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麦克斯韦方程组麦克斯韦方程组求助编辑百科名片关于热力学的方程，详见“麦克斯韦关系式”。
麦克斯韦方程组（英语：Maxwell's equations）是英国物理学家麦克斯韦在19世纪建立的描述电磁场的基本方程组。
它含有四个方程，不仅分别描述了电场和磁场的行为，也描述了它们之间的关系。
目录麦克斯韦方程组 Maxwell's equation麦克斯韦方程组的地位历史背景积分形式微分形式科学意义编辑本段麦克斯韦方程组 Maxwell's equation麦克斯韦方程组是英国物理学家麦克斯韦在19世纪建立的描述电场与磁场的四个基本方程。
麦克斯韦方程组的微分形式，通常称为麦克斯韦方程。
在麦克斯韦方程组中，电场和磁场已经成为一个不可分割的整体。
该方程组系统而完整地概括了电磁场的基本规律，并预言了电磁波的存在。
麦克斯韦提出的涡旋电场和位移电流假说的核心思想是：变化的磁场可以激发涡旋电场，变化的电场可以激发涡旋磁场；电场和磁场不是彼此孤立的，它们相互联系、相互激发组成一个统一的电磁场。
麦克斯韦进一步将电场和磁场的所有规律综合起来，建立了完整的电磁场理论体系。
这个电磁场理论体系的核心就是麦克斯韦方程组。
编辑本段麦克斯韦方程组的地位麦克斯韦方程组在电磁学中的地位，如同牛顿运动定律在力学中的地位一样。
以麦克斯韦方程组为核心的电磁理论，是经典物理学最引以自豪的成就之一。
它所揭示出的电磁相互作用的完美统一，为物理学家树立了这样一种信念：物质的各种相互作用在更高层次上应该是统一的。
另外，这个理论被广泛地应用到技术领域。
编辑本段历史背景1845年，关于电磁现象的三个最基本的实验定律：库仑定律（1785年），安培—毕奥—萨伐尔定律（1820年），法拉第定律（1831-1845年）已被总结出来，法拉第的“电力线”和“磁力线”概念已发展成“电磁场概念”。
场概念的产生，也有麦克斯韦的一份功劳，这是当时物理学中一个伟大的创举，因为正是场概念的出现，使当时许多物理学家得以从牛顿“超距观念”的束缚中摆脱出来，普遍地接受了电磁作用和引力作用都是“近距作用”的思想。
麦克斯韦方程组麦克斯韦方程组是描述电磁场的四个基本方程，由苏格兰物理学家詹姆斯·克拉克·麦克斯韦在19世纪提出。
这四个方程求解了电磁场的本质，对于描述电磁波的传播以及电磁现象的研究起着重要的作用。
麦克斯韦方程组的第一个方程是高斯定律，它描述了电荷对电场产生的影响。
它的数学表达式为：∮E·dA = ε0∫ρdV其中，∮E·dA表示电场在截面A上的面积分，ε0为真空中的介电常数，ρ为电场中的电荷密度。
第二个方程是法拉第电磁感应定律，它描述了磁场通过闭合回路所产生的感应电场。
数学上可以表示为：∮B·dl = μ0(I + ε0d(∫E·dA)/dt)其中，∮B·dl表示磁场在环路l上的线积分，μ0为真空中的磁导率，I为环路中的电流强度，d(∫E·dA)/dt表示时间的变化率。
第三个方程是安培定律，它描述了环路中通过的电流对磁场产生的影响。
数学上可以表示为：∮B·dl = μ0I其中，∮B·dl表示磁场在环路l上的线积分，μ0为真空中的磁导率，I为环路中的电流强度。
最后一个方程是法拉第电磁感应定律的推广形式，也被称为麦克斯韦-安培定律。
它描述了变化的电场对磁场产生的影响，以及变化的磁场对电场产生的影响。
数学上可以表示为：∮E·dl = - d(∫B·dA)/dt其中，∮E·dl表示电场在环路l上的线积分，∮B·dA表示磁场通过闭合曲面的通量，d(∫B·dA)/dt表示时间的变化率。
麦克斯韦方程组是电磁学的基础，它描述了电荷和电流对电磁场产生的影响，以及电场和磁场对电荷和电流产生的影响。
通过这四个方程，我们可以推导出电磁波的存在和传播，解释电磁感应现象，研究电磁场的性质。
麦克斯韦方程组的研究也对电磁学的发展做出了巨大的贡献。
麦克斯韦方程组的理论和实验研究为电磁学的发展奠定了基础。
【介质中的麦克斯韦方程组微分形式】1. 概述介质中的麦克斯韦方程组微分形式是电磁学和电磁场理论中的重要内容。
麦克斯韦方程组是描述电磁场的基本规律，而介质则是电磁场存在的载体。
介质中的麦克斯韦方程组微分形式对于深入理解电磁场在介质中的行为具有重要意义。
本文将深入探讨介质中的麦克斯韦方程组微分形式的相关内容。
2. 麦克斯韦方程组的微分形式麦克斯韦方程组包括四个方程，分别是电场和磁场的高斯定律、法拉第电磁感应定律、安培环路定律以及麦克斯韦修正的安培定律。
在介质中，这些方程需要通过介质的性质来修正。
介质中的麦克斯韦方程组的微分形式可以通过在麦克斯韦方程组中引入介质的极化密度和磁化强度来得到。
3. 介质中的极化密度和磁化强度介质中的极化密度P和磁化强度M是描述介质对电磁场响应的重要物理量。
极化密度P是介质中分子或原子偶极矩单位体积的总和，而磁化强度M则是介质中磁矩单位体积的总和。
极化密度和磁化强度分别对应电场的变化和磁场的变化，在介质中的麦克斯韦方程组中起着重要的作用。
4. 介质中的电磁场方程介质中的麦克斯韦方程组微分形式可以写作：（1）∇•D=ρf （高斯定律）（2）∇•B=0 （高斯磁定律）（3）∇×E=−∂B∂t （法拉第电磁感应定律）（4）∇×H=J+∂D∂t （安培环路定律）在这些方程中，D和H分别为电位移矢量和磁场强度矢量，ρf和J为自由电荷密度和自由电流密度。
引入介质的极化密度和磁化强度后，这些方程可以写作：（5）∇•D=ρf+ρb （介质中的高斯定律）（6）∇•B=0 （介质中的高斯磁定律）（7）∇×E=−∂B∂t−∂D∂t （介质中的法拉第电磁感应定律）（8）∇×H=J+∂B∂t （介质中的安培环路定律）其中，ρb和M分别为介质中的极化电荷密度和磁化电流密度。
这些方程描述了介质中电磁场的变化规律，是理解介质中电磁场行为的重要工具。
5. 介质的线性响应在实际的介质中，其极化密度和磁化强度通常会遵循线性关系，即P=ε0χeE和M=χmH，其中ε0为真空介电常数，χe和χm分别为介质的电极化率和磁化率。
介质中麦克斯韦方程组介质中的麦克斯韦方程组是描述电磁场在介质中传播和相互作用的基本方程。
它由四个方程组成，包括两个关于电场的方程和两个关于磁场的方程。
这些方程可以用来描述电磁波在介质中的传播、反射和折射等现象。
麦克斯韦方程组是由麦克斯韦根据法拉第电磁感应定律和安培环路定律以及高斯定律和高斯磁定律总结得到的。
它们是电磁学的基本方程，对于理解电磁波在介质中传播和相互作用起着重要作用。
下面将详细介绍介质中的麦克斯韦方程组：1. 高斯定律（电场）高斯定律（电场）描述了电荷分布对电场产生的影响。
它可以表示为：∮E·dA = 1/ε₀ ∫ρdV其中，∮E·dA表示对闭合曲面上的电场进行积分，ε₀是真空介电常数，ρ是空间内的自由电荷密度。
2. 高斯磁定律（磁场）高斯磁定律（磁场）描述了磁荷分布对磁场产生的影响。
它可以表示为：∮B·dA = 0其中，∮B·dA表示对闭合曲面上的磁场进行积分，B是磁感应强度。
3. 法拉第电磁感应定律法拉第电磁感应定律描述了变化的磁场对电场的影响。
它可以表示为：∫E·dl = -d(∫B·dA)/dt其中，∫E·dl表示对闭合回路上的电场进行积分，-d(∫B·dA)/dt表示时间变化率。
4. 安培环路定律安培环路定律描述了变化的电场对磁场的影响。
它可以表示为：∮B·dl = μ₀(∫J·dA + ε₀ d(∫E·dA)/dt)其中，∮B·dl表示对闭合回路上的磁感应强度进行积分，μ₀是真空导磁率，J是电流密度。
通过这四个方程，我们可以描述介质中电场和磁场之间的相互作用和传播规律。
这些方程可以用于解释电磁波在介质中的传播、反射和折射等现象。
在介质中，麦克斯韦方程组还需要考虑介质的电磁性质。
一般情况下，我们将电磁场分为两个部分：自由电荷导致的电场和电流导致的磁场。
在介质中，麦克斯韦方程组可以表示为：1. 高斯定律（电场）∮E·dA = 1/ε ∫(ρ_f + ρ_d)dV其中，∮E·dA表示对闭合曲面上的电场进行积分，ε是介质的介电常数，ρ_f是自由电荷密度，ρ_d是极化产生的束缚电荷密度。
₪基本电磁规律1.关于介质的概念2.介质的极化3.介质的磁化4.介质中的麦克斯韦方程组基本电磁规律1.4 介质中的电磁性质第1章₪基本电磁规律所有磁现象都是由运动电荷产生的，事实上任何磁性材料在原子级别都有微小的电流，围绕原子核旋转的电子和电子自旋。
对宏观效果来说，这些环形电流可以看成是磁偶极子。
若分子电流大小为i ，面积为，则分子电流磁矩为，方向为右手螺旋定则的小磁针北极方向。
m ia a 3. 介质的磁化(1)磁偶极子磁化前分子磁矩分布图原子核电子电子绕核形成磁矩图例₪基本电磁规律由于分子电流取向的无规性，没有外场时一般不会出现宏观电流分布。
但是当施加外磁场后，这些磁偶极子会出现有序的排列，介质呈现磁性，形成宏观磁化电流密度，称为磁化。
3. 介质的磁化(2)介质的磁化M J MJ 0B₪基本电磁规律1.电介质极化后，极化方向几乎与外电场方向相同，但对于磁化来说，不同类型的物质，磁化方向有不同的取向。
顺磁体磁化方向与外磁场方向相同，抗磁体与外磁场方向相反。
2. 铁磁体在外磁场撤销后仍然保持磁性，对于铁磁体来说，磁化不仅仅由当时的外磁场决定，还与整个磁化“历史”有关。
3. 介质的磁化(3)关于磁化的说明₪基本电磁规律3. 介质的磁化(5)建立模型MIMI背面流出来以后又从前面流进）都对无贡献。
因此通过S 的总磁化电流等于边界线L所链环着的分子数目乘上每个分子的电流i。
MI设S 为介质内部一个曲面，其边界线为L，若分子电流被边界线L 链环，分子电流对总磁化电流有贡献，在其他情形下（分子电流不通过S，或者从S₪基本电磁规律3. 介质的磁化(6)总磁化电流M d d d L L L I nia l nm l M l如图是边界L 的一个线元，分子电流圈的面积为，若分子中心位于体积为的柱体内，则该分子电流就被所穿过，因此若单位体积分子数为n ，则被边界线L 所链环着的分子电流数目为，则总磁化电流为d l d a l a d l d L na l₪基本电磁规律3. 介质的磁化(7)磁化电流密度M M d d d M S L S I J S M l M S J M以表示磁化电流密度，有M J3. 介质的磁化(9)相互制约的磁现象介质内的磁现象包括两个方面，一方面电磁场作用于介质分子上产生磁化电流和极化电流分布，另一方面这些电流又反过来激发磁场，两者是相互制约的。
上次课要点✓真空中的麦克斯韦方程:E t J B B t B E E ∂∂+=⨯∇=⋅∇∂∂-=⨯∇=⋅∇0000εμμερ✓洛伦兹力密度:BJ E f ⨯+=ρ~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~§4介质中的麦克斯韦方程组我们已经得到了在真空中的麦克斯韦方程的表达式。
本节讨论在空间存在介质时麦克斯韦方程组的形式。
在进行定量分析之前，我们对这个介质对电磁（electromagnetic,EM）场的响应物理问题应该包含如下两个物理过程：∙电磁场对介质的作用：在电磁场的作用下，电介质内部的电荷分布发生变化，在介质的内部或者表面可能会出现电荷的不平衡，即出现附加电荷和电流分布。
∙介质对电磁场的影响：这些附加的电荷或者电流也会激发电磁场，这样就使得原来的电磁场发生改变。
因此，对于介质的存在与否，与我们针对真空中的麦克斯韦方程本身并没有直接的关联，只是由于介质的引入而可能在空间的某个区域出现了新的电荷和电流。
所以，上面的麦克斯韦方程的形式同样适合于介质存在的情况，只是需要我们把空间中所有的电荷、电流全部考虑进来。
有了这个基本的思路，对于介质而言，上面的麦克斯韦方程中的第2、3两个方程无需做任何的改变，而第1、4方程中我们只需要添加介质由于极化或者磁化而产生的新的非平衡的电荷与电流（附加项）：ρ=ρf+ρP,J= Jf +JP+JM式中：ρf和Jf为与介质极化、磁化无关的、分布于空间中（自由）电荷密度和（自由）电流密度分布。
从这个角度看，这里的“自由”的含义其实并非严格意思上的所谓自由电荷，比如我们采用离子注入的方法，人为地往介质中注入一些带电离子，尽管这些离子注入之后并不会在介质中移动，但我们应该把它们理解成所谓的自由电荷，这是因为这些电荷并不是由于介质极化而产生的非平衡电荷分布。
本节的任务就是研究空间上ρP,JP,JM的分布与该处的电磁场E, B的关系。
1、介质∙在电动力学中，我们可把媒质（medium）划分为绝缘介质（insulator）与金属导体两种类型。
绝缘体又称为介电体（dielectric），或者介质；“介”顾名思义就是“绝缘、不导电”的意思）。
∙有些介质，如海水、土壤，则具有一定的导电性，所以称为“导电介质”。
但国内多数教材把导电介质笼统称为导体，这极容易让学生把它们与金属这类导体混淆。
后面我们会介绍，这两类材料的介电常数及其色散特性是有很大的差异！这种差异表现简单的概括为，在导电的介质中电磁波是可以振荡传播的，只是其振幅随着传播距离的增加而指数衰减；而对于金属而言，由于电磁波的频率一般小于金属等离子频率，因此电磁波是禁止在其金属中传播的。
∙与量子电动力学不同，经典电动力学不是考察个别粒子产生的微观电磁场，而是考察一个物理小体积内某一物理量的平均值（宏观物理量）。
这里的物理小是指尺寸远小于电磁波的波长，但仍包含大数目分子，即所谓的连续介质（continous medium）理论，因此我们很自然的把这些介质看成均匀介质，可以用折射率（介电常数／磁导率）来刻画材料的光学性质；∙对于自然界的天然材料，光波长与分子或者原子的比值达到104～105；其次，材料的光学性质取决于组成材料的原子（分子）以及相互之间的相互作用。
一旦后者确定了，那材料的电磁性质就确定了，而无法轻易的改变。
∙即使构成材料的堆砌单元的尺寸从原子（分子）扩大到更大的尺寸范围，只要这个范围与电磁波波长的比值不超过10－1～10－2，由此堆砌而成的微结构材料仍然符合连续介质近似，可有效折射率来表征这类材料的电磁性质。
∙1999年，英国理论物理学家John Pendry指出，由于结构单元尺度进一步放大，人们可以采用自然界的材料，并设计某种结构单元，加工组装成三位的体系，能制备出性质在自然界还不存在的所谓人工EM材料，如具有负折射率的超构材料（metamaterial）［1-3］；∙还需要注意，可能对于某一波段的电磁波而言，我们可以采用连续介质模型来表征这种材料，一旦波长变得更短，则连续介质模型可能就实效了。
∙[1]Veselago V G.THE ELECTRODYNAMICS OF SUBSTANCES WITH SIMULTANEOUSLY NEGATIVE VALUES OF IMG align=ABSMIDDLE alt=ϵeps/IMG ANDμ[J].Physics-Uspekhi,1968,10(4):509-514.（首次理论提出）∙[2]Shelby R A,Smith D R,Schultz S.Experimental verification of a negative index of refraction[J].science,2001,292(5514):77-79.（首次实验实现）∙[3]Lezec H J,Dionne J A,Atwater H A.Negative refraction at visible frequencies[J].Science,2007,316(5823):430-432.（在可见光波的负折射）∙2、介质的极化、极化电荷和极化电流I 、两类介质分子：o 一类介质分子的正、负电荷中心重合，没有电偶极矩。
在存在电场时，正负电荷中心的间距拉开了。
o 另一类介质分子的正、负电荷中心不重合，分子有电偶极矩。
这些有极分子在电场的作用下按一定的方向有序排列。
在没有外场时，这些分子或者无电偶极矩、或者其取向是无序的，并不呈现任何宏观效应。
施加电场对这些分子作用相当于产生了一个电偶极矩——介质的极化。
II 、极化强度P定义：VpP ii∆=∑ 求和为对V ∆体积元中的所有分子求和。
III 、简化的极化模型：假设在无外场时，分子的正负电荷中心是重合的，其电量为q ±；极化后，正负电荷中心拉开的位移为l ；每个分子产生的电偶极矩为 p =q l 。
设介质的分子数密度为n ，则P = p i i ∑∆V =q l i ∑∆V =N ∆Vq l =nq l IV 、体内极化电荷分布与极化强度的关系：假设已知一块材料的极化强度的分布，极化强度的分布束缚电荷分布存在的依赖关系？为了找出这一关系，我们可先讨论：∙则因极化而通过闭合面上的面元S d 而“跑出去”的分子数：S l n d ⋅，∙从S d 面元跑出去的电量：SP S l nq d d ⋅=⋅∙通过一个封闭的曲面“跑出面”的总电量为⎰⋅S SPd由于在未极化前介质是中性的，因极化而跑出去一个正电荷，则必然在闭合曲面内留下一个负电荷。
所以因极化而在封闭曲面内出现束缚电荷量为⎰V P V d ρ，此处P ρ为束缚电荷的密度。
根据上述分析有：⎰⎰⋅-=S V P S P V d d ρ——（4.3’）上式的微分形式为：PP ⋅-∇=ρ——（4.3）几点推论：∙在非均匀极化时，在介质的整个体内都会出现极化电荷（又称为束缚电荷）；∙在体内均匀极化时，0=⋅∇P ，因此体内无极化电荷，极化电荷只出现在介质的分界面或者自由电荷附近。
∙在两种介质分界面上的面分布束缚电荷，我们用束缚电荷面密度表示，即为单位分界面上的束缚电荷电量。
V 、分界面极化电荷（面）分布与两侧极化强度之关系：σP =σP P 1, P 2()=?在分界面取一面元S d ，在面元的两侧取一定厚度的簿层；簿层内出现的束缚电荷与S d 的比值称为分界面上束缚电荷的面密度，用P σ表示。
对于所选取的柱面运用公式（4.3’）得到⎰⋅-⋅-⋅-=侧S P S P S n P S n P S d )(211212σ式中21n 为面法向（从介质1指向介质2）。
注意到在所选取的柱面的高度趋于零（物理小）时，有0d =⋅⎰侧S S P ，从而得到——（4.4）如果我们能够找出极化电荷的分布，则空间中的电场分布应该是原来的外场（假设没有变化）与极化电荷产生的极化电场叠加而成；下面我们来列举三个介质均匀极化的例子，看看极化电荷（面）分布的特点：∙例1：在均匀外场中均匀极化的介质球的极化电荷分布：极化电荷只分布在球表面，极化电荷的面密度：σP=P cosθ，因此远场看，这些极化电荷就像是一个电偶极子；根据对称性，球心处的电场应该是延着水平轴线方向。
在学完第二章的分离变量法求解静电势方法之后，我们就可以证明：分布在介质球表面的极化电荷在球内产生的退极化电场是一个均匀电场，并且与极化强度反向。
∙例2：在均匀外场中沿着棒轴向而均匀极化的长介质棒的极化电荷分布：极化电荷只分布在介质棒的两个端面；如果棒足够长，则棒两端的极化电荷对棒中的电场的影响可以忽略。
∙例3：在均匀外场中垂直棒的轴向而均匀极化的长介质棒的极化电荷分布，及其极化电场的特点（思考题）∙同学们思考一下例3，并与例子2相比之后，可以看到对于形状不同的介质，沿着不同的方向极化，对介质内部的电场的影响是不同的！在第二章我们对这一问题进行定量的讨论，并且能够定量解释半导体纳米线在激光照射下所产生的荧光表现出激光的偏振的强烈依赖性，这一现象是由哈佛大学一个研究小组2001年首先在Science 上报道的[4]∙[4]Wang J,Gudiksen M S,Duan X,et al.Highly polarized photoluminescence and photodetection from single indium phosphide nanowires[J].Science,2001,293(5534):1455-1457.V 、介质中麦克斯韦方程之一∙真空中麦克斯韦方程之一：0 ερ=⋅∇E （真空）∙在介质内上式仍然成立，公式中E 代表介质内的总电场；而激发它的源应是总电荷，即电荷密度ρ应包括自由电荷密度f ρ和束缚电荷密度P ρ两部分。
()0ερρP f E +=⋅∇ ——（4.5）由于在实际中自由电荷的分布易控制，所以为了研究的方便，常常在基本方程中将P ρ消去。
利用（4.3）得，()f P E ρε=+⋅∇ 0——（4.6）定义电位移矢量D ：PE D +=0ε从而将式（4.6）改写为：f D ρ=⋅∇ 几点说明：o 这是介质中的麦克斯韦基本方程之一；与真空中的麦克斯韦方程1相比较，虽然形式有了变化，但本质上是一样的。
o 电位移矢量D 的引入只是为了使得基本方程中只出现自由电荷。
o 特别需要注意的是，公式中的“自由电荷”有时并不非得是自由的，比如我们在实验中采用离子注入的方法，向介质中注入电荷，这些带电离子就对应“自由电荷”，因为它不是由于极化而在介质中导致的新的电荷分布；o 还有一种特殊的材料，称为驻极体，在不施加外场的情况下本身就存在极化电荷的非均匀分布，此时介质内部或者表面都可能存在极化电荷所激发的电场。
