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期末考试总结
1.掌握共发射极放大电路组成，各部分功能。
会计算静态工作点、画交流等效
电路，动态参数求解，最大不失真电压求解，如何稳定静态工作点。
2.掌握差动放大电路组成及功能，静态工作点的求取，动态参数的求取，明确
知道共模电压及差模电压的求法，会计算共模抑制比等参数。
3.掌握叠加法与虚短虚断法，解决运算放大器运算问题，
4.掌握，反馈类型的判断，与反馈的作用，会用虚短虚断方法或反馈系数法求
解反馈电压放大倍数；
5.掌握功率放大器的分类，静态参数及Uom，Pom，效率的求解方法；
6.掌握直流稳压电源的各部分组成及功能，会计算输出电压的变化范围。
7.掌握电压比较器的阈值以及电压传输特性的划分
8.掌握根据三极管三极电压判断管脚方法，掌握二极管的单向导通特性，掌握
场效应管静态及动态参数的求取方法。
深入理解杂质半导体的原理及性能。
9.其他各章节知识点。
模拟电子技术考试复习模拟电子技术课程的重点比例：第二章：15%；第三章：10%；第四章：30%；第五章：5%；第六章：5%；第七章：20%；第八章：5%；第九章：5%；第十章：5%。
期末考试重点内容：第二章：运放电路分析；第三章：含二极管的电路分析，PN结的特性；第四章：共基、共集、共射电路分析，三极管基本特性分析，单级与多级放大电路的频率特性；第五章：场效应管的基本特性；第六章：差分放大电路的基本特性；第七章：负反馈放大电路分析；第八章：功率放大电路的基本问题；第九章：正弦波震荡电路的振荡条件，参数分析；第十章：稳压电源基本电路组成，串联反馈式稳压电路分析。
期中考试定在11周周末，题型为填空选择与计算分析。
考试内容：第二章40%，运放电路分析（包括开环和闭环）；第三章20%，二极管（包括稳压管）电路分析，PN结特性分析；第四章40%，三极管基本特性，共基、共集、共射电路分析，多级放大电路的基本特性。
期中考试占期末总评成绩的20%，平时成绩15%，期末考试占65%。
考试重点1、分立元件放大电路的分析以第4章为主，可能会涉及FET和差分电路；2、负反馈放大电路组态和极性的判断；负反馈对放大电路性能的影响；根据负反馈影响，已知欲改善的性能，能自己引入负反馈；深度负反馈下的近似计算3、集成运放的应用电路分析（信号的运算与处理电路）以第二章为主，主要是虚短、虚断的运用，求输出表达式；包含2、6、10章的运放电路。
各章复习要点第1章绪论放大电路的主要性能指标：A v（dB）、R i（A vs）、R o（A vo）及模型；频率响应（幅度失真、相位失真），带宽（f H、f L）。
习题：1.4.1；1.5.5。
第2章运算放大器（信号的运算与处理电路）主要是虚短的运用，求输出表达式.反相比例电路，加减电路，两级运放构成的反馈重点章节：2.2；2.3；2.4习题：2.1.1；2.3.1；2.3.2；2.4.2；2.4.5；2.4.6；2.4.7；2.4.10；2.4.14。
模拟电子技术基础复习要点一、常用半导体器件1.半导体二极管（1）掌握二极管具有单向导电的特性。
用电位的方法来判断二极管是否导通，即，哪个二极管的阳极电位最高，或哪个二极管的阴极电位最低，哪个二极管就优先导通。
（2）注意：理想二极管导通之后相当短路，截止后相当开路。
（3）掌握二极管的动态电阻小，静态电阻大的概念（直流通路恒压源，交流通路小电阻）。
交流的时候把二极管当成一个交流的小电阻，用静态工作点和公式求二极管的电阻值（4）熟悉二极管的应用（开关、钳位、隔离、保护、整流、限幅）作业：1.32. 半导体稳压管（1）掌握稳压管工作在反向击穿区的特点只要不超过稳压管的最大功率，电流越大越好（2）掌握稳压管与一电阻串联时，在电路中起的稳压作用。
（3）掌握稳压管的动态电阻小，静态电阻大的概念。
（3）熟悉稳压管的应用（稳压、限幅）作业：1.5 , 1.6 3. 晶体三极管（1）熟悉晶体管的电流放大原理（重点掌握Ic =βIb ） （2）掌握NPN 型三极管的输出特性曲线。
晶体管有三个级，必然就有BE 间的输入，CE 间的输出，所以有两组特性曲线。
iB 和Ube 之间的关系，但是保证Uce 是一个恒定值iC 和Uce 之间的关系，保证Ib 是一个恒定值关于NPN 型管子：管子处于何种状态要根据电压之间的关系来确定。
主要是饱和区和截止区之间的区别（3）掌握三极管的放大、饱和与截止条件。
（4）理解CEO CBO I I 和的定义及其对晶体管集电极电流的影响。
作业：1.9，1.12 ，共射交流放大倍数β，共基交流放大倍数α≈14. 场效应管（1）能够从转移特性曲线和输出特性曲线识别场效应管类型。
（2）掌握结型场效应管(N沟道)的转移特性和输出特性的意义。
（3）掌握绝缘栅N沟道增强型MOS的转移特性和输出特性的意义。
（4）掌握电流方程，1.4.4 式和1.4.5式作业：1.14结型场效应MOS二、基本放大电路1. 掌握典型的共发射极接法（静态工作点稳定电路）、共集电极接法的射极输出器的工作原理。
《模电》复习题1.某放大电路输入端测量到输入正弦信号电流和电压的峰—峰值分别为5μA和5 mV，输出端接2kΩ电阻负载，测量到正弦电压信号峰—峰值1V，则Av( )A I( )Ap( )；2.一电压放大电路输出端接1kΩ负载电阻时，输出电压为1V，负载电阻断开时，输出电压上升到1.1V。
则该放大电路的输出电阻R。
为（）；答案：1. 46dB 40dB 43dB ；2. R。
=100Ω一、选择判断题1、在绝对零度（0K）时，本征半导体中_______B__ 载流子。
A. 有B. 没有C. 少数D. 多数2、在热激发条件下，少数价电子获得足够激发能，进入导带，产生_____D____。
A. 负离子B. 空穴C. 正离子D. 电子-空穴对3、半导体中的载流子为___D______。
A. 电子B. 空穴C. 正离子D. 电子和空穴4、N型半导体中的多子是______A___。
A. 电子B. 空穴C. 正离子D. 负离子5、P型半导体中的多子是______B___。
A. 电子B. 空穴C. 正离子D. 负离子6、当PN结外加正向电压时，扩散电流_______A_漂移电流。
A. 大于B. 小于C. 等与7、当PN结外加反向电压时，扩散电流___B_____漂移电流。
A. 大于B. 小于C. 等于8、二极管加正向电压时，其正向电流是由（ A ）。
a：:多数载流子扩散形成b：多数载流子漂移形成c：少数载流子漂移形成9、PN结反向电压的数值增加，小于击穿电压时，（C ）。
a：其反向电流增大b：其反向电流减小c：其反向电流基本不变10、稳压二极管是利用PN结的（ B ）。
a：单向导电性b：反向击穿特性c：电容特性11、二极管的反向饱和电流在20℃时是5μA，温度每升高10℃，其反向饱和电流增大一倍，当温度为40℃时，反向饱和电流值为（C ）。
a：10μA b：15μA c：20μA d：40μA12、变容二极管在电路中使用时，其PN结是BB ）。
模拟电子技术基础复习要点一、常用半导体器件1. 半导体二极管（1）掌握二极管具有单向导电的特性。
用电位的方法来判断二极管是否导通，即，极管的阳极电位最高，或哪个二极管的阴极电位最低，哪个二极管就优先导通。
（2）注意：理想二极管导通之后相当短路，截止后相当开路。
（3）掌握二极管的动态电阻小，静态电阻大的概念（直流通路恒压源，交流通路小电阻）交流的时候把二极管当成一个交流的小电阻，用静态工作点和公式求二极管的电阻值（4）熟悉二极管的应用（开关、钳位、隔离、保护、整流、限幅）作业： 1.3 2. 半导体稳压管（1）掌握稳压管工作在反向击穿区的特点2）掌握稳压管与一电阻串联时，在电路中起的稳压作用。
哪个二只要不超过稳压管的最大功率，电流越大越好（3）掌握稳压管的动态电阻小，静态电阻大的概念。
（3）熟悉稳压管的应用（稳压、限幅）作业：1.5 , 1.6 3. 晶体三极管（1）熟悉晶体管的电流放大原理（重点掌握 Ic=βIb ）（2）掌握 NPN 型三极管的输出特性曲线。
晶体管有三个级，必然就有 BE 间的输入， CE 间的输出，所以有两组特性曲线关于 NPN 型管子：管子处于何种状态要根据电压之间的关系来确定。
区之间的区别3）掌握三极管的放大、饱和与截止条件。
4）理解 I CBO 和I CEO 的定义及其对晶体管集电极电流的影响。
作业：主要是饱和区和截止 1.9， 1.12 ， Uce 是一个恒定值Ib 是一个恒定值共射交流放大倍数β，共基交流放大倍数α≈ 14. 场效应管（1）能够从转移特性曲线和输出特性曲线识别场效应管类型。
2）掌握结型场效应管 （N 沟道 ）的转移特性和输出特性的意义。
3）掌握绝缘栅 N 沟道增强型 MOS 的转移特性和输出特性的意义。
二、基本放大电路1. 掌握典型的共发射极接法 （静态工作点稳定电路） 、共集电极接法的射极输出器的工作原 理。
（1）熟悉各元件的作用、各元件参数的数量级。
模电考试期末试题及答案题一：电路基本知识1. 请简要解释以下电路元件的作用：a) 电阻：_________；b) 电容：_________；c) 电感：_________。
2. 根据欧姆定律和基尔霍夫电压定律，推导并解释以下公式：a) U = IR；b) V1 + V2 + V3 = 0。
3. 简述理想电流源和理想电压源的特点及其应用场景。
4. 分析以下电路，求解电流I1和电压V1。
R1 R2 R3------/\/\/\/\------------/\/\/\/\--------| |V1 V25. 简述直流稳压电源的工作原理，并举例说明。
答：1. a) 电阻：电阻用于限制电流的流动，使其符合电路要求。
它通过阻碍电子的自由移动来消耗电能。
b) 电容：电容用于储存电能，能够在充电和放电过程中存储和释放电荷。
它可以对电流的变化产生滞后效应。
c) 电感：电感用于储存磁能，通过电流在线圈中产生磁场。
当电流变化时，电感会产生反向电势，阻碍电流的变化。
2. a) 根据欧姆定律，电压U等于电阻R与电流I的乘积。
即U = IR。
这个公式表示了电阻对电流的阻碍程度。
b) 基尔霍夫电压定律表明，电路中各个节点的电压之和等于零。
即V1 + V2 + V3 = 0。
这个公式成立是因为在闭合电路中，所有的电压要相互平衡。
3. 理想电流源的特点是其输出电流恒定，不受负载电阻的影响。
它的输出电流不会因负载电阻的变化而改变。
适用于对电流要求较高的电路，如稳流器电路。
理想电压源的特点是其输出电压恒定，不受负载电流的影响。
它的输出电压不会因负载电流的变化而改变。
适用于对电压要求较高的电路，如稳压器电路。
4. 根据电路分析法则，可以得到如下方程：(V1 - V2)/R1 + (V1 - V3)/R2 + V1/R3 = 0化简得到：(3/R1 + 1/R2 + 1/R3)V1 - (1/R2)V2 - (1/R3)V3 = 0根据基尔霍夫电压定律，V2 = V1 - V3代入得到：(3/R1 + 1/R2 + 1/R3)V1 - (1/R2)(V1 - V3) - (1/R3)V3 = 0化简得到：(4/R2 + 1/R3)V1 - (1/R2)V3 = 0继续化简求解得到：V1 = (R2/(4R2 + R1))V3I1 = (V1 - V3)/(R1 + R2 + R3)5. 直流稳压电源通过稳压电路将输入电压转换为稳定的输出电压。
《模电》第一章重点掌握内容：一、概念1、半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。
2、半导体器件，主要是利用半导体材料制成，如陸和铉。
3、半导体奇妙特性：热敏性、光敏性、掺朵性。
4、本征半导体：完全纯净的、结构完整的、品格状的半导体。
5、本征激发：环境温度变化或光照产生本征激发,形成电子和空穴，电子带负电，空穴带正电。
它们在外电场作用下均能移动而形成电流，所以称载流子。
6、半导体中存在两种载流子：自由电了和空穴。
7、P型半导体：在纯净半导体中掺入二价杂质元素,便形成P型半导体，使导电能力大大加强，此类半导体，空穴为多数载流了（称多了）而自由电了为少了。
8、N型半导体：在纯净半导体屮掺入五价杂质元素，便形成N型半导体，使导电能力大大加强，此类半导体，电子为多子、而空穴为少子。
9、PN结具有单向导电性:P接正、N接负时（称正偏），PN结正向导通,P接负、N接正时（称反偏），PN结反向截止。
所以正向电流主要曲多了的扩散运动形成的，而反向电流主要由仝子的漂移运动形成的。
10、二极管按材料分有硅管佝管）和猪管G管）,按功能分有普通管，开关管、整流管、稳压管等。
11、二极管曲一个PN结组成，所以二极管也具有单向导电性:正偏时导通，呈小电阻，大电流，反偏时截止，呈大电阻，零电流。
P6,图125二极管的伏安特性。
P7, （121式）二极管方程其死区电压：Si管约0.5V, G。
管约为0.1 V。
其导通压降：&管约0.7V, G管约为0.2 V o这两组数也是判材料的依据。
10、稳压管是工作在反向击穿状态的:①加正向电压时，相当正向导通的二极管。
（压降为0.7V,）②加反向电压时截止，相当断开。
③加反向电压并击穿（即满足U >Uz）时便稳压为Uz。
11、二极管主要用途：整流、限幅、继流、检波、开关、隔离（门电路）等。
12、三极管由两个PN结组成。
从结构看有三个区、两个结、三个极。
（参考PG 三个区：发射区——掺朵浓度很高，其作用是向基区发射电子。
