半导体温度计的设计与制作(已批阅)

半导体温度计的原理和应用领域随着科学技术的发展，半导体温度计作为一种重要的测温设备，广泛应用于各个领域。

本文将介绍半导体温度计的原理和应用领域，并对其优势进行分析。

一、半导体温度计的原理半导体温度计是基于半导体材料的温度依赖性质设计制作而成的温度测量设备。

其原理基于半导体材料的温度与其电学性质之间的密切关系。

根据温度对材料电阻率的影响，我们可以设计出不同类型的半导体温度计。

最常见的半导体温度计是PN结温度传感器，它由一个N型半导体和一个P型半导体构成。

当温度升高时，半导体材料的载流子浓度将增加，导致材料的电导率增大，从而电阻下降。

通过测量电阻的变化，我们可以推断温度的变化。

此外，半导体材料还具有热电效应，即温度变化引起的电压变化。

基于这种效应，我们可以设计热电温度计，如热电阻、热电偶等。

热电温度计的原理是通过测量材料产生的热电势差来计算温度的变化。

二、半导体温度计的应用领域1. 工业控制和自动化半导体温度计在工业控制和自动化领域中得到广泛应用。

例如，在制造业中，通过测量设备和机器的温度，可以实现对生产过程的监控和控制。

半导体温度计可以实时监测温度变化，并将数据传输到控制系统，从而调节设备的运行状态。

这可以提高生产效率、降低成本，并确保产品质量。

2. 环境监测半导体温度计在环境监测中也发挥着关键作用。

无论是气象观测站、室内温度控制系统还是温室监测，半导体温度计都可以提供准确的温度数据。

这有助于我们了解环境变化并采取相应的措施来保护环境和人类健康。

3. 医疗领域在医疗领域，半导体温度计用于测量人体温度是非常常见的应用。

相比传统的温度计，半导体温度计具有测量速度快、准确度高以及易于使用的优势。

在医院、诊所和家庭中，半导体温度计可以有效地监控患者的体温，及时发现可能的疾病症状。

4. 能源领域半导体温度计在能源领域中也具有重要意义。

例如，太阳能发电系统需要监测太阳能电池板的温度，以确保其高效运行。

半导体温度计可以提供准确的温度数据，从而帮助调节系统的工作温度，提高能源转换效率。

半导体温度计的设计和制作实验（非平衡电桥）在温度不太低或不太高（如从－20o C到几百度）的情况下，通常可以用水银温度计来测一定的温度。

由于生产和科学实验的发展，需要精密和快速的温度测量，因而就需要灵敏度较高的温度计。

现在已有各种用途的温度计，半导体温度计就是其中的一种。

本实验的半导体温度计利用热敏电阻为传感器，利用非平衡电桥实现由电学量测量一些变化的非电量，这种思想现在应用范围扩展到很多领域，如长度、位移、应力、应变、温度、光强等转变成电学量，如电阻、电压、电流、电感和电容等，然后用电学仪器来进行测量。

一、实验目的1．理解非平衡电桥的工作原理及其在非电量的电测法中的应用。

2．了解半导体温度计的基本原理并设计制作一台半导体温度计二、实验原理1．热敏电阻伏安特性曲线为测量热敏电阻的阻值，需了解热敏电阻的伏安特性。

由图1可知，在V-I 曲线的起始部分，因电流很太小，温度变化微小，曲线接近线性。

此时其阻值主要与外界温度有关。

图1 热敏电阻伏安特性曲线半导体温度计是利用热敏电阻的阻值随温度变化急剧的特性制作的，通过测量热敏电阻的阻值来确定温度的仪器。

应根据待测温度区间和热敏电阻的阻值选用合适电学元件和测温电路。

2．半导体温度计测温电路的原理非平衡电桥的工作原理图如下：图2 半导体温度计测温电路原理图图中G 是微安表， R T 为热敏电阻，当电桥平衡时，表的指示必为零，此时应满足条件：TR R R R 321= （1） 若取R 1 = R 2，则R 3的数值即为R T 的数值。

平衡后的电桥若其中某一臂的电阻又发生改变，则平衡将受到破坏，微安表中将有电流流过，此为非平衡电桥。

由基尔霍夫方程组求出CD T T G T T G V R R R R R R R R R R R R R R R I 23232121232212+++++-+= （2）由此可见微安表中的电流大小直接反映了热敏电阻的阻值的大小程度。

由于热敏电阻的大小与环境温度是一一对应关系，因此可以利用这种“非平衡电桥”的电路原理来实现对温度的测量。

温度计的设计专业___________________学号___________________姓名-___________________一、预习要点1. 了解半导体温度计的基本原理，并设计制作半导体温度计；2. 了解非平衡电桥的工作原理及其在非电量电测法中的应用。

二、实验内容1. 设计制作测量温度范围为20℃～70℃的半导体温度计。

2. 对半导体温度计进行定标对半导体温度计进行定标，首先从热敏电阻的电阻－温度特性曲线上读出温度。

从20℃到70℃，每隔5℃读一个电阻值，用标准电阻箱R4逐次选择前面所取的电阻值，读出微安表的电流读数I，并记录数据。

根据数据，将表盘读数改为温度的刻度，并做出I－T的曲线与表盘刻度比较。

再将实际热敏电阻代替标准电阻箱，此即经过定标的半导体温度计。

三、实验步骤1. 点击仿真实验页面上的“温度计设计”实验。

2. 在打开的程序界面中，右键点击，并选择“仪器背面”，在里面进行相应的电路连线。

（注：线路连接图在“仪器背面”的左上角，点击“显示电路图”即可）。

3. 按线路图连接好相应的电路，如果连线正确，则双击电池电源的位置将会出现一个电池，如果无法出现电池则说明线路连接有误，则应检查连线，直至正确为止。

4. 线路连接好后，首先调节线路中R1和R2的值，方法为：在程序的空白处右键点击，在弹出的界面中选择“万用表”，打开其电源，并在“万用表”上选择“将万用表连接到R1”，调节R1及其微调旋钮，使万用表显示值为“4853”，接着在“万用表”上选择“将万用表连接到R2”，调节R2及其微调旋钮，使万用表也显示为“4853”，至此，R1和R2阻值调节完毕，然后在“仪器背面”上双击“表头插线”，将其接上。

5. 接下来调节电路中R3的阻值，方法为：先在程序的空白处右键点击，在弹出的界面中选择“电阻箱”，并将电阻箱阻值调至2597Ω。

接着在程序的空白处，右键选择打开“仪器正面”和“仪器背面”两界面，调节“仪器背面”的R3，使得“仪器正面”的表头指示在“0”处。

实验报告：半导体温度计的设计与制作张贺PB07210001一、实验题目：半导体温度计的设计与制作二、实验目的：要求测试温度在20-70 C的范围内，选用合适的热敏电阻和非平衡电桥线路来设计一台半导体温度计。

要求作为温度计用的微安表的全部量程均能有效的利用，即当温度为20 r时，微安表指示为零；而温度为70 r时，微安表指示为满刻度。

要求长时间的测量时，微安表的读数应稳定不变。

三、实验原理:1.半导体温度计就是利用半导体的电阻值随温度变化而发生急剧变化的特性而制作的，以半导体热敏电阻为传感器，通过测量其电阻值来确定温度的仪器。

这种测量方法称为非电量的电测法，它可以将各种非电量转变成电学量，然后用电学仪器来进行测量。

2.半导体温度计测温电路原理：I G 0 时，电电(1)R2 R T当电桥某一臂改变时平衡将受到破坏，G中有读数，可据此求出R T,即G的读数大小直接反映热敏电阻阻值，从而反映温度。

取 R i R2。

I G 0时，要求R T处于下限，即R a R TI O由于 I T I G，V CD 1丁R3 R T。

由于R i R 2, R 3 ，整理后有,R TI 为工作时测量温度量程的下限； R T 2为上限，此时I T 达到最大。

四、实验仪器:热敏电阻、待焊接的电路板、微安表、电阻器、电烙铁、电阻箱、电池、多 挡开关、导线、多用表、恒温水浴等。

五、实验步骤与数据处理：1. 在实验前，在坐标纸上绘出热敏电阻的电阻一温度曲线T( C) 15.0 20.0 25.030.035.0 40.0 45.0 R() 3175 2597 212811077T( C) 50.055.060.065.0 70.0 75.0R()9488426R1R2R3RT 2R GR I R 2 R i R 2R 3 R T 2 R 3 R T 2VCD(2)2V CD 1可2RT2RT1 RT 22 R GRT1 RT2RT1 RT2(3)R()T( C)选取V CD1V, 已知R G3999 ，I G 50 A。

第3章半导体温度控制仪硬件设计3.1系统的性能要求及特点3.1.1功能要求半导体温度控制仪应能达到以下功能要求：(1)可以人为方便地设定所需控制的温度值，温控仪器能自动将电炉加热至此设定值并能保持，直至重新设定为另一温度值；(2)能够单独实现测量电炉温度的作用；(3)整套仪器可靠性好，设计不易出故障；(4)具有自动加热保护功能的安全性要求。

如果实际测得的温度值超过了系统要求的温度范围，单片机就会发出指令，从而进行超温或者降温保护；(5)能够实现系统软件的在线升级，无需对温控仪拆卸即可完成软件的升级及在线调试；(6)尽量采用典型、通用的器件，一旦损坏，易于在市场上买到同样零部件进行替换。

3.1.2系统特点基于上述功能要求及智能仪表应具有的体积小、成本低、功能强、抗干扰并尽可能达到更高精度的要求。

本系统在硬件设计方面具有如下特点：本温度控制仪的面板设计遵循简洁实用的原则，为便于使用人员的操作，系统采用了非固定键值意义的状态键盘，一键多用。

系统软件可根据当前所处状态，自动确定键值的具体含义。

以往单片机系统在软件升级及故障调试时，必须将CPU芯片从系统板上拆下来进行软件固化。

针对这种弊端，系统硬件设计时预留有程序下载接口，可以在不拆下CPU芯片的情况下直接进行软件升级和在系统调试，以方便日后的软件维护和功能调试。

整个系统遵循了冗余原则及以软代硬的原则，并尽可能选用典型、常用、易于替换的芯片和电路，为系统的开放性、标准化和模块化打下良好基础。

系统扩展和配置在满足功能要求的基础上留有适当裕量，以利于扩充和修改[17][18]。

3.2系统的硬件总体结构半导体温度控制仪的硬件电路主要由单片机系统、温度采样电路、温度设定电路、比例积分电路、TEC驱动电路、报警电路、键盘显示电路以及接口电路组成。

温度采样电路包括温度传感器、信号放大电路以及A/D转换电路。

温度传感器采集来的信号经信号放大电路放大后，经过A/D转换后送单片机作处理。

★ 地空学院 杨柳春 PB05007302 ★实验3.5.2实验目的：本实验旨在了解热敏电阻-温度特性和测温原理，掌握惠斯通电桥的原理和使用方法。

学习坐标变换、曲线改直的技巧和用异号法消除零点误差等方法。

实验原理：1． 半导体热敏电阻的电阻——温度特性某些金属氧化物半导体（如：Fe 3O 4、MgCr 2O 4等）的电阻与温度关系满足式下式：T B T e R R ∞= （1）式中R T 是温度T 时的热敏电阻阻值，R ∞是T 趋于无穷时热敏电阻的阻值，B 是热敏电阻的材料常数，T 为热力学温度。

金属的电阻与温度的关系满足（2）：)](1[1212t t a R R t t -+= （2）式中a 是与金属材料温度特性有关的系数，R t1、R t2分别对应于温度t 1、t 2时的电阻值。

根据定义，电阻的温度系数可由式（3）来决定：dtdR R a t t 1= （3） R t 是在温度为t 时的电阻值，由图R —T （a ）可知，在R-t 曲线某一特定点作切线，便可求出该温度时的半导体电阻温度系数a 。

由式（1）和式（2）及图R —T 可知，热敏电阻的电阻-温度特性与金属的电阻-温度特性比较，有三个特点：（1） 热敏电阻的电阻-温度特性是非线性的（呈指数下降），而金属的电阻-温度特性是线性的。

（2） 热敏电阻的阻值随温度的增加而减小，因此温度系数是负的（2T B a ∝）。

金属的温度系数是正的（dt dR a /∝）。

热敏电阻的温度系数约为-（30~60）×10-4K -1，金属的温度系数为14104--⨯K （铜），两者相比，热敏电阻的温度系数几乎大几十倍。

所以，半导体电阻对温度变化的反应比金属电阻林敏得多。

1． 惠斯通电桥的工作原理半导体热敏电阻和金属电阻的阻值范围，一般在1～106Ω,需要较精确测量时常用电桥法，惠斯通电桥是应用很广泛的一种仪器。

惠斯通电桥的原理，如图电桥原理示意图（a ）所示。

实验题目：半导体温度计的设计和制作实验目的：学用惠斯通电桥制作半导体温度计并用其测量温度。

实验原理：电路原理图及所用公式：实验步骤：1.根据(2)式算得R 1＝R 2=4785.86Ω2.断开R 1，R 2连接，调整R 1，R 2。

3.根据地板图焊接电路。

4.用电阻箱代替热敏电阻，调节R 3,使R T 为20℃对应阻值时电表示数为0；调R 使使R T 为70℃对应阻值时电表满偏。

5.开关置2档，调R 4，使电表满偏。

6.从R －T 曲线(在下页)中读20℃～70℃每隔2.5℃对应阻值，读出R T 为上述阻值时微安表示数T 。

把表盘可读改为温度刻度并画出I-T 曲线。

6.用实际热敏电阻代替电阻箱并测出55.5℃水浴和34.5℃水浴对应电流值和温度。

(1)CD T T G T T G V R R R R R R R R R R R R R R R I 23232121232212+++++-+= (2))(2)21(221212121T T T T G T T T G CD R R R R R R R R I V R ++-+-=图表1:R-T曲线图表2:I-T曲线及其线性拟合线性回归方程：T=17.31755＋0.97318I实验结果：在55.5℃水浴下测得电流值为40.3μA与从图表2中读到对应温度电流值:39.2μA相对误差为2.73%在35.4℃水浴下测得电流值为20.0μA与从图表2中读到对应温度电流值:19.5μA相对误差为2.5%误差分析：1. R1，R2, R3, R4难以调校准确，误差较大，有的电位器阻值自己会变，且在焊接和其它操作过程中阻值可能有变化。

2.电池电力可能已经不足。

3.测量温度可能在热敏电阻的非线性区间。

4.实验室温度等其它因素可能对元件性能产生影响。

思考题：为什么在测R1，R2时，需将开关置为1档，拔下E处接线，断开微安表？答：如果没有如上操作，将会有其它元件接入电路。

半导体温度计的设计和制备方法随着科技的进步，半导体温度计在温度测量及控制领域扮演着重要的角色。

它们被广泛应用于工业生产、研究实验和家用设备中。

本文将介绍半导体温度计的设计和制备方法，并讨论其工作原理和性能特点。

一、半导体温度计的工作原理半导体温度计基于材料的电阻特性随温度的变化而变化的原理。

常见的半导体材料有硅和砷化镓。

利用半导体材料的温度特性，可以通过测量其电阻来推断温度的变化。

半导体温度计通常采用负温度系数（NTC）电阻或正温度系数（PTC）电阻。

NTC温度计的电阻值随温度上升而下降，而PTC温度计的电阻值则相反。

根据具体应用需求，可以选择适合的电阻类型。

二、半导体温度计的设计方法1.选择适合的半导体材料：根据需要测量的温度范围和精度，选择合适的半导体材料。

硅是常用的材料，适用于较低温度范围；而砷化镓则适用于较高温度范围。

2.确定电阻类型：根据应用需求，选择合适的电阻类型，即NTC或PTC。

如果需要更高的精度和稳定性，可以考虑使用PTC温度计。

3.设计电路：根据选择的材料和类型，设计合适的电路。

在电路设计中，考虑电源电压、电流限制、电阻-温度曲线等因素，以确保温度计的准确性和可靠性。

4.温度校准：在制备完成后，进行温度校准以验证温度计的准确性。

可以使用标准温度源或比较型温度计进行校准。

校准后，进行相应的计算和调整，以修正任何测量误差。

三、半导体温度计的制备方法1.材料准备：准备所需的半导体材料和电路元件。

确保材料质量良好并符合应用需求。

2.制备电路：根据设计的电路方案，进行电路的制备。

可以采用传统的束流蚀刻或光刻工艺，将电路图案形成在材料上。

此外，还可以采用薄膜沉积工艺，将电阻材料沉积在半导体材料上。

3.封装保护：在制备完成后，对半导体温度计进行封装保护，以确保其工作稳定性和可靠性。

常见的封装材料有环氧树脂和硅胶。

封装材料的选择应考虑温度范围、压力要求和耐化学腐蚀性能。

4.温度校准和测试：在制备完成后，进行温度校准和测试以验证温度计的性能。

开放性实验实验报告半导体温度计的设计学院：浙江农林大学天目学院专业：工程技术系班级：汽车服务081班姓名：吴仲虎学号： 200808310225摘要：本文讨论了通过测量半导体热敏电阻的实验，测得实验数据用Origin 软件分析相关数据画出I-T 图像，了解热敏电阻的电阻——温度特性及测温原理，学习惠斯通电桥的原理及使用方法，学习坐标变换、曲线改直的技巧的问题，同时完成半导体温度计的设计。

关键词：origin 软件 热敏电阻 惠斯通电桥 温度电流前言 热敏电阻是由对温度非常敏感的半导体陶瓷质工作体构成的元件。

与一般常用的金属电阻相比，它有大得多的电阻温度系数值。

热敏电阻作为温度传感器具有用料省、成本低、体积小等的优点，它可以简便灵敏地测量微小温度的变化，在很多科学研究领域都有广泛的应用。

本实验的目的是：了解热敏电阻的电阻----温度特性及测温原理，学习惠斯通电桥的原理及使用方法，学习坐标变换、曲线改直的技巧。

一 实验仪器：二 实验原理热敏电阻的电阻值与温度的关系为TBAeR =其中，A 、B 是与半导体材料有关的常数；T 为绝对温度。

根据定义，电阻温度系数为dT dR R t 1=α其中，t R 是在温度为t 时的电阻值。

半导体材料做成的热敏电阻的基本特性是它的温度特性, 这种特性与半导体材料的导电机制密切相关。

温度越高, 载流子的数目越多, 导电能力越强, 电阻率也就越小。

由于半导体中载流子数目随温度升高而按指数规律迅速增加, 因此随着温度的升高, 热敏电阻的阻值将按指数规律迅速减小。

半导体温度计是利用半导体的电阻值随温度急剧变化的特性而制作的，以半导体热敏电阻为传感器，通过测量其电阻值来确定温度的仪器。

这种测量方法称为非电量的电测法，为了实现这种方法，采用电学仪器来测量热敏电阻的阻值，还需要了解热敏电阻的伏安特性。

半导体温度计测温电路的原理图如右：图中G 是微安表， RT 为热敏电阻，当电桥平衡时，表的指示必为零，此时应满足条件：r321R R R R若取R 1 = R 2，则R 3的数值即为R T 的数值。

3.5.3 半导体温度计的设计与制作（本文内容选自高等教育出版社《大学物理实验》）虽然热敏电阻对温度非常灵敏，但通常每个元件可适用的范围都不太宽，所以应根据所要测量的温度的上、下限和温度范围的高低选用具有合适阻值和B 值的元件以及相应的测温电路。

元件的B 值越高，其电阻温度系数越大，可测量的范围越窄。

表3.5.3-1给出了不同热敏电阻的适用范围和对应的B 值。

表3.5.3-1 不同热敏电阻的适用范围和对应的B 值由上表可知，测量低温采用B 小的元件，测量高温采用B 大的元件。

通常选用电阻值Ω=6210~10R ，因为电阻值太小灵敏度低，电阻值太大则会引起电绝缘和测量线路匹配困难。

在各种热敏电阻的测温电路中，以分压电路和桥式电路的应用最广。

本实验要求测试温度在20~70 ℃的范围内，选用合适的热敏电阻和非平衡电桥线路（或选用你认为更好的测温电路）来设计一半导体温度计。

实验原理半导体温度计就是利用半导体的电阻值随温度急剧变化的特性而制作的，以半导体热敏电阻为传感器，通过测量其电阻值来确定温度的仪器。

这种测量方法为非电量的电测法，它可以将各种非电量，如长度、位移、应力、应变、温度、光强等转变成电学量，如电阻、电压、电流、电感和电容等，然后用电学仪器来进行测量。

由于金属氧化物半导体的电阻值对温度的反应很灵敏（参见实验3.5.2），因此可以作为温敏传感器。

为实现非电量的电测法，采用电学仪器来测量热敏电阻的阻值，还需要了解热敏电阻的伏安特性。

由图3.5.3-1可知，在V-I 曲线的起始部分，曲线接近线性，这是因为电流小时在热敏电阻上消耗的功率不足以显著地改变热敏电阻的温度，因而符合欧姆定律。

此时，热敏电阻的阻值主要与外界温度有关，电流的影响可以忽略不计。

半导体温度计测温电路的原理图如图3.5.3-2所示（仅供参考），图中Ｇ是微安计，R T为热敏电阻，当电桥平衡时，表的指示必为零，此时应满足条件TR R R R 321=，若取R 1=R 2，则R 3的数值即为R T 的数值。

目录1.绪论 (1)1.1课题的目的及意义 (1)1.2课题的发展趋势 (1)2. 方案的论证及选择 (1)2.1温度采集器件的选择 (1)2.1.1方案一用二极管 (1)2.1.2方案二用传感器 (2)2.2信号转换模块的选择 (2)2.2.1方案一用可编程器件A/D做转换器 (2)2.2.2方案二采用ICL7107做转换器 (2)2.3显示模块的选择 (3)2.3.1方案一采用液晶显示 (3)2.3.2方案二采用LED数码管进行显示 (3)2.4方案的总体设计 (3)2.4.1AD590传感器 (4)2.4.2信号的放大部分 (5)2.4.3模数转换器ICL7107的使用 (6)3 电路的设计及工作原理 (9)3.1温度传感及运算放大部分 (10)3.2模数转换及数码显示 (10)3.3电路相关元件及参数的设定 (12)4电路仿真调试及组装 (12)4.1电路的仿真 (13)4.2电路的组装 (15)5总结与体会 (15)6参考文献 (16)附：元件清单 (17)1.绪论随着人们生活水平的不断提高，自动化控制越来越重要，模电与数电的应用也越来越广泛。

数字体温计的设计与制作就是是运用电子技术的基础知识，先通过传感器采集温度信号转化为电信号，再把信号加以处理，运用A-D转化为数字信号通过显示器显示，从而直观的看到。

1.1课题的目的及意义在工作电源Vcc为+5V的条件下，采用AD590温度传感器测量温度，可用集成运放完成信号放大，再通过A-D转换器形成数字信号，用共阳或共阴七段LED数码管实现数显，完成对体温计的设计与制作。

数字温度计与传统温度计相比，具有结构简单、可靠性高、成本低、测量范围广、体积小、功耗低、显示直观等特点。

另外我们知道体温的准确测量十分重要，因此我们要非常重视。

1.2课题的发展趋势在所学的电子技术基础知识的基础上，我们只能运用传感器，集成运放，模数转换器，数显的方向实现体温计的制作。

实验题目：半导体温度计的设计与制作实验目的：进一步理解热敏电阻的伏安特性和惠斯通电桥测电阻的原理，学习非电学量的电测法，设计制作一个半导体温度计，温度测量范围：20~70 ℃。

要求选用半导体热敏电阻作为温度传感器，设计制作相应的测温电路，实现测量要求。

实验器材：烙铁、万用表、恒温水浴箱2个。

电路元件：热敏电阻（温度特性给定）、微安计（内阻 Rg 已知）、可变电阻箱、电位器5个、1.5V 电池、多档开关、待焊接的电路板、导线若干。

实验原理：温度测量常用的负温度系数（NTC ）热敏电阻器是以锰、钴、镍、铜等对温度非常敏感、负温度系数很大的金属氧化物为主要材料，采用陶瓷工艺制造而成的元件。

热敏电阻的伏安特性曲线和测温电路原理图如下：当取伏安特性曲线的a 段时，近似认为符合欧姆定律。

在温度下限 T1 时，要求微安计 Ig=0，此时热敏电阻值为 R T 。

如果设定电桥为对称电桥，取 R 1=R 2，则R 3=R T1，由此确定了R 3的值。

当温度增加时，热敏电阻的电阻值就会减小，电桥失去平衡，Ig≠0，在微安计中就有电流流过。

通过电路分析可以根据微安计的读数 I G 的大小计算出 R T 。

微安计中的电流的大小和温度变化存在一一对应的关系，因此就可以利用这种 “非平衡电桥”特性实现一定范围内温度变化的动态测量。

当I G 使G 满偏时，近似认为V CD =I T （R 3+R T ）。

由基尔霍夫方程组解得：)(2)21(221212121T T T T G T T T G CD R R RR R R R R I V R ++-+-=由上式可以确定R 1。

由下表可以知道，R 3=R T1=2355Ω，R T2=4455Ω。

作出R-T表一：热敏电阻的R-T关系实验内容：1. 设计计算电路参数（1）绘制热敏电阻的电阻-温度曲线，并确定所设计的半导体温度计的下限温（20℃）所对应的电阻值R T1和上限温度（70℃）所对应的电阻值R T2。