耦合电容取值

耦合电容容量耦合电容是一种电子元件，用于电路中实现信号的耦合和传输。

它具有特定的容量，通过其容量大小来控制信号的传递效果。

在电子领域中，耦合电容扮演着重要的角色，本文将详细介绍耦合电容的容量及其应用。

我们来了解一下什么是耦合电容。

耦合电容，顾名思义，是用来实现电路之间的耦合的元件。

它通过将信号从一个电路耦合到另一个电路，实现信号的传递和共享。

耦合电容的容量决定了信号的传递效果，容量越大，信号传递的效果越好。

因此，选择合适的耦合电容容量对于电路的性能至关重要。

耦合电容的容量通常用单位法拉(F)来表示。

法拉是国际单位制中电容的基本单位，表示电容器在两个极板上充电1伏所需的电荷量。

在实际应用中，常用的耦合电容容量范围从皮法(PF)到微法(μF)不等。

对于不同的电路和应用，选用适当容量的耦合电容能够达到最佳的耦合效果。

耦合电容的容量对于电路的性能有着重要的影响。

首先，耦合电容的容量越大，对低频信号的传递越好。

这是因为低频信号的周期较长，需要更大的电容来存储和传递。

而对于高频信号，由于周期较短，对电容的要求相对较小。

因此，在设计电路时，需要根据信号的频率特性选择合适的耦合电容容量。

耦合电容的容量还会对信号的幅度和相位产生影响。

当信号从一个电路传递到另一个电路时，耦合电容会引入一定的阻抗，从而影响信号的幅度和相位。

为了保持信号的准确传递，需要选择合适的耦合电容容量，并根据实际情况进行补偿和调整。

除了在电路中实现信号的耦合和传递外，耦合电容还可以用于滤波和隔直流的作用。

在某些电路中，需要对信号进行滤波处理，去除掉不需要的频率成分。

耦合电容可以作为滤波器的一部分，通过选择合适的容量和电路结构，实现对特定频率的滤波效果。

耦合电容还可以用于隔直流的作用。

在某些电路中，需要隔离直流信号，只传递交流信号。

耦合电容可以起到隔直流的作用，将直流信号阻隔在一侧，只传递交流信号到另一侧。

总结来说，耦合电容的容量是决定信号传递效果的关键因素之一。

旁路、退耦、耦合电容的选取高手和前辈们总是告诉我们这样的经验法则：“在电路板的电源接入端放置一个1～10μF 的电容，滤除低频噪声；在电路板上的电源与地线之间放置一个0.01～0.1μF 的电容，滤除高频噪声。

”在书店里能够得到的大多数的高速PCB 设计、高速数字电路设计的经典教程中也不厌其烦的引用该首选法则（老外俗称Rule of Thumb ）。

但是为什么要这样使用呢？各位看官，如果你是电路设计高手，你可以去干点别的更重要的事情了，因为以下的内容仅是针对我等入门级甚至是门外级菜鸟。

做电路的人都知道需要在芯片附近放一些小电容，至于放多大？放多少？怎么放？将该问题讲清楚的文章很多，只是比较零散的分布于一些前辈的大作中。

鄙人试着采用拾人牙慧的方法将几个问题放在一起讨论，希望能加深对该问题的理解；如果很不幸，这些对你的学习和工作正好稍有帮助，那我不胜荣幸的屁颠屁颠的了。

（以上有些话欠砍，在此申明以上不是我所写）什么是旁路？旁路（Bypass ），在电路中为了改变某条支路的频率特性，使得它在某些频段内存在适当的阻值，而在另一些频段内则处于近似短路的状态，于是便产生了旁路电容的概念。

旁路电容之所以为旁路电容，是因为它旁边还存在着一条主路，而并不是某些电容天生就是用来做旁路电容的，也就是说什么种类的电容都可以用来做旁路电容，关键在于电容容值的大小合适与否。

旁路电容并不是电解电容或是陶瓷电容的专利。

之所以低频电路中多数旁路电容都采用电解电容原因在于陶瓷电容容值难以达到所需要的大小。

使用旁路电容的目的就是使旁路电容针对特定频率以上的信号相对于主路来说是短路的。

如图形式：要求旁路电容需要取值的大小；已知：1、旁路电容要将流经电阻R 的频率高于f 的交流信号近似短路。

求旁路电容的大小?Ic Ir解：旁路电容C 的目的就是在频率f 以上将原本流经R 的绝大多数电流短路；也即频率为f 时，容抗远小于电阻值；12R f C π∙12C f R π⇒∙ 当f=1khz ，R=1k 时，C 应该远大于0.16uf 。

电容取值计算公式电容在电路中可是个重要的角色，就像一个小仓库，能储存电荷。

而要确定电容的取值，那就得靠计算公式啦。

咱们先来说说电容的基本概念。

电容呢，简单来说就是衡量电容器储存电荷能力的一个物理量。

想象一下，电容就像一个水杯，能装多少水就看它的容量大小。

那电容取值的计算公式到底是怎么来的呢？这就得从电路的需求说起。

比如说，在一个滤波电路中，我们希望把交流成分过滤掉，让输出的电压更平稳，这时候就需要合适的电容值。

公式 C = Q / U ，这里的 C 就是电容，Q 是电容器所储存的电荷量，U 是电容器两端的电压。

这个公式就像是一把尺子，能帮我们量出电容的大小。

我记得有一次，我帮一个小朋友修他的玩具车。

那玩具车的电路有点问题，跑起来一卡一卡的。

我仔细检查后发现，原来是电容出了毛病。

当时我就根据电路的情况，用这个公式算了算，找到了合适的电容值给换上，嘿，那玩具车立马跑得欢快极了！小朋友那高兴的样子，让我也特别有成就感。

再比如，在一个音频放大电路中，为了避免音频信号的失真，也需要合适的电容来耦合信号。

这时候，就要根据信号的频率、电阻的值等等因素，通过一系列的计算来确定电容的取值。

还有在数字电路中，电容也常常用来消除噪声和稳定电压。

不同的电路，对电容的要求都不一样，所以计算电容取值就变得至关重要。

总之，电容取值的计算公式虽然看起来简单，但要真正用得好，还得结合具体的电路情况，仔细分析，认真计算。

可不能马虎，要不然电路就没法正常工作啦。

就像我们做任何事情，都得一步一个脚印，才能把事情做好。

希望通过我今天的介绍，能让您对电容取值的计算公式有更清楚的了解，在以后遇到相关问题的时候，能够轻松应对！。

耦合电容问题耦合电容问题耦合电容是指两个电路之间通过电容相互连接的情况。

在电路设计中，耦合电容是一个非常重要的问题，因为它会影响到电路的性能和稳定性。

下面我们来详细了解一下耦合电容问题。

一、耦合电容的作用耦合电容的作用是将一个电路的信号传递到另一个电路中。

在电路设计中，我们常常需要将不同的电路连接在一起，以实现特定的功能。

这时，我们就需要使用耦合电容来传递信号。

耦合电容可以将一个电路的信号传递到另一个电路中，同时又可以隔离两个电路之间的直流电压，保证电路的稳定性。

二、耦合电容的选择在选择耦合电容时，需要考虑以下几个因素：1.电容的容值电容的容值决定了信号传递的频率范围。

一般来说，容值越大，传递的频率范围就越宽。

但是，容值过大会导致信号传递的延迟增加，从而影响电路的性能。

2.电容的精度电容的精度决定了信号传递的准确性。

一般来说，精度越高，传递的信号就越准确。

但是，精度过高会导致电容的成本增加，从而影响电路的成本。

3.电容的稳定性电容的稳定性决定了电路的稳定性。

一般来说，稳定性越高，电路就越稳定。

但是，稳定性过高会导致电容的成本增加，从而影响电路的成本。

三、耦合电容的布局在电路设计中，耦合电容的布局也非常重要。

一般来说，耦合电容应该尽量靠近信号源和负载，以减小信号传递的延迟和损失。

同时，耦合电容应该尽量远离干扰源，以减小干扰的影响。

四、耦合电容的故障排除在电路运行过程中，耦合电容可能会出现故障。

常见的故障包括电容老化、电容短路等。

当出现故障时，需要及时排除故障，以保证电路的正常运行。

综上所述，耦合电容是电路设计中非常重要的一个问题。

在选择耦合电容时，需要考虑容值、精度和稳定性等因素。

同时，耦合电容的布局也非常重要，应该尽量靠近信号源和负载，远离干扰源。

当出现故障时，需要及时排除故障，以保证电路的正常运行。

耦合电容的选择笔者在制作电路时，使用耦合电容发现很多问题，下面跟大家分享我的经验，由于实际电路拍照比较困难，所以这里只能贴仿真图了，不过它跟实际差不多（在真实硬件上测过）。

电路中常常要用到耦合电容，那么耦合电容应该选多大呢？？耦合电容的选择必须电路中的输入信号电压大小、频率及负载电阻来选择，比如电压为5V 那么电容耐压就不能小于5V了，不过本文的重点是讨论容量大小的选择。

那么耦合电容的容量大小应如何选择呢？？？本质：耦合电容与下一级的输入电阻构成了RC高通滤波器，为了保成输入信号下限频率能通过这一“RC高通滤波器”，RC高通滤波器的下限频率不能高于输入信号的频率。

相当于选择适当的电容来设计一个高通滤波器，以保证输入信号通不衰减通过，所以电容C可用公式计算出来，下面会给出公式。

我们来看下面一个实验，电路图如下所示，输入信号为频率为1Hz，大小为10mv.可见此输入信号有两个特点，频率很低，幅度又很小。

按照常识，电容容量越大，信号的频率就可以越低，现在的输入信号频率为1Hz，那么耦合电容的容量越大越好吗？？？请看下面的实验。

实验结果：1.输入信号频率为1Hz，幅度10mV，负载电阻300K，耦合电容先0.4uF测得输入输出波形如下图所示，黄色为输入，绿色为输出。

可见输入信号经过耦合电容后，幅度被严重衰减，由此可知耦合电容选择过小。

耦合电容选择0.1uF-0.5uF期间，输入信号衰减比较严重。

结论：如果电路要求信号耦合之后不能衰减，那么耦合电容就不能小于0.5uF2.输入信号频率为1Hz，幅度10mV，负载电阻300K，耦合电容大于等于0.5uF输出波形如下图所示，可见只要电容大于0.5uF，信号耦合之后就不会有幅度衰减。

那么是不是选择越大越好呢？？？请看实验33.输入信号频率为1Hz，幅度10mV，负载电阻300K，耦合电容为100uF幅度不出现衰减，但电路反应变得非常缓慢，输入信号后等待10多秒才有输出信号。

耦合电容的选取耦合与隔直电容串联在电路中，耦合电容选择适当能将保证射频能量得到最大限度的传输。

一个实际电容能否满足电路耦合要求，取决于随频率变化的电容相关参数：串联谐振频率FSR 、并联谐振频率FPR 、纯阻抗、等效串联电阻ESR 、插入损耗IL 和品质因数Q 。

上图50Ω线路中的两个射频放大器由耦合电容Co 连接，Rs 为ESR ，Ls 为ESL ，Cp 为寄生并联电容，与并联谐振频率FPR 有关。

阻抗幅值：2C L 2)X -(X ESR Z +=，很大一部分取决于其纯电抗)X -(X L C ，设计者需要知道电容在整个频带上的阻抗幅值。

串联谐振频率：LsCo21FSR π=，即自谐振频率，与本征容值Co 有关；此频率时，耦合电容阻抗的实部为ESR ，虚部为零。

ATC 耦合电容有关参数如下：其中，瓷介质电容ATC100A101（100pF ）的FSR=1GHz ，ESR=0.072Ω，其Z-F 曲线如下图所示：频率低于FSR 时，电容纯阻抗表现为容性，阻抗幅值为C1ω，为双曲线； 频率高于FSR 时，电容纯阻抗表现为感性，阻抗幅值为L ω，为直线；测量电容的S21可发现：在FSR 时，电容提供最低阻抗通道；在FPR 时，电容阻抗猛然升高，引起极大损耗。

在耦合线路中，工作频率比FSR 稍高。

只要此时电容的纯阻抗（感性）不高，就不影响电路性能。

并联谐振频率FPR ，决定电容的带内插损。

在电容的FPR 处有明显衰减槽口，若FPR 落在工作频带内，则要考察衰减槽口深度，线路能否承受该损耗。

通常十分之几dB 的插损是可接受的。

ATC100A101（100pF 片式电容，水平安装，电容极板平行于线路板）插损与频率关系如下图：由上图可知，在200MHz~1.5GHz 之间，电容插损＜0.1dB ；若将电容垂直安装，即电容极板垂直于线路板，就能压制1.6GHz 处的并联谐振窗口，电容的可用范围扩展到2.4GHz 左右。

SATA耦合电容浅析
以前看到很多SATA参考设计上都会用到AC耦合电容，且电容值基本都是0.01uf，且为0402封装，下面就简单说一下这个电容的特点：
（1）SATA协议中，只有工作在Gen1i的host/device为直流耦合，无需加AC耦合电容，host和device可以直接连接，从而保持双方的DC共模电压，以确保操作性。

而对于交流耦合的器件来说，就必须增加AC耦合电容。

例如Gen1m, Gen1u, Gen2i, Gen2m,Gen2u, Gen3i, and Gen3u的器件都为交流耦合。

下图是规范中的一些说明，且列举了DC、AC耦合的几种方式：
（2）SATA规范中提到AC耦合电容最大值为12nf，而我们经常用到的电容为10nf，且考虑到PCB板上的存在一些寄生电容，所以就选取了0.01uf。

（其实低于12nf都可以）
（3）电容尽量选择封装较小的器件，至少不大于0402。

因为封装较大的电容，其PAD相对于参考GND之间的容性就越大，从而导致SATA信号上的回波损耗无法满足规范要求。

（4）SATA的收发AC耦合电容都放置在连接器端。

主要是为了避免板上的反射传递给device，另外一个用途是就为了过压保护，远离IC被打坏。

这里仅讨论电容及电感值的选取。

种类的选取,则需要更多的工程实践,更多的RF 电路的经验,这里不再讨论。

从理论上讲,隔直电容、旁路电容的容量应满足0/1→C ω。

显然,在任何角频率ω下,∞→C 大,这在工程上是作不到的。

电容量究竟取多大是合理的呢？图1-5(a),(b)给出了隔直电容(多数情况下,这个电容又称为耦合电客)和旁路电容的使用简化i R 射频单元C iR 射频单元C (a)(b)射频单元∙∙∙i RFC (c)iv L CC V +∙RFC C C ∙∙(d)L R S R 12图1-5 耦合电容、旁路电容及RFC 电感值的选取 图。

电容C 值的选取与RF 电路的工作频率及使用场合有关。

图1-5(a)中,输入电压i v 在电容C 及i R 上分压,电容C 上分得的电压必须远小于i R 上分得的电压,这样,耦合电容对交流性能的影响才可以头忽略不计(仅起隔离直流的作用)。

由此,必须满足：i R C 1011<ω (1-2) 式(1-2)给出的仅是一个范围,真正的取值还是要依靠工程经验。

下面给出一个例子：工作频率为 100MHz,Ω=K R i 1,C 的取值为这多大？设PF C 1000=,10159.128.6/10101000101002/(1/1126Ω<<≈≈⨯⨯⨯⋅=-K C πω, 显然,1000PF 的取值是满足要求的。

但是,如频率降为1MHz,1/ωC =159Ω,式(1-2)的条件不满足,或者频率不变,R i 减小为10Ω,式(1-2)的条件也不满足。

上述分析充分说明,频率和与之相关的输入电阻(阻抗)i R 是选取电容值的关键指标,缺一不可。

电容值的取值是大于某临界值即可,并没有限定上限。

例如上例中,取值为10000PF 、0.1μF 、1μF 、10μF 等等是否都可以,因为这些值更满足要求,是否C 的取值愈大愈好呢？答案是否定的。

C 值在较小电容的一定的取值范围内是可以的,不是愈大愈好。

高速信号耦合电容数值计算《高速信号耦合电容数值计算：一场有趣的探索》嘿，你知道吗？高速信号耦合电容数值计算这事儿可太有趣了，就像一场神秘的数字游戏。

我记得有一次啊，我在捣鼓一个小电子设备。

那是个自制的小玩意儿，用来检测一些微弱的信号啥的。

我把那些电路板、小零件啥的都摆在桌子上，看起来就像一个乱糟糟的小战场。

我就瞅着那些线路，心里想，这高速信号要好好处理才行啊，耦合电容数值肯定很关键。

当时我就开始研究这个耦合电容数值计算了。

我拿着笔和本子，像个小学生做数学题一样。

首先得搞清楚那些公式的含义。

那些公式啊，乍一看就像一堆乱码，什么C = Q / V啦，但是这个C在高速信号耦合电容计算里可就复杂得多喽。

我就一边看着那些线路图，一边试着把实际的数值往公式里套。

我得先确定信号的频率，这就费了我好大的劲儿。

我拿着个小仪器在那测啊测的，那个仪器还时不时地出点小毛病，滴滴滴地响，感觉像是在跟我抗议似的。

好不容易测出来频率了，我还得考虑信号的电压、电流这些因素呢。

这就像是在给一个复杂的机器找合适的零件，差一点都不行。

然后就是计算电容的容值了。

我在本子上写了又擦，擦了又写，那一页纸被我弄得脏兮兮的。

我还得考虑那些寄生参数，哎呀，这寄生参数就像隐藏在角落里的小怪兽，你要是不把它找出来，这计算就会出大问题。

我得仔细查看线路板上的布局，看看哪些地方可能会产生寄生电容、寄生电感啥的。

我拿着放大镜，像个侦探一样，在那些小小的线路和元件之间找线索。

比如说有个小电容旁边的线路走得有点奇怪，弯弯曲曲的。

我就想啊，这会不会对耦合电容数值有影响呢？我就开始各种查资料，翻书、上网找论坛啥的。

那些论坛里的人说话也是五花八门的，有的说这样没事，有的说这可不行。

我都快被搞晕了。

但是我还是咬着牙继续研究。

我又重新审视我的计算过程，发现我之前在计算信号上升沿时间的时候算错了一点。

这就像你在搭积木，有一块积木放错了位置，整个建筑都不稳当了。

我赶紧修改数值，重新计算。

胆机耦合电容计算---------------胆机耦合电容计算------------其实公式也很简单，C≥318/f·R，f为最低频率，-1dB，R为次级栅极电阻，单位为K 欧姆，如果f设为10Hz，则该公式进一步简化为C≥31.8/R。

次级栅极电阻 100K，C≥0.32微法实际取0.33~0.47微法240K，C≥0.14微法实际取0.16~0.22微法470K，C≥0.068微法实际取0.068~0.1微法1.0M，C≥0.032微法实际取0.033~0.047微法大家都知道，频率=1/周期，而周期=2*3.14*R*C，因此：C=1/2*3.14*频率*R，其中C为耦合电容容量，R为下一级的输入阻抗；理论上人耳可听的频率下限为20Hz，而OP的输入阻抗可视为无穷大，因此：R=放大器输入端接地的电阻值，可以计算出来：C=7962/R,一般以C=8000/R计算（其中R以欧姆计、C以uF计），假设接地电阻R为20K，那么C=0.4uF即可；为了追求下一级输入特性在低频端的平直性，一般而言，只要体积和成本允许DIYer会取C 为两倍以上的值，这就是为什么我们会在OP和石机中看到C可以从1uF到数十uF的比较多，而胆机的输入电容则小很多（特别是在输入阻抗比较大的时候，往往只用0.x微法的电容），实际上它们都满足了20Hz的重放。

同样地，在计算放大器输出电容容量时也是这个公式，如果接喇叭，一般以4欧姆来计算，C>=2000uF；如果接30欧姆的耳机，C>=250uF，那么330uF是一个比较接近实际的取值。

[em09]耐压要看实际工作中，电容两端承受的实际直流电压是多少，如果真的要计算，还要看通过电容的交流信号的数值是多少。

那样比较麻烦，一般留实际承受直流电压的2倍的余量就够用了。

容量有这样一个公式（计算过程一律使用国际单位）：F=1/(2*π*R*C)其中，F是最低截止频率，R是电容后面的负载（对于输入电容就是放大器的输入电阻，对于输出电容就是放大器的负载电阻），C就是耦合电容的数值。

50khz耦合电容
50kHz耦合电容是指在电路中用于传输50kHz频率信号的耦合
电容。

耦合电容是一种被用来传递交流信号而阻隔直流信号的电容器。

在电子电路中，耦合电容常常用于连接不同级别的放大器或其
他电路部件，以传递信号而阻隔直流偏置。

从电路角度来看，50kHz耦合电容的选择取决于多个因素，包
括所需的频率响应、电压容忍度、尺寸和成本等。

通常情况下，需
要根据电路的要求选择合适的耦合电容。

此外，还需要考虑耦合电
容的稳定性、温度特性以及对于谐波和噪声的抑制能力。

另外，从应用角度来看，50kHz耦合电容通常用于音频放大器、射频放大器、滤波器等电路中。

在这些应用中，耦合电容能够帮助
传输特定频率的信号，同时隔离直流分量，确保电路正常工作。

总的来说，50kHz耦合电容在电子电路中扮演着重要的角色，
通过传递特定频率的信号并阻隔直流分量，从而实现了信号的传输
和处理。

在实际应用中，选择合适的耦合电容对于电路的性能和稳
定性至关重要。

耐压要看实‎际工作中，‎电容两端承‎受的实际直‎流电压是多‎少，如果真‎的要计算，‎还要看通过‎电容的交流‎信号的数值‎是多少。

那‎样比较麻烦‎，一般留实‎际承受直流‎电压的2倍‎的余量就够‎用了。

‎容量有这样‎一个公式（‎计算过程一‎律使用国际‎单位）：‎F=1/‎(2*π*‎R*C)‎其中，F‎是最低截止‎频率，R是‎电容后面的‎负载（对于‎输入电容就‎是放大器的‎输入电阻，‎对于输出电‎容就是放大‎器的负载电‎阻），C就‎是耦合电容‎的数值。

‎关于‎电路的耦合‎问题，通常‎应该选取多‎大的电容呢‎，我在网上‎查到有这样‎一种计算公‎式：F‎=1/(2‎*π*R*‎C)其中‎，F是最低‎截止频率，‎R是电容后‎面的负载（‎对于输入电‎容就是放大‎器的输入电‎阻，对于输‎出电容就是‎放大器的负‎载电阻），‎C就是耦合‎电容的数值‎。

但是用‎这个计算出‎来和实际电‎路图上的电‎容值又相差‎很大，而且‎串一电容、‎并一电阻的‎组成的应该‎是一个高通‎滤波器，所‎以我还有一‎点搞不明白‎的时这个公‎式里面的频‎率应该是高‎通截止频率‎还是低通截‎止频率。

所‎以请大虾指‎教一下，这‎个估算方式‎到底对不对‎呢，具体应‎该怎么考虑‎呢，谢谢大‎家了‎低频情况‎下，选取电‎容的方法就‎跟楼主所述‎的差不多，‎原则上是越‎大越好，当‎然，计算时‎一般选择下‎限频率、补‎偿低频频响‎，音响电路‎里面很多时‎候就是这么‎干的。

如果‎还要照顾高‎频，那就采‎用两个一大‎一小电容并‎联的办法试‎试看。

一般‎估算时候采‎用的低端截‎止频率要比‎你需要的最‎低频率低5‎－10倍，‎高频则要选‎高5－10‎倍。

还要注‎意电容的材‎料和工艺，‎音频频段常‎用电解、聚‎丙烯和涤纶‎电容，几百‎K用独石（‎低频瓷介）‎的足够了，‎上兆的就用‎高频瓷介，‎30兆以上‎的最好不用‎涤纶、低频‎瓷介和有长‎引线的铝电‎解，它们很‎有可能已经‎变成电感了‎。

耦合和退耦及去耦电容介绍耦合和退耦及去耦电容介绍耦合指信号由第一级向第二级传递的过程，一般不加注明时往往是指交流耦合。

退耦是指对电源采取进一步的滤波措施，去除两级间信号通过电源互相干扰的影响。

耦合常数是指耦合电容值与第二级输入阻抗值乘积对应的时间常数。

退耦有三个目的：1.将电源中的高频纹波去除，将多级放大器的高频信号通过电源相互串扰的通路切断；2.大信号工作时，电路对电源需求加大，引起电源波动，通过退耦降低大信号时电源波动对输入级/高电压增益级的影响；3.形成悬浮地或是悬浮电源，在复杂的系统中完成各部分地线或是电源的协调匹配。

1，耦合，有联系的意思。

2，耦合元件，尤其是指使输入输出产生联系的元件。

3，去耦合元件，指消除信号联系的元件。

4，去耦合电容简称去耦电容。

5，例如，晶体管放大器发射极有一个自给偏压电阻，它同时又使信号产生压降反馈到输入端形成了输入输出信号耦合，这个电阻就是产生了耦合的元件，如果在这个电阻两端并联一个电容，由于适当容量的电容器对交流信号较小的阻抗（这需要计算）这样就减小了电阻产生的耦合效应，故称此电容为去耦电容。

有源器件在开关时产生的高频开关噪声将沿着电源线传播。

去耦电容的主要功能就是提供一个局部的直流电源给有源器件，以减少开关噪声在板上的传播和将噪声引导到地。

-----------------------所谓退耦，既防止前后电路网络电流大小变化时，在供电电路中所形成的电流冲动对网络的正常工作产生影响。

换言之，退耦电路能够有效的消除电路网络之间的寄生耦合。

退耦滤波电容的取值通常为47~200μF，退耦压差越大时，电容的取值应越大。

所谓退耦压差指前后电路网络工作电压之差。

如下图为典型的RC退耦电路，R起到降压作用：大家看到图中，在一个大容量的电解电容C1旁边又并联了一个容量很小的无极性电容C2原因很简单，因为在高频情况下工作的电解电容与小容量电容相比，无论在介质损耗还是寄生电感等方面都有显著的差别（由于电解电容的接触电阻和等效电感的影响，当工作频高于谐振频率时，电解电容相当于一个电感线圈，不再起电容作用）。

1、藕合电容如何布置？有什么原则？是不是每个电源引脚布置一片0.1μF？有时候看到0.1μF 和10μF 联合起来使用，为什么？藕合电容应尽可能靠近电源引脚。

耦合电容在电源和地之间的有两个作用：一方面是蓄能电容，避免由于电流的突变而使电压下降，相当于滤纹波，故又称为去藕。

另一方面旁路掉该器件的高频噪声，故又称为旁路。

数字电路中典型的去耦电容值是0.1μF。

0.1μF 的去耦电容有5μH 的分布电感，它的并行共振频率大约在7MHz 左右，也就是说，对于10MHz 以下的噪声有较好的去耦效果，对40MHz 以上的噪声几乎不起作用。

0.1μF、10μF 的电容并联使用，共振频率在20MHz 以上，去除高频噪声的效果要好一些，较好的兼顾了去藕和旁路。

经验上，每10 片左右IC 要加一片 1 个耦合电容，可选1μF 左右。

最好不用铝电解电容，电解电容是两层薄膜卷起来的，这种卷起来的结构在高频时表现为电感。

要使用钽电容或聚碳酸酯电容。

去耦电容的选用，可按C="1"/F，10MHz 取0.1μF，100MHz 取0.01μF。

2、电阻电容的封装形式如何选择，有没有什么原则？比如，同样是104 的电容有0603、0805 的封装，同样是10uF 电容有3216、0805、3528 等封装形式，选择哪种封装形式比较合适呢？电阻电容的封装与元件的规格有关，简而言之，对于电阻，封装与阻值（容值）和功率有关，功率越大，封装尺寸越大；对于电容，封装与容值和耐压有关，容值和耐压越高，封装尺寸越大。

经验之谈，0603 封装的电容，容值最大为225（2.2μF），10μF 的电容，应该没有0805 的封装，而3216，3528 的封装与耐压和材料有关，建议你根据具体元件参考相应的Datasheet。

3、有时候两个芯片的引脚(如芯片A 的引脚1,芯片B 的引脚2)可以直接相连，有时候引脚之间(如A-1 和B-2)之间却要加上一片电阻，如22欧，请问这是为什么？这个电阻有什么作用？电阻阻值如何选择？在芯片的引脚连线之间串入电阻，多见于信号传输上，电阻的作用是防止串扰，提高传输成功率，有时也用来作为防止浪涌电流。

数据传输中耦合电容的选择与应用某次对于SATA数据传输耦合电容大小感兴趣,于是查找了一些文献对此进行学习总结,AC 耦合电容在很多高速数字信号传输方面都有使用,网卡、SATA以及codec甚至在我们并不特别熟悉的视频传输等等这些地方应用比较多,其选择过大或者过小都会影响数据传输,出现丢包或者传输,或者数据出错的情况，在这个时候我们需要综合考虑设计理念、成本因素以及品质因素来综合考虑耦合电容的选择，前提是我们对于各种不同类型电容参数上的区别有一定了解.1.AC耦合电容的参数选择为了方便进行分析，我们可以将数据传输中耦合电容以及负载电阻（或者终端电阻）回路归一化等效为ＲＣ一阶高通电路如下：Figure 1： RC耦合电路我们可以发现，在这样的信道模型中，一段时间内，如果驱动器驱动到线路上为同一码型，则在这段时间内，高速互连通道的特性与ＲＣ高通特性的完全一致，图1的C相当于图2中的AC耦合电容，R相当于接收器的100ohm终端匹配电阻。

同一码型持续的时间段中，接收器上接收到的电压呈指数级别降低，时间越长，电压降低越多。

假设驱动器发送连“1”码比特流到线路上，随着时间的延续，接收器接收到的电压会逐渐降低，即图1中的LF Droop（low frequency 低频衰减，因为RC电路具有高通滤波特性，所以电路的低频分量衰减较大），时间越长，LF Droop越大，一旦码型发生变化后，比如图2中改变为“0”码，接收器上的电压会迅速降低并反相，因为LF Droop的影响，电压降低的起点会比理想位置低，导致从“1”码到“0”码的变化边沿时刻会比理想位置有所提前，这个与理想位置的偏移量就是由AC耦合所带来的PDJ(Pattern-dependent jitter)。

显然，高通滤波RC电路的3dB转折频率点越低，即RC常数越大，低频分量通过得越多，LF Droop越小，PDJ就越小，因为R的值固定，所以C越大，PDJ越小，选择较大的C对抑制PDJ有利。

共模耦合电容计算
低频情况下，选取电容的方法就跟楼主所述的差不多，原则上是越大越好，当然，计算时一般选择下限频率、补偿低频频响，音响电路里面很多时候就是这么干的。

如果还要照顾高频，那就采用两个一大一小电容并联的办法试试看。

一般估算时候采用的低端截止:频率要比你需要的最低频率低5-10倍，高频则要选高5-10倍。

还要注意电容的材料和工艺，音频频段常用电解、聚丙烯和涤纶电容，儿百K用独石(低频瓷介)的足够了，上:兆的就用高频瓷介，30兆以上的最好不用涤纶、低频瓷介和有长引线的铝电解，它们很有可能已经变成电感了。

射频的情况下就复杂一些，最好用半波长谐振腔法，通过做一个陷波器、观察陷波深度来测试电容的等效射频串联电阻ESR，越小越好。

本人试过用微带腔体来做，但是Q值低，测得.的数值偏大，一般S波段上，只能测到陷波-30dB的水平、也就是只能测得略小于1欧姆的等效串联电阻。

倘若改用同轴腔体来做、Q值高，有可能将动态范围提高到50- 60dB，那就可以测得亳欧姆数量级、够准确了。

不过，这种方法来挑选旁路电容确实是个麻烦事，有现成的微波电容就直接用吧。

一点体会:通过亲身的实验，发现同样大小的0805贴片电容，S 波段上，100-300pF标称值的电阻最小，ESR约0.9 欧姆(其实都偏大了);而1000pF和0.1uF (贴片封装为1206)的都比100-300p的差，
0. 1uF的ESR甚至达到14欧姆。

容量大、体色较深的贴片电容，似乎损耗更大一些，ESR 都较浅色的、低容。