模拟电路期末试卷B

模拟综合试卷一一．填充题1．集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是a ，b 。

2．通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器，其目的是a ,b 。

3．在晶体三极管参数相同，工作点电流相同条件下，共基极放大电路的输入电阻比共射放大电路的输入电阻。

4．一个NPN晶体三极管单级放大器，在测试时出现顶部失真，这是失真。

5．工作于甲类的放大器是指导通角等于，乙类放大电路的导通角等于，工作于甲乙类时，导通角为。

6．甲类功率输出级电路的缺点是，乙类功率输出级的缺点是故一般功率输出级应工作于状态。

7．若双端输入，双端输出理想差动放大电路，两个输入电压ui1=ui2,则输出电压为 V；若ui1=1500µV, ui2=500µV，则差模输入电压uid为µV，共模输入信号uic为µV。

8．由集成运放构成的反相比例放大电路的输入电阻较同相比例放大电路的输入电阻较。

9．晶体三极管放大器的电压放大倍数在频率升高时下降，主要是因为的影响。

10．在共射、共集、共基三种组态的放大电路中，组态电流增益最；组态电压增益最小；组态功率增益最高；组态输出端长上承受最高反向电压。

频带最宽的是组态。

二．选择题1．晶体管参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β，ICBO,uBE的变化情况为（）。

A．β增加，ICBO,和 uBE减小 B. β和ICBO增加，uBE减小C．β和uBE 减小，ICBO增加 D. β、ICBO和uBE都增加2．反映场效应管放大能力的一个重要参数是（）A. 输入电阻B. 输出电阻C. 击穿电压D. 跨导3．双端输出的差分放大电路主要（）来抑制零点飘移。

A. 通过增加一级放大B. 利用两个C. 利用参数对称的对管子D. 利用电路的对称性4．典型的差分放大电路由双端输出变为单端输出，共模电压放大倍数（）。

A. 变大B. 变小C. 不变D. 无法判断5．差分放大电路的共模抑制比KCMR越大，表明电路（）A. 放大倍数越稳定B. 交流放大倍数越大C. 直流放大倍数越大D. 抑制零漂的能力越强6．负反馈放大电路以降低电路的（）来提高嗲路的其他性能指标。

《模拟电子技术基础（1）》期末试题（A 卷）参考答案及评分标准一、填空（每空1分，共20分）1. 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结 正偏、集电结反偏。

2. 放大器级间耦合方式有三种： 直接 耦合; 阻容 耦合;变压器 耦合; 在集成电路中通常采用直接耦合。

3. 差分放大器的基本特点是放大差模信号、抑制共模信号。

4. 乙类推挽放大器的主要失真是 _________ ，要消除此失真，应改用甲乙类推挽放大器。

5. 图1所示两级放大电路，图中级间采用 阻容 耦合方式,h 接成 共基 组 态，T 2接成 共集 组态,R i 和R 2的作用是 为T1管提供基极偏置。

I ------------ 1 ------------------------------曲叫前卜L6. 在阻容耦合放大器中，若要降低下限频率，应将耦合电容的值 增大。

7. 共射一共基组合电路中，由于共射电路的上限频率 小干 共基电路的上限频率，故此组合电路的上限频率主要取决于共射 电路。

8. 负反馈系统产生自激的条件是T （j •） = -1，相应的振幅条件是T （j ） =1，图1相位条件是T 匸：吆二、简答(共3小题，每小题5分，共15分)1. 测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如图 2所示(1) 判断它们各是NPN 管还是PNP 管，在图中标出答：见图中标识(判断NPN 管还是PNP 管各1分，标出e ，b ，c 极1 分,共3 分)(2)估算(b)图晶体管的1和〉值p0.985 （各1分，共2分）1e , b ，c 极;I C 6 'LOT 60，图22. 电路如图3所示，试回答下列问题（1） 要使电路具有稳定的输出电压和高的输入电阻， 应接入何种负反馈？ R f应如何接入？（在图中连接）答：应接入电压串联负反馈 （1分）R f 接法如图（1分）（2） 根据前一问的反馈组态确定运放输入端的极性（在图中“□”处标出） ,并根据已给定的电路输入端极性在图中各“O”处标注极性。

一、填空题（1-20题。

每小题有3个选项，其中只有一个是正确的，请并将其代号填写在题中括号内，每小题1分，共20分。

)1．三端集成稳压器CXX7805的输出电压是（）。

A 5vB 9vC 12v2. 测某电路中PNP三极管各极电位分别是0 V、-6V、0.2V则三极管的三个电极分别是（）。

A (E、C、B)B (C、B、E)C (B、C、E)3. 三极管的反向电流I CBO是由（）组成的。

A、多数载流子B、少数载流子C、多数载流子和少数载流子4. 反映场效应管放大能力的一个重要参数是（）。

A输入电压 B 击穿电压 C 跨导5. 引入并联负反馈，可使放大器的（）。

A. 输出电压稳定B.反馈环内输入电阻增加C. 反馈环内输入电阻减小6.差分放大电路是为了（）而设置的。

A、稳定AuB、放大信号C、抑制零点漂移7. LM386是集成功率放大器，它可以使电压放大倍数在（）之间变化。

A、0~20B、20~200C、200~10008.通用型集成运放的输入级通常采用（）电路。

A. 差分放大B. 基本共射极放大C.电流源9.交流负反馈是指（）。

A. 只存在于阻容耦合电路中的负反馈B. 交流通路中的负反馈C.放大正弦信号时才有的负反馈10．共集电极放大电路的负反馈组态是（）。

A、电压串联负反馈B、电流串联负反馈C、电压并联负反馈11. 典型的差分放大电路由双端输出变为单端输出，共模电压放大倍数（ ）。

A.变大B.变小C.不变12.某滤波器的通带增益为0A ,当0f →时，增益趋向于零；当f →∝时，增益趋向于0A ；那么，该滤波器具有（ ）特性。

A. 高通B.低通C.带通13.实际上，乙类互补推挽功放电路中的交越失真就是（ ）。

A.幅频失真B.饱和失真C.截止失真14.桥式整流电路如图1.14所示，流过二极管的平均电流为（ ）mA 。

图1.14A. 4.5B. 9 D. 14.1415．在正弦振荡电路中，能产生等幅振荡的幅度条件是（ ）。

模拟集成电路设计期末试卷..《模拟集成电路设计原理》期末考试⼀．填空题（每空1分，共14分）1、与其它类型的晶体管相⽐，MOS器件的尺⼨很容易按____⽐例____缩⼩，CMOS电路被证明具有_较低__的制造成本。

2、放⼤应⽤时，通常使MOS管⼯作在_ 饱和_区，电流受栅源过驱动电压控制，我们定义_跨导_来表⽰电压转换电流的能⼒。

3、λ为沟长调制效应系数，对于较长的沟道，λ值____较⼩___（较⼤、较⼩）。

4、源跟随器主要应⽤是起到___电压缓冲器___的作⽤。

5、共源共栅放⼤器结构的⼀个重要特性就是_输出阻抗_很⾼，因此可以做成___恒定电流源_。

6、由于_尾电流源输出阻抗为有限值_或_电路不完全对称_等因素，共模输⼊电平的变化会引起差动输出的改变。

7、理想情况下，_电流镜_结构可以精确地复制电流⽽不受⼯艺和温度的影响，实际应⽤中，为了抑制沟长调制效应带来的误差，可以进⼀步将其改进为__共源共栅电流镜__结构。

8、为⽅便求解，在⼀定条件下可⽤___极点—结点关联_法估算系统的极点频率。

9、与差动对结合使⽤的有源电流镜结构如下图所⽰，电路的输⼊电容C in为__ C F（1－A）__。

10、λ为沟长调制效应系数，λ值与沟道长度成___反⽐__（正⽐、反⽐）。

⼆．名词解释（每题3分，共15分）1、阱解：在CMOS⼯艺中，PMOS管与NMOS管必须做在同⼀衬底上，其中某⼀类器件要做在⼀个“局部衬底”上，这块与衬底掺杂类型相反的“局部衬底”叫做阱。

2、亚阈值导电效应解：实际上，V GS=V TH时，⼀个“弱”的反型层仍然存在，并有⼀些源漏电流，甚⾄当V GS3、沟道长度调制解：当栅与漏之间的电压增⼤时，实际的反型沟道长度逐渐减⼩，也就是说，L 实际上是V DS 的函数，这种效应称为沟道长度调制。

4、等效跨导Gm 解：对于某种具体的电路结构，定义inD V I ??为电路的等效跨导，来表⽰输⼊电压转换成输出电流的能⼒ 5、⽶勒定理解：如果将图（a ）的电路转换成图（b ）的电路，则Z 1=Z/(1-A V )，Z 2=Z/(1-A V -1)，其中A V =V Y /V X 。