一维高分子链中点缺陷引起的局域模
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一维和二维准晶中位错与夹杂问题及接触问题研究一维和二维准晶中位错与夹杂问题及接触问题研究引言固态材料的研究一直是材料科学领域的关注焦点之一。
材料中的位错、夹杂和接触问题是影响材料性能和机械行为的关键因素。
本文将重点研究一维和二维准晶中的位错与夹杂问题,以及与之相关的接触问题,探讨其对材料的影响及这些问题的研究进展。
一、一维准晶中的位错与夹杂问题位错是材料中晶体结构的缺陷,可以通过晶格错位或原子位移来描述。
一维准晶中的位错应力场与经典晶格位错不同,因为一维准晶中的晶格具有更复杂的周期性和交替性。
位错对材料的机械性能和变形行为有重要影响,对位错的研究有助于理解准晶材料的结构和特性。
夹杂是指在晶体中插入的杂质或其他非晶相。
夹杂会导致晶格畸变、界面扩散和电子结构变化,从而影响材料的物理性质。
夹杂的大小、形状和分布将决定材料的力学性能、导电性能和热导率等。
二、二维准晶中的位错与夹杂问题与一维准晶不同,二维准晶中的位错和夹杂问题更具挑战性。
二维准晶的晶胞结构相对更复杂,存在更多的可能性。
通过研究二维准晶中的位错结构和性质,可以揭示材料的微观机制和宏观行为。
位错和夹杂可以相互作用,这种相互作用对材料的性能和行为起着重要作用。
当位错与夹杂相遇时,位错可以穿透夹杂,也可以分解为子位错重新排列。
这种相互作用将影响位错迁移和能量传播路径。
通过研究位错与夹杂的相互作用,可以了解材料中位错穿行和位错子排列的机制。
三、准晶中的接触问题准晶中的接触问题涉及材料的表面与外界或其他材料之间的接触行为。
由于准晶具有特殊的晶体结构和相互作用特性,其表面的接触行为与晶体的接触行为存在差异。
准晶的结构对于界面的宏观性质和微观行为具有重要影响。
准晶的接触问题涉及粘附、摩擦和磨损等现象。
准晶材料的独特结构使其具有出色的抗摩擦和耐磨损性能。
了解准晶的接触行为对于开发新的功能材料和提高材料性能具有重要意义。
结论位错、夹杂和接触问题是准晶材料研究的关键领域之一。
以下为1~6章的名词解释,资料来源为高分子物理(第四版)材料科学基础(国外引进教材),化工大词典,百度百科,维基百科等。
第一章高分子链的结构全同立构:高分子链全部由一种旋光异构单元键接而成间同立构:高分子链由两种旋光异构单元交替键接而成构型:分子中由化学键所固定的原子在空间的几何排列,这种排列是热力学稳定的,要改变构型必需经过化学键的断裂与重组分子构造(Architecture):指聚合物分子的各种形状,一般高分子链的形状为线形,还有支化或交联结构的高分子链,支化高分子根据支链的长短可以分为短支链支化和长支链支化两种类型共聚物的序列结构:是指共聚物根据单体的连接方式不同所形成的结构,共聚物的序列结构分为四类:无规共聚物、嵌段共聚物、交替共聚物、接枝共聚物接枝共聚物:由两种或多种单体经接枝共聚而成的产物,兼有主链和支链的性能。
嵌段共聚物(block copolymer):又称镶嵌共聚物,是将两种或两种以上性质不同的聚合物链段连在一起制备而成的一种特殊聚合物。
环形聚合物:它的所有结构单元在物理性质和化学性质上都是等同的超支化聚合物:是在聚合物科学领域引起人们广泛兴趣的一种具有特殊大分子结构的聚合物构象:由于σ单键内旋转而产生的分子在空间的不同形态。
链段:高分子链上划分出的可以任意取向的最小单元或高分子链上能够独立运动的最小单元称为链段。
链柔性:是指高分子链在绕单键内旋转自由度,内旋转可导致高分子链构象的变化,因为伴随着状态熵增大,自发地趋向于蜷曲状态的特性。
近程相互作用:是指同一条链上的原子或基团之间,沿着链的方向,因为距离相近而产生相互作用远程相互作用:因柔性高分子链弯曲所导致的沿分子链远距离的原子或基团之间的空间相互作用。
远程相互作用可表现为斥力或引力,无论是斥力还是引力都使内旋转受阻,构想数减少,柔性下降,末端距变大。
自由连接链:假定分子是由足够多的不占体积的化学键自由结合而成,内旋转时没有键角限制和位垒障碍,其中每个键在任何方向取向的几率都相同。
一维掺杂光子晶体缺陷模的全貌特征
刘启能
【期刊名称】《半导体光电》
【年(卷),期】2007(28)2
【摘要】通过一维掺杂光子晶体缺陷模的三个不同角度的立体图以及它们对应的俯视切面图,全面地研究了缺陷模随杂质光学厚度、杂质折射率以及光子晶体折射率的变化关系,得出了一维掺杂光子晶体缺陷模的全貌特征,并得到以下重要结论:缺陷模透射峰随杂质光学厚度变化呈周期性的出现,在同一周期上缺陷模的波长随杂质光学厚度呈线性变化;缺陷模透射峰的半高宽度随杂质折射率的增加而减小,但陷模透射峰的高度不受杂质折射率变化的影响;光子晶体的折射率对缺陷模透射峰的峰高和半高宽度都有显著的影响。
【总页数】4页(P224-227)
【关键词】掺杂光子晶体;缺陷模;特征矩阵;全貌特征
【作者】刘启能
【作者单位】重庆工商大学理学院
【正文语种】中文
【中图分类】O436
【相关文献】
1.正负交替一维掺杂光子晶体缺陷模的特性 [J], 胡莉;刘启能
2.多层掺杂对一维光子晶体缺陷模的影响 [J], 刘启能;张翠玲;林睿;胡莉
3.一维磁流体掺杂光子晶体缺陷模的磁控可调特性 [J], 郝丽丽;谢应茂
4.一维掺杂光子晶体缺陷模的共振理论 [J], 刘启能
5.一种研究一维掺杂光子晶体缺陷模的方法 [J], 刘启能;龙涛;代洪霞
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一维光子晶体缺陷模局域场强的分布特征近年来,以光子晶体(PC)研究谐振腔衍射与缺陷模型为关注的焦点已经引起广泛关注。
光子晶体缺陷模型具有复杂的谐振结构,其中主要特征是谐振腔之间存在局域场强的分布特征。
特别是,一维光子晶体中的缺陷模型,其局域场强的分布特征在光子晶体研究中具有重要的学术意义。
本文的主要目的是系统性地探讨一维光子晶体缺陷模型中局域场强的分布特征。
首先,我们介绍一维光子晶体的概念。
一维光子晶体是指使用金属等材料制成的有序结构,其中具有非常强大的禁带结构,可极大地限制光子的传播。
在一维光子晶体中,缺陷模型的存在主要由其谐振结构的禁带结构引起的,因此研究缺陷模型的局域场强分布特征对于更加深入地了解一维光子晶体结构至关重要。
其次,我们考虑光子晶体谐振腔中的缺陷模型的局域场强分布特征:由于谐振腔内的电磁场存在周期性变化,从而产生缺陷模型。
缺陷模型以局域场强为主要特征,在一维光子晶体中,缺陷模型的局域场强分布可以简单地分为“保持型”和“变化型”两类。
即便是在非理想情况下,缺陷模型也可以保持局域场强的一致分布。
另外,也有可能出现局域场强的变化特性。
这种局域场强的变化特性可以用双曲正弦函数来表示,因此可以提供相关的模型参数,以便进一步研究缺陷模型的局域场强分布。
综上所述,一维光子晶体缺陷模型的局域场强分布特征可以简单地分为“保持型”和“变化型”两类。
即使在非理想情况下,缺陷模型也可以保持局域场强的一致分布。
另外,也存在缺陷模型局域场强的变化特性,可以用双曲正弦函数来表示,以便进一步研究缺陷模型的局域场强分布模式。
最后,本文所讨论的一维光子晶体缺陷模型的局域场强分布特征对于更加深入了解一维光子晶体结构具有重要的研究意义。
从理论上以及实验上,我们可以进一步研究和优化局域场强分布。
这将有助于获得更好的光学性能和优化结构。
总之,以上就是我们关于一维光子晶体缺陷模型中局域场强分布特征的研究。
未来,我们将深入探讨这一领域的相关性质,以期取得更多的研究成果。