1、刻蚀速率刻蚀速率是指在刻蚀过程中去除硅片表面材料的速度，通常用Å/min表示。
※Å：埃米，1埃米Angstrom =1/10000000000米（10的负10次方）。
刻蚀速率=△T/t（Å/min）△T=去掉的材料厚度（Å或μm）t=刻蚀所用的时间（分）※负载效应：刻蚀速率和刻蚀面积成反比。
2、刻蚀剖面刻蚀剖面是指被刻蚀图形的侧壁形状。
※各向同性和各向异性：各向同性，刻蚀在各个方向的速率一致；各向异性，刻蚀在各个方向的速率不一致。
3、刻蚀偏差刻蚀偏差是指刻蚀以后线宽或关键尺寸间距的变化。
刻蚀偏差=W b－W aW b=刻蚀前光刻胶的线宽W a=光刻胶去掉后被刻蚀材料的线宽4、选择比选择比指的是在同一刻蚀条件下一种材料与另一种材料的刻蚀速率比。
选择比S R=E f/E rE f=被刻蚀材料的刻蚀速率E r=掩蔽层材料的刻蚀速率（如光刻胶）5、均匀性刻蚀均匀性是一种衡量刻蚀工艺在整个硅片上，或整个一批，或批与批之间刻蚀能力的参数。
※ARDE，微负载效应。
6、残留物刻蚀残留物是刻蚀以后留在硅片表面不想要的材料。
它常常覆盖在腔体内壁或被刻蚀图形的底部。
7、聚合物聚合物是在刻蚀过程中由光刻胶中的碳转化而来并与刻蚀气体（如C2F4）和刻蚀生成物结合在一起形成的。
8、等离子体诱导损伤A、一种主要的损伤是非均匀等离子体在晶体管栅电极产生陷阱电荷，引起薄栅氧化硅的击穿。
B、另一种器件损伤是能量粒子对暴露的栅氧化层的轰击。
发生在刻蚀时栅电极的边缘。
9、颗粒沾污和缺陷等离子体带来的硅片损伤有时也由硅片表面附近的等离子体产生的颗粒沾污而引起的。
由于电势的差异，颗粒产生在等离子体和壳层的界面处。
当没有等离子体时，这些颗粒就会掉到硅片表面。
氟基化学气体等离子体比氯基或溴基等离子体产生较少的颗粒，因为氟产生的刻蚀生成物具有较高的蒸汽压。
干法刻蚀是把硅片表面暴露于气态中产生的等离子体，等离子体通过光刻胶中开出的窗口，与硅片发生物理或化学反应（或同时有这两种反应），从而去掉暴露的表面材料。
