elm854-series

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RL to VDD
Vdd - Maximum Vout (mV)
Minimum Vout (mV)
100
RL=10k
100
RL=10k
10
RL=100k
10
RL=100k
1
1
-20 -10 0
10 20 30 40 50 60 70
T op(°C)
-20 -10 0
10 20 30 40 50 60 70
140
Top=25
Crosstalk Rejection(dB)
, CL=20pF to VSS A v =+1, Vin=1Vp-p
120
SR(mV/ s)
100
Falling Edge
80
60
Rising Edge
40
20
1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5 6
Vdd (V)
���
図2
���
����

��������

��������

����


��
��
4) 未使用放大器 两个放大器当中,即使只使用其中的一个也会同时消耗两个放大器的电能。所以为了尽量减少未使 用放大器的功耗,建议把未使用的放大器连接成电压跟随器 , 并将电压输入端(IN+ )连接至 Vdd。
9-4
如需确认语言的准确性,请参考 ELM 的英文版或日文版。
Top=25
10
10
Isource(mA)
Isink(mA)
1
1
0.1
0.1
0.01
0.01
0.001
0.01
Vout (V)
0.1
1
10
0.001
0.01
Vout (V)
0.1
1
10
Maximum Vout - T op
1000
RL to VSS
1000
Minimum V out - T op
0.55
9-2
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ELM854xx CMOS 低功耗双路运算放大器
■电特性 (Vdd=3.0V)
项目 输入漂移电压 输入偏置电流 共模输入电压范围 最大输出电压 大信号电压增益 共模抑制比 电源纹波抑制比 消耗电流 增益带宽积 电压转换速率 记号 Vio Iib Vcmr 条件 Vin+=Vdd/2, 单位增益缓冲器 Vss=0V, Top=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 ±6 mV 1.0 nA 0.00 2.90 V 2.90 90 70 90 300 0.8 0.65 450 V dB dB dB μA MHz V/μs
■用途
· 电池供电设备 · 低功率信号处理 · 低电压模拟电路
■绝对最大额定值
项目 电源电压 输入电压 差动输入电压 输出电压 输出短路电路 容许功耗 工作温度 保存温度 记号 Vdd Vin Vid Vout Pd Top Tstg 规格范围 10 Vss-0.3~Vdd+0.3 Vdd-Vss Vss-0.3~Vdd+0.3 连续 300 -20~+70 -55~+125 单位 V V V V Sec. mW ℃ ℃
T op(°C)
Avd - Frequency
100
Top=25
to VSS
Gain & Phase - Frequency
60
90
RL=10k
50
A v=-100, RL=10k
Top=25 to VSS
180
150
80
40
120
Phase
70
Avd(dB)
Gain(dB)
60
30
90
50
20
60
10
100
1000
-20 -10 0
10 20 30 40 50 60 70
T op(°C)
SR - T op
1.4
RL=100k
, CL=20pF to VSS A v=+1, Vin=1Vp-p
1.2
SR(mV/ s)
1
Rising Edge
0.8
Falling Edge
0.6
0.4
-20 -10
����
� ����� ����
■电特性 (Vdd=1.5V)
项目 输入漂移电压 输入偏置电流 共模输入电压范围 最大输出电压 大信号电压增益 共模抑制比 电源纹波抑制比 消耗电流 增益带宽积 电压转换速率 记号 Vio Iib Vcmr 条件 Vin+=Vdd/2, 单位增益缓冲器 Vss=0V, Top=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 ±6 mV 1.0 nA 0.00 1.20 V 1.40 85 65 85 270 1.0 0.85 400 V dB dB dB μA MHz V/μs
5
0
-6 -5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4 5 6
Vos (mV)
-20 -10 0
10 20 30 40 50 60 70
T op(°C)
SR - Vdd
1.4 1.3 1.2 1.1 1 0.9 0.8 0.7 0.6 0.5 0.4 0.3
RL=100k
Top=25
Crosstalk Rejection - Frequency
■注意事项
1) 共模输入电压范围 ELM854xx 的共模输入电压范围是由 CMRR45≧dB 以上的条件来决定的 , 当不考虑 CMRR 的劣化 时 , 输入也可以超过规格范围工作。即使输入电压超过正或负的电源电压 , 也不会造成输出的反转等 事故现象。 作为绝对最大额定 , 输入电压的范围可以是(Vss-0.3)~(Vdd+0.3)之间。 2) 单电源工作 ELM854xx 可以在双电源下工作,但该 IC 是为适合单电源工作而设计的。由于这个原因 , 本产品可 以和逻辑电路共用一个电源。但在使用时为了避免相互间电源噪声的影响 , 应各自单独配置电源线 , 并使用去耦电容(旁路电容) 。电容器可以改善 10kHz ~ 100kHz 之间和这以上的频率里的电源纹波 抑制比。 3) 反馈 运算放大器在和反馈电阻一起使用时 , 象单位增益缓冲器这样的反馈量多的电路里面可能会产生振 荡现象。 a)当使用高值反馈电阻时 , 由于运算放大器输入部分的寄生容量的关系 , 会减少相位裕量。在这种 场合下需要如图 1 那样将反馈电阻和电容器并联使用 ; b)如果在容量负荷的情况下 , 像图 2 那样串联一个电阻(R=300Ω ~ 500Ω)可有效防止振荡现象 ; c) 将 ELM854xx 作为单位增益缓冲器来使用的情况下 , 从设计上已考虑到即使直接驱动 100pF 的容 量负荷也不会产生振荡的现象。 図1
ELM854xx CMOS 低功耗双路运算放大器
■概要
ELM854xx 是共模输入电压范围广和推挽输出、 消耗电力低的 CMOS 双路运算放大器。该 IC 只要有 1.2V 的单电源就可以工作 , 适合于需要低消耗电力和单电源的携带型机器等使用。
■特点
· 单电源工作 · 工作电压低 · 消耗电流低 · 共模输入范围 · 输出方式 · 增益带宽积 · 封装小 : 1.2V≦Vdd≦6.0V : Typ.300μA(Vdd=3.0V, 两个 IC 的总和 ) : Vss~Vdd-0.3V(Vdd=1.5V) Vss~Vdd-0.1V(Vdd=3.0V) : 推挽输出 : Typ.1MHz(Vdd=1.5V) Typ.0.8MHz(Vdd=3.0V) : SOP-8, TSSOP-8
40
10
30
0
Gain
30
0
20
-10
-30
10
-20
-60
0
0.1
Frequency(kHz)
1
10
100
1000
10
Frequency(kHz)
100
1000
10000
9-6
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ELM854xx CMOS 低功耗双路运算放大器
CMRR - Frequency
Short-Circuit Output Current - T op
Short-Circuit Output Current(mA)
40
35
Vdd =6V
30
Short to VDD
Short to VSS
Percent(%)
25
20
V dd =3V
15
Short to VDD
10
Short to VSS
For CMRR≧45dB Vouts Vid=100mV, RL=10kΩ~Vss Avd RL=10kΩ~Vss CMRR RL=10kΩ~Vss PSRR RL=10kΩ~Vss Vdd=1.35V~6.0V Iss Vin+=Vdd/2, 单位增益缓冲器 GBW SR RL=100kΩ, CL=20pF
300
200
150
+25
250
V dd =1.5V
200
100
50
0
150
1
2
Vdd (V)
3
4
5
6
-20 -10 0
10 20 30 40 50 60 70
T op(°C)
Vos - Distribution
20 19 18 17 16 15 14 13 12 11 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 0