第九章 透射电镜(TEM)
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透射电镜原理
透射电镜(Transmission Electron Microscope,简称TEM)是一种利用电子束穿透样品来形成高分辨率图像的
仪器。
其原理基于电子的波粒二象性和电磁透镜的作用。
TEM 使用的电子束是通过一系列电子光学元件进行聚焦和
控制的。
电子束由电子源(如热阴极或场发射源)产生,
然后通过一系列准密致封闭的管道输送到样品上。
电子束在经过样品之前,要先通过一个称为准直孔的装置,以确保束的平行性。
然后,电子束穿过一个称为准直透镜
的电磁透镜,用于进一步控制束的大小和几何形状。
接下来,电子束进入样品,并与样品中的原子核和电子进
行相互作用。
在样品内部,电子束会被散射,经过的程度
与样品的组成有关。
散射的电子束会通过一个反射透镜重
新聚焦到显微镜的屏幕上,形成图像。
图像的形成是通过测量反射透镜上散射电子的强度来实现的。
显微镜会在屏幕上建立一个二维图像,其中每个像素
的强度对应着该位置的电子散射强度。
通过收集来自不同
角度的散射电子,可以形成三维图像。
TEM 具有非常高的分辨率,可以达到原子级别。
这是由于
电子具有很小的波长,比可见光的波长小得多。
因此,TEM 可以用来观察很小的样品结构,例如晶体和生物分子。
透射电镜tem的主要组成部分TEM主要包括三个组成部分,分别是电子光学、电源与控制、真空系统三个组成部。
TEM的总体工作原理是:电子束由电子枪发射出来,在真空通道中穿越聚光镜,通过聚光镜将电子束会聚成一束光斑,照射在样品上,电子束透过样品后便携带有样品内部的结构信息,由于电子束的穿透力很弱,因此样品内致密处透过的电子量少,而稀疏处透过的电子量多,电子束透过样品后就进入到成像系统,首先经过物镜,被初级放大,而后进入到中间镜,综合放大,最后投影镜将放大的电子像投射到观察记录系统中的荧光屏上,并转换成可以观察的可见光像,由照相系统存成图片的形式。
下面将简单介绍下各个组成部分的结构以及原理。
一、照明系统照明系统有两个主要部件:1、电子枪:发射高能电子束,提供光源。
电子枪由阴极、阳极及位于阴极和阳极间的栅极组成,阴极是产生自由电子的源头,一旦阴极受热,就会产生自由电子,下面的阳极与阴极形成电场,阳极能够吸引阴极发射出的自由电子,并改变其运动状态,使之从杂乱无章改变到有序定向,而阴极下的栅极,在受到偏压作用后,会对电子束产生汇聚作用,即向中心轴聚集,这样就使运动在轴心的电子束能够穿过阳极中心,射出电子枪,进而形成了照射样品所需的光源。
同时,栅极还具有调节改变自由电子发射量的作用。
电子枪的工作原理如下:接通电源后,就会产生一定的电流,电流首先通过阴极,致使灯丝发热程度超过25000C,这时阴极产生的自由电子就会从灯丝表面逸出。
接通电源同时会产生加速电压,阳极表面产生的正电荷形成了正电场,阴极表面的自由电子在受到电场的作用后就会逸出,从电子枪射出形成电源。
通过改变灯丝电源能够使灯丝运行时处于欠饱和状态,如果想要改变亮度,就要改变电子束流量,而电子束流量的改变可以通过改变栅极变压来获得。
电镜工作时分辨率也是可以调节的,要想增大分辨率,也就是增强电子的穿透力,这时只要增加加速电压即可获得穿透力的增强,因为电压的加速会缩小波长,波长越小穿透力越强,虽然这样做可以增大分辨率,但也同样带来了相应的弊端,即成像反差的降低。
失效分析常用工具介绍透射电镜(TEM)TEM一般被使用来分析样品形貌(morhology),金相结构(crystallographic structure)和样品成分分析。
TEM比SEM系统能提供更高的空间分辨率,能达到纳米级的分辨率,通常使用能量为60-350keV的电子束。
与TEM需要激发二次电子或者从样品表面发射的电子束不同,TEM收集那些穿透样品的电子。
与SEM一样,TEM使用一个电子枪来产生一次电子束,通过透镜和光圈聚焦之后变为更细小的电子束。
然后用这种电子束轰击样品,有一部分电子能穿透样品表面,并被位于样品之下的探测器收集起来形成影像。
对于晶体材料,样品会引起入射电子束的衍射,会产生局部diffraction intensity variations,并能够在影像上非常清晰的显现出来。
对于无定形材料,电子在穿透这些物理和化学性质都不同的材料时,所发生的电子散射情况是不相同的,这就能形成一定的对比在影像观察到。
对于TEM分析来说最为关键的一步就是制样。
样品制作的好坏直接关系到TEM能否有效的进行观察和分析,因此,在制样方面多加努力对于分析者来说也是相当必要的工作。
扫描声学显微镜集成电路封装的可靠性在许多方面要取决于它们的机械完整性.由于不良键合、孔隙、微裂痕或层间剥离而造成的结构缺陷可能不会给电性能特性带来明显的影响,但却可能造成早期失效.C模式扫描声学显微镜(C—SAM)是进行IC封装非破坏性失效分析的极佳工具,可为关键的封装缺陷提供一个快速、全面的成象.并能确定这些缺陷在封装内的三维方位.这一C—SAM系统已经在美国马里兰州大学用于气密性(陶瓷)及非气密性(塑料)IC封装的可靠性试验。
它在塑料封装常见的生产缺陷如:封装龟裂、叶片移位、外来杂质、多孔性、钝化层龟裂、层间剥离、切断和断裂等方面表现出字串1俄歇电子(Auger Analysis )是一种针对样品表面进行分析的失效分析技术。