光刻的应用领域
1. 半导体芯片制造：光刻技术是制造集成电路（IC）的关键步骤之一。通过将芯片设计投影到硅片上，利用光刻技术进行图形转移，形成微米级的电路结构和器件。
2. 平面显示器制造：光刻技术用于制造液晶显示器（LCD）、有机发光二极管显示器（OLED）等平面显示器。通过光刻技术，在基板上制造导线、电极、像素点等微细结构。
3. 光子学：光刻技术被广泛应用于制造光学器件和光纤通信设备。通过光刻技术制造微光学结构，如分光器、光栅、微透镜等。
4. 生物芯片制造：光刻技术可用于制造生物芯片和实验室微芯片。通过光刻技术制造微细通道、微阀门等微流控结构，实现对微小液滴和生物分子的控制和分析。
5. 微机电系统（MEMS）制造：光刻技术在MEMS制造中起到关键作用。通过光刻技术制造微米级的机械结构、传感器和执行器，实现微小机械和电子的集成。
6. 光刻制造设备：光刻技术的应用也推动了光刻设备的发展。光刻机是一种关键的制造设备，能够将光刻胶的图形转移到硅片或其他基板上，并具备高分辨率、高精度和高速度等特性。
电子工业毫用设备 ・ＩＣ制造设备・
图像处理在双面宪刻机中的应用
李久芳，尚志伟
（中国电子科技集团公司第四十五研究所，北京东燕郊０６５２０１）
摘要：讨论了双面对准光刻机的底部对准原理，并着重介绍了图像处理在高精度光刻机中的应 用。通过对采集到的标记图形进行图像分割和边缘定位，使标记的边缘精确定位在亚像素级．．从
实验的结果来看，这种方法能够对对准标记达到很好的边缘定位，提高了对准精度。
关键词：底面对准；图像处理；边缘检测 中图分类号：ＴＮ３０５．７ 文献标识码：Ａ 文章编号：ｌ００４．４５０７（２００６）ｌ２．００５７．０４
Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ ｏｆ Ｄｉｇｉｔａｌ Ｉｍａｇｅ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｉｎ Ｄｏｕｂｌｅ－Ｆａｃｅｄ Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ
ＬＩ Ｊｉｕ－ｆａｎｇ，ＳＨＡＮＧ Ｚｈｉ－ｗｅｉ
（Ｔｈｅ ４５ｔｈ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ ｏｆ ＣＥＴＣ，Ｂｅｉｊｉｎｇ Ｅａｓｔ Ｙａｎｊｉａｏ ０６５２０１，Ｃｈｉｎａ）
Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｔｈｉｓ ｐａｐｅｒ ｄｉｓｃｕｓｓｅｓ ｔｈｅ ｐｒｉｎｃｉｐｌｅ ｏｆ ｂｏｔｔｏｍ ｓｉｄｅ ａｌｉｇｎｍｅｎｔ ｓｙｓｔｅｍ ｏｎ ｄｏｕｂｌｅ－－ｆａｃｅｄ ｌｉｔｈｏｇｒａ－－
ｐｈｙ，ａｎｄ ｍａｉｎｌｙ ｉｎｔｒｏｄｕｃｅｓ ｔｈｅ ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ ｏｆ ｄｉｇｉｔａｌ ｉｍａｇｅ ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ ｉｎ ｔｈｅ ｓｙｓｔｅｍ．Ｔｈｅ ａｌｉｇｎｍｅｎｔ
ｍａｒｋ ｉｍａｇｅ ｃａｎ ｕｓｅ ｉｍａｇｅ ｓｅｇｍｅｎｔａｔｉｏｎ ａｎｄ ｅｄｇｅ ｌｏｃａｌｉｚａｔｉｏｎ．Ｔｈｉｓ ｍｅｔｈｏｄ ｃａｎ ｍａｋｅ ｔｈｅ ｍａｒｋ ｉｍａｇｅ
ｅｄｇｅ ａｃｃｕｒａｔｅｌｙ ｌｏｃａｔｅ ｓｕｂｐｉｘｅｌ，Ｆｒｏｍ ｔｈｅ ｒｅｓｕｌｔｓ ｏｆ ｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔａｔｉｏｎ，ｔｈｅ ｍｅｔｈｏｄ ｃａｎ ｍａｋｅ ｔｈｅ ｍａｒｋ
Vo.l14,No.16精细与专用化学品第14卷第16期
FineandSpecialtyChemicals2006年8月21日
市场资讯
光刻胶的发展及应用
郑金红*
(北京化学试剂研究所,北京100022)
摘要:主要介绍了国内外光刻胶的发展历程及应用情况,分析了国内外光刻胶市场状况及未来走向,并在此基础上阐述了我国光刻胶今后的研发重点及未来的发展方向。关键词:集成电路;光刻胶;感光剂
DevelopmentTrendsandMarketofPhotoresist
ZHENGJinhong(BeijingInstituteofChemicalReagents,Beijing100022,China)
Abstract:ThedevelopmentcourseandapplicationofphotoresistinChinaandabroadwereintroduced.ThemarketstatusandheadingdirectionofphotoresistinChinaandabroadwerealsoanalyzed.TheresearchfocusesanddevelopmenttrendsofphotoresistinChinaweredescribed.Keywords:integratedcircuit;photoresist;photosensitizer
光刻胶(又称光致抗蚀剂)是指通过紫外光、准
分子激光、电子束、离子束、X射线等光源的照射或辐射,其溶解度发生变化的耐蚀刻薄膜材料。主要
用于集成电路和半导体分立器件的微细加工,同时
在平板显示、LED、倒扣封装、磁头及精密传感器等
制作过程中也有着广泛的应用。由于光刻胶具有光化学敏感性,可利用其进行光化学反应,将光刻胶涂
覆半导体、导体和绝缘体上,经曝光、显影后留下的
部分对底层起保护作用,然后采用蚀刻剂进行蚀刻就可将所需要的微细图形从掩模版转移到待加工的
光引发剂TPO的应用领域
光引发剂又称光敏剂，它是能吸收辐射能，经过化学变化产生具有引发聚合能力的活性中间体的物质。光引发剂可分为夺氢型和裂解型，夺氢型光引发剂一般和增感剂配合使用，常用的增感剂为叔胺类化合物，常用的光引发剂列于下表。
表4.1 常用的光引发剂的种类与特点
光引发剂 商品名 吸收峰um 最长吸收波nm 优点 缺点
二苯甲酮 BP 260 370 廉价，与叔胺配合有较好表干作用 有气味，挥发性大
安息香双甲醚 651 330-340 390 价格便宜，热稳定性好，光引发效率高 泛黄
α-羟基异丙基苯甲酮 1173 320-335 370 不泛黄，热稳定性好，光引发效率高 挥发大
α-羟基环乙基苯甲酮 184 325-330 370 不泛黄，热稳定性好，光引发效率高
异丙基硫杂蔥酮 ITX 375-385 430 感光度范围宽与叔胺配合引发效率高 带浅黄色
2.4-甲硫基苯甲酰基2-吗啉基丙烷 970 320-325 385 感光度范围宽，高UV吸收性 有臭味，泛淡米色，价高
2.4.6-三甲基苯甲酰基二苯基氧化膦 TPO 273 380 很长的波长范围内的UV吸收不犯黄，后聚合效应低，无残留 价高
4-吗啉基苯甲酰基-1-卡基，1-二甲氨基丙烷 369 325-335 440 感光度范围高，高UV吸收性 淡黄色、价高
不同的光引发剂对同一波段紫外光的吸收率也不同, 因而引发速度也不同。
不同的光引发剂在紫外光区域内, 都有一个最大吸收峰, 在最大吸收峰处,
引发剂的引发效率最高, 从而固化体系的固化速度也就最快。
光引发剂种类较多，TPO是一种高效的自由基（1）型、在长波长范围内都有吸收的高效光引发剂。由于其具有很宽的吸收范围，其有效吸收峰值为350～400nm，一直吸收致420nm左右，它的吸收峰较常规引发剂偏长，经光照后可生成苯甲酰和磷酰基两个自由基，都能引发聚合，因此光固化速度快，它还具有
Vo.l14,No.16精细与专用化学品第14卷第16期
FineandSpecialtyChemicals2006年8月21日
市场资讯
光刻胶的发展及应用
郑金红*
(北京化学试剂研究所,北京100022)
摘 要:主要介绍了国内外光刻胶的发展历程及应用情况,分析了国内外光刻胶市场状况及未来走向,并在此基础上阐述了我国光刻胶今后的研发重点及未来的发展方向。关键词:集成电路;光刻胶;感光剂
DevelopmentTrendsandMarketofPhotoresist
ZHENGJin-hong(BeijingInstituteofChemicalReagents,Beijing100022,China)
Abstract:ThedevelopmentcourseandapplicationofphotoresistinChinaandabroadwereintroduced.ThemarketstatusandheadingdirectionofphotoresistinChinaandabroadwerealsoanalyzed.TheresearchfocusesanddevelopmenttrendsofphotoresistinChinaweredescribed.Keywords:integratedcircuit;photoresist;photosensitizer
光刻胶(又称光致抗蚀剂)是指通过紫外光、准
分子激光、电子束、离子束、X射线等光源的照射或辐射,其溶解度发生变化的耐蚀刻薄膜材料。主要
用于集成电路和半导体分立器件的微细加工,同时
在平板显示、LED、倒扣封装、磁头及精密传感器等
制作过程中也有着广泛的应用。由于光刻胶具有光化学敏感性,可利用其进行光化学反应,将光刻胶涂
覆半导体、导体和绝缘体上,经曝光、显影后留下的
部分对底层起保护作用,然后采用蚀刻剂进行蚀刻就可将所需要的微细图形从掩模版转移到待加工的
