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单晶硅多晶硅的生产工艺以及性质特点培训1. 简介单晶硅和多晶硅是用于制造半导体器件的重要材料。
本文将介绍单晶硅和多晶硅的生产工艺以及它们的性质特点。
2. 单晶硅的生产工艺单晶硅是由纯度极高的硅原料制成的。
下面是单晶硅的生产工艺步骤：2.1 原料准备原料准备阶段是整个生产过程的第一步。
常用的硅源包括硅石、三氯化硅等。
在这个阶段，硅源会经过多次加热、冷却和化学处理，以提高其纯度。
2.2 硅棒生长在硅棒生长阶段，通过将高纯度的硅溶液注入到石英坩埚中，然后慢慢降低温度，硅原料会逐渐结晶并形成硅棒。
这个过程需要精确的温度控制和其他参数调节，以确保硅棒的质量。
2.3 硅棒加工硅棒生长完成后，需要将其进行加工。
这个过程包括将硅棒切割成小块、研磨和抛光。
最终得到的是一系列小块的单晶硅片，它们可以用于制造半导体器件。
3. 多晶硅的生产工艺多晶硅与单晶硅不同，它的结晶结构是无序的。
下面是多晶硅的生产工艺步骤：3.1 原料准备多晶硅的原料准备阶段与单晶硅类似，也需要对硅源进行加热、冷却和化学处理，以提高纯度。
3.2 硅片生长在硅片生长阶段，通过将高纯度的硅原料加热至熔化状态，并引入掺杂物，在特定的温度和压力下，硅原料会结晶并形成多晶硅。
这个过程需要精确的温度和压力控制，以确保多晶硅的质量。
3.3 硅片加工多晶硅生长完成后，需要将其进行加工。
与单晶硅类似，多晶硅需要经过切割、研磨和抛光等步骤，以得到最终的多晶硅片。
4. 单晶硅和多晶硅的性质特点单晶硅和多晶硅在性质特点上有一些区别：4.1 结晶结构单晶硅具有有序的结晶结构，原子排列有规律，这使得单晶硅具有较高的电子迁移率和较低的电阻率。
多晶硅的结晶结构是无序的，原子排列无规律，电子迁移率和电阻率相对较低。
4.2 成本由于生产工艺的复杂性，单晶硅的生产成本相对较高。
多晶硅的生产成本相对较低。
4.3 应用范围单晶硅通常用于制造高性能的半导体器件，如集成电路和太阳能电池等。
多晶硅由于成本较低，通常用于制造一些低成本的半导体器件，如显示器件和光电器件等。
单晶硅多晶硅的生产工艺以及性质特点培训1. 引言单晶硅和多晶硅是半导体行业中常见的材料，它们在太阳能电池、集成电路等领域得到广泛应用。
本文将为您介绍单晶硅和多晶硅的生产工艺以及它们的性质特点。
2. 单晶硅的生产工艺单晶硅是由高纯度硅材料制成的晶体，它具有较高的电子迁移率和较低的杂质浓度，适用于制造高性能的光电器件。
以下是单晶硅的主要生产工艺：2.1. Czochralski法生长单晶硅Czochralski法是目前最常用的单晶硅生长方法之一。
其基本过程如下：1.准备硅原料：将高纯度硅材料溶解在熔融的硅中，制备成硅锭。
2.调节温度和附加剂：控制硅锭的温度和加入适量的掺杂剂，以调节硅材料的电性能。
3.生长晶体：将铜制的拉杆浸入熔融硅中，形成硅锭的结晶核心，通过拉杆的旋转和上拉控制晶体的生长方向、速度和尺寸。
4.切割晶体：待晶体生长到一定程度后，将其从硅锭中切割成片，得到单晶硅片。
2.2. Float-zone法生长单晶硅Float-zone法是另一种单晶硅生长方法，它主要用于生产直径较小的单晶硅。
其生产过程相对复杂，但能够获得较高纯度的单晶硅。
3. 多晶硅的生产工艺多晶硅是由粉末状硅材料制成的，其晶体结构不规则，具有较高的电阻率和较高的杂质浓度。
以下是多晶硅的主要生产工艺：3.1. 气相淀积法制备多晶硅气相淀积法是最常用的多晶硅制备方法之一。
其基本过程如下：1.原料气体制备：将硅材料化为气态，如通过热解硅烷（SiH4）制备硅含氢气体。
2.沉积硅层：将硅含氢气体引入反应室，在衬底上沉积出一层硅薄膜。
3.重复沉积：重复沉积步骤，使硅薄膜逐渐增厚，形成多晶硅。
3.2. 其他多晶硅制备方法除了气相淀积法，还有一些其他的多晶硅制备方法，如溶液法、电化学沉积法等。
这些方法在特定的应用领域有其独特的优势和适用性。
4. 单晶硅和多晶硅的性质特点单晶硅和多晶硅在晶体结构、电子性能和应用方面存在一定的差异。
以下是它们的性质特点：4.1. 晶体结构单晶硅具有有序的晶体结构，晶界较少，晶粒较大。
单晶拉制岗位培训材料一、单晶基础知识1、单晶硅理论基础知识元素符号Si，旧称矽，原子序数14，相对原子质量28.09，有无定形和晶体两种同素异形体。
晶体硅为蓝灰色，无定形硅为黑色，密度2.55g／cm3，熔点1420℃，沸点2355℃，晶体硅属于原子晶体，硬而有光泽，有半导体性质。
硅的化学性质比较活泼，在高温下能与氧气等多种元素化合，不溶于水、硝酸和盐酸，溶于氢氟酸和碱液，用于造制合金如硅铁、硅钢等，单晶硅是一种重要的半导体材料，用于制造大功率晶体管、整流器、太阳能电池等。
硅在自然界分布极广，地壳中约含27.6％，主要以二氧化硅和硅酸盐的形式存在。
1.1固态硅密度2.33g/cm3，液态硅的密度：2.55g/cm3。
1.2位错密度（DISLOCATION DENSITY）≤500个/cm2；氧含量（OXYGEN CONTENT）≤1.0E18cm3；碳含量（CARBON CONTENT）≤5.0E16cm3。
1.3太阳能级单晶硅电阻率范围(RESISTIVITY RANGE): 0.5~2Ω.cm 3~6Ω.cm 0.5~3Ω.cm。
1.4少子寿命（LIFE TIME）≥10μs1.5晶向（ORIENTATION） <100>±1°1.6掺杂方式:P型掺B,N型掺P1.7有则公司单晶硅棒规格为6寸、8寸。
二、单晶拉制工艺总述2.1直拉单晶制造法（Czochralski，CZ法）是把原料多硅晶块放入石英坩埚中，在单晶炉中加热融化，再将一根直径只有12mm的棒状晶种（称籽晶）浸入融液中。
在合适的温度下，融液中的硅原子会顺着晶种的硅原子排列结构在固液交界面上形成规则的结晶，成为单晶体。
把晶种慢慢旋转并向上提升，融液中的硅原子会在前面形成的单晶体上继续结晶，并延续其规则的原子排列结构。
若整个结晶环境稳定，就可以周而复始地形成结晶，最后形成一根圆柱形的原子排列整齐的硅单晶晶体，即硅单晶锭。
员工知识培训1 硅的简介1.1半导体材料材料按其电阻率可分为超导体材料、导体材料、半导体材料和绝缘材料.半导体材料的电阻率一般介于导体和绝缘体之间,数值一般在10-4-108之间.半导体的电阻率有如下特点:(1)杂质对半导体电阻率的影响很显著,微量的杂质就能引起较大的变化.(2)温度能引起电阻率较大的变化,一般金属材料的电阻率随温度的上升而增大.半导体材料种类很多,最常见的是硅、锗、硒、砷化镓等.半导体又分为本征半导体和杂质半导体.1.2硅的物理性质及提炼过程硅,又叫做矽,化学符号Si,熔点1412℃,固体密度(20℃)2.33g/cm3,液体密度(1420℃) 2.5g/cm3.硅原子按照一定的顺序排列就形成单晶硅,而局部有规则排列总体却无规则排列的是多晶硅.单晶硅是金刚石结构,具有很高的硬度,脆性高,经不起冲击.硅是地壳中含量第二的元素,约占地壳的26%.多晶硅按纯度分类可以分为冶金级（工业硅）、太阳能级、电子级：（1）冶金级硅（MG）：是硅的氧化物在电弧炉中被碳还原而成。
一般含Si 为90 - 95% 以上，高达99.8% 以上。
（2）太阳能级硅(SG)：纯度介于冶金级硅与电子级硅之间，至今未有明确界定。
一般认为含Si在99.99 %– 99.9999%（4～6个9）。
（3）电子级硅（EG）：一般要求含Si > 99.9999 %以上，超高纯达到99.9999999%～99.999999999%（9～11个9）。
其导电性介于10-4– 1010欧厘米。
将石英砂用焦碳在碳电极的电弧炉中还原可制取金属硅,其反应式为:SiO2 + 3C = SiC + 2CO2SiC + SiO2 = 3Si + 2CO金属硅的纯度一般小于98%,用西门子法可制得半导体级硅(99.999999999%),用西门子法也能制得99.9999%的太阳能级硅.西门子法制得的硅通过单晶炉提拉成单晶硅.另外还有SiHCl3氢还原法(国内主要用此提炼法)、流化床法提炼硅.太阳能级单晶硅经过切断、切方滚圆、切片、扩散、丝网印刷等工序就可制成电池片,然后进行封装、组件。
目录一半导体概况 (2)1、半导体物理基础知识 (2)1.1导体，绝缘体和半导体 (2)1.2半导体材料的类别 (3)1.3晶体与非晶体 (3)1.4多晶体和单晶体 (4)1.5 N型半导体和P型半导体 (4)1.6多数载流子与少数载流子 (4)1.7杂质补偿 (5)1.8电阻率 (5)1.9结晶 (6)2、硅材料 (7)2.1硅石 (7)2.2硅单晶 (8)3、半导体技术 (12)二车间概况 (18)1、生产流程 (18)2、组织结构 (19)3、岗位职责 (19)三硅料简介 (20)四设备概况 (21)1、TDR-70A/B型单晶炉 (21)2、JRDL-800型单晶炉 (22)五生产工艺 (34)1、作业准备 (34)2、设备装载与清洁 (35)2.1真空过滤器清洗 (35)2.2真空泵油检查更换 (35)2.3石墨件清洗 (35)2.4单晶炉室清洗 (36)2.5石墨件安装 (37)2.6石英坩埚安装 (38)3、拉晶工艺 (38)3.1硅料安装 (38)3.2籽晶安装 (39)3.3抽空检漏 (39)3.4充氩气 (40)3.5升功率 (40)3.6熔料 (40)3.7拉晶步骤 (42)3.8降功率 (47)3.9停炉冷却 (47)3.10热态检漏 (47)3.11取单晶和籽晶 (48)4、设备拆卸与检修 (48)4.1石墨件取出冷却 (48)5、母合金 (49)六设备维护 (50)七其他 (51)1、5S管理 (51)一半导体概况1、半导体物理基础知识1.1导体，绝缘体和半导体自然界的各种物质就其导电性能来说、可以分为导体、绝缘体和半导体三大类。
导体具有良好的导电特性，常温下，其内部存在着大量的自由电子，它们在外电场的作用下做定向运动形成较大的电流。
因而导体的电阻率很小，只有金属一般为导体，如铜、铝、银等，它们的电阻率一般在10–4欧姆·厘米以下。
绝缘体几乎不导电，如橡胶、陶瓷、塑料等。
单晶清洗间工艺培训教程概要1、半导体材料硅的晶体结构 2、单晶制绒原理 3、绒面结构及形貌 4、制绒机各槽的作用 5、清洗各槽的作用 6、常见异常 7、制绒机设备结构介绍一、半导体材料硅的晶体结构 半导体材料硅的晶体结构• • 晶体结构 固体可分为晶体和非晶体两大类。
原子无规则排列所组成的物质为非晶 体。
而晶体则是由原子规则排列所组成的物质。
晶体有确定的熔点，而 非晶体没有确定熔点，加热时在某一温度范围内逐渐软化。
单晶和多晶 在整个晶体内，原子都是周期性的规则排列，称之为单晶。
由许多取向 不同的单晶颗粒杂乱地排列在一起的固体称为多晶。
• •一、半导体材料硅的晶体结构 半导体材料硅的晶体结构• • 硅晶体内的共价键 硅晶体的特点是原子之间靠共有电子对连接在一起。
硅原子的4个价电子和 它相邻的4个原子组成4对共有电子对。
这种共有电子对就称为“共价键”。
如 下图所示。
一、半导体材料硅的晶体结构 半导体材料硅的晶体结构• • 晶面和晶向 晶体中的原子可以看成是分布在一系列平行而等距的平面上，这些平面就 称为晶面。
每个晶面的垂直方向称为晶向。
下图是几种常用到的晶面和晶 向。
ZYX (100晶面 晶面) 晶面(110晶面 晶面) 晶面(111晶面 晶面) 晶面一、半导体材料硅的晶体结构 半导体材料硅的晶体结构• 原子密排面和解理面： • 在晶体的不同面上，原子的疏密程度是不同的，若将原子看成是一些硬的球 体，它们在一个平面上最密集的排列方式如下图所示，按照这样方式排列的 晶面就称为原子密排面。
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一、半导体材料硅的晶体结构 半导体材料硅的晶体结构• 按照硬球模型可以区分在(100)(110)(111)几个晶 面上原子排列的情况，如下图所示。
(a)由于(111)密排面本身结合牢固而相互间结合脆弱，在外力作用下，晶体很容易沿着 (111)晶面劈裂，晶体中这种易劈裂的晶面称为晶体的解理面。
(b)由于(111)密排面结合牢固，化学腐蚀就比较困难和缓慢，而(100)面原子排列密度 比(111)面低。
新员工岗前培训一、产品介绍1.半导体：导电能力介于金属导体和绝缘体之间的一大类固体材料，称半导体，其电阻率范围：10-3—1012欧姆厘米之间。
2.硅：位于化学元素周期表中第ⅣA族，第3 周期的元素，原子量为28，其外层电子排布：1）密度：固体密度2.33g/cm3，液体密度2.33g/cm32）熔点：1420℃，结晶点：1412℃。
3）性质：在常温下不溶于单一的强酸，易溶于强碱。
常温下除了与氟元素发生化学反应外不与其他任何元素发生化学反应。
室温氧化膜，阻止了硅于其他物质下，表面在空气中形成一层Si02发生反应，正是由于这一点，硅才被称作最好的半导体材料。
3.单晶/多晶1）单晶：在生长的过程中原子按照一定的规律，沿着一定的方向，具有周期性的重复排列的晶体。
2）特点：有一定的熔沸点，原子排列长程有序，具有一定的规律性，有规则的几何外形，又具有一定的对称性。
3）多晶：晶体中出现多个取向不同的但晶体，称为多晶。
4.产品介绍：单晶硅棒（锭），单晶硅片，太阳能电池片1）单晶硅棒各种指标：a）晶向：<100> <110> <111>b）型号：P型（掺杂剂为第ⅢA族元素，例如：硼）N型（掺杂剂为第ⅤA族元素，例如：磷、砷、锑等）C）电阻率：描述半导体导电能力的变量D）少数载流子寿命：描述半导体非平衡载流子复合快慢的物理参量E）位错密度F）氧含量：≤1.0×1018atom/cm3G）碳含量：≤5.0×1016atom/cm32）单晶硅片各种指标：A）直径B）边长C）厚度D）TTV：硅片上面最薄和最厚地方的厚度差E）翘曲度：硅片弯曲的程度F）外观（崩边、缺角、表面线痕等）G）穿孔3）太阳能电池片二、生产工艺介绍1、生产流程图（如图1所示）2、原料说明硅原料从性质来分大致可分多晶料、复拉料、硅片料●①多晶料：多晶料目前可以分为碳头多晶、浇铸多晶和区熔多晶。
●②复拉料：复拉料主要包括头尾料、边皮料、硅棒料、埚底料。
直拉单晶工培训简明教程第一节设备认知一、晶体生长的要求1.必须保持多晶原料、生产设备、生产环境的高纯卫生；2.晶体生长是在高温下进行，为避免硅的氧化，必须在真空系统和保护气体（氩）下进行；3.拉晶过程中必须保持速度和温度的稳定；二、直拉单晶炉的组成根据晶体生长的要求，直拉单晶炉主要包括炉体、电气部分、热系统、水冷系统、真空系统、氩气供给装置六部分组成；1.炉体包括提拉头、副炉室（上炉室）、主炉室、底座等部分；2.电气部分包括速度部分、加热部分、真空系统控制、氩气控制、炉筒升降控制等组成；2.1速度部分包括上轴上下速度（SL）、上轴转速(SR)、下轴上下速度(CL)、下轴转速(CR)四个部分；2.2正常拉晶时各速度的要求：SL：方向、大小控制可由触摸屏或引晶小盒控制，两者可以相互转换，注意：在操作人员不在炉前时必须关闭引晶小盒的电源以避免事故的发生！正常拉晶时SL数值大概在1.2—0.6mm/min左右范围内变化；CL：方向、大小控制由触摸屏控制，正常拉晶时其大小随所SL的变化而按比例变化；CL/SL俗称埚跟比；埚跟比随所拉制晶体的大小而变化；在实际拉晶过程中要及时的验证埚跟比以确定其正确性、所拉晶体直径的准确性；SR：俗称晶转，方向及大小由触摸屏面板控制；正常拉晶时SR为10—13r/min;顺时针转动；CR:俗称埚转，方向及大小由触摸屏控制，正常拉晶时CR 为8r/min；在引晶、化料时可调整其快慢以尽快将温度调整到合适值；要求：1.在两个工作日内必须熟练掌握四个速度的控制；2.会演算拉制6吋（155mm）、8吋晶体所要求的埚跟比各是多少？3.在3个工作日内必须掌握加热部分、真空系统控制、氩气控制、炉筒升降控制等的操作；3、热系统热系统由石墨加热器、保温系统、支持系统、托杆、托碗、导流筒等组成；第二节拉晶过程装料1．装料前的准备.(1)确认已完成设备点检项目.(2)检查取光孔是否对好.(3)准备好一次性手套、线手套、剪刀、口罩、高纯车等辅助用品.(4)从物料柜取出多晶原料与料单放在装料小车的一层,检查是否错误.(5)带上一次性手套(分析纯对手有伤害),用擦炉纸沾上酒精将高纯装料车擦干净.(6)将埚位升至上限位.2. 检查、装石英坩埚.(1)打开坩埚纸箱包装,带上一次性手套,将坩埚与塑料包装一起放在高纯车上.(2)打开塑料包装,更换一次性手套,将坩埚对着光源进行检查,看是否可以使用.注意:有以下特征之一者,不能使用.①磕碰损伤(位于坩埚上沿的微小碰伤除外).②裂纹.③严重划痕.④直径≥3㎜的气泡和黑点,数量≥1个.(注气泡:夹在坩埚壁内的空洞.黑点:有色杂质点.)⑤直径＜3㎜的气泡和黑点,数量≥5个.⑥直径＜3㎜的气泡和黑点,合计数量≥5个.(3)检查确定能够使用后,将坩埚装入三瓣埚中,要装水平.(20″埚比较重,装时可以两人)(4)如若发现坩埚异常时及时与班长联系.3. 取料3.1多晶原料的取放必须轻拿轻放，严禁野蛮装卸造成包装袋的破损；3.2生产操作员工打开多晶包装袋时必须遵守以下规定：①在装料小车一层上剪开多晶的外包装（不带高纯手套）；但不允许接触到第二层包装袋②带高纯手套取出多晶原料的二次包装袋并在高纯装料小车上层剪开（进行此项操作时不允许其接触到多晶袋的一次外包装）；③装多晶料必须带二层手套：尼龙手套和塑料高纯手套；④穿上装料衣服,带好口罩、手套以后,剪开料袋进行装料.1、将坩埚升到上限位；检查石英坩埚质量的好坏；将石英坩埚放入石墨埚内；①坩埚底部选择小块的料(直径≤20㎜)铺放,应尽量铺满坩埚底部.②坩埚中下部选择较小块的料(直径≤40㎜)装入,多晶料可以装的紧凑并且贴近埚壁,但应该是自然堆砌,而不是硬挤.③坩埚中部选择大块料(直径≥70㎜)紧靠埚边装,并且保证对称装入.埚中央可以装入中度、较小、小块的料.④坩埚上部选择中度、较小的料块,除最上一层外,仍可以紧靠埚边装.装最后一层时,可以有意识的选择一些料,让料突出埚沿10-20㎜,但不能搭在埚沿上.应注意以下几点:ⅰ减少料块与埚边的接触面积,以防止挂边.ⅱ在料块互相之间的相对位置方面,要估计在料块跨塌时,是否架桥,然后做出相应的调整.(4)装料过程中应注意的问题:①装料过程中必须保证料块轻轻的与坩埚接触,避免任何的磕碰.②装料过程中严禁多晶原料与料袋外表面直接或间接的接触.③装料过程中发现一次性手套破了,要及时更换.④不论是上、中、下哪个部位,料块尖锐部位不能直接对着坩埚壁.⑤注意装料过程中防止把料撒进炉膛内.⑥如有掺杂,应将掺杂装在石英坩埚的中部.避免提渣时将掺杂提出；⑦若遇原料直径较小（＜1mm），装料时不可求多将石英埚装的过满，而应使石英坩埚的边沿距埚口保持20mm的距离；以避免加热时使多晶原料膨胀而溢出石英埚造成事故；4. 装完料将坩埚降至熔料埚位.(18″系统埚位-115,20″系统埚位-103)5. 坩埚降到指定位置后,脱去装料衣服,带上一次性手套将大盖和导流筒装入炉内.6. 更换一次性手套,检查导流筒与多晶料之间的距离,能否允许坩埚转动.7. 检查无误后,带上一次性手套,用酒精擦净炉盖、副室、炉盖与炉筒的密封面、副室与炉盖的密封面及插板阀,然后合上炉盖,关闭插板阀.8. 降下重锤,检查籽晶是否可以活动,钢丝绳是否有毛刺或是缠松,钢丝绳夹头内的钢丝绳是否有毛刺或是缠松,如有毛刺或是缠松要及时向上返或者进行更换.9. 检查无误后,合上副室,打开插板阀.10. 更改计算机中的参数.(1)更改初始装料量(㎏)的参数为本次的实际投料量.操作步骤:在操作界面上点工艺参数,出现初始化界面,把初始装料量(㎏)该为本次的实际投料量.(2)更改坩埚跟踪/投料重量为实际投料重量.操作步骤:在操作界面点坩埚跟踪,出现坩埚跟踪控制环界面,更改投料重量为当前坩埚内的实际投料重量.如果进行了步骤(1)后,采用自动抽真空工艺,此处的投料重量会自动修改和初始化投料重量一致.注意:此参数十分重要,如果设定值和实际值不符,将导致等径时计算机计算的埚跟与实际埚跟不一致.值得注意的是在拉晶时提出一段棒子时,如果用自动隔离程序,则计算机自动计算,不需要手动修改;如用手动隔离,则计算机坩埚内剩料重量,需要手动修改.11.查看计算机内每一步骤的工艺参数是否设置正确.注意:养成每选择自动步骤之前先查看工艺参数是否设置正确的习惯!尤其是涉及到坩埚位置的参数,一定要确定其准确无误.抽空1.检查主真空泵的油位和皮带,一切正常后启动.2.启动主真空泵时,需点动开关两、三次后,在开泵.等待主泵转速均匀后,打开节流阀,待节流阀全开后,打开球阀.不经点动直接开泵会影响泵的寿命.3.进行抽空/检漏步骤操作步骤:在操作界面点工艺选择,出现自动工艺(返回)界面,在此界面下点抽真空即可.当抽真空步骤完成之后系统将自动进入检漏步骤.两分三十秒会显示泄露率.注意:上述从抽真空完成直接进入检漏是在程序控制里面设置好的.在系统维护界面下的工艺自动步骤里的自动进入检漏工艺前打√.如果没有设置,即没有选择,则抽真空完成之后电脑将会提示我们抽真空完成,这时需要我们在工艺选择界面中,手动切入检漏步骤.其他自动步骤都是如此.4.若泄露过大,可用手动充几次氩气后在进入工艺选择界面选择检漏,进行自动检漏.5.抽空注意的问题:(1)要检查球阀是否全开.电磁阀是否吸合.(2)根据炉内所装料的情况选择是自动抽空还是手动抽空.(沫子料一定要采用手动抽空,因为自动抽空氩气流量太大,避免料被氩气吹入炉膛.)熔料1.检漏合格后,就可以在操作界面上点工艺选择,出现自动工艺(返回)界面,在此界面下点压力化,此时系统压力控制环将进入闭环,电脑会把炉内压力控制在我们设定的压力数值上.压力化完成以后,点工艺选择,出现自动工艺(返回)界面,点熔料后,手动打开加热器开关,电脑将进行自动熔料.2.熔料过程中的注意事项:(1)由于每次熔料情况都不相同,使得埚位参数不好设置,只能采用手动升埚位.(2)一旦跨料之后,应该马上将坩埚升上来.以后随着料的逐渐跨下,应逐渐升高埚位.如果不及时将坩埚升上来,料块主体部分处于低温区,会增加化料时间,也增加了坩埚与硅液的反应时间,不利于坩埚的保护.而且,坩埚长期处于低温区,增加了漏硅的机率.上升的时候要注意,要在料与导流通之间留够安全距离.(3)整个熔料过程,都要有防范漏料的意识.因此,熔料过程中操作人员不能长时间离开炉台,要随时观察炉内情况,及时处理好挂边、搭桥、漏硅以及其他事故.为了防范漏料,在平时就应该积累以下经验:高温多少时间会第一次跨料,这时的液面高度在什么位置.判断漏料的迹象,除了出现熔料时间、溶液的高度位置外,还可以从加热电流是否稳定,波纹管的温度是否升高来判断.因为漏料回造成短路打火.3.熔料过程中出现挂边的处理(1)应该在干果中心的料没有化完之前,就将挂边处理掉.因此,当料全部跨下时,就要观察有无挂边的可能.如果有应将过为降到较低的位置,使挂边处于高温区进行烘烤.(2)如果所有料都化完了,仍有较大块的挂边,这时即使有跳料的危险,也要把埚位降到最低,升高功率,将挂边烤掉.这是一般情况的处理办法,具体情况,需现场分析,自己应变处理.4.如果在料快化完时,发现液面上有渣子时,应及时将功率,降籽晶进行提渣.提渣过程中遇到的问题与解决办法由于目前原料清洗时存在的一些问题，我们在拉晶过程中不可避免的存在提渣现象；提渣效果的好坏直接影响着拉晶的正常与否；为此我们一定要重视提渣这个步骤；1、籽晶与渣盖接触点粘接不牢，在提离液面时导致渣盖掉下，溅起的熔硅损坏其他热场器件；要使用细籽晶提渣并保证籽晶与杂质块接触部位的充分熔接；2、提渣不及时，或掌握的时间不准确，导致提渣不彻底；提渣的最佳时机是在固态硅即将熔完的那一刻（剩余一小块）将其提出；这时候的杂质基本上全部粘在此小块上；粘接时要保证粘接良好避免提出时掉下；3、分不清原料该不该提渣而乱提渣；西安隆基硅技术清洗的原料原则上都要提渣；进口免洗包装的原料视情况可以不提；4、另外我们一定要注意装料时要保证炉台的高纯卫生，按照要求穿高纯装料服装；并装料时严密注意一次性手套的破损情况，若有损坏应及时更换以避免将坏的塑料手套掉入原料中造成污染；引晶、放大、转肩：引晶的目的：等径：目的:为按照合同要求控制单晶硅棒的直径,使电脑系统通过直径控制模拟信号和热场模拟信号来自动调整拉速和热场温度以保持晶体直径.操作步骤:1.投等径进入转肩后观察晶体周边光圈的状态,待光圈由不规则,暗淡.渐变为又圆又亮,光圈变的浑厚,此时晶体棱线出现一定的抹度,棱线由2个点汇聚为1个点.说明转肩成功.(此时等径控制里的直径控制信号数值的波动范围较小.)在工艺选择里选择等径.2.压聂耳跟光圈投等径后压好聂耳跟光圈,一般为聂耳跟光圈与晶体光圈(由内向外)相交的2/3处.然后在等径控制界面里选择ON键.即可打开闭环,使电脑开始自动调整拉速.注意:此时的直径信号应在450--550左右,在系统维护界面里选择模拟量,查看红外直径信号的显示应在2.500左右,偏差太大应进行调整.此信号是评定电脑反映速度的标准,2.500是较适中的参数.是保证单晶硅棒的重要依据.3.投生长控制闭环进入等径后,按照我们下载的工艺参数里,等径选项有个生长控制1打开长度.在晶体生长长度达到这一设定值后,生长控制会自动打开闭环.此功能为根据设定拉速,调整液面温度,以期在设定拉速左右调整温度.保证晶体直径.4.确保等直径生长每20分钟对等径的晶体进行直径测量、并作好相关记录。
单晶操作工培训计划一、培训目的1.了解单晶的工作原理，学习单晶的操作流程和操作规范。
2.掌握单晶操作过程中的常见问题及解决方法。
3.提高员工的技术水平和工作效率，提升产品质量和生产效率。
4.增强员工的工作责任心和团队合作意识，促进企业发展和员工个人职业发展。
二、培训对象1. 公司新入职的单晶操作工。
2. 已有操作经验但需要进一步提高技术的单晶操作工。
三、培训内容和安排1. 单晶操作工基础知识培训- 单晶的定义和工作原理- 单晶的种类和用途- 单晶操作工的职责和工作流程- 单晶操作的安全注意事项和环保要求（时间安排：1天）2. 单晶操作流程培训- 单晶的切割技术和工艺流程- 单晶的清洗和质检流程- 单晶的包装和存储要求（时间安排：2天）3. 单晶操作技术培训- 单晶的设备操作技术- 单晶的机器维护和保养- 单晶操作中常见问题及解决方法（时间安排：2天）4. 单晶操作实操培训- 自主操作实操练习- 操作技术辅导和指导- 设备运行和操作实操考核（时间安排：2天）四、培训方法1. 理论教育采用讲授与互动结合的方式，让学员全面了解单晶的工作原理、操作流程和操作规范。
2. 实操练习采用模拟操作和真实设备操作相结合的方式，让学员掌握单晶的操作技术和应急处理能力。
3. 案例分析以往工作中出现的问题或难题作为案例，引导学员分析思考，增强解决问题的能力。
4. 考核评估通过笔试、实操考核和讨论小组的形式，对学员进行综合评估，检验培训效果。
五、培训师资1. 公司技术主管或工艺师担任主讲人，具有丰富的单晶生产和操作经验。
2. 亦可邀请业内资深专家作为客座讲师，为学员带来更专业的知识和经验分享。
六、培训评估1. 培训结束后，进行学员满意度调查，收集学员对培训内容、讲师水平、培训效果的评价和建议。
2. 对培训效果进行跟踪评估，了解学员在实际工作中应用培训知识的情况，及时总结经验和改进不足。
七、培训效果1. 提高员工的专业技能和工作素质，增强员工的责任感和归属感。
单晶硅工艺学习计划一、学习目的单晶硅工艺是半导体制造领域的核心技术之一，对于理解半导体制造工艺以及提高自身综合素质具有重要意义。
因此，我决定进行单晶硅工艺学习，以提高自己在半导体制造领域的技术水平和综合素质。
二、学习内容1. 基础知识单晶硅工艺制备的基本原理和工艺流程，包括单晶硅的制备方法、晶体生长原理、晶体生长设备等；2. 设备介绍单晶硅工艺中所使用的设备及其原理，包括Czochralski法生长炉、Float Zone法设备等；3. 工艺流程单晶硅从原料净化、晶体拉制、切割、抛光、清洗等流程的详细介绍；4. 质量控制单晶硅质量控制的关键技术和方法，如控制晶体缺陷、杂质控制等；5. 工艺改进单晶硅工艺中的优化和改进方法，如提高生长速率、减少晶体缺陷等。
三、学习计划1. 第一阶段：基础知识学习第一阶段主要学习单晶硅制备的基本原理和工艺流程。
计划通过阅读相关书籍、资料，了解单晶硅的制备方法、晶体生长原理等，为后续学习打下基础。
预计耗时1个月。
2. 第二阶段：设备介绍第二阶段主要学习单晶硅工艺中所使用的设备及其原理。
计划通过查阅相关资料，了解Czochralski法生长炉、Float Zone法设备等的工作原理、性能特点等。
预计耗时1个月。
3. 第三阶段：工艺流程学习第三阶段主要学习单晶硅工艺中的详细流程，包括原料净化、晶体拉制、切割、抛光、清洗等。
计划通过学习相关资料和实际操作，了解每个工艺环节的具体要求和操作方法。
预计耗时2个月。
4. 第四阶段：质量控制学习第四阶段主要学习单晶硅质量控制的关键技术和方法。
计划通过学习相关资料和参与实际项目，了解控制晶体缺陷、杂质控制等的具体方法和手段。
预计耗时2个月。
5. 第五阶段：工艺改进学习第五阶段主要学习单晶硅工艺中的优化和改进方法。
计划通过阅读相关资料和参与项目实践，了解提高生长速率、减少晶体缺陷等的具体技术和流程。
预计耗时1个月。
四、学习方法1. 自主学习通过阅读相关书籍、资料，了解单晶硅工艺的基本知识和具体流程；2. 实践操作参与实际项目，亲自操作设备和工艺流程，了解实际操作流程和技术要求；3. 参与讨论参加相关学术沙龙、讨论会，与行业专家和同行交流经验，深入了解行业发展动态和前沿技术。
