当控制极加正向电压,IG产生,特性曲线左移,正向转折 电压降低, 元件容易导通。 IG越大,UBO越低。
可控整流电路
半波可控整流电路
半控桥式整流电路
可控
半波可控整流电路
特点 1)以晶闸管代替半波整流电路中的二极管 2)晶闸管与RL串联,电路电流为io,控制极施加 周期性正向脉冲电压uG
当t=0时, 电压为0,uG为0,晶闸管电流io=0
第二基极与发射极之间的电阻为RB2,数值恒定。
发射结具有单向导电性,以二极管D表示 等效电路
在两个基极之间加正向电压UBB
伏安特性曲线
当发射极电压为0:UA=RB1×UBB/(RB1+RB2)= UBB
称分压系数(分压比),一般为0.3~0.9,是单结晶体管 的重要参数
提高发射极电压UE:当UE<UA,PN结反偏,IE几乎为0 RB1呈高阻,单结晶体管截止。
尖脉冲出现的时间可通过改变 R 的值来调节
R大,电容充电慢, 到达uP的时间长,脉冲出现时间晚 R小,电容充电快, 到达uP的时间短,脉冲出现时间早
移相
单结晶体管振荡电路可用于半控整流电路中,构成触发电路。
主电路:单相桥式半控整流电路 触发电路:由单结晶体管振荡器组成
同步
变压器Tr:
为将触发电路产生的尖 脉冲按一定周期准时送 至主电路,使晶闸管按 周期导通,必须使晶闸 管阳极电压起始时刻与 电容器充电起始时刻保 持一致。
温度补偿电阻R2
200~600
R2的作用是补偿温度变化对单结晶体管峰值电压UP的影响 UP=UBB+UD 当温度升高,结电压UD略有减小,而RBB 随温度升高而略有增大,串联R2以后,若RBB增大,按 照分压原理,UBB升高,补偿UD的 减小,使UP稳定。