东师《模拟电子技术》20春在线作业2答案3708

A.错误
B.正确
正确答案:B
5.在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中，单限比较器和滞回比较器的输出电压均只跃变一次。
A.错误
B.正确
正确答案:A
6.当集成运放工作在非线性区时，输出电压不是高电平，就是低电平。
A.错误
B.正确
正确答案:B
7.线性直流电源中的调整管工作在放大状态，开关型直流电源中的调整管工作在开关状态。
B.提高输入电阻
C.稳定放入倍数
正确答案:A
12.差分放大电路利用恒流源代替Re是为了（）。
A.提高差模电压放大倍数
B.提高共模电压放大倍数
C.提高共模抑制比
正确答案:C
13.在OCL乙类功放电路中，若最大输出功率为1W，则电路中功放管的
集电极最大功耗约为（）。
A.1W
B.0.5W
C.0.2W
D.无法确定
A.电压串联负反馈
B.电压并联负反馈
C.电流串联负反馈
D.电流并联负反馈
正确答案:A
8.有两个放大器A1和A2分别对同一电压信号进行放大。当输出端开路时，A1和A2输出电压相同。而接入相同的负载电阻后，Vo1>Vo2。由此可知，A1比A2的（）
A.输出电阻大
B.输出电阻小
C.输入电阻大
D.输入电阻小
A.错误
B.正确
正确答案:B
2.电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的。
A.错误
B.正确
正确答案:A
3.PNP和NPN是一种对称结构。因此将发射极与集电极对调使用，BJT仍然能正常放大信号。
A.错误
B.正确
正确答案:A
4.参数理想对称的双端输入双端输出差分放大电路只能放大差模信号，不能放大共模信号。

C.200-1000
正确答案:B
3.在＝1mV时，将Rw调到输出电压最大且刚好不失真，若此时增大输入电压，则输出电压波形将()
A.顶部失真
B.底部失真
C.为正弦波
D.为余弦波
正确答案:B
4.放大器产生零点漂移的主要原因是()。
A.环境温度变化
B.电压曾以太大
C.采用直接耦合方式
D.采用阻容耦合方式
正确答案:A
D.非线性失真要小
E.三极管的工作要安全、可靠。
正确答案:ABCDE
3.直流电源由（）部分组成
A.直流电源由整流
B.滤波
C.稳压三部分组成
D.放大电路
正确答案:ABC
4.单相桥式整流电路中，若输入电压U2=30V，则输出电压Uo（）V；若负载电阻RL=100欧，整流二极管ID(AV)（）A
A.27
B.30
A.错误
B.正确
正确答案:A
17.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入3千欧的负载电阻后输出电压降为3V。这说明放大电路的输出电阻为1千欧
A.错误
B.正确
正确答案:B
18.当输入信号频率f = 5～40kHz时，单级放大电路的电压放大倍数均为100，而当f = 500kHz时，电压放大倍数降为10，该电路的上限频率fH为50kHz
正确答案:B
二、多选题(共10道试题,共30分)
1.共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（）失真。共射极放大电路的交流输出波形下失真时为（）失真。
A.饱和
B.截止
C.交越
D.频率
正确答案:AB
2.对功率放大电路的主要技术性能有哪些要求（）
A.输出功率要足够大

模拟电子技术基础模拟考试题二及参考答案一、填空（每题2，共2分）1．硅稳压二极管在稳压电路中稳压时，通常工作于（）。

(a) 正向导通状态 (b) 反向电击穿状态(c) 反向截止状态 (d) 热击穿状态2、整流的目的是（）。

(a) 将交流变为直流 (b) 将高频变为低频(c) 将正弦波变为方波 (d) 将方波变为正弦波3、当信号频率在石英晶体的串联谐振频率和并联谐振频率之间时，石英晶体呈（）。

(a) 容性 (b) 阻性 (c) 感性 (d) 无法判断4、为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器，应选用的滤波电路是（）。

(a) 带阻 (b) 带通 (c) 低通 (d) 高通5、能实现函数Y＝aX1＋bX2＋cX3，a、b和c均大于零的运算电路是（）。

(a) 加法 (b) 减法 (c) 微分 (d) 积分6、欲从信号源获得更大的电流，并稳定输出电流，应在放大电路中引入（）。

(a) 电压串联负反馈 (b) 电压并联负反馈(c) 电流串联负反馈 (d) 电流并联负反馈7、集成运放电路采用直接耦合方式是因为（）。

(a) 可获得很大的放大倍数 (b) 可使温漂小(c) 集成工艺难于制造大容量电容 (d) 放大交流信号8、要求电压放大倍数的数值大于10，输入电阻大于10MΩ，输出电阻小于100Ω，第一级应采用，第二级应采用。

（）(a) 共射电路, 共集电路 (b) 共集电路, 共射电路(c) 共基电路, 共集电路 (d) 共射电路, 共基电路9、直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是（）。

(a) 电阻阻值有误差 (b) 晶体管参数的分散性(c) 电源电压不稳定 (d) 晶体管参数受温度影响10、工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β约为（）。

(a) 83 (b) 91 (c) 100 (d) 120【解】1 、(b) 2 、(a) 3 、(c) 4 、(b) 5 、(a) 6 、(d) 7 、(c) 8 、(b) 9 、(d) 10 、(c)二、填空（共10题，每题2分，共20分）1、在室温（27℃）时，锗二极管的死区电压约 V，导通后在较大电流下的正向压降约 V，硅二极管的死区电压约 V；导通后在较大电流下的正向压降约 V。

6．半导体 PN 结中内电场 E，是由 空间电荷区 产生的，当将 反向 电压加在 PN 结两端时，其 PN 结内 电场 E 增强。 PN 结 不易 （不易 /容易）导通。
7．二极管导通时，其正向电压应该比门坎电压 正向导通电压约为 0.2 V 。
高 （高 /低），硅管的正向导通电压约为 0.7 V ，锗管的
模拟电子技术 习题答案
电工电子教学部
201的各种物理量必须首先经过 传感器 将非电量转换为电量，即 电信号 。
2. 信号在频域中表示的图形或曲线称为信号的
频谱 。
3. 通过傅立叶变换可以实现信号从
时域 到频域的变换。
4. 各种信号各频率分量的 振幅 随角频率变化的分布，称为该信号的幅度频谱。
（ 2） vo
3v i1 2 v o1
v o2
vi2 2vi3
100 100
1
vo2
50 150
2 (v o1
v o2 )
2( 3vi1 vi2 2vi3 )
6．试写出图示加法器对 vI1 、vI2、 vI3 的运算结果： vO = f (vI1 、 vI2、 vI3)。
解： A 2 的输出 vO2=-(10/5) vI2-(10/100) vI3 =-2vI2-0.1vI3 vO=-(100/20) vI1 -(100/100) vO2=-5 vI1+2vI2+0.1 vI3
非线性 区，输出电压扩展到 饱和值 。
3．运算放大器工作在线性区时，具有
虚短
来分析电路的输入、输出关系。
和 虚断
两个特点，凡是线性电路都可利用这两个概念
4．反相比例运算电路中集成运放反相输入端为
地的电压基本上