PECVD返工片去膜流程

pecvd的工艺流程
《PECVD工艺流程》
PECVD即等离子化学气相沉积，是一种常用于制备薄膜的技术，主要应用于半导体制造和光电子器件制造等领域。

下面将介绍PECVD的工艺流程。

1. 基片清洗：首先，需要对基片进行清洗，以去除基片表面的杂质和污染物，保证薄膜的质量。

通常使用溶剂清洗、超声波清洗和化学清洗等方法。

2. 负极板安装：在PECVD系统中，基片被放置在一个负极板上。

这个负极板会通过射频电源产生高频辉光放电，使得气体分子等离子化。

3. 清洁气体引入：清洁的气体（通常是氢气或氮气）被引入到等离子体中，用于稀释和控制反应物质的浓度。

4. 反应气体引入：需要使用PECVD生长的薄膜材料的反应气
体也被引入到等离子体中，如硅源气体（硅醚、二甲基硅烷等）和氧源气体（二氧化硅源气体等）。

5. 沉积薄膜：当反应气体在等离子体中被激活后，会发生化学反应并沉积在基片表面，形成所需的薄膜。

6. 控制参数：在整个PECVD工艺过程中，需要对气体流量、
射频功率、温度和压力等参数进行严密控制，以确保薄膜的均
匀性和质量。

7. 化学后处理：在沉积完成后，通常需要对薄膜进行后续的化学处理，如退火、氧化和腐蚀等，以满足特定的应用需求。

通过以上工艺流程，PECVD能够制备出高质量、均匀性好的薄膜，广泛应用于电子器件、太阳能电池、光学涂层等领域。

PECVD 工艺操作规程(暂行)车间:电池车间编制:审核:审定:批准:时间:2010年7月5日为更好地保证PECVD镀膜的生产正常进行,稳定生产工艺,提高PECVD工序产品质量,进一步保证电池产品性能,特制定本作业指导书,以使操作人员的工艺操作有章可循,规范统一,同时,为新员工的上岗培训提供教材参考。

一、工艺目的二、使用范围三、责任四、设备及工具五、材料与工艺气体六、工艺描述1、工艺原理2、工艺条件3、工艺方案七、工艺准备1、工艺洁净准备2、设备准备3、原材料准备4、工装工具准备八、工艺操作1、工艺循环2、装载3、卸载九、测试膜厚及折射率十、安全、规范操作十一、记录及转交附1 椭偏仪操作规程PECVD工艺操作规程一、工艺目的：在硅片表面沉积一层起减反射和钝化作用的氮化硅膜二、适用范围电池车间PECVD工序OTB设备三、责任本工艺操作规程由工艺工程师负责四、设备及工具OTB设备、石墨舟、高温隔热手套、PVC手套、口罩、镊子、不锈钢桌架、椭偏仪、机械手五、材料与工艺气体湿法刻蚀后合格的多晶硅片、硅烷、氨气\氩气、氮气、压缩空气。

六、工艺描述1、工艺原理6.1工艺原理本工艺过程是利用稳定持续的氩气氛围的直流电弧放电，氩轰击硅烷（SiH4)和氨气（NH3）将其激发为等离子体状态，Si原子与N原子以一定的比例沉积到硅片表面形成一层氮化硅（Si3N4）薄膜，起到减反射和钝化的作用。

反应如下：3SiH4+ 4NH3====Si3N4+12H2↑实际上生成物并不是完全的氮化硅（Si3N4），其中还有一定比例的氢原子（H），所以严格的分子式应为SixNyHz2、工艺条件冷却水压强为0.4-0.6MPa，氮气压强为5-7 bar,压缩空气压强4-6 bar，硅烷压强为40psi，氨气压强为40psi，温度400℃。

PSI表示磅每平方英寸。

七、工艺准备1、工艺洁净管理操作时戴洁净的手套、口罩，并且保证每班清理现场及设备卫生，以保证车间的洁净度。

PECVD薄膜制备流程PECVD（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition）是一种常用的薄膜制备技术，通过在气相状态下将化学气体物质在等离子体激发下分解并沉积在衬底表面上，从而形成一层薄膜。

PECVD薄膜制备流程包括前处理、沉积和后处理三个主要步骤。

下面将详细介绍PECVD薄膜制备的流程。

1. 前处理（Pre-treatment）：在进行PECVD薄膜制备之前，需要对衬底进行预处理，以去除表面上的杂质和氧化物层，并提高薄膜与衬底的附着力。

常见的前处理方法包括超声波清洗、化学溶液浸泡、等离子体清洗等。

超声波清洗可以利用超声波的机械振荡作用将杂质从衬底表面溶解和脱落，化学溶液浸泡则可以通过酸碱等化学溶液与杂质反应，达到去除杂质的目的。

等离子体清洗则是通过等离子体中电荷的加速作用在衬底表面生成高能粒子，以去除表面杂质。

2. 沉积（Deposition）：PECVD的主要工作是将化学气体在等离子体激发下分解为反应物，并将其沉积在衬底表面。

在PECVD薄膜制备中，常用的化学气体有二硅甲烷（SiH4）、三氯甲烷（CHCl3）、四氯化硅（SiCl4）等。

PECVD制备过程中需要稳定的等离子体，通常采用射频等离子体或微波等离子体等激发方式。

在等离子体激发下，化学气体分子会发生碎裂并产生自由基，然后自由基与衬底表面发生反应，形成薄膜。

不同的化学气体和反应条件可以得到不同性质的薄膜。

3. 后处理（Post-treatment）：PECVD薄膜制备完毕后，通常需要进行后处理来改善薄膜的性能和结构。

后处理一般包括退火、氧化、薄膜表面改性等。

退火是将沉积完成的薄膜在一定温度下进行热处理，以去除杂质和缺陷，并提高薄膜的晶体质量和附着力。

氧化是将薄膜暴露在氧气或氧化剂环境中，以改善薄膜的绝缘性能。

薄膜表面改性可以利用化学反应或物理方法对薄膜表面进行修饰，以改变薄膜的性质和功能。

总结起来，PECVD薄膜制备流程包括前处理、沉积和后处理三个主要步骤。

pecvd的工艺流程PECVD（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition）是一种利用等离子体增强的化学气相沉积技术，常用于薄膜的生长和制备。

该工艺在半导体、光电和光学领域中有广泛的应用。

下面将详细介绍PECVD的工艺流程。

PECVD的工艺流程主要包括以下几个步骤：真空抽取、气体进料、等离子体激发、沉积、退火和冷却。

首先是真空抽取阶段，通过真空泵将反应室内的气体和杂质抽取出来。

这个步骤的目的是为了减少反应室内的气体压力，创造一个较为理想的反应环境。

接着是气体进料阶段，将所需的气体输入到反应室中。

根据需要生长的薄膜材料不同，选择不同的气体进行进料，例如二氧化硅需要使用氧和硅源气体。

在进料后，开始等离子体激发阶段。

通过加高电压或射频等离子体发生器产生强电场，气体分子在电场作用下与离子碰撞激发产生等离子体。

等离子体通过与反应室中的气体分子碰撞，使气体处于激发状态，为后续的化学反应提供能量。

然后是沉积阶段，激发的气体分子与基底表面发生化学反应，形成所需的薄膜。

这个过程中，反应室内的温度和压力需要控制在一定的范围，以保证薄膜的质量和厚度。

完成沉积后，进行退火处理。

退火是为了改善薄膜的结晶性和结构紧密性。

通常会升高反应室的温度，使薄膜发生晶化和固化。

最后是冷却阶段，将退火后的样品冷却至室温。

冷却速度过快可能会导致薄膜的应力过大，影响薄膜的性能。

因此，需要逐渐降低反应室的温度，使薄膜缓慢冷却。

通过以上的步骤，PECVD的工艺流程完成了薄膜的成长和制备。

但需要注意的是，PECVD的工艺流程在不同的应用领域和材料需求下可能会有所不同，具体的工艺参数和操作条件需要根据实际情况进行调整和优化。

总之，PECVD作为一种重要的薄膜制备技术，在半导体、光电和光学等领域中发挥着重要的作用。

通过合理的工艺流程和优化的操作条件，PECVD可以生长出高质量、均匀性好的薄膜，满足不同应用的需求。

pecvd工艺流程PECVD（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition）是一种常用的制备薄膜的工艺流程，在微电子、光电子、材料科学等领域得到广泛应用。

下面将介绍PECVD的工艺流程。

PECVD工艺流程主要包括预清洗、预热、沉积、冷却和后处理几个步骤。

首先是预清洗步骤。

清洗是为了去除基片表面的杂质和有机物，提供一个干净的表面用于薄膜的成长。

常用的清洗方法包括溶剂清洗和化学清洗，可以使用有机溶剂如丙酮和异丙醇进行溶剂清洗，以去除表面的有机污染物。

化学清洗则使用酸碱溶液，如稀盐酸和稀氢氧化钠溶液，去除金属离子和无机杂质。

接下来是预热步骤。

预热是为了提高基片表面的反应活性，促进薄膜的成长。

通常采用电阻丝加热器或激光加热器对基片进行加热，提高基片温度至几百摄氏度。

然后是沉积步骤。

沉积是将所需的薄膜材料通过化学反应在基片表面沉积成薄膜。

PECVD使用的气体一般包括有机硅化合物（如SiH4、TEOS）和载气（如氮气、氢气），还可以加入掺杂气体（如Dopant）来制备掺杂材料。

在高压和高频交流电场的作用下，气体分子会发生解离和激发，产生活性物种和离子，活性物种和离子在基片表面发生化学反应，形成所需的薄膜材料。

冷却步骤是为了将基片和反应室中的温度降低至常温。

冷却可以使用水冷的方式，将水循环流过反应室和基片，吸收热量，使系统温度降低。

最后是后处理步骤。

后处理是为了将基片上的薄膜进行表面处理，以改善薄膜的性能。

后处理可以采用退火、热氧化或化学处理等方法。

退火可以提高薄膜的结晶度和光学性能，热氧化可以形成氧化层保护薄膜，化学处理可以改变薄膜的表面性质。

以上就是PECVD的工艺流程。

PECVD工艺具有反应速度快、成膜均匀、控制性好等优点，可以制备各种材料的薄膜，广泛应用于微电子器件、光电器件以及材料科学领域。

随着技术的不断发展，PECVD工艺将会得到更进一步的改进和应用。

一、目的规范设备操作保证产品质量，防止错误操作造成人身安全、产品质量和设备安全等不良后果特制定此规程。

二、范围本规程规定了M8Z200-3UM卧式等离子增强化学气相淀积设备。

ADS602H真空泵及高频仪的操作方法、工艺要求及注意事项。

本规程适用于M8Z200-3UM卧式等离子增强化学气相淀积设备。

ADS602H真空泵及高频仪设备的运行和产品判定。

三、工具石墨舟，石英吸笔，石墨舟钩子，万用表，承载盒，海绵垫，硅片托垫，手电筒，石英吸笔吸盘垫片。

四、设备M8Z200-3UM卧式等离子增强化学气相淀积设备五、原辅材料硅片，硅烷、氨气，氮气，酒精，棉布手套，乳胶手套六、操作要求准备工作1、上班时穿好防静电净化服，工作鞋，按要求戴好口罩，棉布手套和乳胶手套。

2、接班时要确认上个班及当前运行工艺、设备状况、片源等有利于当班正常生产的各种信息。

3、准备A.准备拿片（拿放石墨舟和硅片应轻拿轻放，防止碰撞，不能裸手操作以防污染）。

B.将石墨舟工作台将装片工作台拉至平面并用专用钩子提到工作台上，石墨舟脚必须卡到两侧定位硅胶棒外。

C.打开石英吸管所用压缩空气,调至适用压力。

D.检查石英吸管吸盘垫片是否污染,如污染应更换。

E.从传递窗中拿出工艺流程卡核对数目是否相符, 若不相符应与上一道工序协调。

F.边缘一排轻轻往内推一点，拿住装片花蓝边缘，慢慢取出放到手推车上，拿完一批后将空花蓝整齐放入传递窗中关掉传递窗。

取片时应注意防止与相邻花蓝擦刮造成跌落。

G.双手将手推车轻推至装片工作台旁，将装有硅片的花蓝放到准备插片的石墨舟旁。

4、装片A. 装片前用手扶住石墨舟上将装片工作台倾斜至自身装片方向。

B. 插片时注意花蓝开口方向为扩散面，片掉落不清楚时可用万用表欧姆档测试两面电阻，电阻值小的一面为扩散面。

C. 左手轻轻托起花蓝底部，右手拿住石英吸笔用食指或拇指压住吸笔控制孔，吸盘靠住硅片扩散面，将硅片从花蓝中取出，检查表面，有绒面不良的应返工。

pecvd作业流程标准下载温馨提示:该文档是我店铺精心编制而成，希望大家下载以后，能够帮助大家解决实际的问题。

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C1B PECVD工序操作流程1目的本文规定了C1B PECVD工序的基本操作流程。

2适用范围本规定适用于C1B PECVD工序。

3内容3.1 生产准备3.1.1 进入车间时必须穿好工作服、工作鞋，戴工作帽、手套和防尘口罩，衣着标准严格按照6S执行，不得穿着工作服在车间外活动，进入车间必须走风淋室。

3.1.2做好工艺卫生，接班后用酒精和无尘布擦拭机器传送带，使自动上下料设备保持清洁，并及时清理碎片。

3.2 操作流程3.2.1启动工艺在Roth＆Rau操作界面上，进入OP操作界面，点击“控制”，选择设定的工艺，启动工艺。

等到等离子源全部启动之后，对石墨板预热至少一轮之后，进行生产。

3.2.2上料确认PSG后硅片产出不超过一小时，若超过一小时要求PSG工序重新清洗，若硅片在规定时间范围内则将装满去PSG后硅片的Schmid花篮运输到PECVD上料台，保证扩散面向上。

启动上下料设备，进入自动状态，进行生产。

3.2.3镀膜检测与不良检验镀膜检测：硅片镀膜之后，选取石墨板规定位置的硅片检验膜厚与折射率。

不良检验：在上下料设备的lift处目测镀膜后的硅片，发现镀膜不良、粉尘片的现象及时将硅片取出做返工处理。

3.2.4下料将空的Baccini花篮放在卸料台上，硅片镀膜之后，由上下料设备装入片盒，将片盒从下料台上取下，放在手推车上送到丝网印刷工序。

3.2.5设备PM事项3.2.5.1设备PM或开腔体之后必须使用假片空运行8小时消除粉尘，空运行期间由工艺人员调整工艺。

3.2.5.2开始生产时，先做1板硅片进行跟踪，如果粉尘片每板超过2片，需要再用假片空运行，直到粉尘比例减小至规定值开始正常生产。

3.3仪器/工具/材料仪器：Roth&Rau 、椭偏仪工具：Schmid花篮、Baccini花篮、石墨板。

材料：PSG后硅片3.3注意事项3.3.1注意去PSG后硅片方向，确保扩散面向上。

3.3.2生产之前必须在工艺启动状态下预热石墨板，至少预热一轮。

PECVD工艺规程1.P ECVD的目的利用低温等离子体作能量源，样品置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电（或另加发热体）使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体，气体经过一系列化学变化和等离子反应，在样品表明形成固态薄膜（Si3N4）。

2.P ECVD工序流程接片—插片—进舟—运行工艺—出舟—风冷-取片接片：查看硅片表面的洁净程度，查看有无缺损。

插片：戴上一次性手套，一次插片到位，插好后检查高度是否一致。

进舟：提起舟时要四周观察，转移舟时要小心谨慎，进舟时要注意观察，出现问题时要立即急停。

运行工艺：选择正确的工艺，查看对应的高频。

出舟：出舟时要仔细观察，下舟时要慢中求稳。

风冷：将刚做完工艺的舟缓慢推至特定的风冷处冷却。

取片：戴上一次性手套，一次取片到位；入篮时动作要轻，取篮时不要摇晃，出篮时要握稳放好。

4.操作手法4.1检查查看显示屏上的水压、气压信号灯是否正常，查看温度表显示温度是否正常(400-500)，查看高频放电标志是否存在，查看炉门以及浆位情况。

4.2检漏先打开慢抽阀（真空灯亮）-------打开主抽阀（抽至压力不变）-------检漏4.2.1如果你面对的是一台新管，那么检漏的覆盖面应该更大一些。

具体：慢抽-主抽-检漏（检石英管）打开NH3阀-慢抽-主抽-检漏（检NH3管）打开SiH4 2号阀-慢抽-主抽-打开N2清洗阀-设流量清洗SiH4管道（2次）-慢抽-主抽-检漏-打开SiH41号阀-慢抽-主抽-检漏（检SiH4管）4.3标定管的压力（*）打开NH3、SiH4、N2手动阀门，用NH3流量标定管的压力（为什么不用SiH4），小管淀积时NH3流量大概2900mL/min，压力平均在170，那么我们可以用NH32000mL/min，调整开度阀使压力维持在110左右就行了.检测SiH4流量-打开慢抽-主抽-设定SiH4流量100-200mL/min，查看压力是否稳定在15左右，我们做片时SiH4流量在350mL/min的样子，为什么我们试SiH4流量时用这么小，是出于什么的考虑。

PECVD薄膜制备流程PECVD（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition）是一种利用等离子体增强化学气相沉积技术来制备薄膜的方法。

PECVD在微电子、光电子、纳米科技等领域具有广泛的应用，可以制备不同材料的薄膜，如氮化硅、氮化铝、二氧化硅等。

1.薄膜基底处理：首先将基底（如硅片、玻璃基板等）进行表面清洗和处理，去除污染物和氧化层，以获得干净、平整的表面。

2.基底预热：将清洗处理后的基底放置在PECVD反应室中，通过加热使其达到一定温度，通常在200~400℃之间，以提高薄膜生长速率和质量。

3.反应气体进入：将预热的基底置于PECVD反应室中，然后通过气体进入口将反应气体引入反应室。

反应气体一般由两种以上的前体物质组成，如一种是硅源，另一种是其中所需的氮、氧、氢等源。

这些气体在反应室中形成等离子体。

4.气体激活：通过将反应室加压，利用高频电源产生等离子体，激活气体分子。

等离子体中的电子碰撞会引发反应气体分子的化学反应。

5.薄膜生长：等离子体中激活的气体分子会沉积在基底表面上，形成薄膜。

薄膜的生长速率和质量受到多种因素的影响，如反应气体的浓度、反应温度、等离子体的功率等。

6.薄膜腔抽气：薄膜形成后，关闭反应气体进入口，并通过真空抽气系统将反应室内的气体抽出，以终止反应。

7.薄膜收后处理：将薄膜基底从PECVD反应室中取出，并进行收后处理，如清洗、退火等，以进一步提高薄膜的性能和质量。

PECVD薄膜制备的流程中，参数的选择和调节是非常重要的，如反应气体的流量、功率、反应温度等，会直接影响薄膜的性能和质量。

此外，还需要注意反应室和基底的清洗和处理，以获得干净、平整的表面，有利于薄膜的生长。

最后，收后处理可以进一步优化薄膜的性能和质量。

PECVD薄膜制备流程的优点包括薄膜制备速度快、成本低、可以在较低的温度下制备高质量的薄膜等。

然而，也存在一些挑战，如膜层不均匀性、生长速率非线性、功率、温度等参数的精确控制等方面的问题，这需要制备人员有一定的经验和技术。

PECVD 工艺操作规程(暂行)车间:电池车间编制:审核:审定:批准:时间:2010年7月5日为更好地保证PECVD镀膜的生产正常进行,稳定生产工艺,提高PECVD工序产品质量,进一步保证电池产品性能,特制定本作业指导书,以使操作人员的工艺操作有章可循,规范统一,同时,为新员工的上岗培训提供教材参考。

一、工艺目的二、使用范围三、责任四、设备及工具五、材料与工艺气体六、工艺描述1、工艺原理2、工艺条件3、工艺方案七、工艺准备1、工艺洁净准备2、设备准备3、原材料准备4、工装工具准备八、工艺操作1、工艺循环2、装载3、卸载九、测试膜厚及折射率十、安全、规范操作十一、记录及转交附1 椭偏仪操作规程PECVD工艺操作规程一、工艺目的：在硅片表面沉积一层起减反射和钝化作用的氮化硅膜二、适用范围电池车间PECVD工序OTB设备三、责任本工艺操作规程由工艺工程师负责四、设备及工具OTB设备、石墨舟、高温隔热手套、PVC手套、口罩、镊子、不锈钢桌架、椭偏仪、机械手五、材料与工艺气体湿法刻蚀后合格的多晶硅片、硅烷、氨气\氩气、氮气、压缩空气。

六、工艺描述1、工艺原理6.1工艺原理本工艺过程是利用稳定持续的氩气氛围的直流电弧放电，氩轰击硅烷（SiH4)和氨气（NH3）将其激发为等离子体状态，Si原子与N原子以一定的比例沉积到硅片表面形成一层氮化硅（Si3N4）薄膜，起到减反射和钝化的作用。

反应如下：3SiH4+ 4NH3====Si3N4+12H2↑实际上生成物并不是完全的氮化硅（Si3N4），其中还有一定比例的氢原子（H），所以严格的分子式应为SixNyHz2、工艺条件冷却水压强为0.4-0.6MPa，氮气压强为5-7 bar,压缩空气压强4-6 bar，硅烷压强为40psi，氨气压强为40psi，温度400℃。

PSI表示磅每平方英寸。

七、工艺准备1、工艺洁净管理操作时戴洁净的手套、口罩，并且保证每班清理现场及设备卫生，以保证车间的洁净度。

PE返工片流程
一、返工片分类：膜薄片、膜厚片、彩色片、单面制绒返工片
膜薄返工片：镀膜后膜色显红色
膜厚返工片：膜色发白
单面制绒返工片: 单面白斑、手印、油污片；
二、去膜处理
膜薄、膜厚片：去膜时间为半小时
彩色片：清洗时间为90分钟
单面制绒返工片：去膜时间为半小时，从新制绒扩散后在反面镀膜注意：PE双面制绒返工片是硅片两面都有白斑、手印、油污，此硅片下传。

彩色片、膜薄膜厚、单面制绒返工片分开处理
三、多晶、单晶返工片均由清洗石墨舟设备清洗，清洗返工片如下：单晶或多晶返工片插入花篮中→将花篮倒放入设备槽中→在槽中加入大约100升纯水→加入10瓶氢氟酸→加水直至溶液浸没花篮→半小时后将酸液排入储存槽中→打开喷淋清洗一分钟后将水排掉→加水浸泡10分钟后将水排掉
操作员戴上长塑料保护手套将载有硅片的花篮放入烘干箱中，烘干时间为3分钟，之后将硅片返回制绒。

注意事项
1，规定多晶单晶各4个花篮专洗返工片用
2，操作员拿花篮时一定戴上塑料保护手套。

工艺部：质检部：设备部：。

备注1：片子厚度<180,不得以绒面色斑为原因返工处理。

备注2：用反面扩散后返工的片子在需要二次返工时，不得以反面扩散为返工工艺。

备注3：用反面扩散返工工艺的片子，反面不干净时改用重新制绒返工工艺。

备注4：详细返工工艺流程（表）
→→→→→→→→→→→
备注2：HF百分比是体积比，浓度不要求很精确，20%HF：150L的槽（新厂）可加24L-32L（1箱半~2箱）；50%HF：150L的槽（新厂）可加60L-70L（4箱）。

备注3：重新制绒的时间，重新扩散的时间，重新镀膜的时间根据片子实际情况调整。

备注4：反面指非扩散面或非镀膜面（也可称为背面）；重新酸腐制绒用的槽位只须为原来工艺要求的一半，4，5线用2个槽位，6，7，8，9线用1个槽位即可。