第11章电子技术..

第11章电子政务一、填空题1.传统政务和电子技术借助电子信息技术对传统政务进行革命性2.内部办公自动化、内部文件生成与传递以及档案管理等3.提高系统整体性能，改善系统效率4. G2G5.对象的“总体成熟度”二、名词解释1.电子政务是指政府机构应用现代信息和通信技术，将管理和服务通过网络技术进行集成，在互联网上实现政府组织结构和工作流程的优化重组，超越时间、空间与部门分隔的限制，全方位地向社会提供优质、规范、透明、符合国际水准的管理和服务。

2.电子政务基础平台是指为政府的电子政务应用提供运行环境、管理工具及与内部系统的链接，包括链接传输管理、事务管理、网站管理、负荷管理、数据管理和安全管理。

3. G2B是指政府通过网络系统来管理经济，并为企业提供快捷方便的服务4. G2C 是政府通过互联网为公众提供各种服务以及政府部门通过电子政务平台与公众进行信息交换的新的政府工作模式之一。

它同G2B的共同点在于它们都是政府对外服务的一项内容。

三、简答题1.简单对电子政务进行分类：①政府部门内部的电子化和网络化办公。

②政府部门之间通过计算机网络进行的信息共享和实时通信。

③政府部门通过网络与民众之间进行的双向信息交流。

2.简述电子政务活动的主要内容：①可以实现远程与分布式信息采集汇总、信息安全管理、信息资源管理，包括电子资料库管理、档案管理、信息系统管理、决策支持系统管理等。

②实现政府业务、服务与办公自动化、电子化、数字化、网络化和虚拟化，包括电子邮递、电子公文、政府决策分析支持、报表汇总统计分析等。

③外部公共网站服务，包括：①电子商务、电子采购、网上招标、电子福利支付、电子税务等；网站规划、设计、维护、网上发布、检索、反馈等；用户授权、计费、新系统与已有系统接口等。

3.简述建设电子政务应遵循的原则：①实用性原则。

系统必须保证实用，切实符合政府部门管理及办公自动化等各项业务和职能要求。

②可靠性原则。

在网络设计时，关键部位必须有高可靠性设备，对于重要的网络节点采用先进的高可靠技术。

电工与电子技术基础彭曙蓉课后答案第十一章电工与电子技术基础彭曙蓉课后答案第十一章电路的暂态过程和换流器，我们都知道电路可以分为交流电路和直流电路两大类。

而且我们也已经知道了在闭合电路里电源会提供一个恒定的电动势，这个就叫做电压。

首先我们来看一下什么是交流信号?因为我们通常说到的“交流”指的是频率高于100Hz 的交变量(例如直流)，或者频率低于0.5Hz的正弦波;那么怎样区别是不是“交流信号”呢?有一个很简单的方法，就是把它转化成我们所熟悉的语言进行表述:一个字母代表一个交流信号，如果用 V 表示交流信号，则一般情况下表达式如下:若对于正弦交流信号，用相同的符号和表达形式即可表达：对于非正弦周期性信号，一般用幅值和相位的概念来描述:对于具体的频率分布我们可以借助傅立叶级数来得到它的频谱图，从而找出其规律性，而在直流信号里无论采取何种处理手段最终都只能得到一条完整的电压-时间曲线。

由此可见，所谓“交流”并没有固定的物理意义。

在本节课中，学习的内容主要包括两部分：一、时间的度量;二、电压、电流的频率和波形。

我们将结合实际情景讲解上面的概念和知识点。

接下来请大家看一下关于时间的概念以及与之相应的两个名词：一、瞬时二、时刻我想大家肯定还记得，平常人们生活中常用“现在”、“刚才”、“前几天”等作为谈话开始或截止的时间概念吧!那我们再来看一下电力系统中的电网频率：按照国标规定：在电网中每千伏工频交流电的频率为50Hz，额定电压在380V，我们把它称为工频电压，而电网的频率必须保持为50Hz;当超过500 Hz，或者更高时，被称为高频电压，高频电压仅存在于电厂发电机组或变压器的空载状态，但是其发热量却比较大。

而且我们所讨论的交流电压频率并不总是50hz，但有时候还需要考虑瞬时值，譬如当导体产生交流磁场时的电压分布、脉冲宽度调制的高频交流电等等。

那么问题又出现了：如果电压不足，会给我们造成哪些危害?接着我们继续往下学习，如果不足的话，电压不足将使负载损耗增加，发热量升高，进而影响系统的稳定运行;另外还会降低输送功率，甚至停电事故发生。

⑤ 存在干扰，也是起动失败的原因之一，为了增加系统的干扰力，脉冲形成电路接入电容C3、C4，在实际应用中，若干扰太大，可将这两个电容值适当的增加，并考虑自动调频信号线采用屏蔽线。

起动时发生过电压保护动作，有时压敏电阻和阻容电路有火花产生，进行逆变保护时发生过电压保护动作，这种现象说明了电路发生了严重的过电压，逆变电路的电压无法释放，经滤波电抗进入整流电路，使压敏电阻上的电压很大，起动时整流电压很低。

若感应电炉接在电路上，系统是不会发生这种现象的。

若感应电炉短路，负载电路只存在电容。

起动电容向负载投入电能后，电路不发生振荡，若逆变晶闸管在被触发，滤波电感中的能量再向电容充电，势必产生高电压，引起过电压保护动作，并造成整流电路硒片的过电压击穿。

另外，逆变主电路发生短路时，也可能出现阻容放电的现象。

课题四 有源逆变电路一、单相有源逆变电路1．有源逆变的工作原理整流与有源逆变的根本区别就表现在两者能量传送方向的不同。

一个相控整流电路，只要满足一定条件，也可工作于有源逆变状态。

这种装置称为变流装置或变流器。

（1）两电源间的能量传递如图4－49所示，我们来分析一下两个电源间的功率传递问题。

(a) 电源逆串 (b) 电源逆串 (c) 电源顺串图4-49 两个直流电源间的功率传递图4－49（a ）为两个电源同极性连接，称为电源逆串。

当E 1＞E 2时，电流I 从E 1正极流出，流入E 2正极，为顺时针方向，其大小为R E E I 21-=在这种连接情况下，电源E 1输出功率P 1＝E 1I ，电源E 2则吸收功率P 2＝E 2I ，电阻R 上消耗的功率为P R ＝P 1－P 2＝R I 2，P R 为两电源功率之差。

图4－49（b ）也是两电源同极性相连，，但两电源的极性与(a)图正好相反。

当E 2＞E 1时，电流仍为顺时针方向，但是从E 2正极流出，流入E 1正极，其大小为R E E I 12-=在这种连接情况下，电源E 2输出功率，而E 1吸收功率，电阻R 仍然消耗两电源功率之差，即这R R ＝P 2－P 1。

第十一章 模/数转换器与数/模转换器1．在图11.1.3所示的权电阻D/A 转换器中R 0 = 23R = 80K ， R f = 5K , 则R 1 = 22R ， R 2 =21R ，R 3 =20R ，各应选择多大数？若REF V =5V ，输入的二进制数码D 3D 2D 1D 0 =1111；求输出电压v 0= ?解：由于R 0 = 23R = 80K Ω， 所以R = R 0/23 = 10K Ω故 R 1 = 22R = 40K Ω R 2 = 21R = 20K ΩR 3 = 20R = 10K Ω v 0 =-R 2R 3fREF V Σ3i=0D i 2i=ΩK 10×25×ΩK 53×15 = -4.69V2. 在图11.1.4T 形电阻网络D/A 转换器中REF V = 5V ，R f = 30K Ω, R = 10K Ω,求对应输入4位二进制数码为0101，0110，及1101的输出电压v 0解：T 形电阻网络D/A 转换器中v 0=-4REF 2V ·R 3R fΣ3i=0 D i 2i (n=4)，由于R f =3R∴V 0 =-4REF2V Σ3i=0D i 2i 。

所以当D 3D 2D 1D 0=0101时V 0=-⨯1655=-1.56V当D 3D 2D 1D 0=0110时V 0=-⨯1656=-1.88V当D 3D 2D 1D 0=1101时V 0=-⨯16513=-4.06V3. 在T 形电阻网络D/A 转换器中，若n=10当D 9=D 7=1，其余位均为0，在输出端测得电压v 0=3.125V ，向该D/A 转换器的基准电压？设电路中R f =3R.解：在T 形电阻网络D/A 转换器中v 0=-R 3R f ·n REF 2V Σn-1i=0D i 2i 当n=10时v 0=-R 3R f ·10REF 2V Σ9i=0D i 2i当D=D 9D 8D 7D 6D 5D 4D 3D 2D 1D 0=10100000000时，（1010000000）2 =（640）10REF V =10792)22(125.3+⨯=-1.95V4.已知某D/A 转换电路，最小分辨电压LSB V =5Mv ，最大满刻度输出电压m V =10V,试求该电路输入数字量的位数n 应是多少？ 解： m LSB V v =121-n n 2=LSB m v v +1=2001n = 11位5. 试比较直接式A/D 转换器和间接式A/D 转换器的优缺点。

111 常用半导体元件【课题】11.1 二极管【教学目标】知道PN 结的单向导电性。

描述二极管的电压、电流关系。

解释主要参数。

【教学重点】1．二极管的电压、电流关系。

2．二极管的主要参数。

【教学难点】二极管的电压、电流关系。

【教学过程】 【一、复习】线性电阻和非线性电阻的电压、电流特性。

【二、引入新课】半导体是导电能力介于导体和绝缘体之间的一种物体。

但半导体之所以得到广泛应用，是因为它的导电能力会随温度、光照及所掺杂质不同而显著变化。

特别是掺杂可以改变半导体的导电能力和导电类型，这是今天能用半导体材料制造各种器件及集成电路的基本依据。

二极管就是由半导体制成的。

半导体按所用半导体材料可分为硅二极管和锗二极管；按内部结构可分为点接触型和面接触型二极管；按用途分类可分为普通二极管、稳压二极管、发光二极管、变容二极管等，通常所说的二极管是指普通二极管。

【三、讲授新课】11.1.1 二极管的外形、结构与符号二极管的外形、内部结构示意图和符号如图11.1所示。

（a ）外形 （b ）内部 （c ）符号图11.1 二极管二极管的阳极引脚由P 型半导体一侧引出，对应二极管符号中三角形底边一端。

二极管的阴极引脚由N 型半导体一侧引出，对应二极管符号中短竖线一端。

强调指出：符号形象地表示了二极管电流流动的方向，即电流只能从阳极流向阴极，而不允许反2方向流动。

11.1.2 二极管的电流、电压关系1．正向偏置与导通状态二极管正向电流、电压关系实验电路如图11.2（a ）所示，二极管阳极接高电位，阴极接低电位，二极管正向偏置。

此时调节串联在电路中的电阻大小，二极管表现出不同电压下具有不同的电阻值，记录每个电压下对应的电流值，从而描绘成曲线，即得到图11.2（b ）所示的二极管正向电流、电压关系特性。

（1）二极管VD 两端正向电压小于0.5 V 时，电路中几乎没有电流，对应的电压称为二极管的死区电压或阈值电压（通常硅管约为0.5 V ，锗管约为0.2 V ）。