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第一章 半导体器件1-1 当T=300K 时，锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和pA 。
如将此两个二极管串联起来，有1μA 的正向电流流过，试问它们的结电压各为多少？ 解：二极管正偏时，TD U U S eI I ≈ ， ST D I I lnU U ≈ 对于硅管：mV 6.179A1mA1ln mV 26U D =μ≈ 对于锗管：mV 8.556pA5.0mA1ln mV 26U D =≈1-2 室温27C 时，某硅二极管的反向饱和电流I S =。
（1）当二极管正偏压为时，二极管的正向电流为多少？（2）当温度升至67C 或降至10C -时，分别计算二极管的反向饱和电流。
此时，如保持（1）中的正向电流不变，则二极管的正偏压应为多少？ 解：（1）mA 2.7e 101.0eI I mA26mA 65012U U S TD =⨯⨯=≈-（2）当温度每上升10℃时，S I 增加1倍，则pA107.72101.02)27(I )10(I pA6.12101.02)27(I )67(I 37.312102710SS 412102767S S -------⨯=⨯⨯=⨯=-=⨯⨯=⨯=T=300k(即27℃)，30026q K mA 26300qKq KT )27(U T ==⨯==即则67℃时，mA7.716pA 107.7mA2.7ln 8.22U ,C 10mA7.655pA6.1mA 2.7ln 5.29U ,C 67mV8.2226330026)10(U mV 5.2934030026)67(U 3D D T T =⨯=-===⨯=-=⨯=-时时1-3 二极管电路如图P1-3（a ）所示，二极管伏安特性如图P1-3（b ）所示。
已知电源电压为6V ，二极管压降为伏。
试求： （1）流过二极管的直流电流；（2）二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 。
解：（1）mA 53100V7.06I D =Ω-=（2）Ω===Ω==49.0mA 53mA 26I mA 26r 2.13mA53V7.0R D D D1-4 当T=300K 时，硅二极管的正向电压为，正向电流为1mA ，试计算正向电压加至时正向电流为多少？ 解：mA26mA 800SmA26mA 700SU U S e II e I 1mA eI I TD ⨯=⨯=≈则 mA 35.1e I TU 100=≈1-5 双极型晶体管可以等效为二只背靠背的二极管，如图P1-5所示。
（华北电⼒⼤学主编）模拟电⼦技术基础习题答案模拟电⼦技术基础习题答案电⼦技术课程组2018.8.15⽬录第1章习题及答案 (1)第2章习题及答案 (14)第3章习题及答案 (36)第4章习题及答案 (45)第5章习题及答案 (55)第6章习题及答案 (70)第7章习题及答案 (86)第8章习题及答案 (104)第9章习题及答案 (117)第10章习题及答案 (133)模拟电⼦技术试卷1 (146)模拟电⼦技术试卷2 (152)模拟电⼦技术试卷3 (158)第1章习题及答案1.1选择合适答案填⼊空内。
（1）在本征半导体中加⼊元素可形成N型半导体，加⼊元素可形成P型半导体。
A. 五价B. 四价C. 三价（2）PN结加正向电压时，空间电荷区将。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽（3）当温度升⾼时，⼆极管的反向饱和电流将。
A. 增⼤B. 不变C. 减⼩（4）稳压管的稳压区是其⼯作在。
A. 正向导通B.反向截⽌C.反向击穿解：（1）A、C （2）A （3）A （4）C1.2.1写出图P1.2.1所⽰各电路的输出电压值，设⼆极管是理想的。
（1）（2）（3）图P1.2.1解：（1）⼆极管导通U O1=2V （2）⼆极管截⽌U O2=2V （3）⼆极管导通U O3=2V1.2.2写出图P1.2.2所⽰各电路的输出电压值，设⼆极管导通电压U D＝0.7V。
（1）（2）（3）图P1.2.2解：（1）⼆极管截⽌U O1=0V （2）⼆极管导通U O2=-1.3V （3）⼆极管截⽌U O3=-2V1.3.1电路如P1.3.1图所⽰，设⼆极管采⽤恒压降模型且正向压降为0.7V，试判断下图中各⼆极管是否导通，并求出电路的输出电压U o。
图P1.3.1解：⼆极管D1截⽌，D2导通，U O=-2.3V1.3.2电路如图P1.3.2所⽰，已知u i＝10sinωt(v)，试画出u i与u O的波形。
设⼆极管正向导通电压可忽略不计。
3VO-9.3V8.5V第三章双极型晶体管及其基本放大电路【3・1】填空：1. 双极型晶体管可以分成 _____________ 和 ________________两种类型，它们工作 时有 _________ 和 ________ 两种载流子参与导电。
2. 当温度升高时，双极性晶体管的0将 _______ ,反向饱和电流©0将 _________ ， 正I 对结圧降S JE 将 ______ °3. 当使用万用表判断电路中处于放大状态的某个双极型晶体管的类型与三个电极时, 测出 ____________________ 报为方便。
4. 当温度升高时，晶体管的共射输入特性曲线将 _______________ ,输岀特性曲线 将 ___________ ,而且输岀特性|11|线Z 间的间隔将_____________ 。
[3-2]用力•用表肓流电斥档测得电路屮晶体管各极对地电位如图3・2所示，试判断晶体管分别处于哪种T 作状态（饱和、截止、放大）?图3-2[3-3]分别画岀图3・3所不备电路的肯流通路和交流通路。
I2.3V+6V（(b )a 3-3R B 490kQo-K cc(-10V) R C3kO<11K■o+ "BEa 3-5”CE %3kQ【34】放大电路如图3・4(a)所示，晶体管的输出特性Illi线以及放大电路的交、直流负载线如图34(b)所示。
设U BE=0.6V,张=3000，试问：1.计算心、瓦、他。
2・若不断加大输入正弦波电压的幅值，该电路先出现截止失真还是饱和失真？刚出现失真时，输出电压的峰峰值为多大？3.计算放大电路的输入电阻、电压放大倍数久和输出电阻。
4.若电路中其他参数不变，只将晶体管换一个0值小一半的管子，这时厶。
、心、Ug以及|血|将如何变化？【3・5】在如图3・5所示的基木放大电路中，设晶体管的/?=100, t7BE Q=-0.2V, r bb-200Q, Ci，C2足够大。
一、填空1.杂质半导体分为N型和P型两种类型。
2.在下述电路中，能使二极管导通的电路是a。
3.在电路管、Ve=0.6V、Vc=5V，则该三极管处于放大工作状态。
4.衡量双极型三极管放大能力的参数是β，衡量其温度稳定性的参数是__I CBO ___。
5.N沟道J型FET工作在恒流区的条件是_u ds＞U GS（OFF）__，它的截止条件为__ u Gs≤U GS（OFF）__。
6.在基本OCL功放电路中，设电源电压为±15V，负载电阻R L=8Ω，则理想情况最大输出功率为_ 14.06 _ W，理想效率为78.5%_。
7.在集成电路中广泛采用的恒流源电路，在实际电路中，经常作为偏置电路和有源负载广泛使用。
8.通用型集成运放的输入级一般采用_差分放大电路_电路，其主要目的是抑制0点漂移。
９.为了稳定放大电路的静态工作点，可以引入直流负反馈_，为了稳定放大倍数应引人__交流负反馈_。
10.正弦波振荡电路就是一个没有输入信号的带选频网络的正反馈放大电路。
要使正弦波振荡电路产生持续振荡,必须满足的振幅平衡条件是_∣AF∣=1_，相位平衡条件是_ΦA+ΦF =0_。
11.在放大电路的设计中，主要引入_负__反馈以改善放大电路的性能。
此外，利用这种反馈，还可增加增益的恒定性，减少非线性失真，抑制噪声，扩展频带以及控制输入和输出阻抗，所有这些性能的改善是以牺牲_放大倍数__为代价的。
11.Ｎ型半导体是在单晶硅中掺入五价的微量元素而形成的，多数载流子是自由电子，少数载流子是空穴。
12.半导体PN结具有单相导电性特性。
13.在常温下，硅二极管的开启电压约为0.5 V，锗二极管的开启电压约为0.1 V，14.晶体三极管基本放大电路有共射极、共集电极和共基极三种组态。
15.在差动式放大电路中，差模输入信号等于两个输人端信号的_之差_；共模输入信号等于两个输入信号的__和的一半_。
16.设计一个负反馈放大电路，若要稳定输出电压，应引入电压负反馈；若要稳定输出电流，应引入电流负反馈；若要增加输入电阻，应引入串联负反馈。
项目一习题参考答案1. PN结正向偏置时是指P区接电源的正极，N区接电源的负极。
2. 在常温下，硅二极管的死区电压约为0.5V，导通后正向压降约为0.6～0.8V ；锗二极管的死区电压约为0.1V，导通后正向压降约为0.2～0.3V。
3. 三极管按结构分为NPN型和PNP型；按材料分为硅管和锗管。
三极管是电流控制型器件，控制能力的大小可用 表示，它要实现信号放大作用，需发射结正偏，集电结反偏。
4. 场效应管是电压控制型器件，控制能力的大小可用g m表示，它的主要特点是输入电阻很大。
5. 能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？解：不能，因为二极管正向电阻很小，若将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端会使得电路中的电流很大，相当于干电池正、负极短路。
6. 分析图1.52所示电路中各二极管是导通还是截止，并求出A、B两端的电压U AB(设VD为理想二极管，即二极管导通时其两端电压为零，反向截止时电流为零)。
图1.52 题6图解：（a）VD导通，U AB=-6V。
（b）VD截止，U AB=-12 V。
（c）VD1导通，VD2截止，U AB=0 V。
（d）VD1截止，VD2导通，U AB=-15 V。
7. 在图1.53所示电路中，设VD为理想二极管，u i =6sinω t (V)，试画出u O的波形。
图1.53 题7图解：（a）（b）8. 电路如图1.54所示，已知u i=5sinΩ t(V)，二极管导通电压为0.7V。
试画出u i与的波形。
解：u i>3.7V时，VD1导通，VD2截止，u o=3.7V；3.7V>u i>-4.4V时，VD1截止，VD2截止，u o= u i；u i<-4.4V时，VD1截止，VD导通，u o=-4.4 V。
9. 测得电路中几个三极管的各极对地电压如图1.55所示，试判别各三极管的工作状态。
图1.54 题8图图1.55 题9图解：（a）三极管已损坏，发射结开路（b）放大状态（c）饱和状态（d）三极管已损坏，发射结开路10. 测得放大电路中六只晶体管的电位如图1.56所示。
第一章：基本放大电路习题1-1 填空：1．本征半导体是，其载流子是和。
载流子的浓度。
2．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于，而少数载流子的浓度则与有很大关系。
3．漂移电流是在作用下形成的。
4．二极管的最主要特征是，它的两个主要参数是和。
5．稳压管是利用了二极管的特征，而制造的特殊二极管。
它工作在。
描述稳压管的主要参数有四种，它们分别是、、、和。
6．某稳压管具有正的电压温度系数，那么当温度升高时，稳压管的稳压值将。
7．双极型晶体管可以分成和两种类型，它们工作时有和两种载流子参与导电。
8．场效应管从结构上分成和两种类型，它的导电过程仅仅取决于载流子的流动；因而它又称做器件。
9．场效应管属于控制型器件，而双极型半导体三极管则可以认为是控制型器件。
10．当温度升高时，双极性三极管的β将，反向饱和电流I CEO正向结压降U BE。
11．用万用表判别放大电路中处于正常放大工作的某个晶体管的类型与三个电极时，测出最为方便。
12．三极管工作有三个区域，在放大区时，偏置为和；饱和区，偏置为和；截止区，偏置为和。
13．温度升高时，晶体管的共设输入特性曲线将，输出特性曲线将，而且输出特性曲线之间的间隔将。
1-2 设硅稳压管D z1和D z2的稳定电压分别为5V和10V，求图1-2中各电路的输出电压U0，已知稳压管的正向压降为0.7V。
D Z1D Z225VU O1k Ω( )b D Z1D Z225VU O1k Ω( )c ( )d ( )a D Z1D Z225VU O 1k ΩD Z1D Z225VU O1k Ω图1-21-3 分别画出图1-3所示电路的直流通路与交流通路。
( )a ( )b( )c图1-31-5 放大电路如图1-5所示，试选择以下三种情形之一填空。
a ：增大、b ：减小、c ：不变（包括基本不变） 1．要使静态工作电流I c 减小，则R b2应 。
2．R b2在适当范围内增大，则电压放大倍数 ，输入电阻 ，输出电阻 。
专业姓名学号成绩1-1、写出如下图各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。
1-2、在单相桥式整流电路中，输出电压平均值U O〔AV〕＝15V，负载电流平均值I L〔AV〕＝100mA。
〔1〕变压器副边电压有效值U2≈？〔2〕设电网电压波动范围为±10％。
在选择二极管的参数时，其最大整流平均电流I F和最高反向电压U R的下限值约为多少？1-3、电路如下图，变压器副边电压有效值为2U2。
〔1〕画出u2、u D1和u O的波形；〔2〕求出输出电压平均值U O〔AV〕和输出电流平均值I L〔AV〕的表达式；〔3〕二极管的平均电流I D〔AV〕和所承受的最大反向电压U R ma x的表达式。
1-4、电路如下图，变压器副边电压有效值U21＝50V，U22＝20V。
试问：〔1〕输出电压平均值U O1〔AV〕和U O2〔AV〕各为多少？〔2〕各二极管承受的最大反向电压为多少？1-5、试在如下图电路中，标出各电容两端电压的极性和数值，并分析负载电阻上能够获得几倍压的输出。
1-6、稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Zmin＝5mA。
求图所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
专业姓名学号成绩1-7、图所示电路中稳压管的稳定电压U Z＝6V，最小稳定电流I Zmin＝5mA，最大稳定电流I Zmax ＝25mA。
〔1〕分别计算U I为10V、15V、35V三种情况下输出电压U O的值；〔2〕假设U I＝35V时负载开路，那么会出现什么现象?为什么？1-8、电路如下图。
〔1〕分别标出u O1和u O2对地的极性；〔2〕u O1、u O2分别是半波整流还是全波整流？〔3〕当U21＝U22＝20V时，U O1〔AV〕和U O2〔AV〕各为多少？〔4〕当U21＝18V，U22＝22V时，画出u O1、u O2的波形；并求出U O1〔AV〕和U O2〔AV〕各为多少？1-9、电路如下图，稳压管的稳定电压为6V，最小稳定电流为5mA，允许耗散功率为240mW，动态电阻小于15Ω。
电子练习册习题册~018E6(总27页)--本页仅作为文档封面，使用时请直接删除即可----内页可以根据需求调整合适字体及大小--第一部分模拟电子技术与技能第1章二极管及其应用二极管一、判断题1.硅和锗是制作半导体器件的主要材料。
（）2.二极管的型号基本能反映其所用半导体材料、性能、类别及质量。
（）3.二极管具有单向导电特性。
（）4.1N4000系列整流二极管封装上印有粗环线的一侧为二极管的负极。
（）5.漏电流越大，说明二极管的单向导电性越差。
（）6.发光二极管在使用时必须正向偏置，此外还应并接限流电阻。
（）7.发光二极管的发光颜色是由外壳颜色决定的。
（）8.发光二极管是一种将电信号转变为光信号的二极管。
（）9.光敏电阻在使用时要注意正负极性。
（）10.整流二极管和硅稳压二极管一样，都能工作在反向击穿区。
（）11.光电二极管必须加反向电压才能正常工作。
（）12.变容二极管的结电容大小与外加反向偏压有关。
（）二、填空题1.利用半导体的_________制成杂质半导体；利用半导体的________制成光敏电阻；利用半导体的________制成热敏电阻。
2.P型半导体是在纯硅或纯锗中掺入_________后形成的杂质半导体，N型半导体是在纯硅或纯锗中掺入_________后形成的杂质半导体。
3.在P型半导体中，多数载流子是______，在N型半导体中，多数载流子是_____。
4.二极管的核心部分是一个________,具有__________特性。
5.当在路测量二极管的正向压降为时，可以确定该管为_____二极管；当在路测量二极管的正向压降为时，可以确定该管为______二极管。
6.二极管导通后，正向电流与正向电压呈________关系，硅管的正向压降为_____V，锗管的正向压降为_______V。
7.二极管加正向电压时__________，加反向电压时_________，这种特性称为二极管的__________特性。
第一章 半导体基础知识自测题一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C三、U O1≈1.3V U O2＝0 U O3≈－1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈－2V 四、U O1＝6V U O2＝5V五、根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C ≈6.67mA ，U CE＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。
图略。
六、1、V2V mA6.2 A μ26V C C CC CE B C bBEBB B =-====-=R I U I I R U I βU O ＝U CE ＝2V 。
2、临界饱和时U CES ＝U BE ＝0.7V ，所以Ω≈-====-=k 4.45V μA6.28mA86.2V BBEBB b CB c CESCC C I U R I I R U I β七、T 1：恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。
习题1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A1.2不能。
因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为 1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。
1.3 u i 和u o 的波形如图所示。
tt1.4 u i 和u o 的波形如图所示。
1.5 u o 的波形如图所示。
1.6 I D ＝（V －U D ）/R ＝2.6mA ，r D ≈U T /I D ＝10Ω，I d ＝U i /r D ≈1mA 。
1.7 （1）两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。
（2）两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。
1.8 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA ，R ＝U Z /I DZ ＝0.24～1.2k Ω。
模拟电子技术基础部分练习题含答案一、单选题（共50题，每题1分，共50分）1、二极管在电路板上用( )表示。
A、CB、DC、RD、L正确答案：B2、根据作业指导书或样板之要求，不该断开的地方断开叫( )。
A、焊反B、短路C、开路D、连焊正确答案：C3、电感线圈磁芯调节后它的什么参数改变了？ ( )A、电流B、电压C、电阻D、电感正确答案：D4、三段固定集成稳压器CW7906的一脚是( )A、输入端B、公共端C、调整端D、输出端正确答案：B5、乙类推挽功率放大电路的静态工作点在三极管的( )边缘。
A、截止区B、放大区C、截止区与饱和区D、饱和区正确答案：A6、多级放大电路各级的电压增益分别是：10dB、20 dB、30 dB，则电压总增益是( )。
A、0 dBB、30 dBC、60 dBD、6000 dB正确答案：C7、下列关于变压器表述不正确的是 ( )。
A、变压器的效率越高，各种损耗越小B、变压器在高频段和低频段的频率特性较中频段好C、变压器温升值越小，变压器工作越安全D、升压变压器的变比n<1正确答案：C8、在三极管放大电路中，三极管各极电位最高的是( )A、NPN管基极B、NPN管发射极C、PNP管集电极D、PNP管发射极正确答案：D9、衡量一个差动放大电路抑制零漂能力的最有效的指标是( )A、差模电压放大倍数B、共模电压放大倍数C、共模抑制比D、电路的对称性正确答案：C10、某三极管,测得其发射结反偏，集电结反偏，则该三极管处于( )。
A、放大状态B、截止状态C、饱和状态D、失真状态正确答案：B11、把电动势是 1.5伏的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端，则该管( )A、被烧坏B、电流基本正常C、击穿D、电流为零正确答案：B12、某多级放大电路的各级电压放大倍数分别为：1、100、-100，则总的电压放大倍数( )。
A、10000倍B、-10000倍C、1倍D、100倍正确答案：B13、共发射极放大器的输出电压和输人电压在相位上的关系是( )A、同相位B、相位差360°C、相位差90°D、相位差180°正确答案：D14、在基本放大电路中，集电极电阻Rc的作用是( )A、放大电流B、调节偏置电流IBQC、把放大的电流转换成电压D、防止输入信号被短正确答案：C15、在P型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度。
专业姓名学号成绩1-1、写出如图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D = 0.7V。
1-2、在单相桥式整流电路中，已知输出电压平均值U O（AV）= 15V，负载电流平均值I L（AV）= 100mA。
（1 ）变压器副边电压有效值U2（2 ）设电网电压波动范围为土10 %。
在选择二极管的参数时，其最大整流平均电流I F和最高反向电压U R的下限值约为多少？1-3、电路如图所示，变压器副边电压有效值为2U2。
（1 ）画出U2、U D 1和U O的波形；（2）求出输出电压平均值U O（AV）和输出电流平均值I L（AV）的表达式；3）二极管的平均电流I D（AV）和所承受的最大反向电压U Rmax的表达式。
1-4、电路如图所示，变压器副边电压有效值U 2i = 50V , U 22 = 20V 。
试问： （1 ）输出电压平均值UO1（ AV ）和U O2（ AV ）各为多少？2）各二极管承受的最大反向电压为多少？1-5、试在如图所示电路中，标出各电容两端电压的极性和数值，并分析负载 电阻上能够获得几倍压的输出。
1-6、已知稳压管的稳压值 U z = 6V ，稳定电流的最小值 I zmin = 5mA 。
求图所示电路中 U 01和U O2各为多少伏。
500010V(b)10VTnYr r(a)lb)专业姓名学号成绩1-7、已知图所示电路中稳压管的稳定电压U z = 6V,最小稳定电流I zmin = 5mA ,最大稳定电流I Zmax = 25mA。
(1 )分别计算U I为10V、15V、35V三种情况下输出电压U O的值；(2)若U I = 35V时负载开路，则会出现什么现象？为什么？1-8、电路如图所示。
(1 )分别标出U O1和U O2对地的极性；2) U O1、U O2分别是半波整流还是全波整流？(3)当U21 = U22 = 20V 时，U O1( AV)和U O2( AV)各为多少？(4 )当U21 = 18V , U22 = 22V 时，画出U O1、U O2 的波形；并求出U01( AV ) 和U O2 ( AV)各为多少？1-9、电路如图所示，已知稳压管的稳定电压为 6V ，最小稳定电流为 5mA ，允许耗散功率为240mW ，动态电阻小于 15 Q 。
试问：(1)当输入电压为20〜24V 、R L 为200〜600 Q 时，范围是多少？1- 10、电路如图所示，已知稳压管的稳定电压为 6V ，最小稳定电流为 5mA ，允许耗散功率为240mW ;输入电压为 20〜24V , R 1= 360 Q 。
试问：(1) 为保证空载时稳压管能够安全工作，R 2应选多大？(2)当R 2按上面原则选定后，负载电阻允许的变化范围是多少？o ----- 1 | ----- * ------ -------- o ++a 比本朋町0矶O ------------------- --------- --------- o -限流电阻R 的选取S r 为多少？专业姓名学号成绩1-11、电路如图所示，已知u i = 5sin 3 t (V)，二极管导通电压U D = 0.7V。
试画出u i与u o的波形，并标出幅值。
1-12、电路如图(a)所示，其输入电压u i和u i2的波形如图(b)所示，二极管导通电压U D = 0.7V。
试画出输出电压u o的波形，并标出幅值。
2-1、电路如图所示，V CC = 15V , 3 = 100, U BE = 0.7V。
试问：(1) R b= 50k Q时，u o=? (2)若T临界饱和，则R b〜？(设临界饱和时U CES=U BE = 0.7V)2-2、测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图所示。
在圆圈中画出管子，并分别说明它 们的管型(NPN 、PNP )是硅管还是锗管。
2-4、电路如图所示，晶体管的 3 = 50 , |U BE |= 0.2V ，饱和管压降|U CES |= 0.1V ;稳压管的稳定 电压U z = 5V ，正向导通电压 U D = 0.5V 。
试问：当u i = 0V 时u o = ?当u i = — 5V 时u o =?(-12V)2-3、电路如图所示，晶体管导通时情况下输出电压u o 的值，然后根据 U BE = 0.7V ,卩=50。
试分析 V BB 为 0V 、1V 、1.5V 三种 u o 的值说明T 的工作状态。
专业姓名学号成绩2-5、电路如图所示，已知晶体管 =50 ,在下列情况下，用直流电压表测晶体管的集电极电位，应分别为多少？设V cc = 12V ,晶体管饱和管压降U CES =0.5V。
（1）正常情况（2）R bi短路（3）R bi开路（4 ）R b2开路（5）R c短路2-6、电路如图（a）所示，图（b）是晶体管的输出特性，静态时U BEQ = 0.7V 。
在图（b）中分别画出R L =S和R L = 3k Q时的直流（或交流）负载线，分别求出对应的最大不失真输出电压的有效值（U o）max。
专业 姓名 学号 成绩2- 7、分别改正图所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波信号。
要求 保留电路原来的共射接法和耦合方式。
2-9、已知图所示电路中晶体管的 =100 , r be =1k Q 。
(1) 现已测得静态管压降U CEQ = 6V ,估算R b 约为多少千欧；(2)若测得U i 和U o 的有效值分别为1mV 和100mV ,则负载电阻R L 为多少千欧？2-8、电路如图，晶体管的=80 , r bb ' =100 Q o 画电路的小信号模型，然后分别计算R L = s 和R L = 3k Q 时的A us 、R i 和R o2-10、电路如图所示，晶体管的 =60, r bb=100 Q。
(1)求解Q 点、A、R i 和R o ；设U s = 10mV (有效值)，问U i= ? U o= ?(2)若C3开路，画电路的小信号模型，再求U i和U o。
2-11、电路如图所示，晶体管的 =80 , r be=1k Q o ( 1)求出Q点；(2)画电路的小信号模型分别求出R L =8和R L = 3k Q时电路的A和R i; ( 3)求出R。
专业姓名学号成绩2-12、设图所示电路所加输入电压为正弦波。
试问：2-13、求如图电路Q点的表达式。
画电路小信号模型，求A、R i和R o的表达式。
(2 )说明U o1、U o2与u i、的相位关系。
/ u i~专业姓名学号成绩2-14、已知场效应管的输出特性曲线如图所示，画出它在恒流区的转移特性曲线。
4)2 V3/1J V2L i&Vi9V1J K8 Vk吃I0510IS20於 32-15、电路如图所示，T的输出特性如图上题所示，分析当场效应管分别工作在什么区域。
2-16、分别判断图P1.24所示各电路中的场效应管是否有可能工作在恒流区。
2-17、电路如图所示，的表达式。
已知场效应管的低频跨导为g m ,试与出A u、R i和R ou i = 4V、8V、12V三种情况下专业 姓名 学号 成绩 3- 1、基本放大电路如图（a ） （ b ）所示，图（a ）虚线框内为电路I ,图（b ） 虚线框内为电路n 。
由电路I 、n 组成的多级放大电路如图（c ）、（ d ）、（ e ） 所示，它们均正常工作。
试简单说明图（c ）、（ d ）、（ e ）所示电路中（1）哪些电路的输入电阻比较大；（2 ）哪些电路的输出电阻比较小；（3）哪3-2、电路如图，已知 T1、T2 的 1 2 80, U BEQ1 U BEQ2 0.7V ,阳 200 ，试求（1） T1、T2的静态工作点I CQ 及U CEQ ; （2）差模电压放大倍数；（3）差模输入电阻和差 模输出电阻。
-12V个电路的|代$ =U o U s 最大。
e_Bk专业__________ 姓名_________ 学号__________ 成绩______________5-1、已知由共射电路构成的放大电路的波特图如图所示。
（1）电路的中频电压增益20lg|代m l等于多少dB，A U m又等于多少。
（2）电路的下限频率f L、上限频率f H为多少？（3）写出电路的电压放大倍数的表达式A u。
60「 / -----------------------40\ -40dB卜佶畅20|] 1 1\ ill0io" IO1 1Q J IO1ID*io i(r / ik5-2、当输入信号频率f = 5〜40KHZ时，单级放大电路的电压放大倍数均为100 , 而当f = 500KHZ 时，电压放大倍数降为10 ,问该电路的上限频率是多少？5-3、已知两级放大电路的第一级和第二级的电压增益分别是20dB和40dB , 问总电压增益为多少？相当于把信号放大了多少倍？如果另有一个放大器的电压放大倍数为5000 ,用分贝表示应是多少？5-4、电路如图所示。
已知：V cc = 12V ;晶体管的S = 4pF , f T = 50MHz , r bb专业姓名学号成绩=100 Q , o = 80。
试求解：(1)中频电压放大倍数A usm ；( 2) c' ; ( 3) f H和f L； ( 4)画出波特图。
叫()_ _---- O ------------------------- * I ------ O6-1、判断图所示各电路中是否引入了反馈，是直流反馈还是交流反馈，有没有正反馈。
然后判断图(d)〜(h)所示各电路中引入了哪种组态的交流负反馈，并计算它们的反馈系数和深度负反馈条件下的电压放大倍数。
设图中所有电容对交流信号均可视为短路。
专业 姓名 学号 成绩6- 2、判断图所示各电路中是否引入了反馈，是直流反馈还是交流反馈，有没 有正反馈。
然后判断图（a ）、（ b ）、（ d ）、（ e ）、（ f ）所示各电路中引入了哪种 组态的交流负反馈，并计算它们的反馈系数和（d ）、（ e ）、（ f ）在深度负反馈 条件下的电压放大倍数。
设图中所有电容对交流信号均可视为短路。
6-3、已知一个负反馈放大电路的A = 10 5 , F = 2X 10 —3。
(1)A f = ?(2)若A的相对变化率为20 % ,则A f的相对变化率为多少？6-4、已知一个电压串联负反馈放大电路的电压放大倍数A uf = 20 ,其基本放大电路的电压放大倍数A u的相对变化率为10 % , A uf的相对变化率小于0.1 % , 试问F和A u各为多少？6-5、已知负反馈放大电路的A 10。
试分析：为了使放大)(1电路能够稳定工作(即不产生自激振荡)，反馈系数的上限值为多少？专业姓名学号成绩7-2、设计一个比例运算电路，要求输入电阻R i = 20k Q , 比例系数为—100。
