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硅片清洗及原理硅片的清洗很重要，它影响电池的转换效率，如器件的性能中反向电流迅速加大及器件失效等。
因此硅片的清洗很重要，下面主要介绍清洗的作用和清洗的原理。
清洗的作用1•在太阳能材料制备过程中，在硅表面涂有一层具有良好性能的减反射薄膜，有害的杂质离子进入二氧化硅层，会降低绝缘性能，清洗后绝缘性能会更好。
2. 在等离子边缘腐蚀中，如果有油污、水气、灰尘和其它杂质存在，会影响器件的质量，清洗后质量大大提高。
3. 硅片中杂质离子会影响P-N结的性能，引起P-N结的击穿电压降低和表面漏电，影响P-N结的性能。
4. 在硅片外延工艺中，杂质的存在会影响硅片的电阻率不稳定。
清洗的原理要了解清洗的原理，首先必须了解杂质的类型，杂质分为三类：一类是分子型杂质包括加工中的一些有机物；二类是离子型杂质，包括腐蚀过程中的钠离子、氯离子、氟离子等；三是原子型杂质，如金、铁、铜和铬等一些重金属杂质。
目前最常用的清洗方法有:化学清洗法、超声清洗法和真空高温处理法。
1•目前的化学清洗步骤有两种：(1有机溶剂(甲苯、丙酮、酒精等—去离子水—无机酸(盐酸、硫酸、硝酸、王水一氢氟酸一去离子水(2碱性过氧化氢溶液—去离子水—酸性过氧化氢溶液—去离子水F面讨论各种步骤中试剂的作用a. 有机溶剂在清洗中的作用用于硅片清洗常用的有机溶剂有甲苯、丙酮、酒精等。
在清洗过程中，甲苯、丙酮、酒精等有机溶剂的作用是除去硅片表面的油脂、松香、蜡等有机物杂质。
所利用的原理是相似相溶”b. 无机酸在清洗中的作用硅片中的杂质如镁、铝、铜、银、金、氧化铝、氧化镁、二氧化硅等杂质，只能用无机酸除去。
有关的反应如下：2AI+6HCI=2AICI3+3H2 TAI2O3+6HCI=2AICI3+3H2OCu+2H2SO4= CuSO4 +SC2 T +2H2O2Ag+2H2SO4=2Ag2SO4+SO2+2H2OCu+4HNO3= Cu(NO32 +2NO2 +2H2OAg+4HNO3= AgNO3+2NO2+2H2OAu+4HCI+HNO3=H[AuCI4]+NO T +2H2OSiO2+4HF=SiF4 T +2H2O如果HF 过量则反应为:SiO2+6HF=H2[SiF6]+2H2OH2O2的作用:在酸性环境中作还原剂，在碱性环境中作氧化剂。
清洗硅片流程
清洗硅片是半导体制造中非常重要的一个步骤，主要用于去除硅片表
面的杂质和污染物，保证硅片的表面洁净度达到要求。
下面我将详细介绍
清洗硅片的流程。
首先，在开始清洗硅片之前，需要准备好一些必要的实验设备和材料，例如离子交换水、去离子水、溶液盛器、超声波清洗器、干燥箱等。
清洗硅片的流程主要包括以下几个步骤：
1.去除有机污染物：将硅片浸泡在有机溶剂，如醇类、醚类溶剂中，
通过超声波清洗去除硅片表面的有机污染物。
2.酸洗：将硅片放入酸性溶液中，一般常用的有盐酸、氢氟酸、硝酸等，通过酸洗去除硅片表面的无机杂质和金属离子。
此步骤可以分为冷酸
洗和热酸洗两个过程，冷酸洗温度一般为20-25℃，热酸洗温度可达60-70℃。
3.碱洗：将硅片放入碱性溶液中，常用的有氨水、氢氧化钠等碱性溶液，通过碱洗去除硅片表面的残余酸性和有机物质。
4.水洗：将硅片放入离子交换水中，通过超声波清洗去除硅片表面残
留的酸、碱等溶液。
5.去离子水清洗：将硅片放入去离子水中，通过超声波清洗去除离子
杂质和微量污染物。
6.高纯化学品清洗：将硅片放入高纯的有机溶剂和酸性溶液中，通过
超声波清洗去除硅片表面的微量杂质。
7.烘干：将洗净的硅片放入干燥箱中，通过加热将硅片表面的水分蒸发掉。
以上是清洗硅片的主要流程，每个步骤的细节和参数可以根据具体的要求进行调整。
需要注意的是，在整个清洗过程中，要保持操作环境的洁净度，避免再次污染硅片。
清洗硅片是半导体制造过程中非常关键的一环，只有通过精细而规范的清洗流程，才能得到表面洁净度达到要求的硅片，从而保证半导体产品的质量。
硅片清洗工艺原理及现状硅片清洗工艺是半导体工业中非常重要的一项工艺，它主要用于去除硅片表面的杂质和污染物，保证硅片表面的纯净度和光洁度，从而提高半导体器件的制造质量和性能。
本文将从硅片清洗工艺的原理和现状两个方面进行探讨。
一、硅片清洗工艺的原理硅片清洗工艺的原理可以分为物理清洗和化学清洗两个方面。
物理清洗主要是通过机械力和流体力的作用，去除硅片表面的颗粒、尘埃等杂质。
常见的物理清洗方法有超声波清洗、喷洗清洗和旋转清洗等。
其中，超声波清洗是一种利用超声波的高能量和高频率振动来产生液体中的微小气泡，从而形成强大的冲击力和剥离力，将硅片表面的污染物剥离下来的方法。
喷洗清洗则是通过高速喷射的液体流动来冲击和清洗硅片表面的污染物。
旋转清洗则是将硅片浸泡在清洗液中，通过旋转硅片来增加清洗液与硅片表面的接触面积，从而加强清洗效果。
化学清洗主要是利用化学反应来去除硅片表面的有机和无机污染物。
常见的化学清洗方法有酸洗、碱洗和氧化洗等。
酸洗是通过将硅片浸泡在酸性溶液中，利用酸对污染物进行化学反应，从而去除硅片表面的有机和无机污染物。
碱洗则是利用碱性溶液对硅片表面的污染物进行中和和溶解，从而实现清洗的目的。
氧化洗则是将硅片置于氧化剂溶液中，利用氧化剂对硅片表面的污染物进行氧化和溶解。
二、硅片清洗工艺的现状硅片清洗工艺已经非常成熟，并且在半导体工业中得到广泛应用。
随着半导体器件的不断发展和制造工艺的不断进步，硅片清洗工艺也在不断改进和创新。
在物理清洗方面，超声波清洗是目前最常用的物理清洗方法之一。
它具有清洗效果好、能耗低的优点，可以在不损伤硅片表面的情况下去除硅片表面的污染物。
此外，喷洗清洗和旋转清洗也得到了广泛的应用。
在化学清洗方面，酸洗和碱洗仍然是主要的化学清洗方法。
但是，由于酸洗和碱洗会产生大量的废液和废气，对环境造成污染，因此研究人员正在寻找更环保的清洗方法。
例如，一些研究者正在开发利用超临界流体进行清洗的方法，超临界流体具有较高的溶解能力和较低的粘度，可以更彻底地去除硅片表面的污染物，并且不会对环境造成污染。
清洗硅片流程以清洗硅片流程为标题，我们将详细介绍硅片清洗的步骤和方法。
硅片清洗是半导体制造过程中非常关键的一环，因为只有确保硅片表面的干净和纯净，才能保证器件的性能和质量。
下面将详细介绍硅片清洗的步骤和方法。
一、去除有机污染物1. 酸洗：将硅片浸泡在稀酸溶液中，如氢氟酸、硝酸等，以去除有机污染物。
酸洗可以将有机物氧化并去除，但需要注意控制酸浓度和浸泡时间，以免对硅片造成损害。
2. 碱洗：将硅片浸泡在强碱溶液中，如氢氧化钠溶液，以去除酸洗过程中残留的酸性物质和有机污染物。
碱洗还可以去除硅片表面的金属离子和杂质，提高硅片的纯净度。
二、去除无机污染物1. 酸洗：将硅片浸泡在浓酸溶液中，如氢氟酸、硝酸等，以去除无机污染物。
酸洗可以将金属离子和无机杂质溶解掉，并去除硅片表面的氧化物层，使硅片表面更加纯净。
2. 碱洗：将硅片浸泡在强碱溶液中，如氢氧化钠溶液，以去除酸洗过程中残留的酸性物质和无机污染物。
碱洗还可以去除硅片表面的金属离子和杂质，提高硅片的纯净度。
三、超纯水清洗1. 浸泡：将硅片浸泡在超纯水中，可以去除酸洗和碱洗过程中的残留物和离子。
超纯水要经过多级过滤和去离子处理，确保其纯净度达到要求。
2. 喷淋：使用超纯水进行喷淋，可以有效清洗硅片表面的微小颗粒和污染物。
喷淋时要注意水流的速度和角度，以避免对硅片表面造成损伤。
四、干燥1. 自然干燥：将硅片放置在洁净的环境中，通过自然蒸发的方式使其干燥。
这种方法适用于对时间要求不严格的情况。
2. 热干燥：将硅片放入烘箱或使用氮气吹干，以加快干燥速度。
热干燥可以去除硅片表面的水分，避免水分残留导致的氧化和污染。
五、质量检查在清洗完成后，需要对硅片进行质量检查，以确保清洗效果符合要求。
常用的质量检查方法包括显微镜观察、表面轮廓仪测量等。
六、封装保护清洗完成后的硅片需要进行封装保护，以防止再次受到污染和损伤。
常用的封装方法包括真空封装、氮气封装等。
以上就是硅片清洗的流程和方法介绍。
在半导体材料的制备过程中，每一道工序都涉及到清洗，而且清洗的好坏直接影响下一道工序，甚至影响器件的成品率和可靠性。
由于ULSI集成度的迅速提高和器件尺寸的减小，对于晶片表面沾污的要求更加严格，ULSI工艺要求在提供的衬底片上吸附物不多于500个/m20.12um，金属污染小于 1010atom/cm2。
晶片生产中每一道工序存在的潜在污染，都可导致缺陷的产生和器件的失效。
因此，硅片的清洗引起了专业人士的重视。
以前很多厂家都用手洗的方法，这种方法人为的因素较多，一方面容易产生碎片，经济效益下降，另一方面手洗的硅片表面洁净度差，污染严重，使下道工序化抛腐蚀过程中的合格率较低。
所以，硅片的清洗技术引起了人们的重视，找到一种简单有效的清洗方法是当务之急。
本文介绍了一种超声波清洗技术，其清洗硅片的效果显著，是一种值得推广的硅片清洗技术。
硅片表面污染的原因：晶片表面层原子因垂直切片方向的化学键被破坏而成为悬空键，形成表面附近的自由力场，尤其磨片是在铸铁磨盘上进行，所以铁离子的污染就更加严重。
同时，由于磨料中的金刚砂粒径较大，造成磨片后的硅片破损层较大，悬挂键数目增多，极易吸附各种杂质，如颗粒、有机杂质、无机杂质、金属离子、硅粉粉尘等，造成磨片后的硅片易发生变花、发蓝、发黑等现象，使磨片不合格。
硅片清洗的目的就是要除去各类污染物，清洗的洁净程度直接决定着ULSI向更高集成度、可靠性、成品率发展，这涉及到高净化的环境、水、化学试剂和相应的设备及配套工艺，难度越来越大，可见半导体行业中清洗工艺的重要性。
实验及结果分析 1.实验设备和试剂实验设备：TE-6000硅片清洗机实验使用的试剂：有机碱、Q325-B清洗剂、活性剂、去离子水、助磨剂 2.实验过程（1）超声波清洗的基本原理利用28KHz以上的电能，经超声波换能器转换成高频机械振荡而传入到清洗液中。
超声波在清洗液中疏密相间地向前辐射，使液体流动，并不停地产生数以万计的微小气泡。
光伏硅片吸杂工序原理光伏硅片吸杂工序是光伏电池制造过程中的重要环节之一，其目的是去除硅片表面的杂质，提高硅片的纯度和表面质量，从而提升光伏电池的转换效率。
本文将从表面清洗、吸杂材料准备、吸杂工艺处理、吸杂物质回收、清洗水处理、吸杂环境控制、吸杂效果检测和安全防护措施等方面，详细介绍光伏硅片吸杂工序的原理。
表面清洗表面清洗是吸杂工序的第一步，其目的是去除硅片表面的污垢、氧化层、金属杂质等有害物质，以提高硅片的表面质量和吸杂效果。
表面清洗的方法包括机械清洗和化学清洗。
机械清洗主要是通过研磨、刷洗等方法去除表面污垢和氧化层，而化学清洗则是利用酸碱溶液或其他化学试剂溶解杂质，达到清洁效果。
评价清洗效果的好坏通常会采用表面粗糙度、氧化层厚度和金属杂质含量等指标。
吸杂材料准备吸杂材料是针对硅片表面杂质的一种具有吸附作用的材料，常用的有活性炭、硅胶、分子筛等。
选择合适的吸杂材料需要考虑其吸附性能、杂质特定、成本等因素。
在准备吸杂材料时，需要根据具体的吸杂需求选择合适的材料，并通过研磨、筛分、活化等手段进行预处理，以增强其吸附能力。
吸杂工艺处理吸杂工艺处理是整个吸杂工序的核心环节，其目的是通过一定的工艺手段将吸杂材料与硅片表面的杂质相互作用，使杂质被吸附在吸杂材料上，从而达到净化硅片表面的目的。
吸杂工艺处理的方法包括热处理、化学处理和机械处理等。
热处理是将硅片和吸杂材料一起置于高温炉中加热，通过高温作用促进杂质和吸杂材料之间的相互作用，提高吸附效果。
化学处理则是利用化学反应将杂质转化为易于吸附的物质，如将杂质离子转化为络合物或螯合物等，然后再与吸杂材料相互作用。
机械处理则是利用物理机械力作用将杂质从硅片表面去除，如用刷子或研磨机进行研磨或刷洗。
吸杂物质回收吸杂物质回收是将吸附了杂质的吸杂材料从硅片上分离，并将杂质回收再利用的过程。
回收的杂质主要包括金属杂质、非金属杂质和有害物质等。
回收的方法一般有溶解法、焚烧法和化学法等。
boe清洗原理
BOE清洗原理是指在BOE工艺中，对于杂质、残留物等污染物的处理方法和技术。
BOE清洗原理主要是基于氟化物溶液对硅表面的反应原理，通过少量的浸泡和摩擦作用，实现对硅表面的清洗。
BOE清洗原理首先要了解的是氟化物的性质，氟化物有很强的蚀刻作用，能够与硅表面的氧原子反应，形成气态的氟化硅气体和水，从而达到清洗的效果。
BOE清洗液中含有氢氟酸和硝酸，可以加速氟化物与硅表面反应。
BOE清洗原理的步骤包括：
1.准备BOE清洗液，一般是将氢氟酸和硝酸按比例混合而成。
2.将待清洗的硅片放入清洗液中，时间一般为20-30秒。
3.取出硅片，用去离子水清洗干净。
4.进行干燥处理，包括空气吹干、热座干燥等。
BOE清洗原理在BOE工艺中应用广泛，可以有效地去除硅表面的杂质、残留物等污染物，从而提高设备性能和产品质量。
然而，BOE 清洗液的腐蚀性很强，需要妥善保管和使用，避免对设备和操作人员造成危险。
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硅清洗总结简介硅清洗是一种常见的工艺，用于去除硅表面的杂质和污染物，以确保硅片的质量和性能。
本文将总结常见的硅清洗方法和步骤，并提供一些建议和注意事项。
硅清洗方法酸洗酸洗是最常见的硅清洗方法之一。
常用的酸洗溶液包括浓硝酸、浓盐酸和稀盐酸等。
酸洗可以去除硅表面的氧化物、金属杂质和有机污染物。
酸洗的步骤如下：1. 准备酸洗溶液：根据需要选择合适的酸洗溶液，并按比例混合。
2. 将硅片浸入酸洗溶液中，时间通常在几分钟到几十分钟之间。
清洗时间越长，清洗效果越好，但也可能对硅片造成损害。
3. 取出硅片并用去离子水冲洗，确保硅表面没有残留的酸洗溶液。
4. 可选的步骤：可以在酸洗后进行干燥步骤，以避免水的残留。
碱洗碱洗是另一种常见的硅清洗方法。
常用的碱洗溶液包括氢氧化钠和氢氧化铵等。
碱洗可以去除硅表面的氧化物和有机污染物。
碱洗的步骤如下： 1. 准备碱洗溶液：根据需要选择合适的碱洗溶液，并按比例混合。
2. 将硅片浸入碱洗溶液中，时间通常在几分钟到几十分钟之间。
清洗时间越长，清洗效果越好，但也可能对硅片造成损害。
3. 取出硅片并用去离子水冲洗，确保硅表面没有残留的碱洗溶液。
4. 可选的步骤：可以在碱洗后进行干燥步骤，以避免水的残留。
超声波清洗超声波清洗是一种常用的硅清洗方法，通过超声波震荡来去除硅片表面的杂质。
超声波清洗的步骤如下： 1. 准备清洗液：选择合适的清洗液，如去离子水或特定的清洗溶液。
2. 将硅片浸入清洗液中。
3. 打开超声波清洗仪，根据需要设置清洗时间和功率。
4. 硅片在超声波的作用下，会发生微小震动，从而去除硅片表面的污染物。
5. 取出硅片并用去离子水冲洗，确保硅表面没有残留的清洗液。
6. 可选的步骤：可以在超声波清洗后进行干燥步骤，以避免水的残留。
注意事项•在进行硅清洗之前，确保使用干净的操作环境和工作台，并佩戴适当的防护设备。
•根据硅片的要求和清洗步骤的需要，选择合适的清洗方法和清洗液。
硅片清洗原理与方法介绍1引言硅片经过切片、倒角、研磨、表面处理、抛光、外延等不同工序加工后，表面已经受到严重的沾污，清洗的目的就是为了去除硅片表面颗粒、金属离子以及有机物等污染。
2硅片清洗的常用方法与技术在半导体器件生产中，大约有20％的工序和硅片清洗有关，而不同工序的清洗要求和目的也是各不相同的，这就必须采用各种不同的清洗方法和技术手段，以达到清洗的目的。
由于晶盟现有的清洗设备均为Wet-bench类型，因此本文重点对湿法化学清洗的基本原理、常用方法及其它与之密切相关的技术手段等进行论述3．1湿法化学清洗化学清洗是指利用各种化学试剂和有机溶剂与吸附在被清洗物体表面上的杂质及油污发生化学反应或溶解作用，或伴以超声、加热、抽真空等物理措施，使杂质从被清除物体的表面脱附（解吸），然后用大量高纯热、冷去离子水冲洗，从而获得洁净表面的过程。
化学清洗又可分为湿法化学清洗和干法化学清洗，其中湿法化学清洗技术在硅片表面清洗中仍处于主导地位，因此有必要首先对湿法化学清洗及与之相关的技术进行全面的介绍。
3．1．1常用化学试剂、洗液的性质常用化学试剂及洗液的去污能力，对于湿法化学清洗的清洗效率有决定性的影响，根据硅片清洗目的和要求选择适当的试剂和洗液是湿法化学清洗的首要步骤。
表一、用以清除particle、metal、organic、nature-oxide的适当化学液3．1．2溶液浸泡法溶液浸泡法就是通过将要清除的硅片放入溶液中浸泡来达到清除表面污染目的的一种方法，它是湿法化学清洗中最简单也是最常用的一种方法。
它主要是通过溶液与硅片表面的污染杂质在浸泡过程中发生化学反应及溶解作用来达到清除硅片表面污染杂质的目的。
选用不同的溶液来浸泡硅片可以达到清除不同类型表面污染杂质的目的。
如采用有机溶剂浸泡来达到去除有机污染的目的，采用1号液（即SC1，包含H2O2、NH3OH化学试剂以及H2O）浸泡来达到清除有机、无机和金属离子的目的，采用2号液（即SC2，包含HCL、H2O2化学试剂以及H2O）浸泡来达到清除AL、Fe、Na等金属离子的目的。
rca 清洗硅片原理RCA清洗硅片原理引言：硅片是集成电路制造中的重要材料，其表面的纯净度对电路性能起着至关重要的作用。
然而，在制造过程中，硅片表面常常会受到各种污染物的污染，影响其品质和效果。
为了保证硅片的质量，需要对其进行清洗处理。
RCA清洗法是一种常用的硅片清洗方法，本文将介绍RCA清洗硅片的原理。
一、RCA清洗法简介RCA清洗法是一种使用一氧化氮、硫酸和过氧化氢的混合液体对硅片进行清洗的方法。
其名称来源于该方法的发明者Robert W. K. Ried、David L. Scheiber和William J. Grove的姓氏首字母缩写。
RCA清洗法以其高效、彻底和可控的特点，成为了半导体工业中最常用的硅片清洗方法之一。
二、RCA清洗硅片的原理RCA清洗硅片的原理主要基于化学反应和表面张力的作用。
1. 化学反应RCA清洗法使用的混合液体包含一氧化氮、硫酸和过氧化氢。
这三种成分分别负责去除有机污染物、金属离子和有机残留物。
- 一氧化氮（HNO）：一氧化氮具有强氧化性，能够迅速分解有机物，去除硅片表面的有机污染物。
- 硫酸（H2SO4）：硫酸具有强酸性，能够与金属离子发生反应，将其从硅片表面去除。
- 过氧化氢（H2O2）：过氧化氢是一种氧化剂，能够去除硅片表面的有机残留物。
通过混合液体中这三种成分的协同作用，可以有效去除硅片表面的污染物，使硅片恢复到纯净的状态。
2. 表面张力RCA清洗法中，硅片在混合液体中的悬浮液中进行清洗。
悬浮液的表面张力能够帮助在硅片表面形成均匀的液膜，使清洗液能够充分接触并清洗硅片表面的污染物。
悬浮液的表面张力不仅可以保证清洗液的均匀分布，还能够使清洗液在硅片表面形成薄膜，提高清洗效果。
三、RCA清洗硅片的步骤RCA清洗法一般分为两个步骤：预清洗和主清洗。
1. 预清洗预清洗主要是为了去除硅片表面的有机污染物，准备好进一步的主清洗。
预清洗的具体步骤如下：（1）将硅片浸入一氧化氮溶液中，去除表面的有机污染物。
一种硅片清洗方法
硅片清洗是一种常见的半导体制造过程，下面介绍一种常用的硅片清洗方法：
1. 涂覆溶液：将硅片浸泡在有机溶剂中，如酒精或去离子水中，以去除表面的有机物污染。
可以使用喷涂或浸泡的方式涂覆整个硅片表面。
2. 去离子水冲洗：使用去离子水冲洗硅片，以去除溶剂中残留的有机污染物。
可以使用喷头或浸泡硅片进行冲洗，确保硅片表面的彻底清洁。
3. 吸气烘干：将硅片放入高温烘箱中，使用吹风机或真空泵吹除硅片表面残余的水分，以避免水滴残留在硅片表面。
4. 大气浸没：将硅片置于酸性或碱性溶液中（如HF酸、HCl酸、NH4OH溶液），以去除表面的金属或无机污染物。
注意安全操作，避免接触皮肤和吸入有害气体，使用防护手套和面罩。
5. 再次冲洗和烘干：使用去离子水再次冲洗硅片，以去除残留的化学溶液。
然后进行吸气烘干，确保硅片完全干燥。
6. 高温退火：将硅片放入高温烘箱中进行退火，以去除表面残余的有机或无机污染物，并恢复硅片的结晶结构和电子性能。
请注意，以上方法仅适用于硅片清洗的一般过程，具体清洗方法可能因应用领域或需求而有所不同。
在进行硅片清洗时，应仔细阅读所使用材料的安全说明和操作指南，并遵循相关的操作规程和标准。
硅片清洗工艺硅片表面的沾污主要有三类：1、有机杂质沾污2、金属离子沾污通过吸附在硅片表面氧化层上或利用金属离子与硅片表面之间的电荷交换（犹如“电镀”）而直接键合在硅表面上3、颗粒主要来自硅片加工制程及化学品。
硅片的加工过程中有很多硅片清洗步骤，其中最为关键的是在抛光制程后的硅片清洗过程，因为这直接决定了硅片表面的最终洁净度。
硅拋光片的最终清洗一般采用多槽浸泡式化学清洗方式，即RCA清洗。
SC-1溶液（1号液）主要用于去除颗粒和有机物沾污，也能去除部分金属杂质。
其原理是：硅片表面被H2 02氧化而产生氧化膜，同时氧化膜又被NH40H腐蚀，腐蚀后又被氧化，如此反复进行。
附着在硅片表面的颗粒也随着氧化膜不断地被腐蚀而脱离，从硅片表面进人清洗溶液。
有机物类的沾污在H2 02的强氧化作用及NH4 0H的溶解作用下，转化为水溶性化合物进入清洗溶液，经去离子水冲洗后得以去除。
SC-1溶液的强氧化性能氧化Cr、Cu、Zn、Ag、Ni、Fe、Ca、Mg等使其成为高价金属离子，高价金属离子再与碱进一步作用而转变为可溶性络合物，经去离子水冲洗后得以去除。
在清洗过程中，结合使用超声波（去除粒径不小于0.4微米的颗粒）或兆声波（去除粒径不大于0.2微米的颗粒）可获得更好的去除颗粒效果。
SC-2溶液（2号液）是H2 02和HCI的酸性溶液，具有极强的氧化性和络合性，可去除碱金属离子，Cu及Au等残留金属，Al( OH)3、Fe(oH)3、Mg (OH)2及Zn (OH)2等氢氧化物的金属离子。
经过SC-2溶液清洗后的硅片表面的Si原子大多数是以Si-o键终结，从而在硅片表面形成了自然氧化层。
硅片表面也因此呈现为亲水性，早期硅片脫水和干燥多采用离心甩干技术。
近年来，在异丙醇(IPA)脱水和干燥技术的基础上，开发出多种利用马兰戈尼效应的脱水和干燥技术，现已广泛用于大直径硅片的最终清洗中。
为了确保硅片表面质量，防止再次沾污，便于保管和运输，需要对清洗好的硅片进行包装。
硅片清洗原理与方法介绍1引言硅片经过切片、倒角、研磨、表面处理、抛光、外延等不同工序加工后，表面已经受到严重的沾污，清洗的目的就是为了去除硅片表面颗粒、金属离子以及有机物等污染。
2硅片清洗的常用方法与技术在半导体器件生产中，大约有20％的工序和硅片清洗有关，而不同工序的清洗要求和目的也是各不相同的，这就必须采用各种不同的清洗方法和技术手段，以达到清洗的目的。
由于晶盟现有的清洗设备均为Wet-bench类型，因此本文重点对湿法化学清洗的基本原理、常用方法及其它与之密切相关的技术手段等进行论述3．1湿法化学清洗化学清洗是指利用各种化学试剂和有机溶剂与吸附在被清洗物体表面上的杂质及油污发生化学反应或溶解作用，或伴以超声、加热、抽真空等物理措施，使杂质从被清除物体的表面脱附（解吸），然后用大量高纯热、冷去离子水冲洗，从而获得洁净表面的过程。
化学清洗又可分为湿法化学清洗和干法化学清洗，其中湿法化学清洗技术在硅片表面清洗中仍处于主导地位，因此有必要首先对湿法化学清洗及与之相关的技术进行全面的介绍。
3．1．1常用化学试剂、洗液的性质常用化学试剂及洗液的去污能力，对于湿法化学清洗的清洗效率有决定性的影响，根据硅片清洗目的和要求选择适当的试剂和洗液是湿法化学清洗的首要步骤。
CL2+UV（〈400nm〉表一、用以清除particle、metal、organic、nature-oxide的适当化学液3．1．2溶液浸泡法溶液浸泡法就是通过将要清除的硅片放入溶液中浸泡来达到清除表面污染目的的一种方法，它是湿法化学清洗中最简单也是最常用的一种方法。
它主要是通过溶液与硅片表面的污染杂质在浸泡过程中发生化学反应及溶解作用来达到清除硅片表面污染杂质的目的。
选用不同的溶液来浸泡硅片可以达到清除不同类型表面污染杂质的目的。
如采用有机溶剂浸泡来达到去除有机污染的目的，采用1号液（即SC1，包含H2O2、NH3OH化学试剂以及H2O）浸泡来达到清除有机、无机和金属离子的目的，采用2号液（即SC2，包含HCL、H2O2化学试剂以及H2O）浸泡来达到清除AL、Fe、Na等金属离子的目的。
2.4硅片清洗的一般程序杂质可以分为分子型，离子型和原子型三种情况。
分子型大多为油脂类的杂质，有疏水性。
离子和原子型为化学吸附杂质，其吸附力较强。
所以步骤为去分子→去离子→去原子→去离子水清洗。
另外为了取出硅片表面的氧化层，常要增加一个稀氢氟酸浸泡步骤。
3.1湿法化学清洗利用各种化学试剂和有机溶剂与吸附在被清洗物体表面上的杂质及油污发生化学反应或融解作用，或伴以超声，加热，抽真空等物理措施，使杂事从被清除的物体的表面脱附，然后用大量的高纯热，冷去离子水冲洗，从而获得洁净表面的过程。
3.1.1常用化学试剂及洗液的性质3.1.2溶液浸泡法最简单，最常用的方法，但是效率往往不及如人意，所以往往伴以加热，超声，搅拌等物理措施。
3.13机械擦洗法高压擦片机由于无机械摩擦，则不会划伤硅片的表面，而且可以达到清除槽痕里的沾污。
3.14超声波清洗技术其优点是：清洗效果号，操作简单，对于复杂的器件和容器也能清洗。
原理：在频率为20kHz到40kHz的超声波的作用下，液体介质内部会产生疏部和密部，疏部产生近乎真空的空腔泡，当空腔泡消失的瞬间，其附近便产生强大的局部压力。
使分子内部的化学键断裂，一次使硅片表面的杂质解吸。
当超声波的频率和空腔泡的振动频率共振时，机械作用力达到最大，泡内积聚的大量热能，时温度升高，促进了化学反应的发生。
它的效果与温度，压力，超声频率，功率等有关，小于1μm的颗粒的去除效果的并不太好。
3.15兆声波清洗技术机理：又高能（850khz）频振效应并结合化学清洗剂的化学反应对硅片进行清洗的。
在清洗的时候，由换能器发出不哦成为1.5μm频率为0.8兆赫的高能声波。
溶液分子产生瞬时速度为30cm/s的流体波。
它可以去处小于0.2μm的粒子。
3.16旋转喷林法用机械的方法将硅片以较高的速度旋转起来，在旋转的过程中通过不断的向其表面喷液体（高纯度去离子水或其他清洗液）而达到清除硅片目的的方法。
它可以和甩干的工序结合在一起进行。
硅片清洗及原理
硅片的清洗很重要，它影响电池的转换效率，如器件的性能中反向电流迅速加大及器件失效等。
因此硅片的清洗很重要，下面主要介绍清洗的作用和清洗的原理。
清洗的作用
1.在太阳能材料制备过程中，在硅表面涂有一层具有良好性能的减反射薄膜，有害的杂质离子进入二氧化硅层，会降低绝缘性能，清洗后绝缘性能会更好。
2.在等离子边缘腐蚀中，如果有油污、水气、灰尘和其它杂质存在，会影响器件的质量，清洗后质量大大提高。
3.硅片中杂质离子会影响P-N 结的性能，引起P-N 结的击穿电压降低和表面漏电，影响P-N 结的性能。
4.在硅片外延工艺中，杂质的存在会影响硅片的电阻率不稳定。
清洗的原理
要了解清洗的原理，首先必须了解杂质的类型，杂质分为三类：一类是分子型杂质，包括加工中的一些有机物；二类是离子型杂质，包括腐蚀过程中的钠离子、氯离子、氟离子等；三是原子型杂质，如金、铁、铜和铬等一些重金属杂质。
目前最常用的清洗方法有：化学清洗法、超声清洗法和真空高温处理法。
1.目前的化学清洗步骤有两种：
（1）有机溶剂（甲苯、丙酮、酒精等）→去离子水→无机酸（盐酸、硫酸、硝酸、王水）→氢氟酸→去离子水
（2）碱性过氧化氢溶液→去离子水→酸性过氧化氢溶液→去离子水
下面讨论各种步骤中试剂的作用。
a.有机溶剂在清洗中的作用
用于硅片清洗常用的有机溶剂有甲苯、丙酮、酒精等。
在清洗过程中，甲苯、丙酮、酒精等有机溶剂的作用是除去硅片表面的油脂、松香、蜡等有机物杂质。
所利用的原理是“相似相溶”。
b.无机酸在清洗中的作用
硅片中的杂质如镁、铝、铜、银、金、氧化铝、氧化镁、二氧化硅等杂质，只能用无机酸除去。
有关的反应如下：
2Al+6HCl=2AlCl3+3H2↑
Al2O3+6HCl=2AlCl3+3H2O
Cu+2H2SO4= CuSO4 +SO2↑+2H2O
2Ag+2H2SO4=2Ag2SO4+SO2↑+2H2O
Cu+4HNO3= Cu（NO3）2 +2NO2↑+2H2O
Ag+4HNO3= AgNO3+2NO2↑+2H2O
Au+4HCl+HNO3=H［AuCl4］+NO↑+2H2O
SiO2+4HF=SiF4↑+2H2O
如果HF 过量则反应为：SiO2+6HF=H2［SiF6］+2H2O
H2O2 的作用：在酸性环境中作还原剂，在碱性环境中作氧化剂。
在硅片清洗中对一些难溶物质转化为易溶物质。
如：
As2S5+20 H2O2+16NH4OH=2（NH4）3AsO4+5（NH4）2SO4+28H2O
MnO2+ H2SO4+ H2O2= MnSO4+2H2O+O2↑
c.RCA 清洗方法及原理
在生产中，对于硅片表面的清洗中常用RCA 方法及基于RCA 清洗方法的改进，RCA 清洗方法分为Ⅰ号清洗剂（APM）和Ⅱ号清洗剂（HPM）。
Ⅰ号清洗剂（APM）的配置是用去离子水、30%过氧化氢、25%的氨水按体积比为：5:1：1 至5:2：1；Ⅱ号清洗剂（H PM）的配置是用去离子水、30%过氧化氢、25%的盐酸按体积比为：6:1：1 至8:2：1。
其清洗原理是：氨分子、氯离子等与重金属离子如：铜离子、铁离子等形成稳定的络合物如：［AuCl4］-、［Cu（NH3）4］2+、［SiF6］2-。
清洗时，一般应在75～85℃条件下清洗、清洗15 分钟左右，然后用去离子水冲洗干净。
Ⅰ号清洗剂（APM）和Ⅱ号清洗剂（HPM）有如下优点：
（1）这两种清洗剂能很好地清洗硅片上残存的蜡、松香等有机物及一些重金属如金、铜等杂质；
（2）相比其它清洗剂，可以减少钠离子的污染；
（3）相比浓硝酸、浓硫酸、王水及铬酸洗液，这两种清洗液对环境的污染很小，操作相对方便。
2.超声波在清洗中的作用
目前在半导体生产清洗过程中已经广泛采用超声波清洗技术。
超声波清洗有以下优点：
（1）清洗效果好，清洗手续简单，减少了由于复杂的化学清洗过程中而带来的杂质的可能性；
（2）对一些形状复杂的容器或器件也能清洗。
超声波清洗的缺点是当超声波的作用较大时，由于震动磨擦，可能使硅片表面产生划道等损伤。
超声波产生的原理：高频震荡器产生超声频电流，传给换能器，当换能器产生超声震动时，超声震动就通过与换能器连接的液体容器底部而传播到液体内，在液体中产生超声波。
3.真空高温处理的清洗作用
硅片经过化学清洗和超声波清洗后，还需要将硅片真空高温处理，再进行外延生长。
真空高温处理的优点：
（1）由于硅片处于真空状态，因而减少了空气中灰尘的玷污；
（2）硅片表面可能吸附的一些气体和溶剂分子的挥发性增加，因而真空高温易除去；
（3）硅片可能玷污的一些固体杂质在真空高温条件下，易发生分解而除去。
