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低电感设计规则
机械设计对杂散电感有极大的影响
接头一定要并联 = 反并联电流 = 没有磁场
Lstray = 100 % Lstray < 20 %
loop 1 cm² ≈ 10 nH
.
August 2008
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赛米控: +/- 并联=低杂散电感
.
August 2008
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赛米控 – 低杂散电感 – 并联
(第 4 代) “T4” T j = 最大 175 ℃ 优化的垂直结构 减少切换损耗 (30%), 正温度系数 “场截止”
非常快
.
August 2008
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与现在的IGBT技术的比较
IGBT 技术的创新
电流密度从 85 A/cm²增加至 130 A/cm² 低的导通损耗 (VCE(sat)) 开关损耗的减少 (Eon + Eoff) 门极电荷减少 (QG)
2.5
1200 V / 75 A IGBT
Nennschaltleistung: 100 kW
2
Kurzschlußleistung: 500 kW
1.5
1 1988
1992
1996
.
3rd Genຫໍສະໝຸດ 4th Gen5th Gen
A/A0 = 0,44
A/A0 = 0,39
2000
2004
A/A0 = 0,31
.
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和126相比较-E4模块具有更高的电流
模块
芯片
SKM400GB126D (62mm)
SKM300GB12E4 (62mm)
IGBT3-T3/ CAL 3