华东交通大学811自动控制理论2011年考研专业课真题
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华东交通大学 2011—2012学年第二学期考试卷试卷编号:(B)卷模拟电路课程课程类型:必闭卷考试日期:题号一二三总分累分人:1 2 3 4 5 6署名题分20 15 10 10 10 10 12 13 100名签得分生学考生注意事项: 1、本试卷共 6 页,总分100分,考试时间120分钟。
2、考试结束后,考生不得将试卷、答题纸和底稿纸带出考场。
试卷编号01一、填空(此题共20 分,每空 1 分):1.整流电路的任务是 __________;滤波电路的任务是 __________。
号2.在 PN 结的形成过程中,载流子的扩散运动是因为__________而产生的,漂移运动是__________作用下产生的。
3.放大器有两种不一样性质的失真,分别是__________失真和 __________失真。
学4.在共射阻容耦合放大电路中,使低频区电压增益降落的主要原由是__________ 的影响;使高频区电压增益降落的主要原由是__________的影响。
5.在沟通放大电路中,引入直流负反应的作用是__________;引入沟通负反应的作用是___________。
6.正弦波振荡电路一般由 __________、 __________、 __________、 __________这四个部分构成。
7.某多级放大器中各级电压增益为:第一级25dB 、第二级 15dB 、第三级 60dB ,放大器的总增益为__________,总的放大倍数为 __________。
8.在双端输入、单端输出的差动放大电路中,发射极公共电阻R e对 __________信号的放大无影响,对__________信号的放大拥有很强的克制作用。
共模克制比K CMR为__________之比。
9.某放大电路的对数幅频特征如图1(在第三页上)所示,当信号频次恰巧为上限频次时,实质的电压增益为__________dB。
级二、判断(此题共 10 分 , 每题 1 分,正确的打√,错误的打×):班1、()构成各样半导体器件的基础是 PN 结,它拥有单导游电和反向击穿特征。