芯片原理
1. 芯片为什么要采用CMOS:
CMOS,C:是互补的意思complementary,是指采用NMOS和PMOS管形成一个组合实现一个开关功能。也就是最小单元由至少两个MOS管组成。
MO:是金属氧化物的意思,是指MOS管的G极的材质是金属氧化物的
上图中,如果采用图A所示,则有Ic这个电流,如果R很大,那么Vo的驱动能力就很弱,会造成芯片的反应速度很慢,如果R很小,则在MOS管开通时,电流Ic非常大,因此,这样的电路是没法应用于芯片的,经初步计算,如果采用图A所示的电路,要达到一定的处理速度,那么其功耗是100kW级别的,而采用图B的互补型(N和P型对称布置),则Vi高电平时上管关闭,下管开启,低电平时则相反,这样就不存在电流,那么为什么芯片还是有很大的功耗呢,这就是MOS管的结电容引起的,因为G极就是一个电容效应。充放电虽然对于一个MOS管来说是很小的功耗,但是芯片的晶体管数量非常多,如一个CMOS开关为1uW,那么1000万个呢就是100W。
芯片的功耗基本可以这样理解:P = N * C* f * V2
N:晶体管个数,C:MOS管及其他引起的电容,f为频率、V为电压
当频率很高时,为了降低功耗,现在芯片的工作电压一直在降低,如从3V降低到1V,那么功耗降低了9倍,如果通过改善晶体管结构和线路结构,能减少电容C,那么也可以降低芯片功耗。
注意:我们在设计单片机电路时,经常性地采用如图A所示的下拉(或上拉)电阻形式,一般我们的被驱动电路的功耗是比较大的,因此经常会忽略该电路引起的功耗问题。
2. 芯片制作
芯片就如多层电路板,最低层为晶体管,然后往上几层就是连线(罗辑)。
切开一个晶片的小块,其中上层的导线连接就如这样,就如多层电路板,是一个三维连接体,导线之间会引起电容和信号干扰,而弯弯曲曲的导线,也会引起电感。
第一步:制作晶圆。
晶圆现在一般为8寸、12寸、20寸等。