2018年西南科技大学考研真题811 电子技术基础(含模电、数电)
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电子技术基础(含答案)
《电子技术基础》课程习题集西南科技大学成人、网络教育学院所有习题【说明】：本课程《电子技术基础》（编号为08001）共有单选题,简答题,计算题1,作图题1,作图题2,计算题2,分析题,化简题等多种试题类型，其中，本习题集中有[计算题2,作图题2]等试题类型未进入。
一、单选题1.测得NPN三极管的三个电极的电压分别是U B=1.2V，U E=0.5V，U C=3V，该三极管处在（）状态。
A. 击穿B. 截止C. 放大D. 饱和2.二极管的主要特性是（）。
A.放大特性B.恒温特性C.单向导电特性D.恒流特性3.在N型半导体中（）。
A.只有自由电子B.只有空穴C.有空穴也有电子D.没有空穴也没有自由电子4.三极管的两个PN结都正偏，则晶体三极管的状态是（）。
A.放大B.饱和C.截止D.倒置5.工作在放大状态的某三极管，当输入电流I B=10μA时，I C=1mA；而I B=20μA时，I C=1.8mA，则该三极管的交流电流放大系数为（）。
A.50B.80C.100D.6.稳压管的稳压是其工作在（）。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿区D.正向死区7.在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为0V、-10V和-9.3V，则该管为（）。
A.NPN硅管B.NPN锗管C.PNP硅管D.PNP锗管8.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。
A. 温度B. 掺杂工艺C. 杂质浓度D. 晶体缺陷9.测得NPN型硅三极管三个电极电位分别为：U B=2.8V，U E=2.1V，U C＝3.6V，则该管处于（）状态。
A.饱和B.截止C.放大D.击穿10. P型半导体中的自由电子浓度（）空穴浓度。
A.大于B.小于C.等于D.大于或等于11. N型半导体是在纯净的本征半导体中加入（）。
A.自由电子B.空穴C.硼元素D.磷元素12.三极管工作在放大区的条件是（）。
A.发射结正偏，集电结正偏B.发射结反偏，集电结正偏C.发射结正偏，集电结反偏D.发射结反偏，集电结反偏13.下列关于半导体的说确的是（）。
2018年西安建筑科技大学872电子技术基础考研真题试题试卷
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2018 年西安建筑科技大学 872 电子技术基础考研真题试题试卷··································2
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（答案书写在本试题纸上无效。 考试结束后本试题纸须附在答题纸内交回） 共 6 页
考试科目: 适用专业:
R1 R3
－ ∞ A1 + +
uI1 uI1
uI2 uI2
R8 R2 R
R9
uO1
+
∞
A3 +
uO
R4
uI3 I3
u
+
∞
R5
A2
－
+
uO2
R6
R7
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西 安 建 筑 科 技 大 学
2018 年攻读硕士学位研究生招生考试试题
(1) 计 算 电 路 的 静 态 工 作 点; (3) 计 算 电 压 放 大 倍 数 Au ; (5) 输 入 ui (2) 画 出 微 变 等 效 电 路; ( 4 ) 计 算 输 入 电 阻 ri 和 输 出 电 阻 ro ；
为 正 弦 信 号 ， 若 输 出 信 号 的 波 形 如 图 (b)所 示 ， 试 问 为 何 种
七 、（10 分） 1. 电 路 如 图 (a) 所 示 ， 设 二 极 管 正 向 压 降 为 0.7V， 试 分 析 当 u I = 3 V 时， 求：(1)分 析 二 极 管 的 导 通 和 截 止 情 况？ (2) a 点 电 位 为 多 少 ? 2. 电 路 如 图 (b) 所 示 ，二 极 管 D 为 理 想 元 件， U = 3V, ui =6sin ω tV， 画 出 输 出 电 压 uo 的 波 形。
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考试科目: 适用专业:
R1 R3
－ ∞ A1 + +
uI1 uI1
uI2 uI2
R8 R2 R
R9
uO1
+
∞
A3 +
uO
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u
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西 安 建 筑 科 技 大 学
2018 年攻读硕士学位研究生招生考试试题
(1) 计 算 电 路 的 静 态 工 作 点; (3) 计 算 电 压 放 大 倍 数 Au ; (5) 输 入 ui (2) 画 出 微 变 等 效 电 路; ( 4 ) 计 算 输 入 电 阻 ri 和 输 出 电 阻 ro ；
为 正 弦 信 号 ， 若 输 出 信 号 的 波 形 如 图 (b)所 示 ， 试 问 为 何 种
七 、（10 分） 1. 电 路 如 图 (a) 所 示 ， 设 二 极 管 正 向 压 降 为 0.7V， 试 分 析 当 u I = 3 V 时， 求：(1)分 析 二 极 管 的 导 通 和 截 止 情 况？ (2) a 点 电 位 为 多 少 ? 2. 电 路 如 图 (b) 所 示 ，二 极 管 D 为 理 想 元 件， U = 3V, ui =6sin ω tV， 画 出 输 出 电 压 uo 的 波 形。
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精品文档《电子技术基础》课程习题集西南科技大学成人、网络教育学院版权所有习题【说明】：本课程《电子技术基础》（编号为 08001）共有单选题 , 简答题 , 计算题 1, 作图题 1, 作图题 2, 计算题 2, 分析题 , 化简题等多种试题类型，其中，本习题集中有 [ 计算题 2, 作图题 2] 等试题类型未进入。
一、单选题1.测得 NPN三极管的三个电极的电压分别是U =1.2V ，U =0.5V ，U =3V，该三极管处在（）B E C状态。
A. 击穿B.截止C.放大D.饱和2.二极管的主要特性是（）。
A. 放大特性B.恒温特性C.单向导电特性D.恒流特性3.在 N 型半导体中（）。
A. 只有自由电子B. 只有空穴C.有空穴也有电子D. 没有空穴也没有自由电子4.三极管的两个PN结都正偏，则晶体三极管的状态是（）。
A. 放大B.饱和C.截止D.倒置5.工作在放大状态的某三极管，当输入电流 I B=10μA时，I C=1mA；而 I B=20μA时，IC=1.8mA，则该三极管的交流电流放大系数为（）。
A.50B.80C.100D.1806.稳压管的稳压是其工作在（）。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿区D.正向死区7.在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为0V、 -10V和 -9.3V，则该管为（）。
A.NPN硅管B.NPN锗管C.PNP硅管D.PNP锗管8.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。
A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷9.测得 NPN型硅三极管三个电极电位分别为：U B=2.8V ， U E=2.1V ， U C＝ 3.6V ，则该管处于（）状态。
精品文档10.P 型半导体中的自由电子浓度（）空穴浓度。
A. 大于B.小于C.等于D.大于或等于11.N 型半导体是在纯净的本征半导体中加入（）。
A. 自由电子B.空穴C.硼元素D.磷元素12.三极管工作在放大区的条件是（）。
西安电子科技大学2018考研大纲：811信号与系统、电路.doc
西安电子科技大学2018考研大纲：811信号与系统、电出国留学考研网为大家提供西安电子科技大学2018考研大纲：811信号与系统、电路，更多考研资讯请关注我们网站的更新!西安电子科技大学2018考研大纲：811信号与系统、电路一、总体要求“信号与系统、电路”由“电路”(75分)和“信号与系统”(75分)两部分组成。
“电路”要求学生掌握电路的基本理论和基本的分析方法，使学生具备基本的电路分析、求解、应用能力。
要求掌握电路的基本概念、基本元件的伏安关系、基本定律、等效法的基本概念;掌握电阻电路的基本理论和基本分析方法;掌握动态电路的基本理论，一阶动态电路的时域分析方法;正弦稳态电路的基本概念和分析方法;掌握谐振电路和二端口电路的基本分析方法。
“信号与系统”要求学生掌握连续信号的时域、频域、复频域分解的数学方法和分析方法，理解其物理含义及特性。
掌握离散信号的时域、Z域分解的数学方法和分析方法，理解其物理含义及特性。
掌握连续系统的时域、频域、复频域分析方法;掌握离线系统的时域和Z域分析方法。
熟练掌握时域中的卷积运算和变换域中的傅里叶变换、拉普拉斯变换、Z变换等数学工具。
掌握系统函数及系统性能的相关概念及其判定方法。
掌握线性系统的状态变量分析法。
研究生课程考试是所学知识的总结性考试，考试水平应达到或超过本科专业相应的课程要求水平。
二、“电路”部分各章复习要点(一)电路基本概念和定律1.复习内容电路模型与基本变量，基尔霍夫定律，电阻元件与元件伏安关系，电路等效的基本概念2.具体要求*电路模型与基本变量***电压、电流及其参考方向的概念、电功率、能量的计算***基尔霍夫定律***电阻元件及欧姆定律;***电压源、电流源及受控源概念;**等效概念，串、并联电阻电路的计算，实际电源两种模型及其等效互换(二)电阻电路分析1.复习内容电路的方程分析法，网孔法和回路法，节点法和割集法。
电路定理的概念、条件、内容和应用。
2018年桂林电子科技大学811数学分析考研真题试题试卷
， （
）. 证明数列
收敛，
并求极限
二． （本题 15 分）设 三． （本题 15 分） 设 明：存在
是可微函数，且满足 在 上可导，且 . 是连续可导函数，且 ，求 .
，求 . 证
，使得
四． （本题 20 分） 已知
，设函数
五． （本题 15 分）计算积分 六． （本题 15 分）设 值范围.
，其中 为常数. 在点 处取得极小值，求 的取
八． （本题 15 分）判别数项级数 九． （本题 20 分）证明函数项级数 .
的收敛性. 上一致收敛.
在
若记
，求
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桂林电子科技大学 2018 年硕士研究生统一入学考试试题
科目代码:
811
科目名称:
数学分析
注意：答案必须全部写在答题纸上，写在试题上无效；答案要标注题号，答题纸要填写姓名和考号，并标注页 码与总页数；交卷时，将答题纸与试题一起装入试卷袋，密封签字。
一． （本题 15 分）设
，
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2018 年桂林电子科技大学 811 数学分析考研真题试题试卷······································ 2
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七． （每小题 10 分，共 20 分）计算下列积分： 1. 计算三重积分 ，其中 是由曲面 与平面 和
所围成的空间闭区域 . 2. 计算曲面积分 的上侧 . ， 其中 是ຫໍສະໝຸດ 半球面第 1 页 共 2 页
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2018数字电子技术基础练习题(答案)
一、填空题1.（10001001.01）2=（ 137.25）10=（000100110111.00100101 ）8421BCD 。
2.(C5)16 ，（188）10, (10111100)2中最大数为_(C5)16_,最小数为（188）10, (10111100)2。
3.（10001011.011）2=（213.3）8=（8B.6）16。
4. 二进制数+1100110的原码为01100110,反码为01100110,补码为01100110。
5. 逻辑函数L =A B̅C +A +B +C = 1 。
6.写出下面逻辑电路图的逻辑表达式 Z =A⨁B +C 。
7.逻辑函数D C B A F ++=的反函数F ＝ AB̅(C +D ̅) 。
8. 主从型RS 触发器也称为 脉冲 RS 触发器，其特性方程 Q n+1= S+R ̅Q n 。
9.某计数器状态转换图如图1,该电路为__5_进制计数器，容量为 5 。
10.若要对70个编码对象进行编码，则至少需要 7 位二进制代码编码。
11．74LS138是3线—8线译码器，译码为输出低电平有效，若输入为A 2A 1A 0=110时，输出01234567Y Y Y Y Y Y Y Y 应为 10111111 。
12.一个8选1的多路选择器（数据选择器），应具有 3 个地址输入端。
13. 一个16选一的数据选择器，其地址输入（选择控制输入）端的个数是 4 。
14.有一个左移移位寄存器，当预先置入1011后，其串行输入固定接0，在4个移位脉冲CP 作用下，四位数据的移位过程是 1011-0110-1100-1000-0000 。
15． 有一个4位的D/A 转换器，设它的满刻度输出电压为10V ，当输入数字量为1101时，输出电压为 8.125V 。
二、计算题1.用二进制补码计算下列各式： （1）11101-11011 （2）-0011-10012.用卡诺图化简下列逻辑函数为最简与—或表达式： （1）{Z =AB A B C A B C +••+••BC =0（2）Y (A,B,C,D )=∑m(1,3,8,9,10,11,14,15)（1）解：真值表 卡诺图化简A B C Z0 0 0 0 0 0 1 1 0 1 0 1 0 1 1 × 1 0 0 1 1 0 1 1 1 1 0 0 1 1 1 ×表达式: Z=C B A B A ++ （2）解：3.下图电路中，G 1和G 2为OC 与非门，输出为线与结构。
(完整版)电子技术基础(含答案)
《电子技术基础》课程习题集西南科技大学成人、网络教育学院版权所有习题【说明】：本课程《电子技术基础》（编号为08001）共有单选题,简答题,计算题1,作图题1,作图题2,计算题2,分析题,化简题等多种试题类型，其中，本习题集中有[计算题2,作图题2]等试题类型未进入。
一、单选题1.测得NPN三极管的三个电极的电压分别是U B=1.2V，U E=0.5V，U C=3V，该三极管处在（）状态。
A. 击穿B. 截止C. 放大D. 饱和2.二极管的主要特性是（）。
A.放大特性B.恒温特性C.单向导电特性D.恒流特性3.在N型半导体中（）。
A.只有自由电子B.只有空穴C.有空穴也有电子D.没有空穴也没有自由电子4.三极管的两个PN结都正偏，则晶体三极管的状态是（）。
A.放大B.饱和C.截止D.倒置5.工作在放大状态的某三极管，当输入电流I B=10μA时，I C=1mA；而I B=20μA时，I C=1.8mA，则该三极管的交流电流放大系数为（）。
A.50B.80C.100D.1806.稳压管的稳压是其工作在（）。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿区D.正向死区7.在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为0V、-10V和-9.3V，则该管为（）。
A.NPN硅管B.NPN锗管C.PNP硅管D.PNP锗管8.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。
A. 温度B. 掺杂工艺C. 杂质浓度D. 晶体缺陷9.测得NPN型硅三极管三个电极电位分别为：U B=2.8V，U E=2.1V，U C＝3.6V，则该管处于（）状态。
A.饱和B.截止C.放大D.击穿10. P型半导体中的自由电子浓度（）空穴浓度。
A.大于B.小于C.等于D.大于或等于11. N型半导体是在纯净的本征半导体中加入（）。
A.自由电子B.空穴C.硼元素D.磷元素12.三极管工作在放大区的条件是（）。
A.发射结正偏，集电结正偏B.发射结反偏，集电结正偏C.发射结正偏，集电结反偏D.发射结反偏，集电结反偏13.下列关于半导体的说法正确的是（）。
武汉科技大学811 无机材料科学基础-2018(科大B卷)-参考答案考研真题
姓名： 报考专业： 准考证号码：
密封线内不要写题
年全国硕士研究生招生考试初试自命题试题科目名称：无机材料科学基础（□A 卷□
√B 卷）科目代码：考试时间：3小时 满分 150分可使用的常用工具：□无 □
√计算器 □√直尺 □圆规（请在使用工具前打√）注意：所有答题内容必须写在答题纸上，写在试题或草稿纸上的一律无效；考完后试题随答题纸交回。
4 小题，每小题 10 分，共 40上坡扩散与下坡扩散（由低浓度区向高浓度区的扩散叫逆扩散，又称上坡扩散；由高
浓度区向低浓度区的扩散叫顺扩散，又称下坡扩散）
等比例规则与背向性规则（等比例规则：浓度三角形一顶点和对边上任一点的连线上
什么是“二次再结晶”？其主要特征是什么？欲避免“二次再结晶”的发生，通常应该。