读写过程不需要大电场, 在读后也不需重写。设计 简单。
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压电陶瓷
声马达是压电陶瓷应用中一个 引人注目的新领域,它是利用压 电陶瓷的逆压电效应,直接把电 能转换成机械能输出而无需电 磁线圈的新型电机,与普通电 磁马达相比,它具有结构简单 、启动快、体积小、功耗低等 特点。另外,由于它是从电能 直接转换为机械能而不通过磁 电转换,因此,不产生磁干扰 也不怕磁干扰。
,擦写次数低,写数据功耗大等缺点。
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FeRAM器件结构
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铁电存储器(MFSFET)
MFS(Metal Ferroelectric –Semiconductor )FET
在MOS中用铁电薄膜(F) 代替二氧化硅栅氧化物薄 膜(O)构成MFSFET场 效应管
由于极化滞后,漏电流展 现两种状态:开,关
Kbit和1Mbit等密度。
非易失性记忆体掉电后数据不丢失。可
是所有的非易失性记忆体均源自ROM技术。
你能想象到,只读记忆体的数据是不可能修改
的。所有以它为基础发展起来的非易失性记
忆体都很难写入,而且写入速度慢,它们包
括EPROM(现在基本已经淘汰),EEPROM
和Flash,它们存在写入数据时需要的时间长
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ABO3型钙钛矿晶胞结构
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铁电材料的分类
(1)结晶化学分类
含有氢键的晶体:磷酸二氢钾(KDP)、三甘氨酸硫酸盐(TGS)、罗息盐
(RS)等。这类晶体通常是从水溶液中生长出来的,故常被称为水溶性铁电体,
又叫软铁电体;
(Li2双O氧-N化b2物O晶5)体等:,如这B类aT晶iO体3(是B从aO高-T温iO熔2)体、或K熔N盐bO中3(生K长2出O-来N的b2,O5又)称、为L硬iNb铁O电3 体.它们可以归结为ABO3型,Ba2+,K+、Na+离子处于A位置,而Ti4+、Nb6+、 Ta6+离子则处于B位置。