电容dianzu命名规则
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电阻电容型号命名规则
电阻和电容的型号命名规则如下:
电阻型号命名规则:
1. 由字母和数字组成,一般以字母R开头,表示电阻。
2. 第一个数字表示有效数字,第二个数字表示数量级,后面的字母表示精度和温度系数等。
3. 精度一般用F表示1%,G表示2%,H表示3%,J表示5%。
4. 温度系数一般用P表示±100ppm/℃,R表示±200ppm/℃,S表示±50ppm/℃,T表示±25ppm/℃。
例如:R100表示100欧姆电阻,1%精度;R10K表示10千欧姆电阻,5%精度;R1M表示1兆欧姆电阻,±100ppm/℃温度系数。
电容型号命名规则:
1. 由字母和数字组成,一般以字母C开头,表示电容。
2. 第一个数字表示有效数字,第二个数字表示数量级,后面的字母表示电压、精度和温度系数等。
3. 电压一般用V表示电压值,例如:C10V表示10伏电容。
4. 精度一般用F表示±1%,G表示±2%,J表示±5%。
5. 温度系数一般用N表示-750ppm/℃,P表示±100ppm/℃,R表示±200ppm/℃,S表示±50ppm/℃,T表示±25ppm/℃。
例如:C100pF表示100皮法电容,±5%精度;C10uF表示10微法电容,±10%精度;C1uF25V表示1微法电容,25伏电压。
固定电阻(1) 符号(2) 电阻器型号命名方法电阻器的型号命名方法根据GB2471-81,见表B301。
表B301电阻器型号的命名方法(3) 电阻值的标识例如:按部颁标准规定,电阻值的标称值应为表B302所列数字的10n倍,其中,n为正整数、负整数或零。
精密金属膜电阻器R J 7 3第四部分:序号第三部分:类别(精密)第二部分:材料(金属膜)第一部分:主称(电阻器)表B302电阻器(电位器、电容器)标称系列及误差表多圈线绕电位器W X D 3序号多圈线绕电位器电阻的阻值和允许偏差的标注方法有直标法、色标法和文字符号法。
①直标法将电阻的阻值和误差直接用数字和字母印在电阻上(无误差标示为允许误差± 20%)。
也有厂家采用习惯标记法,如:3 Ω 3 Ⅰ表示电阻值为3.3 Ω、允许误差为± 5 %1 K 8 表示电阻值为1.8 KΩ、允许误差为± 20 %5 M 1 Ⅱ表示电阻值为5.1 MΩ、允许误差为± 10 %②色标法将不同颜色的色环涂在电阻器(或电容器)上来表示电阻(电容器)的标称值及允许误差,各种颜色所对应的数值见表B303。
固定电阻器色环标志读数识别规则如图T301所示。
表B303电阻器色标符号意义例如:红红棕金表示220 Ω± 5 %黄紫橙银表示47kΩ± 10 %棕紫绿金棕表示17.5 Ω± 1 %③文字符号法例如:3M3K3M3表示3.3MΩ,K表示允许偏差为±10 %。
允许偏差与字母的对应关系见表B304。
(4) 电阻器额定功率的识别电阻器的额定功率指电阻器在直流或交流电路中,长期连续工作所允许消耗的最大功率。
有两种标志方法:2W以上的电阻,直接用数字印在电阻体上;2W以下的电阻,以自身体积大小来表示功率。
在电路图上表示电阻功率时,采用如图T302符号:(5) 电阻(电容)器偏差标志符号表表B304电阻(电容)器偏差标志符号表可变电阻器(1) 符号(2) 功能简介可变式电阻器一般称为电位器,从形状上分有圆柱形、长方体形等多种形状;从结构上分有直滑式、旋转式、带开关式、带紧锁装置式、多连式、多圈式、微调式和无接触式等多种形式;从材料上分有碳膜、合成膜、有机导电体、金属玻璃釉和合金电阻丝等多种电阻体材料。
1电阻的种类很多,通常分为碳膜电阻,金属电阻,线绕电阻等:它又包含固定电阻与可变电阻,光敏电阻,压敏电阻,热敏电阻等。
但不管电阻是什么种类,它都有一个基本的表示字母“R”。
在电子电路中常用的电阻器有固定式电阻器和电位器,按制作材料和工艺不同,固定式电阻器可分为:膜式电阻(碳膜RT、金属膜RJ、合成膜RH 和氧化膜R Y)、实芯电阻(有机RS 和无机RN)、金属线绕电阻(RX)、特殊电阻(MG 型光敏电阻、MF 型热敏电阻)四种。
碳膜电阻,气态碳氢化合物在高温和真空中分解碳沉积在瓷棒或者瓷管上,形成一层结晶碳膜。
改变碳膜厚度和用刻槽的方法变更碳膜的长度,可以得到不同的阻值。
碳膜电阻成本较低,性能一般,精度低一点但是热稳定性好。
其特点:良好的稳定性,负温度系数小,高频特性好,受电压和频率的影响较小,噪声电动势较小,脉冲负荷稳定,阻值范围宽等优点。
金属膜电阻,在真空中加热合金,合金蒸发,使瓷棒表面形成一层导电金属膜。
刻槽和改变金属膜厚度可以控制阻值。
这种电阻和碳膜电阻相比,体积小、噪声低、稳定性好,但成本较高,金属膜电阻的精度高耐热性能好,温度系数小噪声电动势很小,可在高频电路中使用。
其特点:稳定性好,温度系数小,耐热耐湿性强,阻值稳定可靠,电压系数比碳膜电阻器更好,工作频率范围大,噪声电动势小,可在高频电路中使用。
缺点:脉冲负荷稳定性差。
碳质电阻,把碳黑、树脂、粘土等混合物压制后经过热处理制成。
在电阻上用色环表示它的阻值。
这种电阻成本低,阻值范围宽,但性能差,很少采用。
线绕电阻,用康铜或者镍铬合金电阻丝,在陶瓷骨架上绕制成。
这种电阻分固定和可变两种。
它的特点是热作稳定好,耐高温,温度系数小,误差范围小,电流噪声小,功率大。
缺点:相对体积较大,分布电感和分布电容也较大。
适用于大功率的场合,额定功率一般在1瓦以上。
碳膜电位器,它的电阻体是在马蹄形的纸胶板上涂上一层碳膜制成。
它的阻值变化和中间触头位置的关系有直线式、对数式和指数式三种。
电阻-定义:导体对电流的阻碍作用就叫导体的电阻。
电阻的阻值标法通常有色环法,数字法。
色环法在一般的的电阻上比较常见。
由于手机电路中的电阻一般比较小,很少被标上阻值,即使有,一般也采用数字法,即:101——表示100Ω的电阻;102——表示1KΩ的电阻;103——表示10KΩ的电阻;104——表示100KΩ的电阻;105——表示1MΩ的电阻;106——表示10MΩ的电阻。
如果一个电阻上标为223,则这个电阻为22KΩ。
电阻在手机机板上一般的外观示意图如图5所示,其两端为银白色,中间大部分为黑色。
电容-所谓电容,就是容纳和释放电荷的电子元器件。
电容容量的数字标注解释1.表面上的标称容量数字以2字结尾的,容量单位为PF。
容量为前两位数字乘100。
例:102=1000PF 642=6400PF。
2.标称容量数字以3字结尾的,容量单位为uF。
容量为零点零几微法,例:103=0.01uF 823=0.082uF。
3.标称容量数字以4字结尾的,容量单位为uF。
容量为零点几微法,例:104=0.1UF 474=0.47uF。
4.标称容量数字以5字结尾的,容量单位为uF。
容量为几微法,例:105=1.0uF 475=4.7uF。
5.标称容量数字以6字结尾的,容量单位为uF。
容量为十几微法,例:106=10uF 。
6.标称容量数字以n字结尾的,容量单位为uF。
容量为零点几到零点零几微法。
例:100n=0.1uF 10n=0.01uF另外电容没有特别标注的,耐压均为63V。
误差没有标明的容量误差为10%。
电阻和电容器的参数标注方法电阻和电容器的参数标注方法2010-12-17 00:05电容器的参数标注方法(一)直标法:将电容器的主要参数(标称容量、额定电压、及允许偏差)直接标注在电容器上,如0.0047μf/275V,0.0047μf是容量,相当于4700Pf,275V应是耐压(不属优选数系列)。
(三)文字符号法:采用数字或字母与数字混合的方法来标注电容器的主要参数。
3,数字标注法一般是用3位数字表示电容器的容量。
其中前两位为有效值数字,第三位为倍乘数(即表示有效值后有多少个0)。
如104,表示有效值是10,后面再加4个0,即100000Pf=0.1μf。
4,字母与数字混合标注法用2—4位数字表示有效值,用P、n、M、μ、G、m等字母表示有效数后面的量级。
进口电容器在标注数值时不用小数点,而是将整数部分写在字母之前,将小数部分写在字母后面。
如4P7表示4.7Pf,3m3表示3300μf等。
电容器的容量的允许偏差标注字母及含义:字母含义F ±1%G ±2%J ±5%K ±10%M ±20%N ±30%如104K表示容量100000Pf=0.1μf,容量允许偏差为±10%。
(资料来源《通用电子元器件的选用与检测》)国产电容器标注可查阅《GB/T 2691-1994 电阻器和电容器的标志代码》有些电容器的工作电压是用色环或色点来表示的,颜色—工作电压(V)的关系如下:黑—4、棕—6.3、红—10、橙—16、黄—25、绿—32、蓝—40、紫—50、灰—63。
也有些只用于低压电路的电容器没有耐压标志,可查产品手册。
电阻的阻值辨认:由于电阻阻值的表示法有数字表示法和色环表示法两种,因而电阻阻值的读数也有两种:a 数字表示法:此表示法常用于CHIP组件中。
辨认时数字之前两位为有效数字,而第三位为倍率。
例如:334表示:33×104Ω=330 KΩ 275表示:27×105Ω=2.7 MΩb.色环表示法:第一、二环颜色:黑棕红橙黄绿蓝紫灰白代码: 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9第三环:100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 10-1 10-2第四环:金:土5%银:土10%(a).以上为四环电阻的色环及表示相应的数字,其中第一、二环为有效数字,第三环为倍率,第四环为误差。
(一)国产电容器的型号命名法国产电容器型号命名由四部分组成,各部分的含义见表11。
第一部分用字母“C”表示主称为电容器。
第二部分用字母表示电容器的介质材料。
第三部分用数字或字母表示电容器的类别。
第四部分用数字表示序号。
表11 国产电容顺型号命名及含义(二)国外电容器的型号命名方法国外电容器的型号命名由六部分组成,各部分的含义见表12。
第一部分用字母表示电容器的类型。
第二部分用数字表示外形结构。
第三部分用字母表示温度特性。
第四部分用字母或数字表示耐压值。
第五部分用数字表示标称容量。
第六部分用字母表示允许偏差。
表12 国外电容器的型号命名及含义表12-1表12-2表12-3表12-4表12-5电容器的主要参数有标称容量(简称容量)、允许偏差、额定电压、漏电流、绝缘电阻、损耗因数、温度系数、频率特性等。
(一)标称容量标称容量是指标注在电容器上的电容量。
电容量的基本单位是法拉(简称法),用字母“F”表示。
比法拉小的单位还在毫法(mF)、微法(μF)、纳法(nF)、皮法(pF),它们之间的换算关系是:1F=1000mF1mF=1000μF1μF=1000nF1nF=1000pF其中,微法(μF)和皮法(pF)两单位最常用。
在实际应用时,电容量在1万皮法以上电容量,通常用微法作单位,例如:0.047μF、0.1μF、2.2μF、47μF、330μF、4700μF等等。
电容量在1万皮法以下的电容器,通常用皮法作单位,例如:2pF、68 pF、100 pF、680 pF、5600 pF等等。
标称容量的标注方法有直标法、文字符号标注法和色标法等,具体的识别方法将在以后的内容中作详细介绍。
(二)允许偏差允许偏差是指电容器的标称容量与实际容量之间的允许最大偏差范围。
电容器的容量偏差与电容器介质材料及容量大小有关。
电解电容器的容量较大,误差范围大于±10%;而云母电容器、玻璃釉电容器、瓷介电容器及各种无极性高频在机薄膜介质电容器(如涤纶电容器、聚苯乙烯电容器、聚丙烯电容器等)的容量相对较小,误差范围小于±20%。
华新(Walsin)LIZ丽智电阻宇阳风华高科UNIOHM厚生厚膜晶片电阻器Samaung 三星电容 :例子 CL 10 B 104 K A 8 NNNCCL 10 B 104 K A 8 N N N C系列尺寸材质容值精度耐压厚度端头材料包装方式Seriessize 03=0201(0603);01=0306(0816);05=0402(1005);14=0504(1410);12=0508(1220) ;10=0603(1608);21=0805(2012);31=1206(3216);32=1210(3225);42=1808(4520);43=1812(4532);55=2220(5750)dielectric I类:C=C0G=NPO,S=S2H,L=S2L,P=P2H,T=T2H,R=R2H ,U=U2J II类:A=X5R, F=Y5V ,B=X7R,X=X6S capacitancetolerance A=±0.05pf ; B=±0.1pf ;C=±0.25pf ;D=±0.5pf ;F=±1pf或±1% ;G=±2% ;J=±5% ;K=±10% ;M=±20% ;Z=+80/-20%voltage R=4V ;Q=6.3V ;P=10V ;O=16V ;A=25V ;L=35V ;B=50V ;C=100V ;D=200V ;E=2 50V;G=500V ;H=630V ; I=1000V ; J=2000V ;K=3000Vthickness 3=0.30;5=0.50;8=0.80;A=0.65;C=0.85;H=1.60;I=2.00;J=2.50;L=3.20termination A=Pd/Ag/Sn 100% ;N=NiCu/Sn 100% ;G=Cu/Cu/Sn 100%productsSpecislvariousPacking1mil毫英寸/密耳=0.0254mm毫米Termination 端头材料 sliver全银 nickel barrier三层电镀 no mark 无标记 bulk散装 tape & reel编带包装; bulk packaging袋式包装;packaging style包装方式A=常规产品钯/银/镍屏蔽/锡 100%N=常规产品镍/铜/镍屏蔽/锡 100%G=常规产品铜/铜/镍屏蔽/锡 100%L=低侧面产品镍/铜/镍屏蔽/锡 100%B=散装O=纸版箱料带,10英寸料盘E=压花纸版箱,7英寸料盘P=散装箱D=纸版箱料带,13英寸料盘(10000ea)F=压花纸版箱,13英寸料盘C=纸版箱料带,7英寸料盘L=纸版箱料带,13英寸料盘(15,000ea)S=压花纸版箱,10英寸料盘钽电容耐压用不同的字母来标注,如下:F 2.5 ,G 4 L 6.3 A 10 C 16 D 20 E 25 V 35 T 50钽电容一般分为A、B、C、D型,注意后缀是公制,比如B型,就是3.5mm*2.8mmA型3216B型3528C型6032D型7343E型7343供应TDK ,村田,太诱,风华,三星,国巨贴片电容CL=积层陶瓷电容:03=0201(0603) 21=0805(2012) 42=1808(4520)05=0402(1005) 31=1206(3216)43=1812(4532)10=0603(1608) 32=1210(3225) 55=2220(5750)14=0504(1410) 01=0306(0816) 12=0508(1220) I 类:C=C0G S=S2H L=S2LP=P2H T=T2HR=R2H U=U2J ;II 类:A=X5R F=Y5VB=X7R X=X6S R=4V O =16V B =50V E = 250V I = 1000V Q=6.3V A =25V C=100V G = 500VJ = 2000V P =10VL=35V D =200V H = 630V K= 3000V三星 NPO=CH=COG 风华 NPO=CG 电感器通常指空心线圈或磁芯线圈。
传统的电感线圈是将绝缘的导线在绝缘的骨架上绕一定的线制成。
为了增加电感量、提高品质因素和减少体积、通常在线圈中加入软磁性材料的磁芯。
电感在电路中可与电容组成振荡电路,也可用于能量转换等。
1H=1000mH=1000×1000μH=1000×1000×1000 n H电感≥0.1μH ,可记 R10 ,即R10=0.1μH ;电感≤0.1μH ,可在原来的数字前补加“0” ,如 033=0.033μH ;若用nH 作为单位,则加入“N ”即可,如 2N2=2.2nh国产华达电子包装与订货标志: HDM 2012 UC R10 K G T 产品代码 规格尺寸 芯片类型 电感量 公差 端头 包装方式电感量:L=μn2V 磁导率μ ,匝数 n ,体积V品质因素:Q=ωL/R ;ω为工作角频率 ,L 为线圈电感,R 为线圈电阻电感数值一般用三位数的数值码表示:前两位数表示电感值的有效数字,第三位数字表示 0 的个数,小数点用 R 表示,单位为μH 。
例如:151=150μH ;2R7=2.7μH ;R36=0.36μH ,若用纳亨nH 作为单位,则加入N 即可,例如:2N2=2.2nH磁珠片式磁珠是一种填充磁芯的电感器,它在高频下阻抗迅速增加: 国产华达电子 CGB 1608 U 050 T 产品代码 规格尺寸 材料代码 阻抗 包装方式感抗:2L X fLπ= 容抗:1/21/C X fC Cπω==≥贴片电容分类多层陶瓷电容(MLCC)根据材料分为Class 1和Class 2两类。
Class 1是温度补偿型,Class 2是温度稳定型和普通应用的。
Class 1 - Class 1或者温度补偿型电容通常是由钛酸钡不占主要部分的钛酸盐混合物构成。
它们有可预见的温度系数,通常没有老化特性。
因此它们是可用的最稳定的电容。
最常用的Class 1多层陶瓷电容是COG(NPO)温度补偿型电容(±0 ppm/°C).Class 2 - EIA Class 2 电容通常也是由钛酸钡化合物组成。
Class 2电容有很大的电容容量和温度稳定性。
最普通最常用的Class 2电容电解质是X7R 和Y5V 。
在温度范围 -55°C 到 125°C 之间,X7R 能提供仅有±15%变化的的中等容量的电容容量。
它最适合应用在温度范围宽,电容量要求稳定的场合。
Y5V 能提供最大的电容容量,常用在环境温度变化不大的地方。
在温度范围-30°C to 85°C 之间,Y5V 电容值的变化是22% to -82%。
所有的Class 2电容的电容容量受以下几个条件影响:温度变化、操作电压(直流和交流)、频率。
常用的电容器其精度等级和电阻器的表示方法相同。
用字母表示:D级—±0.5%;F级—±1%;G级—±2%;J级—±5%;K级—±10%;M级—±20%。
电容的基本单位用法拉(F)表示,其它单位还有:毫法(mF)、微法(uF)、纳法(nF)、皮法(pF)。
其中:1法拉=103毫法=106微法=109纳法=1012皮法封装(L) 长度公制(毫米)英制(英寸)(W) 宽度公制(毫米)英制(英寸)(t) 端点公制(毫米)英制(英寸)0201 0.60 ± 0.03(0.024 ± 0.001)0.30 ± 0.03(0.011 ± 0.001)0.15 ± 0.05(0.006 ± 0.002)0402 1.00 ± 0.10(0.040 ± 0.004)0.50 ± 0.10(0.020 ± 0.004)0.25 ± 0.15(0.010 ± 0.006)0603 1.60 ± 0.15(0.063 ± 0.006)0.81 ± 0.15(0.032 ± 0.006)0.35 ± 0.15(0.014 ± 0.006)0805 2.01 ± 0.20(0.079 ± 0.008)1.25 ± 0.20(0.049 ± 0.008)0.50 ± 0.25(0.020 ± 0.010)1206 3.20 ± 0.20(0.126 ± 0.008)1.60 ± 0.20(0.063 ± 0.008)0.50 ± 0.25(0.020 ± 0.010)1210 3.20 ± 0.20(0.126 ± 0.008)2.50 ± 0.20(0.098 ± 0.008)0.50 ± 0.25(0.020 ± 0.010)1812 4.50 ± 0.30(0.177 ± 0.012)3.20 ± 0.20(0.126 ± 0.008)0.61 ± 0.36(0.024 ± 0.014)1825 4.50 ± 0.30(0.177 ± 0.012)6.40 ± 0.40(0.252 ± 0.016)0.61 ± 0.36(0.024 ± 0.014)2225 5.72 ± 0.25(0.225 ± 0.010)6.40 ± 0.40(0.252 ± 0.016)0.64 ± 0.39(0.025 ± 0.015)如何理解电容介质击穿强度介质强度表征的是介质材料承受高强度电场作用而不被电击穿的能力,通常用伏特/密尔(V/mil)或伏特/厘米(V/cm)表示。
当外电场强度达到某一临界值时,材料晶体点阵中的电子克服电荷恢复力的束缚并出现场致电子发射,产生出足夠多的自由电子相互碰撞导致雪崩效应,进而导致突发击穿电流击穿介质,使其失效。
除此之外,介质失效还有另一种模式,高压负荷下产生的热量会使介质材料的电阻率降低到某一程度,如果在这个程度上延续足夠长的时间,将会在介质最薄弱的部位上产生漏电流。