1.单项选择题(在每一小题的四个备选答案中，选出一个正确的答案，并将其序号写在题干后的( )内。每一小题２分，共２０分)
（1）杂质半导体中的少数载流子浓度取决于（A ） A.掺杂浓度 B.工艺 C.温度 D.晶体缺陷 (2 )硅稳压管在稳压电路中稳压时，工作于( B )
A.正向导通状态
B.反向电击穿状态
C.反向截止状态
D.反向热击穿状态
(3 )测得一放大电路中的三极管各电极相对一地的电压如图1所示，该管为( ) 型硅管型锗管型锗管型硅管
(4 )温度上升时，半导体三极管的( A )
A.β和I CEO 增大，u BE 下降
B.β和u BE 增大,I CEO 减小
C.β减小，I CEO 和u BE 增大
D.β、I CEO 和u BE 均增大 (5 )在共射极、共基极、共集电极、共漏极四种基本放大电路中，u o 与u i 相位相反、|A u |>1的只可能是( )
A.共集电极放大电路
B.共基极放大电路
C.共漏极放大电路
D.共射极放大电路 (6 )在四种反馈组态中，能够使输出电压稳定，并提高输入电阻的负反馈是( ) A.电压并联负反馈B.电压串联负反馈C.电流并联负反馈D.电流串联负反馈 (7 )关于多级放大电路下列说法中错误的是( )
等于各级电压放大倍数之积等于输入级的输入电阻等于输出级的输出电阻 等于各级电压放大倍数之和
(8 )用恒流源电路代替典型差动放大电路中的公共射极电阻R E ，可以提高电路的( ) A.|A ud | B.|A uc |
(9 )电路如图2所示，其中U 2=20V,C=100?f 。变压器内阻及各二极管正向导通时的电压降、反向电流均可忽略，该电路的输出电压U o ?( )。
(10 )在下列四种比较器中，抗干扰能力强的是( )。A.迟滞比较器 B.零比较器C.三态比较器 D.窗口比较器 2.填充题
(每格1分，共20分) (11 )当放大电路输入非正弦信号时，由于放大电路对不同频率分量有不同的放大倍数而产生的输出失真
为 ＿＿＿＿ 失真，由于相位落后与信号频率不成正比而产生的输出失真称为 ＿＿＿失真，这两种失真统称为 ＿＿＿＿＿失真或 ＿＿＿＿＿＿失真。
(12 )半导体三极管属 ＿＿＿＿＿控制器件，而场效应管属于＿＿＿＿＿控制器件。 (13按结构不同场效应管分为＿＿＿＿＿ 型和＿＿＿＿＿＿型两大类。
(14 )集成运放内部电路实际是一个 ＿＿＿＿＿、＿＿＿＿＿ 、＿＿＿＿＿＿ 放大电路。 (15 )直流稳压电源由 ＿＿＿＿＿＿、＿＿＿＿＿、＿＿＿＿＿及＿＿＿＿＿ 四个部分组成。
U （图2）
－
－8V －
①
③ 图1
(16)按幅频特性不同，滤波器可分＿＿＿＿＿ 滤波器、＿＿＿＿＿滤波器、＿＿＿＿＿ 滤波器、＿＿＿＿＿滤波器及＿＿＿＿＿＿ 滤波器等五种。 3.分析计算题(共60分)
(17)电路如图所示。已知R B1=50K Ω,R B2=10K Ω,R C =6K Ω,R E =750Ω,信号源内阻R S =5K Ω，负载电阻R L =10K Ω,电源电压+V CC =12V,电容C 1、C 2的电容量均足够大，晶体管的?=99,
r be=1k Ω,U BE =。试求：(a)电压放大倍数A u (=
o U
&& )及A us (=
U o
&& ); C U O
U O
