杭州电子科技大学固体物理2015考研真题

电子科技大学2015年攻读硕士学位研究生入学考试试题电子科技大学2016年硕士研究生入学考试初试自命题科目及代码汇总•111单独考试政治理论•241法语(二外)•242德语(二外)•243日语(二外)•244英语(二外仅日语方向) •288单独考试英语•601数学分析•602高等数学•613分子生物学•615日语水平测试•616公共管理综合•621英语水平测试•622心理学综合•623新闻传播理论•625宪法学•688单独考试高等数学•689西方行政史•690中国近现代史•691政治学原理•692数学物理基础•694生物学综合•694生物学综合•695口腔综合•804行政法与行政诉讼法学•805新闻传播实务•806行政管理综合•808金融学基础•809管理学原理•811大学物理•812地理信息系统基础•813电磁场与电磁波•814电力电子技术•815电路分析基础•818固体物理•820计算机专业基础•821经济学基础•824理论力学•825密码学基础与网络安全•830数字图像处理•831通信与信号系统•832微电子器件•834物理化学•835线性代数•836信号与系统和数字电路•839自动控制原理•840物理光学•845英美文学基础知识及运用•846英语语言学基础知识及运用•847日语专业基础知识及应用•852近代物理基础•853细胞生物学•854国际政治学•855辩证唯物主义和历史唯物主义•856测控通信原理•857概率论与数理统计•858信号与系统•859测控通信基础•860软件工程学科基础综合“电磁场与电磁波”试题 共 3 页 第 1 页电子科技大学2015年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目：813 电磁场与电磁波注：所有答案必须写在答题纸上，做在试卷或草稿纸上无效。

一、填空题（每空2分，共30分）1. 在介电常数02.5e e =的电介质中，已知电场强度23V/m x y z E e x e y e z =++r r r r，则介质中的自由电荷体密度为r = 3C /m 、极化（束缚）电荷体密度为p r = 3C /m 。

电子科技大学2015年攻读硕士学位研究生入学考试试题电子科技大学2016年硕士研究生入学考试初试自命题科目及代码汇总•111单独考试政治理论•241法语(二外)•242德语(二外)•243日语(二外)•244英语(二外仅日语方向) •288单独考试英语•601数学分析•602高等数学•613分子生物学•615日语水平测试•616公共管理综合•621英语水平测试•622心理学综合•623新闻传播理论•625宪法学•688单独考试高等数学•689西方行政史•690中国近现代史•691政治学原理•692数学物理基础•694生物学综合•694生物学综合•695口腔综合•804行政法与行政诉讼法学•805新闻传播实务•806行政管理综合•808金融学基础•809管理学原理•811大学物理•812地理信息系统基础•813电磁场与电磁波•814电力电子技术•815电路分析基础•818固体物理•820计算机专业基础•821经济学基础•824理论力学•825密码学基础与网络安全•830数字图像处理•831通信与信号系统•832微电子器件•834物理化学•835线性代数•836信号与系统和数字电路•839自动控制原理•840物理光学•845英美文学基础知识及运用•846英语语言学基础知识及运用•847日语专业基础知识及应用•852近代物理基础•853细胞生物学•854国际政治学•855辩证唯物主义和历史唯物主义•856测控通信原理•857概率论与数理统计•858信号与系统•859测控通信基础•860软件工程学科基础综合电子科技大学2015年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目：840 物理光学注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。

一、选择题（每小题3分、共60分）1.可以用复振幅表示光波的条件是。

A. 线性运算B. 非线性运算C. 单色光D. 复色光2. 部分偏振光可以表示为。

A. 两正交线偏振光的叠加B. 线偏振光和圆偏振光的叠加C. 线偏振光和自然光的叠加D. 线偏振光和椭圆偏振光的叠加3. 自然光正入射到界面，其反射光为。

0
£
n £ M -1 其它n值
，则输出
y[n]
不为
0
的点数最多为___
______________。
2、 已知连续时间线性时不变系统的单位阶跃响应为 s (t ) = e-tu(t) ，则该系统的单位冲击响应
h (t ) 为_________________。 3、 x (t ) 的拉普拉斯变换 X (S ) 存在，且 X (S ) 为有理表达式，在有限的 S 平面内，只存在 4
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三、
（8
分）已知系统的闭式表达为
y
(
t
)
=
ìïEv{x (t
í ïîod
{x
(t
)} )}
x (t ) >0 ，请确定 x(t) £ 0
（1）系统是否为因果系统?
（2）系统是否为稳定系统?
（3）系统是否为线性系统?
（4）系统是否为时不变系统?
( ) 四、（10 分）已知离散时间线性时不变系统的频率响应 H e jw 如图 1 所示，输入信号
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（4） 若要从 y3 (t ) 中恢复出 y2 (t ) ，确定线性时不变系统 h2 (t ) 的频率响应 H2 ( jw)
七、（10 分）已知一个连续时间线性时不变系统是稳定系统，系统的单位冲击响应为偶信号，
系统函数为 H (S ) ，并满足下面条件，确定该系统的系统函数及收敛域。 （1） H (S ) 在有限的 S 平面内只有 4 个极点，没有零点 （2） h (-t ) 的拉普拉斯变换的一个极点为 S = 1 （3） h (t ) e j2t 的拉普拉斯变换的一个极点为 S = 0
2
x [n]
z -1

电子科技大学2015年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目：832 微电子器件注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。

一、填空题（共45分，每空1分）1、泊松方程的积分形式即是（）定理，它的物理意义是：流出一个闭合曲面的电通量等于该闭合曲面围成的体积内的（）。

2、PN结的扩散电容和势垒电容有很多不同之处。

例如：（）只存在于正向偏压之下；（）的正负电荷在空间上是分离的；（）能用作变容二极管。

3、锗二极管和相同掺杂浓度、相同尺寸的硅二极管相比，其反向饱和电流更（），正向导通压降更（）。

4、碰撞电离率是指每个载流子在（）内由于碰撞电离产生的（）的数目。

电场越（），材料的禁带宽度越（），碰撞电离率将越大。

5、温度升高时，PN结的雪崩击穿电压将（），这是因为温度升高将导致晶格振动加强，因而载流子的平均自由程（）。

6、MOSFET用于数字电路时，其工作点设置在（）区和（）区；双极型晶体管用于模拟电路时，其直流偏置点设置在（）区。

7、双极型晶体管的t b既是基区渡越时间，又是（）电阻与（）电容的乘积。

8、双极型晶体管的跨导代表其（）电流受（）电压变化的影响。

双极型晶体管的直流偏置点电流I E越大，跨导越（）；工作温度越高，跨导越（）。

（第三、四个空填“大”或“小”）9、一般来说，双极型晶体管的几个反向电流之间的大小关系为：I ES（）I CS；I CBO（）I CEO；BV CBO（）BV CEO；BV EBO（）BV CBO（填“>”、“<”或“=”）10、当双极型晶体管集电极反偏，发射极开路时，发射极电流（）零，发射结上的偏压（）零。

（填“>”、“<”或“=”）11、增加双极型晶体管的基区宽度将（）厄尔利电压，（）基极电阻，（）基区输运系数。

12、NMOS的衬底相对于源端应该接（）电位。

当|V BS|增加时，其阈值电压将（）。

（第二个空填“增大”、“减小”或“不变”）13、MOSFET的沟道载流子和位于半导体内的载流子相比，除受到（）散射及电离杂质散射作用外，还会受到（）散射，因此，通常沟道载流子的迁移率（）体内载流子迁移率。