习题3.101.电力电子器件一般工作在开关状态，通常情况下，电力电子器件功率损耗为当器件开关频率较高时，功率损耗主要为开关损耗。
2.二极管英文名字缩写（TVS），二极管电气符号为。
3.电力二极管主要类型：、、。
3.131.晶闸管英文名字缩写为：。
2.同一晶闸管维持电流I H与掣住电流I l在数值大小上有I l I H。
3.晶闸管基本工作特性的概括为正向触发刚导通，反向截止。
3.201.晶闸管：。
门极自关断晶闸管：。
电力晶闸管。
2.GTO的多元集成，多元集成，多元的功率集成结构是为了便于实现萌及控制关断而设计。
3.功率晶体管GTR从高压小电流向低电压大电流跃变现象：。
4.GTR共发射极接法时输出特性中的三个区域：，，。
5.GTR电气符号中：b是极。
c是极。
e是极。
3.271.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR的共发射极接法时输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者截至区对应后者，前者饱和区对应后者，前者非饱和区对应后者。
2.电力MOSFET的电气符号中，G是极，D 极，S 极。
3.电力MOSFET通态电阻具有温度系数。
4.晶闸管；门级的关断晶闸管：；电力晶体管：；绝缘栅双型晶体管：。
电力场效应管晶体管。
4.31.在如下电力电子器件中SCR，GTO，IGBT，MOSFET中，按照器件内部电子和空穴两种载流子参与导电情况，属于双极型器件是；属于单极型器件；属于复合型器件的是；属于电压驱动的是；电流驱动型全控器件。
2.晶闸管的电气图形符号：。
3.门级的关断晶闸管电气图形符：。
4.电气晶体管电气图形符号：。
5.电力场效应晶体管电器图形符号：。
6.绝缘栅双极型晶体管电气图形符号：。
7.如图中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，电流最大值为I m，试计算波形的电流平均值I d与电流有效值I L，如果考虑安全裕量为a。
应选择额定电流为多大的晶闸管?4.71.单项桥式全控整流电路，带电阻负载时，其a角的移相范围：带阻感负载时，a角的移相范围：。
电力电子习题1．图1中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的最大电流为I m ，试计算各波形的电流平均值I d1、 I d2 、I d3与电流有效值I 1、 I 2 、I 3 。
图1 晶闸管导电波形2．上题中如果不考虑安全裕量，问100A 的晶闸管能送出的平均电流I d1、I d2、I d3各为多少？这时，相应的电流最大值I m1、 I m2 、I m3各为多少？3．单相桥式全控整流电路，U 2=100V ，负载中R=2Ω，L 值极大，当30=α°时，要求： ①作出u d 、i d 和i 2的波形；②求整流输出平均电压U d 、平均电流I d ，变压器二次电流有效值I 2；③考虑安全裕量，确定晶闸管的额定电压U N 和额定电流I N 。
4．单相桥式全控整流电路，U 2=100V ，负载中R=2Ω，L 值极大，反电动势E=60V ，当30=α°时，要求：①作出u d 、i d 和i 2的波形；②求整流输出平均电压U d 、平均电流I d ，变压器二次电流有效值I 2；③考虑安全裕量，确定晶闸管的额定电压U N 和额定电流I N 。
5．三相半波可控整流电路，U 2=100V ，带电阻电感负载，R=5Ω, L 值极大，当60=α°时，要求： ①画出u d 、i d 和i VT 的波形；②计算U d 、I d 、I VT 和I dvT 。
6．三相半波可控整流电路，反电动势阻感负载，U 2=100V ，R=1Ω，L =∞，L B =1Mh ，求当30=α°时、E=50V 时U d 、I d 与γ的值并作出u d 、i vt1和i vt2的波形。
7．三相全控桥，反电动势阻感负载，E=200V, R=1Ω，L =∞, U 2=220V ，60=α°，当 ① L B =0和② L B =1mH 情况下分别求U d 和I d 的值，后者还应求γ并分别作出u d 和i VT 的波形。
一、填空题1、晶闸管是三端器件，三个引出电极分别是：______极、______极和______极。
2、晶闸管一旦导通，门极就失去了控制作用，故晶闸管为____ 器件。
能保持晶闸管导通的最小电流称为______。
3、逆变电路的负载如果接到电源，则称为____ __逆变，如果接到负载，则称为______ 逆变。
4、在GTR 和IGBT 两种自关断器件中，属于电压驱动的器件是______，属于电流驱动的器件是______。
5、电力电子电路中为了实现主电路与控制电路的隔离，常采用的隔离方法有_________隔离和_________隔离。
6、为了使电力晶体管安全、可靠地运行，驱动电路和主电路应该实行_________。
7、把交流电能转换成直流电能称整流，把一种直流电能转换成另一种直流电能称_________，而把直流电能转换成交流电能称_________。
8、可关断晶闸管（GTO ）的电流关断增益βoff 的定义式为βoff=___________，其值越______越好。
9、单相半波可控整流电路中，控制角α的最大移相范围是__________。
10、在GTR 、GTO 、IGBT 与MOSFET 中，开关速度最快的是_________，单管输出功率最大的是_____________，应用最为广泛的是___________。
晶闸管对触发脉冲的要求是 、 和 。
（要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高、触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。
） 1、请在正确的空格内标出下面元件的简称：电力晶体管 ；可关断晶闸管 ；功率场效应晶体管 ；绝缘栅双极型晶体管 ；IGBT 是 和 的复合管。
（GTR 、GTO 、MOSFET 、IGBT 、MOSFET 、GTR 。
）5、型号为KS100-8的元件表示 晶闸管、它的额定电压为 伏、额定有效电流为 安。
6、180°导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在_ 上的上、下二个元件之间进行；而120º导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在_ 上的元件之间进行的。
自测题一1．当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在__。
A.导通状态B.关断状态C.饱和状态D.不定2．电流型逆变器中间直流环节贮能元件是__ 。
A.电容B.电感C.蓄电池D.电动机3．逆导晶闸管是将大功率二极管与何种器件集成在一个管芯上而成_。
A.大功率三极管B.普通型晶闸管C.双向晶闸管D.可关断晶闸管4．单相全控桥式整流大电感负载电路中，控制角α的移相范围是_。
A.0°～90°B.0°～180°C.90°～180°D.180°～360°5．下列电路中，不可以实现有源逆变的有_ 。
A.三相半波B.单相半控桥电路C.单相全波D.三相全控桥6．下列全控型开关器件GTR、IGBT、MOSFET、达林顿管中，属于电流型驱动的开关管的是那两种__。
A.GTR和IGBTB.IGBT和MOSFETC.GTR和MOSFETD.GTR和达林顿管7．下列全控型开关器件GTR、IGBT、MOSFET、达林顿管中，属于电压型驱动的开关管的是那两种_ 。
A.GTR和IGBTB.IGBT 和MOSFETC.GTR和MOSFETD.GTR和达林顿管8．功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为_ 。
A.一次击穿B.二次击穿C.临界饱和D.反向截止9．逆导晶闸管是将普通型晶闸管与何种器件集成在一个管芯上而成_ 。
A.大功率三极管B. 大功率二极管 C.双向晶闸管 D.可关断晶闸管10．在晶闸管应用电路中，为了防止误触发应将幅值限制在不触发区的信号是_ 。
A.干扰信号B.触发电压信号C.触发电流信号 D.干扰信号和触发信号11．当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在_ 。
A.导通状态B.关断状态C.饱和状态 D.不定12．单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是_ 。
