半导体制程简介 NXPowerLite
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为帮助大家了解和认识半导体及相关工艺,我们将以三期文章推送,为大家逐一介绍每个步骤。
当听到“半导体”这个词时,你会想到什么?它听起来复杂且遥远,但其实已经渗透到我们生活的各个方面:从智能手机、笔记本电脑、信用卡到地铁,我们日常生活所依赖的各种物品都用到了半导体。
每个半导体产品的制造都需要数百个工艺,泛林集团将整个制造过程分为八个步骤:晶圆加工-氧化-光刻-刻蚀-薄膜沉积-互连-测试-封装。
为帮助大家了解和认识半导体及相关工艺,我们将以三期微信推送,为大家逐一介绍上述每个步骤。
第一步晶圆加工所有半导体工艺都始于一粒沙子!因为沙子所含的硅是生产晶圆所需要的原材料。
晶圆是将硅(Si)或砷化镓(GaAs)制成的单晶柱体切割形成的圆薄片。
要提取高纯度的硅材料需要用到硅砂,一种二氧化硅含量高达95%的特殊材料,也是制作晶圆的主要原材料。
晶圆加工就是制作获取上述晶圆的过程。
①铸锭首先需将沙子加热,分离其中的一氧化碳和硅,并不断重复该过程直至获得超高纯度的电子级硅(EG-Si)。
高纯硅熔化成液体,进而再凝固成单晶固体形式,称为“锭”,这就是半导体制造的第一步。
硅锭(硅柱)的制作精度要求很高,达到纳米级,其广泛应用的制造方法是提拉法。
②锭切割前一个步骤完成后,需要用金刚石锯切掉铸锭的两端,再将其切割成一定厚度的薄片。
锭薄片直径决定了晶圆的尺寸,更大更薄的晶圆能被分割成更多的可用单元,有助于降低生产成本。
切割硅锭后需在薄片上加入“平坦区”或“凹痕”标记,方便在后续步骤中以其为标准设置加工方向。
③晶圆表面抛光通过上述切割过程获得的薄片被称为“裸片”,即未经加工的“原料晶圆”。
裸片的表面凹凸不平,无法直接在上面印制电路图形。
因此,需要先通过研磨和化学刻蚀工艺去除表面瑕疵,然后通过抛光形成光洁的表面,再通过清洗去除残留污染物,即可获得表面整洁的成品晶圆。
第二步氧化氧化过程的作用是在晶圆表面形成保护膜。
它可以保护晶圆不受化学杂质影响、避免漏电流进入电路、预防离子植入过程中的扩散以及防止晶圆在刻蚀时滑脱。
半导体制造流程解析详细介绍半导体芯片的制造过程半导体制造流程解析:详细介绍半导体芯片的制造过程半导体芯片是现代电子产品中的关键部件,它承载着处理信息的功能。
半导体制造流程的高度复杂性使得其成为一门专门的学科。
本文将详细介绍半导体芯片的制造过程,帮助读者更好地理解半导体工业的基本原理。
第一步:晶圆制备半导体芯片的制造过程始于晶圆的制备。
晶圆是由最纯净的硅材料制成的圆盘,其表面需要经过一系列的化学处理,以达到良好的电学性能。
首先,硅材料经过融解,在高温环境中通过拉伸或浇铸的方式形成晶体。
然后,晶体通过切割和研磨的步骤,得到晶圆的形态。
制备好的晶圆表面必须经过精细的抛光和清洗,以确保表面的平整度和纯净度。
第二步:芯片制作在晶圆上制作芯片是半导体制造流程的核心环节。
主要步骤如下:1. 氧化层的形成:将晶圆放入高温气体中,形成一层氧化硅的绝缘层。
这一步骤非常重要,因为氧化层可以提供电学隔离和保护晶体。
2. 光刻技术:光刻技术通过使用光掩膜和光敏胶,将光线照射在晶圆上,形成芯片上的图形。
光刻技术的精细度决定了芯片的性能和功能。
3. 电子束曝光:电子束曝光是一种类似于光刻的制造方法,但使用电子束来照射光敏材料。
相较于光刻,电子束曝光可以制造更小的结构和更高的分辨率。
4. 刻蚀和沉积:在芯片图形上涂覆一层化学物质,通过化学反应刻蚀或沉积物质,来改变芯片上的结构和性质。
这一步骤可以重复多次,以实现多层次的结构形成。
5. 掺杂和扩散:通过在芯片表面掺入其他元素,使得芯片具有特定的电学行为。
扩散过程会在半导体材料中形成浓度梯度,从而形成不同的电子和空穴浓度。
6. 金属连接:芯片上的电路需要通过金属线进行连接。
金属连接通常使用蒸发、溅射或电镀的方式在芯片上形成金属线。
第三步:封装和测试芯片制作完毕后,需要进行封装和测试。
封装是将芯片放置在一个保护性的外壳中,以保护芯片并方便其与其他电路的连接。
封装可以采用塑料封装、金属封装或陶瓷封装等。
半导体制程简介半导体制程是一种用于制造半导体器件的工艺过程,是现代电子工业不可或缺的关键部分。
半导体制程可以将硅等材料转化为半导体晶片,进而制造出各种集成电路、微处理器、存储芯片和其他电子器件。
在半导体制程中,首先需要选择合适的半导体材料,最常用的是硅。
硅具有优异的半导体特性和良好的物理特性,成为了制造半导体器件的首选材料。
其他半导体材料如化合物半导体和有机半导体也应用于特定的器件。
接下来是晶片的制备过程,主要包括晶体生长、切割和抛光。
晶体生长是通过高温熔炼和快速冷却,使单晶硅生长为大块晶体。
然后,晶体经过切割成薄片,再通过抛光和平整的过程使其表面光洁平整。
接着是半导体器件的制备过程。
这包括了沉积层、光刻、蚀刻、离子注入和金属化等步骤。
沉积层是通过物理气相沉积(PECVD)或热熔腐蚀(CVD)将薄膜材料沉积在晶片上。
光刻是将光敏胶覆盖在晶片上,然后用紫外线照射到其中的图案模板上,最后通过蚀刻去除未被曝光的区域。
离子注入是将离子通过加速器注入晶片中,改变材料的导电性和电阻率。
金属化是在晶片上涂覆金属,形成电线和电极,用于电子器件的连接。
最后是芯片封装和测试。
封装是将半导体器件连接到外部引脚和包装中,以保护器件并提供适当的电连接。
测试是对芯片进行电性能和可靠性的检查,以确保其正常工作并符合规格要求。
半导体制程是一项复杂而精细的工艺过程,需要严格的控制和高度的精确度。
不断的技术创新和工艺改进使得半导体器件的制造变得越来越高效和可靠。
半导体制程的进步不仅推动了电子技术的发展,还广泛应用于通信、计算机、汽车、医疗和工业等各个领域,为现代社会的科技进步和生活便利做出了巨大贡献。
在半导体制程中,制造芯片的关键技术之一是微影技术。
微影技术是一种将光刻或电子束曝光技术应用于半导体制程中的方法,用于将非常小的结构图案精确地转移到半导体表面,从而实现微小而密集的电子元件。
微影技术的进步极大地促进了半导体技术的发展,使得芯片的功能更加强大、体积更小。
技术工程师手册一组织结构二技术科的职责权限三技术工程师的级别划分四技术科的重点工作五技术工程师需要具备的技能要求六技术工程师基础知识产品知识(电气组件、过滤组件、集尘组件、保护器组件、卷线器组件、附件、基础组件)、安规知识、注塑知识(塑料分类、注塑常识)、模具知识、环保知识(ROHS\PAHS)七技术工程师的操作指南新品策划、问题分析解决、文件类、软件操作、设备工具使用、修模、试验验证八日常工作规定九参考资料一组织结构图公司的组织结构图总装厂的组织结构图生产技术科的组织结构图二技术科的权限职责职权:1、按照规定审批程序,对工艺文件、工装图纸有更改权,对制订的工艺文件有解释权,对不符合图纸要求的工艺作业有纠正权。
2、对车间执行工艺的情况有检查、监督权,对违反工艺纪律的行为有禁止权。
3、有权向有关部门索取产品质量和原材料的资料。
4、有权参加各类工艺技术的专业会议,进行技术交流、技术攻关;对操作人员工作进行督促与指导。
5、对工艺工作相关人员的奖惩、晋升有建议权。
职责:1、对在计划规定期限内未完成工艺准备工作,而影响新产品试制进度和生产任务完成负责。
2、对工艺编制或工装设计问题,导致产品大量的报废或返修,造成的经济损失负责。
3、对解决生产中发生的工艺技术问题不及时,影响生产负责。
4、对工艺技术文件、产品技术条件、工艺标准、工艺规程等工艺资料的正确性、合理性、完整性负责。
5、对企业工艺方针目标未及时展开、检查、诊断、落实负责。
6、对在工艺技术上发生的失密、泄密现象负责。
三技术工程师的级别说明四技术科的重点工作新产品质量策划:1、制定《新产品质量计划表》。
从开发部取得样机进行分析,编制《工位排布表》,跟踪产品试制生产,做《工艺验证报告》。
2、编制工艺技术文件:《QC工程图》、《工艺流程图》(这一文件由研发中心编制)、《关键件质量特性表》、《作业指导书》、零部件(组件)《检验指导书》。
3、配合开发部进行问题的改进,直到解决问题,可以接定单正常生产的全过程。