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摘要：倒装芯片在产品成本，性能及满足高密度封装等方面体现出优势，它的应用也渐渐成为主流。
由于倒装芯片的尺寸小，要保证高精度高产量高重复性，这给我们传统的设备及工艺带来了挑战。
器件的小型化高密度封装形式越来越多，如多模块封装（MCM ）、系统封装（SiP ）、倒装芯片（FC ，Flip-Chip ）等应用得越来越多。
这些技术的出现更加模糊了一级封装与二级装配之间的界线。
毋庸置疑，随着小型化高密度封装的出现，对高速与高精度装配的要求变得更加关键，相关的组装设备和工艺也更具先进性与高灵活性。
由于倒装芯片比BGA 或CSP 具有更小的外形尺寸、更小的球径和球间距、它对植球工艺、基板技术、材料的兼容性、制造工艺，以及检查设备和方法提出了前所未有的挑战。
倒装芯片的发展历史倒装芯片的定义什么器件被称为倒装芯片？一般来说，这类器件具备以下特点：1. 基材是硅；2. 电气面及焊凸在器件下表面；3. 球间距一般为4-14mil 、球径为2.5-8mil 、外形尺寸为1 -27mm ；4. 组装在基板上后需要做底部填充。
其实，倒装芯片之所以被称为“倒装”，是相对于传统的金属线键合连接方式（Wire Bonding）与植球后的工艺而言的。
传统的通过金属线键合与基板连接的芯片电气面朝上（图1），而倒装芯片的电气面朝下（图2），相当于将前者翻转过来，故称其为“倒装芯片”。
在圆片（Wafer）上芯片植完球后（图3），需要将其翻转，送入贴片机，便于贴装，也由于这一翻转过程，而被称为“倒装芯片”。
图1图2图3倒装芯片的历史及其应用倒装芯片在1964年开始出现，1969年由IBM发明了倒装芯片的C4工艺（Controlled Collap se Chip Connection，可控坍塌芯片联接）。
过去只是比较少量的特殊应用，近几年倒装芯片已经成为高性能封装的互连方法，它的应用得到比较广泛快速的发展。
目前倒装芯片主要应用在Wi- Fi、SiP、M CM、图像传感器、微处理器、硬盘驱动器、医用传感器，以及RFID等方面（图5）。
COB封装技术⾸次调查报告（现有正装、倒装COB制造技术调研）COB封装技术⾸次调查报告--现有正装、倒装COB制造技术调研⼀、 COB概述（次要部分）COB LED定义COB LED即chip On board，就是将裸芯⽚⽤导电或⾮导电胶粘附在互连基板上，然后进⾏引线键合实现其电连接，COB LED⼜叫COB LED source,COB LED module。
COB LED主要的焊接⽅法正装部分：(1)热压焊利⽤加热和加压⼒使⾦属丝与焊区压焊在⼀起。
其原理是通过加热和加压⼒，使焊区(如 AI)发⽣塑性形变同时破坏压焊界⾯上的氧化层，从⽽使原⼦间产⽣吸引⼒达到“键合”的⽬的，此外，两⾦属界⾯不平整加热加压时可使上下的⾦属相互镶嵌。
此技术⼀般⽤为玻璃板上芯⽚ COG。
(2)超声焊超声焊是利⽤超声波发⽣器产⽣的能量，通过换能器在超⾼频的磁场感应下，迅速伸缩产⽣弹性振动，使劈⼑相应振动，同时在劈⼑上施加⼀定的压⼒，于是劈⼑在这两种⼒的共同作⽤下，带动 AI 丝在被焊区的⾦属化层如(AI 膜)表⾯迅速摩擦，使 AI 丝和AI 膜表⾯产⽣塑性变形，这种形变也破坏了 AI 层界⾯的氧化层，使两个纯净的⾦属表⾯紧密接触达到原⼦间的结合，从⽽形成焊接。
主要焊接材料为铝线焊头，⼀般为楔形。
(3)⾦丝焊球焊在引线键合中是最具代表性的焊接技术，因为现在的半导体封装⼆、三极管封装都采⽤ AU 线球焊。
⽽且它操作⽅便、灵活、焊点牢固(直径为 25UM 的 AU 丝的焊接强度⼀般为 0.07～0.09N/点)，⼜⽆⽅向性，焊接速度可⾼达 15 点/秒以上。
⾦丝焊也叫热(压)(超)声焊主要键合材料为⾦(AU)线焊头为球形故为球焊。
倒装部分：共晶焊：共晶是指在相对较低的温度下共晶焊料发⽣共晶物熔合的现象，共晶合⾦直接从固态变到液态，⽽不经过塑性阶段，是⼀个液态同时⽣成两个固态的平衡反应。
其熔化温度称共晶温度。
共晶合⾦的基本特性是：两种不同的⾦属可在远低于各⾃的熔点温度下按⼀定重量⽐例形成合⾦。
倒装芯片封装技术倒装芯片封装技术：将芯片翻转封装的革命性进展引言：随着电子科技的迅猛发展，芯片封装技术也在不断创新。
其中，倒装芯片封装技术作为一项重要的进展，在电子产品设计与制造方面发挥着重要作用。
本文将以倒装芯片封装技术为中心，探讨其原理、发展历程以及在电子领域中的广泛应用。
一、倒装芯片封装技术的原理倒装芯片封装技术，顾名思义，即将芯片翻转后进行封装。
传统的封装方式是将芯片正面朝上，通过焊接或粘接等方式固定在基板上，然后进行封装。
而倒装芯片封装技术则是将芯片翻转180度，使其背面朝上，并通过金线或导电胶等方式与基板连接。
倒装芯片封装技术的核心在于解决芯片尺寸不断减小和功耗不断增加的矛盾。
芯片尺寸的不断缩小使得传统封装方式难以满足对电路布局的要求，而倒装技术使得芯片尺寸最小化，并且能够更好地进行布局，提高电路的性能。
此外，倒装芯片封装技术还能够提高散热效果，减少功耗，提高芯片的可靠性。
二、倒装芯片封装技术的发展历程倒装芯片封装技术起源于1960年代，当时主要用于高可靠性的军事和航天设备中。
随着电子产品的普及和成本的降低，倒装芯片封装技术逐渐应用于民用产品中。
在过去的几十年中，倒装芯片封装技术经历了多次的改进和创新，使得其在电子领域中得到了广泛应用。
在倒装芯片封装技术的发展历程中，主要有以下三个阶段：1.金线倒装封装技术：最早的倒装封装技术采用金线进行芯片与基板之间的连接，这种方式简单、可靠，但是金线间距有限，不适用于高密度集成电路的封装。
2.焊接倒装封装技术：为了解决金线倒装封装技术的局限性，人们引入了焊接倒装封装技术。
这种技术采用焊料将芯片与基板焊接在一起，相比金线倒装技术，焊接倒装技术能够实现更高的密度和更好的散热效果。
3.导电胶倒装封装技术：近年来，随着导电胶技术的成熟，导电胶倒装封装技术成为了倒装芯片封装的主流技术。
导电胶能够实现更高的密度、更低的电阻和更好的散热性能，同时还能够简化制造工艺和降低成本。
倒装芯片键合技术发展现状与展望下载提示：该文档是本店铺精心编制而成的，希望大家下载后，能够帮助大家解决实际问题。
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Zymet胶水分类及应用三力高一，Zymet胶水分类1，Zymet 各向异性导电粘合剂2，Zymet 导电胶3，Zymet 导热粘合剂4，Zymet 非导电胶(NCP)5，Zymet 光电胶粘剂6，Zymet 极低应力芯片粘接剂7，Zymet 底部填充剂8，Zymet 可返修的底部填充剂9，Zymet 紫外光固化顶部密封剂，闭合与密封用途的密封剂二，Zymet胶水应用1，Zymet 各向异性导电粘合剂用于倒装芯片附件和电接地附件用于电气互连的各向异性导电粘合剂Zymet设计的电气互联的各向异性导电粘合剂主要用于倒装芯片附件。
用途包括驱动器IC 上的芯片玻璃(COG)附件，RFID以及智能卡组装用的覆晶接合附件。
特点：1，镀金球形聚合物颗粒小至３微米；2，分散稳定性极高，可保证随机颗粒分布；3，粒子的高电气隔离可减少短路；4，细间距分辨率－可小至３５微米；5，热固化或紫外光固化可在１０秒内完成。
紫外光固化的品种需要使用UV透明基板，例如玻璃。
用于电接地附件的各向异性导电粘合剂为电接地设计的ACP使用大小均匀，球形导电颗粒，以便调整胶层厚度，造就两个基板之间的电接触。
特点：1，一体化，注射剂分配系统；2，胶层具有非常低且稳定的抗接触表面；3，60秒以内可快速固化，也可使用传统烤箱固化法；4，超低压粘接。
2，Zymet 导电胶用于芯片粘接和电子组装芯片粘合剂Zymet的导电芯片粘接剂可用于半导体包装，混合集成电路组装，机芯集成电路组装，智能卡芯片组装。
导电胶是可用注射器分配的浆糊。
特点：1，低体积电阻率；2，离子污染低；3，定制的粘度和流变量，以便使用高速自动化分配器；4，60秒以内可快速固化，也可使用传统烤箱固化法。
一般用途的粘合剂Zymet’的一般用途导电胶可用于部件连接，接线连接，以及印刷电路组装维修。
一体化的产品拥有优良的稳定性，长期不变质。
两个组成部分的产品则可在室温下固化。
产品既有易取出的软糊状的，也有高生强度的粘稠的糊状物。
