
移动电源三合一方案,是指主控芯片移动电源MCU无需外挂DC-DC芯片和充电管理芯片的移动电源方案,根据是否需要外加基准和运放,又可称为四合一或者五合一移动电源解决方案,芯海科技的移动电源SOC系列芯片,可以达到五合一,但为了通俗起见,我们统一称为移动电源三合一方案。
不同于HT4901,HT4902,CT6301,CT6302等硬件三合一方案,芯海移动电源SOC采用的是同步整流升压模式,效率高,发热低,特别在2A移动电源方案场合具有绝对的优势。
芯海SOC通过使用芯片自带的两路高速PWM(16M)和四路高性能ADC(12bit,死区小于3mV)以及特有的基准源数字校正专利技术,无需外围其他IC,即可实现同步整流三合一移动电源的基本功能,为移动电源客户提供了具备独特竞争力的单芯片解决方案。
芯海科技共有CSU8RP3119/CSU8RF3421/CSU8RF3422/CSU8RF3423全系列四颗芯片,用于移动电源三合一同步整流方案,其中,CSU8RP3422和CSU8RF3423可用于带LCD显示的移动电源三合一方案。
移动电源电路图:。
LN1F04/LN1F08/LN1F13/LN1F15/描述:LN1F08 为高性能、电流模式 PWM 控制器功率开关集成电路。
芯片内置高压功率开关,耐压高达750V以上,在85-300Vac的全球电网电压范围内提供高达 6W 的连续输出功率。
芯片采用前端稳压的反馈拓扑结构设计,无需光耦等二次侧反馈器件即可实现输出电压的稳定工作,且不受输入电压影响。
芯片可工作于典型的反激电路拓扑中,构成简洁的 AC/DC 电源转换器系统,用于电器控制板、电机驱动器等产品中。
IC 内部的倍流式高压启动电流源只需借助 VIN 电阻提供的微弱电流触发即可完成系统启动,很大程度地降低了 VINLN1F13 是新一代的高性能、高集成度电流模式PSR 功率开关集成电路,可以方便地在高达5.5W的应用中构建满足CoC V5 及DoE LEVEL VI 等能效标准的低待机功耗、高转换效率、高性能的PSR初级侧CC/CV 开关电源解决方案。
芯片内置高精度恒流恒压控制并具有优化的谷底开关技术,可在全范围提供优于±3% 精度的输出电流误差和±2% 精度的输出电压误差。
最高达70kHz 的开关频率允许使用相对较小的变压器尺寸完成设计,同时极小的死区时间控制使系统可工作在接近临界导通模式从而提高变压器的利用率,远优于传统的PSR 控制器架构。
LN1F15 是新一代的高性能、高集成度电流模式PSR 功率开关集成电路,可以方便地在高达 12W的应用中构建满足 CoC V5 及 DoE LEVEL VI 等能效标准的低待机功耗、高转换效率、高性能的 PSR初级侧 CC/CV 开关电源解决方案。
芯片内置高精度恒流恒压控制并具有优化的谷底开关技术,可在全范围提供优于±3% 精度的输出电流误差和±2% 精度的输出电压误差。
最高达 70kHz 的开关频率允许使用相对较小的变压器尺寸完成设计,同时极小的死区时间控制使系统可工作在接近临界导通模式从而提高变压器的利用率,远优于传统的 PSR 控制器架构主要特點❖前端穩壓限流結構控制方式無需光耦❖高低壓引腳兩側分佈的高隔離結構❖芯片內置 750V 高壓功率開關❖芯片內置 750V 倍流高壓電流源❖0.25W 以下的待機模式控制電路❖具有 EN 使能端子可外部關斷輸出❖輸出短路與芯片過溫度保護功能❖自適應週期回轉設計減小 EMI 干擾❖高轉換效率滿足 EUP 2013 能效要求❖全電網電壓下額定輸出功率 6W 以上❖電路簡潔外圍元件少系統成本低 應用領域✧家電控制板電源✧小型電機驅動電源✧個人護理產品電源✧其它線性電源替代電阻的功率消耗;而在輸出功率較小時IC將自動降低工作頻率,從而實現了很低的待機功耗和輕載效率;專利的驅動電路使開關管始終工作於臨界飽和狀態,提高了電源的轉換效率,使系統可以輕鬆滿足2013年乃至未來的多種能效標準,包括容易地實現0.25W待機要求。
主板常用电源管理IC RT9238 芯片常用主板IO芯片W83977EFW83977EF-AWW83977 T FIT8870F-AW83627HF-AW8712FW83627HFLM2637MW83627SF-AWLPC47M102W83627F-AWIT8707W83627SF47M172W83627GF-AW47M102SW83627THF47M192W83877FFP5093MTCIT8712F-ALM2637MIT8712FIT8671W83637HFIT8702FW83697HFIT8703PC87366IBWIT8705FPC87372IBWW83877TFW83637HF8711f-A常用主板电源管理芯片RT9224 RT9238RT9231 L6916DRT9231A RT9237RT9241A RT9241BRT9221 RT9223RT9602 RT92285098 RT9227ART9222 RT9231HIP6021CB HIP6020HIP6016 HIP6017HIP6018 HIP6019HIP6018BCB ISL6524CBHIP6004 HIP6602HIP6521 HIP6301CBHIP6303CS HIP6601HIP6501 KA7500BSC1164 SC1189SC1185 5051SC1402ISS 93C46直5322 5053SC1185ACSW HIP6303LM2638 LM2637ST75185C LM2637MSC1155 ISL6524ISL6556BCB CS5301ICE2AS01 HIP6620BABRT9602 HIP6302MS-5 MS-7L6917BD ISL6556BCBIRU3013 IRU30555090MTC 5093MTC常用主板场效管,快恢复二极管,特殊电源IC,晶振3055(252封装小的) 55N03(263封装大的)55N03(252封装小的) 6030(263封装大的)6030(252封装小的) 7030(263封装大的)70N03(252封装小的) K3296(263封装大的)1084(263封装大的) 1117(252封装小的)75N03(263封装大的) 15N03(252封装小的)15N03(263封装大的) 45N03(263封装大的)45N03(252封装小的) 50N03(252封装小的)9916H(252封装小的) 10N03(252封装小的)20N03(252封装小的) RF3704S(252封装小的)85N03(263封装大的) 603AL(263封装大的)70T03H(252封装小的) 9916H(252封装小的)9915H(252封装小的) LD1010D(252封装小的)P75N02LD(252封装小的) APL1084(252封装小的) LM324 80N03(252封装小的)AME1085AMCT(252封装小的) B1202(252封装小的) B1802(252封装小的) 603AL(252封装小的)2545大(快恢复二极管) 4500M贴片场效应管晶振14.318和晶振32.768 晶振32.768 和24.57LM 常用主板门控I C74HC74D74HC1474HC0674HC32D74HC0774HC13274HC0874HC708DDM7407M74HC74A74067607主板BIOS 芯片M50FW040 A290021TL-70 PM49FL004T PM49FL002T 49V002FP 29C04049LF002A N28F00149LF004A PM39F01029F040 39VF040W39V040 49LF003A。
电源IC的代换资料DAP8A\DAP7A\LD7575\203D6\203X6\200D6可以直接代换,203d6是16v工作电压,而7575是30v ,代用要改启动电阻,可以用1200AP40直接代用MOB2268,OB2269,DAP02,SG6841,SG5841DAP02\SG5841\2G6841可以直接代换1200AP40\1200AP60\1203P60\1203AP10可以直接代换DM0465\CM0565\DM0565代换{要改电路}TOP246Y\TOP247Y可以直接代换。
大家来整理一个液晶电源的电源管理芯片集吧"格式如下好了"液晶品牌与型号电源管理芯片型号与封装可代换型号BENQ 71G+ 1200AP40 直插1200AP10 1200AP60YAOC 712SI EA1532A贴片三星型号忘记DM0565R'优派型号忘记TOP245YN2LG型号忘记FAN7601飞利浦170s6 dap02alsz 贴片LG型号忘记FAN7601 可以用LAF0001代飞利浦170s6 dap02alsz=sg6841美格WB9D7575PS清华同方XP911WD7575PS联想LXM -WL19AH LXM-WL19BH D7575PS(早期有的用:NCP1203D6联想LXM-17CH:1203D62方正17寸:1203D6与LD7575PS方正19寸:LD7575PSBenQ: FP94VW FP73G FP71G+S FP71G+G FP71GX等都是用:1200AP40LG 22(南京同创):LAF001与STR W6252 。
LG 19寸:LAF001联想L193(福建-捷联代工):NCP1203D6PHILIPS 170S5FAN7601)PHILIPS 15寸(老产品):(FAN7601)LG型号忘记FAN7601 可以用LAF0001代其他我知道的常用型号有SG6841DZ 贴片很多机器上用到ZSG5841SZ 贴片用SG6841DZ可以代用,DAP8A 与203D6可代用还有LD7575可用203D6代用,只是1脚的对地电阻不同,LD7575是100K,203D6是24.1K,LP7552可用SG6841代用i203D6 NCP1203D60R2 NCP1203D60R2G和DAP8A 直接代换rDAP02ALSZ与SG6841S可以互换U1200AP40和1200AP60直接代换5S0765和DP104、DP704直接代换DP804和DP904直接代换Q2S0680和2S0880直接代换TEA1507和TEA1533直接代换LD7535兼容SG6848 (6849) / SG5701 / SG5848 /LD7535 (7550) / OB2262 (2263) / OB2278(2279)RS2051)LD7575和NCP1203、NCP1200 OB2268 SG5841 LD7552 OB2269 OB2268 RS2042.CR6853兼容OB2263,UCR6201兼容THX201,TFC718;CR6203兼容THX203,TFC718SCR6848兼容SG6848/6849/5701/5848,OB2262/2263,LD7550/7535.CR6842兼容SG6841/6842,OB2268/2269/2278/2279,LD7552CR6860兼容ACT30,CR6853兼容OB2263,CR6201兼容THX201,TFC718;CR6202兼容THX202,TFC719;CR6203兼容THX203,TFC718S.CR6848兼容SG6848/6849/5701/5848,OB2262/2263,LD7550/7535.CR6850(兼容SG6848/6849/5701/5848,OB2262/2263,LD7550/7535.CR6851(兼容SG6848/6849/5701/5848,OB2262/2263,LD7550/7535.CR6842(兼容SG6841/6842,OB2268/2269/2278/2279,LD7552.。
概述:HT4921是一款集成度很高的单节移动电源管理芯片,它集成了充电管理模块、LED 指示模块、升压放电管理模块,完全取代目前市场上的充电管理IC+MCU+升压IC 方案。
系统功能特点:◆ 高度集成,极少的外围元器件;◆ 线性充电模式,内置1A MOSFET ,支持对0V 电池充电,涓流/恒流/恒压三段式充电。
◆ 充电电流外部可调。
◆ 内置充电电流会随温度升高而降低,130度开始下降,最低可降至0。
◆ 放电时防倒灌保护。
◆ 支持单灯模式和双灯模式; ◆ 4KV ESD◆ 固定开关频率1MHZ ◆ 电池过充、过放保护◆ 负载插入自动升压,负载移除自动休眠HT492 1移动电源管理方案脚位图及说明:应用电路图典型参数(除特殊说明外,所有参数均在室温下测得,并以GND端电位为0电位)功能模块:功能及参数:◆充电管理模块:1、内置基准源2、最大充电电流可达1A,Ich=Vprog/Rprog*12003、电池电压低于2.8V具有预充电功能(电流=Ich*10%)4、支持对0V电池充电5、三段式充电: 涓流、大电流、恒压充电,保证电池可以充满6、充电电流随温度的升高而降低, 130℃的时候开始降低;◆充放电指示灯1、充放电指示灯支持单灯或双灯模式;2、单灯模式下:充电时L2以1Hz闪烁,充满后L2亮;升压时插上手机常亮,拔掉手机灭掉。
3、双灯模式下:充电时以L1,L2以1Hz交替闪烁,充满后L1灭,L2亮;升压时插上手机L2常亮,拔掉手机L2灭掉。
◆升压模块:1、输出电压固定5.1V2、输出过流后开始降电压,过流点随电压电池降低而降低,最大过流点为1A(电池4.2V时);3、输出电压大于6V后进行过压保护,当输出电压下降到5.5V后,自动恢复4、开关频率1MHz5、高达90%的转换效率6、当输出没有负载时自动进入待机模式◆过温保护功能(150 ℃保护,130 ℃解除保护)Package InformatioESOP8。
LN9T11LN9T39LN9T36LN9T33⼒⽣美电源管理芯⽚LN9T11/LN9T39/LN9T36/LN9T33描述:LN9T11 是⾼性能、⾼集成度电流模式PWM 控制器,可以⽅便地在应⽤中构建满⾜CoC V5 及Do2016 等6 级能效的低待机功耗、低成本、⾼性能的解决⽅案。
PWM开关频率由芯⽚内部设定并具有全温度补偿,其最⼤值被设定在65kHz. 在空载或轻载条件下,IC可⼯作在智能断续模式以减少开关损失,因此可以达到很好的转换效率同时⼜具有较⼩的待机功耗。
很低的VDD 启动电流与⼯作电流可以使LN9T11拥有⾮常⾼的可靠性和使⽤寿命,⼀个较⼤阻值的电阻即可⽤来完成电路的启动⼯作,这也减少了启动电阻的损失,进⼀步降低了系统待机功耗。
内置的电流斜坡补偿功能则极⼤地优化了电路在较⼤的PWM 占空⽐时的可靠性LN9T33 是⼀款⾼性能、⾼集成度电流模式PWM控制器功率开关,可以⽅便地在应⽤中构建满⾜CoC V5 及DoE 6 级能效的低待机功耗、低成本、⾼性能的解决⽅案。
PWM开关频率由芯⽚内部设定并具有全温度补偿,其最⼤值被设定在65kHz. 在空载或轻载条件下,IC 可⼯作在智能断续模式以减少开关损失,因此可以达到很好的转换效率同时⼜具有较⼩的待机功耗。
很低的VDD 启动电流与⼯作电流可以使LN9T33 拥有⾮常⾼的可靠性和使⽤寿命,⼀个较⼤阻值的电阻即可⽤来完成电路的启动⼯作,这也减少了启动电阻的损失,进⼀步降低了系统待机功耗。
内置的电流斜坡补偿功能则极⼤地优化了电路在较⼤的PWM占空⽐时的可靠性,避免了可能出现的次谐波振荡现象。
内置的前沿消隐电路避免了电感开启电流尖峰对电流采样的⼲扰以及缓冲⼆极管反向恢复电流的影响LN9T39 是⼀款⾼性能、⾼集成度电流模式PWM控制器功率开关,可以⽅便地在应⽤中构建满⾜CoC V5 及DoE 6 级能效的低待机功耗、低成本、⾼性能的解决⽅案。
一、概要:HT4901是一款集成了充电管理模块、电量检测及LED指示模块、升压放电管理模块,完全取代目前市场上的充电管理IC+MCU+升压IC方案。
二、脚位图及说明图1 HT4901脚位图三、典型应用电路:图2.内置MOSFET应用图图3.外扩MOSFET应用图图4.外扩MOSFET应用图四、功能介绍:◆充电当USB_IN接入5V电源时,HT4901进入充电状态,此时升压输出关闭,指示灯L1~L4做浪涌式充电指示(详细显示模式请参考规格书),使用内置MOSFET充电时最大充电流为500mA,可参考图2应用原理进行设计,如需要更大的充电电流可按照图3将管脚2处的充电外扩电路连上,Q1按照所需的电流进行选用不同的三极管,并调整R1阻值达到所需要的充电电流值。
◆升压输出在待机状态时,短按按键S1(时间>50mS),当7脚KEY检测到输入低电平脉冲信号时从待机状态唤醒,同时启动升压输出;此输出电压值可通过公式Vout=1.25V×(R3/R4+1)进行调整R3、R4的电阻值得到所需的电压,在电池电压欠压(3.3V)或进入限流/短路保护时关闭升压输出,进入待机模式。
升压电路内部集成了MOSFET,根据所接外部设备的不同时放电电流为300~500mA,如需更大的放电电流可按照图3在U2位置选用不同规格的N沟道MOSFET,这样便可以满足iphone、ipad等设备充电需要;另外在对iphone、ipad设备进行充电时还应该满足USB接口的D-、D+信号线的电压要求,可设(D-)=2.0V, (D+)=2.7V。
◆电量检测当7脚(KEY)检测到输入低电平脉冲信号时,对内置电池电量检测;并通过L1~L4对电量显示,电量显示3~5S 后关闭; ◆ LED 手电照明只要在0.5S 内连续按按键S1两下,打开LED 手电照明功能;同样再连续按S1按键两下即可关闭LED 手电照明。
◆ 待机模式:1、 长按按键S1(大于3S )进入待机模式2、 智能检测没有充电输入、没有放电输出(<100mA )、没有打开LED 手电3分钟内进入待机模式3、 待机功耗可控制在30uA 内在待机时HT4901通过第10脚(STB)控制U2处的N 沟道MOSFET 将升压输出回路完全断开,此MOSFET 的选型也要根据所需的放电电流进行选择。
产品特点1,可达500MA 充电电流,SOT23-5,单LED 指示灯,5V 输入线性降压,PW40542,可达1000MA 充电电流,SOP8-EP ,双LED 指示灯,5V 输入线性降压,PW40563,可达600MA 充电电流,SOT23-5,单LED 指示灯,5V 输入线性降压,输入输出短路保护4,可达2.50A 充电电流,SOP8-EP ,双LED 指示灯,5V 输入开关降压,PW40525,可达3.0A 充电电流,SOP8-EP ,双LED 指示灯,5V 输入开关降压,PW40356,可达2.0A 充电电流,SOP8-EP ,单LED 指示灯,5-20V 输入开关降压,PW42037,LDO 稳压芯片(2V-80V ),DC-DC 降压芯片,DC-DC 升压芯片选型表PW4054是一款性能优异的单节锂离子电池恒流/恒压线性充电器。
PW4054适合给USB 电源以及适配器电源供电。
基于特殊的内部MOSFET 架构以及防倒充电路,PW4054不需要外接检测电阻和隔离二极管。
当外部环境温度过高或者在大功率应用时,热反馈可以调节充电电流以降低芯片温度。
充电电压固定在 4.2V ,而充电电流则可以通过一个电阻器进行外部设置。
当充电电流在达到M A X 终浮充电压之后降至设定值的1/10,芯片将终止充电循环。
当输入电压断开时,PW4054进入睡眠状态,电池漏电流将降到1uA 以下。
PW4054还可以被设置于停机模式,此时芯片静态电流降至25uA 。
PW4054还包括其他特性:欠压锁定,自动再充电和充电状态标志⚫可编程充电电流500mA ⚫无需外接MOSFET ,检测电阻以及隔离二极管⚫恒定电流/恒定电压并具有可在无过热危险的情况下实现充电速率M A X 大化的热调节功能。
⚫精度达到±1%的4.2V 预充电电压⚫用于电池电量检测的充电电流监控器输出⚫自动再充电⚫充电状态输出显示⚫C/10充电终止⚫待机模式下的静态电流为25uA ⚫ 2.9V 涓流充电⚫软启动限制浪涌电流PW4065 是一款完整的单节锂电池充电器,带电池正负极反接保护、 输入电源正负极反接保 护的芯片,兼容大小 3mA-600mA 充电电流。
FM01BTS/FM01BTD文件编号:S&CIC1270)充电器驱动IC功能描述FM01BTS/FM01BTD (文件编号:S&CIC1270) 充电器驱动IC电气参数VDD=5V , Vout=5V Ta=25℃, 除非另有说明。
参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值单位开启电压 VDDon VDD 上升从0开始 5 5.8 -- V 关闭电压 VDDoff 开关打开之后VDD 下降2.5 2.8 -- V 工作电流 IDD 正常工作 -- 1 3 mA 启动电流 IDDst开关打开之前-- 30 50 uA效率 η -- -- 78 -- %前沿消隐时间 -- -- -- 600 -- ns 过温关断点-- -- -- 145 --℃性能介绍参数归纳项目规范 测试输入特性AC 输入电压范围AC 180V~264V AC 180V~264V待机功耗<0.3W 0.22W输出特性DC 输出电压 -- DC 5V~5.5V输出电流典型值(可调)-- 500mA~1A开启延迟时间<1S 0.5S保护开路保护 -- Pass短路保护-- PassFM01BTS/FM01BTDFM01BTS/FM01BTDFM01BTS/FM01BTD(文件编号:S&CIC1270)充电器驱动ICBOM表成品物料:序号名称规格用量备注1 PCB 30×53mm 1.2mm HB纸板 1 --R112 碳膜电阻 1.5M±5% 1/4WR213 碳膜电阻100K±5% 1/4WR3a、R3b24 碳膜电阻 4.7R±1% 1/4WR65 碳膜电阻510R±5% 1/4W1FR6 碳膜电阻10R±5% 1/2W1C17 电解电容 4.7uF/450V±20% 8×12 1C28 插件电容 4.7NF/250V CAP-41C39 电解电容10uF/50V±20% 4×7 110 电解电容10V 1000uF 5×11 1 C4D111 二极管FR107 DO-411D3112 二极管FR107 DO-41D7113 二极管SS34 SMA14 发光二极管∮3mm白发红普亮、短脚 1 LED115 变压器 EE13W卧式(FM01BTS) 1 T116 AC电子线Φ1.5×40mm 黑 2 AC1、AC2变压器规格结构图:骨架类型PIN数目针距排距备注EE13卧式、TDK PC40 4+4 2.5mm 12.1mm 卧式FM01BTS/FM01BTDFM01BTS/FM01BTD(文件编号:S&CIC1270)充电器驱动IC 应用板重要波形:VIN-AC=265V,Iout=1A时,三极管C脚波形如下:(VCE=540V,F=41KHZ)VIN-AC=220V,Iout=1A时,CS脚波形如下:(VCS=800mV,F=43KHZ)FM01BTS/FM01BTD(文件编号:S&CIC1270)充电器驱动ICVIN-AC=220V,Iout=0时,VCC(CH1)、CS(CH2)、C(CH4)波形如下:(VCC=5.2V,VCS=800mA,F=720HZ&2KHZ)VIN-AC=220V,Iout=1A时,VCC(CH1)、CS(CH2)、C(CH4)波形如下:(VCC=5.6V,VCS=800mA,F=41KHZ)FM01BTS/FM01BTD(文件编号:S&CIC1270)充电器驱动IC成品测试技术规范:1、适用范围:以下成品测试技术规范适用于本公司设计生产的FM01BTS、FM01BTD手机直充充电器。
TW4901
移动电源管理IC
概述:
TW4901是一款集成线性大电流充电及大电流BOOST升压控制器的移动电源管理专用芯片,内置过充过放、短路及温度保护电路。
4档电量显示。
针对大容量单芯或多芯并联锂电池(锂离子或锂聚合物)的移动电源应用,提供简单易用的解决方案,完全取代目前市场上的充电管理IC+MCU+升压IC方案。
功能特点:
2.1线性充电功能
1、线性恒流恒压充电,使用内置MOSFET充电电流高达800mA(典型值),外扩三极管充电电流可达到2A以上
2、过温保护
3、过充保护,充电电压高精度,误差小于1%
4、充电饱和电压4.25
5、输入电压:3.0-6V
2.2升压控制器
1、Boost异步升压控制电路,外置MOS开关管及Schottky Diode
2、输出电压:5.15V
3、输出电压精度:+-3%
4、最大输出电流:2A
5、转换效率:MAX:92%
6、输出负载检测、限流保护和短路保护
7、过温保护
8、电池过放保护,检测电池电压3.0V以下自动关闭BOOST输出
2.3系统管理
1、按键开关机控制,短按(500ms)开关机,长按按键(大于3.5S)进入待机模式
2、接上适配器自动开机充电
3、输出电流监测,输出无负载检测,3分内进入待机模式待机
4、手电筒LED开关控制,在0.5S内连续按按键2下,打开或关闭LED手电照明功能
5、充电状态指示
6、4档电池电量显示
TW4901
移动电源管理IC 脚位图及说明:
图1
序号名称描述
1LED白光LED驱动
2IBASE充电外扩控制脚
3LED1电池电量指示LED1
4LED2电池电量指示LED2
5LED3电池电量指示LED3
6LED4电池电量指示LED4
7KEY功能按键
8NC悬空脚
9GND电源地
10STB外部待机开关使能信号
11FB电压反馈脚
12NGATE开关管栅驱动
13VDD电源正极
14BAT+充电输出,接电池正极
15VDD电源正极
16ISENSE电感电流采样脚
TW4901
移动电源管理IC 应用电路图
图2.内置MOSFET充电应用图
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移动电源管理IC
图3.外扩三极管充电应用图
注意事项(以图3为例):
参数选择:
1.升压输出电压Vout由电阻R3和R4按以下公式设定:Vout=(1+R3/R4)X1.25V
2、为了保证高的升压效率,选取MOS管Rdson尽量小,肖特基二极管的导通压降尽量低。
3.为了提高系统的稳定性,可在FB端与Vout之间接一电容,该电容的经验取值是:当上述电阻为MQ级时,取值约100pF;当上述电阻取值为几十至几百KQ时,取值在10nF~0.1uF之间。
版图布局考虑:
1高精度采样:
采样电阻和滤波电容,必须靠近IC。
2大电流回路:
大电流回路布线要尽量宽和短,布线面积要尽量小。
高频开关通路不能过通孔。
3地线:
大电流回路的地以及控制IC的地线要采用星型接法。
而且采样电阻的地要尽量宽和短。
避免大电流,开关信号对采样电压的干扰。
4其它:
电感下面不要走信号线。
IC地的面积要足够大,板子要覆铜,使得控制IC散热良好。
典型参数
参数名称参数符号测试条件最小
值
典型
值
最大
值
单
位
待机电流Isb2050Ua
CHARG
参数名称参数符号测试条件最小
值
典型
值
最大
值
单
位
输入电压Vcc–25 6.5V 空载电压Vo VDD=5V 4.25 4.3 4.35V 饱和电压Vs VDD=5V 4.2 4.25 4.3V 预充电电压Vb VDD=5V 2.8V
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充电电流
涓流VDD=5V,|VBTP-VBTN|=2V30mA I CHARGE VDD=5V,|VBTP-VBTN|=3.6V—800—mA
静电保护ESD人体模型4000V EXT_CH驱动电
流
I EXT CH–25mA 过温保护OTP–150℃过温回滞OTR–20℃LED电流I L1-4–8mA LED手电I LED–60mA 充电检测1L1VDD=5V 3.41V 放电检测1L1– 3.31V 充电检测2L2VDD=5V 3.79V 放电检测2L2– 3.57V 充电检测3L3VDD=5V 4.02V 放电检测3L3– 3.67V 充电检测4L4VDD=5V 4.24 4.26 4.27V 放电检测4L4– 3.994 4.01V
BOOST
参数名称参数符号测试条件最小
值
典型
值
最大
值
单
位
输入电压VCC–— 4.2—V 启动电压VST–1 1.5V 关断电流IOFF–10mA 反馈电压VREF– 1.28 1.31 1.32V 开关频率FOSC–400480600KHz LX OnRes–0.3 1.1ohm Max Duty DMAX–8595% OCP ILIMIT–1 1.62A EXT驱动电流I EXT–100mA 过温保护OTP–150℃过温回滞OTR–20℃
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功能及参数:
充电
当USBJN接入5V电源时,HT4901进入充电状态,此时升压输出关闭。
LED指示灯状态如下表:工作模式内置电池状态L1L2L3L4
放电模式
BAT<3.3V闪5s待机灭灭灭3.3<BAT<3.6V亮灭灭灭3.6<BAT<3.75V亮亮灭灭
3.75<BAT<
4.05V亮亮亮灭
4.05<BAT亮亮亮亮
充电模式
BAT<3.4V浪涌浪涌浪涌浪涌3.4<BAT<3.8V亮浪涌浪涌浪涌
3.8<BAT<
4.0V亮亮浪涌浪涌
4.0<BAT<4.25V亮亮亮浪涌
4.25<BAT亮亮亮亮
待机模式-灭灭灭灭注:以上BAT值为典型值
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移动电源管理IC 封装信息
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