chapter1-4 介质中的麦克斯韦方程组
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麦克斯韦方程组麦克斯韦方程组求助编辑百科名片关于热力学的方程,详见“麦克斯韦关系式”。
麦克斯韦方程组(英语:Maxwell's equations)是英国物理学家麦克斯韦在19世纪建立的描述电磁场的基本方程组。
它含有四个方程,不仅分别描述了电场和磁场的行为,也描述了它们之间的关系。
目录麦克斯韦方程组 Maxwell's equation麦克斯韦方程组的地位历史背景积分形式微分形式科学意义编辑本段麦克斯韦方程组 Maxwell's equation麦克斯韦方程组是英国物理学家麦克斯韦在19世纪建立的描述电场与磁场的四个基本方程。
麦克斯韦方程组的微分形式,通常称为麦克斯韦方程。
在麦克斯韦方程组中,电场和磁场已经成为一个不可分割的整体。
该方程组系统而完整地概括了电磁场的基本规律,并预言了电磁波的存在。
麦克斯韦提出的涡旋电场和位移电流假说的核心思想是:变化的磁场可以激发涡旋电场,变化的电场可以激发涡旋磁场;电场和磁场不是彼此孤立的,它们相互联系、相互激发组成一个统一的电磁场。
麦克斯韦进一步将电场和磁场的所有规律综合起来,建立了完整的电磁场理论体系。
这个电磁场理论体系的核心就是麦克斯韦方程组。
编辑本段麦克斯韦方程组的地位麦克斯韦方程组在电磁学中的地位,如同牛顿运动定律在力学中的地位一样。
以麦克斯韦方程组为核心的电磁理论,是经典物理学最引以自豪的成就之一。
它所揭示出的电磁相互作用的完美统一,为物理学家树立了这样一种信念:物质的各种相互作用在更高层次上应该是统一的。
另外,这个理论被广泛地应用到技术领域。
编辑本段历史背景1845年,关于电磁现象的三个最基本的实验定律:库仑定律(1785年),安培—毕奥—萨伐尔定律(1820年),法拉第定律(1831-1845年)已被总结出来,法拉第的“电力线”和“磁力线”概念已发展成“电磁场概念”。
场概念的产生,也有麦克斯韦的一份功劳,这是当时物理学中一个伟大的创举,因为正是场概念的出现,使当时许多物理学家得以从牛顿“超距观念”的束缚中摆脱出来,普遍地接受了电磁作用和引力作用都是“近距作用”的思想。
麦克斯韦方程组麦克斯韦方程组是描述电磁场的四个基本方程,由苏格兰物理学家詹姆斯·克拉克·麦克斯韦在19世纪提出。
这四个方程求解了电磁场的本质,对于描述电磁波的传播以及电磁现象的研究起着重要的作用。
麦克斯韦方程组的第一个方程是高斯定律,它描述了电荷对电场产生的影响。
它的数学表达式为:∮E·dA = ε0∫ρdV其中,∮E·dA表示电场在截面A上的面积分,ε0为真空中的介电常数,ρ为电场中的电荷密度。
第二个方程是法拉第电磁感应定律,它描述了磁场通过闭合回路所产生的感应电场。
数学上可以表示为:∮B·dl = μ0(I + ε0d(∫E·dA)/dt)其中,∮B·dl表示磁场在环路l上的线积分,μ0为真空中的磁导率,I为环路中的电流强度,d(∫E·dA)/dt表示时间的变化率。
第三个方程是安培定律,它描述了环路中通过的电流对磁场产生的影响。
数学上可以表示为:∮B·dl = μ0I其中,∮B·dl表示磁场在环路l上的线积分,μ0为真空中的磁导率,I为环路中的电流强度。
最后一个方程是法拉第电磁感应定律的推广形式,也被称为麦克斯韦-安培定律。
它描述了变化的电场对磁场产生的影响,以及变化的磁场对电场产生的影响。
数学上可以表示为:∮E·dl = - d(∫B·dA)/dt其中,∮E·dl表示电场在环路l上的线积分,∮B·dA表示磁场通过闭合曲面的通量,d(∫B·dA)/dt表示时间的变化率。
麦克斯韦方程组是电磁学的基础,它描述了电荷和电流对电磁场产生的影响,以及电场和磁场对电荷和电流产生的影响。
通过这四个方程,我们可以推导出电磁波的存在和传播,解释电磁感应现象,研究电磁场的性质。
麦克斯韦方程组的研究也对电磁学的发展做出了巨大的贡献。
麦克斯韦方程组的理论和实验研究为电磁学的发展奠定了基础。
【介质中的麦克斯韦方程组微分形式】1. 概述介质中的麦克斯韦方程组微分形式是电磁学和电磁场理论中的重要内容。
麦克斯韦方程组是描述电磁场的基本规律,而介质则是电磁场存在的载体。
介质中的麦克斯韦方程组微分形式对于深入理解电磁场在介质中的行为具有重要意义。
本文将深入探讨介质中的麦克斯韦方程组微分形式的相关内容。
2. 麦克斯韦方程组的微分形式麦克斯韦方程组包括四个方程,分别是电场和磁场的高斯定律、法拉第电磁感应定律、安培环路定律以及麦克斯韦修正的安培定律。
在介质中,这些方程需要通过介质的性质来修正。
介质中的麦克斯韦方程组的微分形式可以通过在麦克斯韦方程组中引入介质的极化密度和磁化强度来得到。
3. 介质中的极化密度和磁化强度介质中的极化密度P和磁化强度M是描述介质对电磁场响应的重要物理量。
极化密度P是介质中分子或原子偶极矩单位体积的总和,而磁化强度M则是介质中磁矩单位体积的总和。
极化密度和磁化强度分别对应电场的变化和磁场的变化,在介质中的麦克斯韦方程组中起着重要的作用。
4. 介质中的电磁场方程介质中的麦克斯韦方程组微分形式可以写作:(1)∇•D=ρf (高斯定律)(2)∇•B=0 (高斯磁定律)(3)∇×E=−∂B∂t (法拉第电磁感应定律)(4)∇×H=J+∂D∂t (安培环路定律)在这些方程中,D和H分别为电位移矢量和磁场强度矢量,ρf和J为自由电荷密度和自由电流密度。
引入介质的极化密度和磁化强度后,这些方程可以写作:(5)∇•D=ρf+ρb (介质中的高斯定律)(6)∇•B=0 (介质中的高斯磁定律)(7)∇×E=−∂B∂t−∂D∂t (介质中的法拉第电磁感应定律)(8)∇×H=J+∂B∂t (介质中的安培环路定律)其中,ρb和M分别为介质中的极化电荷密度和磁化电流密度。
这些方程描述了介质中电磁场的变化规律,是理解介质中电磁场行为的重要工具。
5. 介质的线性响应在实际的介质中,其极化密度和磁化强度通常会遵循线性关系,即P=ε0χeE和M=χmH,其中ε0为真空介电常数,χe和χm分别为介质的电极化率和磁化率。
介质中麦克斯韦方程组介质中的麦克斯韦方程组是描述电磁场在介质中传播和相互作用的基本方程。
它由四个方程组成,包括两个关于电场的方程和两个关于磁场的方程。
这些方程可以用来描述电磁波在介质中的传播、反射和折射等现象。
麦克斯韦方程组是由麦克斯韦根据法拉第电磁感应定律和安培环路定律以及高斯定律和高斯磁定律总结得到的。
它们是电磁学的基本方程,对于理解电磁波在介质中传播和相互作用起着重要作用。
下面将详细介绍介质中的麦克斯韦方程组:1. 高斯定律(电场)高斯定律(电场)描述了电荷分布对电场产生的影响。
它可以表示为:∮E·dA = 1/ε₀ ∫ρdV其中,∮E·dA表示对闭合曲面上的电场进行积分,ε₀是真空介电常数,ρ是空间内的自由电荷密度。
2. 高斯磁定律(磁场)高斯磁定律(磁场)描述了磁荷分布对磁场产生的影响。
它可以表示为:∮B·dA = 0其中,∮B·dA表示对闭合曲面上的磁场进行积分,B是磁感应强度。
3. 法拉第电磁感应定律法拉第电磁感应定律描述了变化的磁场对电场的影响。
它可以表示为:∫E·dl = -d(∫B·dA)/dt其中,∫E·dl表示对闭合回路上的电场进行积分,-d(∫B·dA)/dt表示时间变化率。
4. 安培环路定律安培环路定律描述了变化的电场对磁场的影响。
它可以表示为:∮B·dl = μ₀(∫J·dA + ε₀ d(∫E·dA)/dt)其中,∮B·dl表示对闭合回路上的磁感应强度进行积分,μ₀是真空导磁率,J是电流密度。
通过这四个方程,我们可以描述介质中电场和磁场之间的相互作用和传播规律。
这些方程可以用于解释电磁波在介质中的传播、反射和折射等现象。
在介质中,麦克斯韦方程组还需要考虑介质的电磁性质。
一般情况下,我们将电磁场分为两个部分:自由电荷导致的电场和电流导致的磁场。
在介质中,麦克斯韦方程组可以表示为:1. 高斯定律(电场)∮E·dA = 1/ε ∫(ρ_f + ρ_d)dV其中,∮E·dA表示对闭合曲面上的电场进行积分,ε是介质的介电常数,ρ_f是自由电荷密度,ρ_d是极化产生的束缚电荷密度。
₪基本电磁规律1.关于介质的概念2.介质的极化3.介质的磁化4.介质中的麦克斯韦方程组基本电磁规律1.4 介质中的电磁性质第1章₪基本电磁规律所有磁现象都是由运动电荷产生的,事实上任何磁性材料在原子级别都有微小的电流,围绕原子核旋转的电子和电子自旋。
对宏观效果来说,这些环形电流可以看成是磁偶极子。
若分子电流大小为i ,面积为,则分子电流磁矩为,方向为右手螺旋定则的小磁针北极方向。
m ia a 3. 介质的磁化(1)磁偶极子磁化前分子磁矩分布图原子核电子电子绕核形成磁矩图例₪基本电磁规律由于分子电流取向的无规性,没有外场时一般不会出现宏观电流分布。
但是当施加外磁场后,这些磁偶极子会出现有序的排列,介质呈现磁性,形成宏观磁化电流密度,称为磁化。
3. 介质的磁化(2)介质的磁化M J MJ 0B₪基本电磁规律1.电介质极化后,极化方向几乎与外电场方向相同,但对于磁化来说,不同类型的物质,磁化方向有不同的取向。
顺磁体磁化方向与外磁场方向相同,抗磁体与外磁场方向相反。
2. 铁磁体在外磁场撤销后仍然保持磁性,对于铁磁体来说,磁化不仅仅由当时的外磁场决定,还与整个磁化“历史”有关。
3. 介质的磁化(3)关于磁化的说明₪基本电磁规律3. 介质的磁化(5)建立模型MIMI背面流出来以后又从前面流进)都对无贡献。
因此通过S 的总磁化电流等于边界线L所链环着的分子数目乘上每个分子的电流i。
MI设S 为介质内部一个曲面,其边界线为L,若分子电流被边界线L 链环,分子电流对总磁化电流有贡献,在其他情形下(分子电流不通过S,或者从S₪基本电磁规律3. 介质的磁化(6)总磁化电流M d d d L L L I nia l nm l M l如图是边界L 的一个线元,分子电流圈的面积为,若分子中心位于体积为的柱体内,则该分子电流就被所穿过,因此若单位体积分子数为n ,则被边界线L 所链环着的分子电流数目为,则总磁化电流为d l d a l a d l d L na l₪基本电磁规律3. 介质的磁化(7)磁化电流密度M M d d d M S L S I J S M l M S J M以表示磁化电流密度,有M J3. 介质的磁化(9)相互制约的磁现象介质内的磁现象包括两个方面,一方面电磁场作用于介质分子上产生磁化电流和极化电流分布,另一方面这些电流又反过来激发磁场,两者是相互制约的。
均匀介质中麦克斯韦方程组麦克斯韦方程组是经典电磁学的核心理论之一,它描述了电磁波在均匀介质中的传播特性。
在均匀介质中,麦克斯韦方程组可以表示为以下形式:1. 波动方程:▽²E -ω²μE = 0其中,E 表示电场强度,μ表示磁导率,ω表示角频率。
2. 磁场方程:▽²H -ω²μH = -jωμP其中,H 表示磁场强度,μ表示磁导率,ω表示角频率,j 表示虚数单位,P 表示电通量密度。
3. 电流密度方程:▽·J = ρ其中,J 表示电流密度,ρ表示电荷密度。
4. 电荷密度方程:▽·D = ρ其中,D 表示电位移矢量。
这些方程描述了电磁波在均匀介质中的传播过程,包括电场、磁场、电流和电荷等物理量的关系。
这些方程是非线性的,因此求解起来比较复杂。
为了求解这些方程,通常需要采用近似方法和数值计算技术。
求解麦克斯韦方程组时需要考虑边界条件。
在介质边界上,电场和磁场需要满足一定的连续性条件。
这些边界条件可以通过求解介质交界面的电磁场来得到。
另外,还需要考虑初始条件,即当时间t=0时,各个物理量的值。
初始条件可以根据实际情况进行设定。
麦克斯韦方程组在电磁波传播、电磁场理论、电磁兼容等领域有着广泛的应用。
通过求解麦克斯韦方程组,可以预测电磁波在介质中的传播特性、电磁场的分布以及电磁波的能量传输等。
这些预测结果可以为实际应用提供重要的参考依据。
在均匀介质中,麦克斯韦方程组的解具有一些重要的性质。
首先,电磁波的传播速度与介质的性质有关,介质的电导率、磁导率和介电常数等因素都会影响电磁波的传播速度。
其次,当频率较高时,电磁波的传播特性与低频时有所不同,例如折射率、反射率和散射率等都会发生变化。
此外,当电磁波在介质中传播时,会与介质中的原子和分子相互作用,导致电磁波的能量逐渐衰减。
这种衰减与介质的吸收系数有关,对于不同频率和不同介质的电磁波,其吸收系数也不同。
麦克斯韦方程组关于热力学的方程,详见“麦克斯韦关系式”.麦克斯韦方程组(英语:Maxwell's equations)是英国物理学家麦克斯韦在19世纪建立的描写电磁场的根本方程组.它含有四个方程,不但分别描写了电场和磁场的行动,也描写了它们之间的关系.麦克斯韦方程组是英国物理学家麦克斯韦在19世纪建立的描写电场与磁场的四个根本方程.在麦克斯韦方程组中,电场和磁场已经成为一个不成朋分的整体.该方程组体系而完全地归纳分解了电磁场的根本纪律,并预言了电磁波的消失.麦克斯韦提出的涡旋电场和位移电流假说的焦点思惟是:变更的磁场可以激发涡旋电场,变更的电场可以激发涡旋磁场;电场和磁场不是彼此孤立的,它们互相接洽.互相激发构成一个同一的电磁场(也是电磁波的形成道理).麦克斯韦进一步将电场和磁场的所有纪律分解起来,建立了完全的电磁场理论体系.这个电磁场理论体系的焦点就是麦克斯韦方程组.麦克斯韦方程组,是英国物理学家詹姆斯·麦克斯韦在19世纪建立的一组描写电场.磁场与电荷密度.电流密度之间关系的偏微分方程.从麦克斯韦方程组,可以推论出光波是电磁波.麦克斯韦方程组和洛伦兹力方程是经典电磁学的基本方程.从这些基本方程的相干理论,成长消失代的电力科技与电子科技.麦克斯韦1865年提出的最初情势的方程组由20个等式和20个变量构成.他在1873年测验测验用四元数来表达,但未成功.如今所运用的数学情势是奥利弗·赫维赛德和约西亚·吉布斯于1884年以矢量剖析的情势从新表达的.麦克斯韦方程组的地位麦克斯韦方程组在电磁学中的地位,如同牛顿活动定律在力学中的地位一样.以麦克斯韦方程组为焦点的电磁理论,是经典物理学最引以骄傲的成就之一.它所揭示出的电磁互相感化的完善同一,为物理学家建立了如许一种信心:物资的各类互相感化在更高层次上应当是同一的.别的,这个理论被广泛地运用到技巧范畴.1845年,关于电磁现象的三个最根本的试验定律:库仑定律(1785年),安培—毕奥—萨伐尔定律(1820年),法拉第定律(1831-1845年)已被总结出来,法拉第的“电力线”和“磁力线”概念已成长成“电磁场概念”.场概念的产生,也有麦克斯韦的一份功绩,这是当时物理学中一个巨大的创举,因为恰是场概念的消失,使当时很多物理学家得以从牛顿“超距不雅念”的约束中摆脱出来,广泛地接收了电磁感化和引力感化都是“近距感化”的思惟.1855年至1865年,麦克斯韦在周全地审阅了库仑定律.安培—毕奥—萨伐尔定律和法拉第定律的基本上,把数学剖析办法带进了电磁学的研讨范畴,由此导致麦克斯韦电磁理论的诞生.麦克斯韦方程组的积分情势:(1)描写了电场的性质.电荷是若何产生电场的高斯定理.(静电场的高斯定理)电场强度在一关闭曲面上的面积分与关闭曲面所包抄的电荷量成正比.电场 E (矢量)经由过程任一闭曲面的通量,即对该曲面的积分等于4π乘以该曲面所包抄的总电荷量.静电场(见电场)的根本方程之一,它给出了电场强度在随意率性关闭曲面上的面积分和包抄在关闭曲面内的总电量之间的关系.依据库仑定律可以证实电场强度对随意率性关闭曲面的通量正比于该关闭曲面内电荷的代数和经由过程随意率性闭合曲面的电通量等于该闭合曲面所包抄的所有电荷量的代数和与电常数之比.电场强度对随意率性关闭曲面的通量只取决于该关闭曲面内电荷的代数和,与曲面内电荷的散布情形无关,与关闭曲面外的电荷亦无关.在真空的情形下,Σq是包抄在关闭曲面内的自由电荷的代数和.当消失介质时,Σq应懂得为包抄在关闭曲面内的自由电荷和极化电荷的总和.在静电场中,因为天然界中消失着自力的电荷,所以电场线有起点和终点,只要闭合面内有净余的正(或负)电荷,穿过闭合面的电通量就不等于零,即静电场是有源场;高斯定理反应了静电场是有源场这一特征.凡是有正电荷的地方,必有电力线发出;凡是有负电荷的地方,必有电力线会聚.正电荷是电力线的泉源,负电荷是电力线的尾闾.高斯定理是从库仑定律直接导出的,它完全依附于电荷间感化力的二次方反比律.把高斯定理运用于处在静电均衡前提下的金属导体,就得到导体内部无净电荷的结论,因而测定导体内部是否有净电荷是磨练库仑定律的重要办法.对于某些对称散布的电场,如平均带电球的电场,无穷大平均带电面的电场以及无穷长平均带电圆柱的电场,可直接用高斯定理盘算它们的电场强度.电位移对任一面积的能量为电通量,因而电位移亦称电通密度.(2)描写了变更的磁场激发电场的纪律.磁场是若何产生电场的法拉第电磁感应定律.(静电场的环路定理)在没有自由电荷的空间,由变更磁场激发的涡旋电场的电场线是一系列的闭合曲线.在一般情形下,电场可所以库仑电场也可所以变更磁场激发的感应电场,而感应电场是涡旋场,它的电位移线是闭合的,对关闭曲面的通量无进献.麦克斯韦提出的涡旋电场的概念,揭示出变更的磁场可以在空间激发电场,并经由过程法拉第电磁感应定律得出了二者的关系,上式标明,任何随时光而变更的磁场,都是和涡旋电场接洽在一路的.(3)描写了磁场的性质.阐述了磁单极子的不消失的高斯磁定律(稳恒磁场的高斯定理)在磁场中,因为天然界中没有单独的磁极消失,N极和S极是不克不及分别的,磁感线都是无头无尾的闭合线,所以经由过程任何闭合面的磁通量必等于零.因为磁力线老是闭合曲线,是以任何一条进入一个闭合曲面的磁力线确定会从曲面内部出来,不然这条磁力线就不会闭合起来了.假如对于一个闭合曲面,界说向外为处死线的指向,则进入曲面的磁通量为负,出来的磁通量为正,那么就可以得到经由过程一个闭合曲面的总磁通量为0.这个纪律相似于电场中的高斯定理,是以也称为高斯定理.(4)描写了变更的电场激发磁场的纪律.电流和变更的电场是如何产生磁场的麦克斯韦-安培定律.(磁场的安培环路定理)变更的电场产生的磁场和传导电流产生的磁场雷同,都是涡旋状的场,磁感线是闭合线.是以,磁场的高斯定理仍实用.在稳恒磁场中,磁感强度H沿任何闭合路径的线积分,等于这闭合路径所包抄的各个电流之代数和.磁场可以由传导电流激发,也可以由变更电场的位移电流所激发,它们的磁场都是涡旋场,磁感应线都是闭合线,对关闭曲面的通量无进献.麦克斯韦提出的位移电流的概念,揭示出变更的电场可以在空间激发磁场,并经由过程全电流概念的引入,得到了一般情势下的安培环路定理在真空或介质中的暗示情势,上式标明,任何随时光而变更的电场,都是和磁场接洽在一路的.合体:式中H为磁场强度,D为电通量密度,E为电场强度,B为磁通密度.在采取其他单位制时,方程中有些项将消失一常数因子,如光速c等.上面四个方程构成:描写电荷若何产生电场的高斯定律.描写时变磁场若何产生电场的法拉第感应定律.阐述磁单极子不消失的高斯磁定律.描写电流和时变电场如何产生磁场的麦克斯韦-安培定律.分解上述可知,变更的电场和变更的磁场彼此不是孤立的,它们永久亲密地接洽在一路,互相激发,构成一个同一的电磁场的整体.这就是麦克斯韦电磁场理论的根本概念.麦克斯韦方程组的积分情势反应了空间某区域的电磁场量(D.E.B.H)和场源(电荷q.电流I)之间的关系.麦克斯韦方程组微分情势:式中J为电流密度,,ρ为电荷密度.H为磁场强度,D为电通量密度,E为电场强度,B为磁通密度.上图分别暗示为:(1)磁场强度的旋度(全电流定律)等于该点处传导电流密度与位移电流密度的矢量和;(2)电场强度的旋度(法拉第电磁感应定律)等于该点处磁感强度变更率的负值;(3)磁感强度的散度处处等于零(磁通持续性道理) .(4)电位移的散度等于该点处自由电荷的体密度(高斯定理) .在电磁场的现实运用中,经常要知道空间逐点的电磁场量和电荷.电流之间的关系.从数学情势上,就是将麦克斯韦方程组的积分情势化为微分情势.上面的微分情势分别暗示:(1)电位移的散度等于该点处自由电荷的体密度(高斯定理) .(2)磁感强度的散度处处等于零(磁通持续性道理) .(3)电场强度的旋度(法拉第电磁感应定律)等于该点处磁感强度变更率的负值;(4)磁场强度的旋度(全电流定律)等于该点处传导电流密度与位移电流密度的矢量和;运用矢量剖析办法,可得:(1)在不合的惯性参照系中,麦克斯韦方程有同样的情势.(2) 运用麦克斯韦方程组解决现实问题,还要斟酌介质对电磁场的影响.例如在各向同性介质中,电磁场量与介质特征量有下列关系:在非平均介质中,还要斟酌电磁场量在界面上的边值关系.在运用t=0时场量的初值前提,原则上可以求出任一时刻空间任一点的电磁场,即E(x,y,z,t)和B(x,y,z,t).科学意义经典场论是19世纪后期麦克斯韦在总结电磁学三大试验定律并把它与力学模子进行类比的基本上创立起来的.但麦克斯韦的重要功绩恰好是他可以或许跳出经典力学框架的约束:在物理上以"场"而不是以"力"作为根本的研讨对象,在数学上引入了有别于经典数学的矢量偏微分运算符.这两条是发明电磁波方程的基本.这就是说,现实上麦克斯韦的工作已经冲破经典物理学和经典数学的框架,只是因为当时的汗青前提,人们仍然只能从牛顿的经典数学和力学的框架去懂得电磁场理论.现代数学,Hilbert空间中的数学剖析是在19世纪与20世纪之交的时刻才消失的.而量子力学的物资波的概念则在更晚的时刻才被发明,特殊是对于现代数学与量子物理学之间的不成朋分的数理逻辑接洽至今也还没有完全被人们所懂得和接收.从麦克斯韦建立电磁场理论到如今,人们一向以欧氏空间中的经典数学作为求解麦克斯韦方程组的根本办法.我们从麦克斯韦方程组的产生,情势,内容和它的汗青进程中可以看到:第一,物理对象是在更深的层次上成长成为新的正义表达方法而被人类所控制,所以科学的提高不会是在既定的前提下演进的,一种新的具有熟悉意义的正义体系的建立才是科学理论提高的标记.第二,物理对象与对它的表达方法固然是不合的器械,但假如不依附适合的表达办法就无法熟悉到这个对象的"消失".第三,我们正在建立的理论将决议到我们在何种层次的意义上使我们的对象成为物理事实,这恰是现代最前沿的物理学所给我们带来的迷惑.麦克斯韦方程组揭示了电场与磁场互相转化中产生的对称性幽美,这种幽美以现代数学情势得到充分的表达.但是,我们一方面应当承认,适当的数学情势才干充分展现经验办法中看不到的整体性(电磁对称性),但另一方面,我们也不应当忘却,这种对称性的幽美是以数学情势反应出来的电磁场的同一本质.是以我们应当熟悉到应在数学的表达方法中"发明"或"看出" 了这种对称性,而不是从物理数学公式中直接推表演这种本质.。
均匀介质中麦克斯韦方程组麦克斯韦方程组描述了电磁场在均匀介质中的行为。
麦克斯韦方程组包括以下四个方程:1. 高斯定律(电场)\nabla\cdot \mathbf{E} = \frac{\rho}{\epsilon_0}这个方程描述了电场的源和负荷之间的关系,其中 \mathbf{E} 是电场,\rho 是电荷密度,\epsilon_0 是真空中的介电常数。
2. 高斯定律(磁场)\nabla\cdot \mathbf{B} = 0这个方程说明了磁场没有单极源,即磁场线没有起点或终点。
3. 法拉第电磁感应定律\nabla\times \mathbf{E} = -\frac{\partial \mathbf{B}}{\partial t}这个方程描述了磁场的变化如何影响电场,即通过变化的磁场产生感应电场。
4. 电磁感应定律\nabla\times \mathbf{B} = \mu_0\mathbf{J} + \mu_0\epsilon_0\frac{\partial\mathbf{E}}{\partial t}这个方程描述了电场的变化如何影响磁场,即通过变化的电场产生感应磁场。
其中 \mathbf{B} 是磁场,\mathbf{J} 是电流密度,\mu_0 是真空中的磁导率。
从这些方程中可以看出,麦克斯韦方程组描述了电场和磁场之间的相互作用,并给出了它们与电荷和电流之间的关系。
在均匀介质中,这些方程可以进一步简化为\nabla\cdot \mathbf{E} = \frac{\rho}{\epsilon}\nabla\cdot \mathbf{B} = 0\nabla\times \mathbf{E} = -\mu\frac{\partial \mathbf{B}}{\partial t}\nabla\times \mathbf{B} = \mu\mathbf{J} + \mu\epsilon\frac{\partial\mathbf{E}}{\partial t}其中,\epsilon 是介质的电容率,\mu 是介质的磁导率。
2.4介质中的麦克斯韦方程组介质中的麦克斯韦方程介质中的麦克斯韦方程组汪毅介质介质由分子组成,分子内部有带正电的原子核介质:由分子组成,分子内部有带正电的原子核及核外电子,内部存在不规则而迅变的微观电磁场。
宏观物理量:用介质内大量分子的小体元内的平宏观物理量用介质内大量分子的小体元内的平均值表示的物理量称为宏观物理量(小体元在宏观上无限小,在微观上无限大)。
在没有外力场观上无限小在微观上无限大在没有外力场时,介质内宏观电荷、电流分布不出现,宏观场为零。
介质的极化无极分子分子无极分子:分子的正负电荷中心重合,有外场时,负荷中有外场时正负电荷中心在外场作用下发生相反方向的运动,从而产生附加的分子电偶极矩,此种极化机理称为位移极化。
有极分子分子的负电荷中不重合无外场时有极分子:分子的正负电荷中心不重合,无外场时,大量无序排列不显现宏观典型,在外场作用下,产生有序化运动,此种极化机理称为取向极化。
生有序化运动此种极化机理称为取向极化极化强度矢量无极分子和有极分子在外场作用,从宏观上来看这两种行为都相当于产生了一个电偶极矩。
在电磁学种行为都相当产生个电偶极矩在电磁学中,引进了极化强度矢量:P=∑piΔV其中pi 是第i个分子的电偶极矩,求和符号表示对ΔV体积中所有分子求和。
体积中所有分子求和极化强度矢量由于极化,分子正负中心发生相对位移,因此物理小体积ΔV内可能会出现净余的正电或负电,即出小体积ΔV内可能会出现净余的正电或负电即出现了宏观的束缚电荷分布:q 分子们极化后,部分电偶极子电偶极矩为 p = ql 分子们极化后,一部分电偶极子跨过了dS,局部区域内出现了束缚电荷。
极化强度矢量设单位体积内分子数为n,则穿出dS外面的正电荷为:nql dS = np dS = P dS l对闭合界面S积分,则由V内通过界面S穿出去的正电荷为:∫SP dS =∫Vρ p dVP = ρ p面极化密度矢量在两介质界面,附近的薄层内,介质1 在两介质界面附近的薄层内介质1 从左侧进入薄层的正电荷为 P dS ,介质2从右侧进入薄层的负电荷为 P2 dS , 1 故薄层内净余电荷为: 故薄层内净余电荷为σ P dS = ( P P2 ) dS 1σP = n ( P P ) 2 1极化电流密度如果电场随时间变化,则极化过程中正负电荷中心的相对位移也随着时间变化,从而产生电流,称为极化电流,极化电流密度为:ρ P jP + =0 tP jp = t电位移矢量介质中有自由电荷,还有极化电荷,总的电荷密度为: P f P = f ρ =ρ +ρρ由电场的散度定义ρ 1 E = = ( ρ f P) ε0 ε0(ε 0 E + P ) = ρ fD = ρf由于极化电荷密度不容易检测和计算,引入电位移矢量可以测量和计算,避免上述问题。