模拟电路部分习题答案.pptx
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项目一习题参考答案1. PN结正向偏置时是指P区接电源的正极,N区接电源的负极。
2. 在常温下,硅二极管的死区电压约为0.5V,导通后正向压降约为0.6~0.8V ;锗二极管的死区电压约为0.1V,导通后正向压降约为0.2~0.3V。
3. 三极管按结构分为NPN型和PNP型;按材料分为硅管和锗管。
三极管是电流控制型器件,控制能力的大小可用 表示,它要实现信号放大作用,需发射结正偏,集电结反偏。
4. 场效应管是电压控制型器件,控制能力的大小可用g m表示,它的主要特点是输入电阻很大。
5. 能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端?为什么?解:不能,因为二极管正向电阻很小,若将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端会使得电路中的电流很大,相当于干电池正、负极短路。
6. 分析图1.52所示电路中各二极管是导通还是截止,并求出A、B两端的电压U AB(设VD为理想二极管,即二极管导通时其两端电压为零,反向截止时电流为零)。
图1.52 题6图解:(a)VD导通,U AB=-6V。
(b)VD截止,U AB=-12 V。
(c)VD1导通,VD2截止,U AB=0 V。
(d)VD1截止,VD2导通,U AB=-15 V。
7. 在图1.53所示电路中,设VD为理想二极管,u i =6sinω t (V),试画出u O的波形。
图1.53 题7图解:(a)(b)8. 电路如图1.54所示,已知u i=5sinΩ t(V),二极管导通电压为0.7V。
试画出u i与的波形。
解:u i>3.7V时,VD1导通,VD2截止,u o=3.7V;3.7V>u i>-4.4V时,VD1截止,VD2截止,u o= u i;u i<-4.4V时,VD1截止,VD导通,u o=-4.4 V。
9. 测得电路中几个三极管的各极对地电压如图1.55所示,试判别各三极管的工作状态。
图1.54 题8图图1.55 题9图解:(a)三极管已损坏,发射结开路(b)放大状态(c)饱和状态(d)三极管已损坏,发射结开路10. 测得放大电路中六只晶体管的电位如图1.56所示。
《模拟电子电路》练习册(答案)第一讲练习题填空1.半导体中的载流子有两种导电运动,一种称为(扩散)运动,另一种称为(漂移)运动。
2.半导体中有两种载流子:一种是(自由电子)、另一种是(空穴)。
3.半导体中的扩散运动是由于载流子(浓度的不均匀)而引起的。
4.半导体中的漂移运动是由于载流子(在电场的作用下)而引起的。
5.本征半导体中载流子的数目比杂质半导体中载流子的数目(少)。
6.在本征半导体中加入五价元素后,将形成(N )型半导体。
7.在本征半导体中加入三价元素后, 将形成(P )型半导体。
8.N型半导体中空穴是(少数)载流子。
9.P型半导体中空穴是(多数)载流子。
10.P型半导体中自由电子是(少数)载流子。
11.N型半导体中自由电子是( 多数)载流子。
12.PN结中的电流当温度升高时将会(增加)。
13.二极管的主要特性是它的(单向导电性)。
14.二极管的正向电阻比反向电阻(小)得多。
15.二极管的伏安特性是I = Is(e x p V / Vt —1 )。
16.硅管的门限电压约为( 0.6 ) V 。
17.锗管的门限电压约为( 0.2 ) V 。
18.稳压二极管稳压时应工作于( 反向击穿区) 。
选择 ( 黑体字为答案 )21. N型半导体或P型半导体都属于(杂质半导体)。
22.半导体中的扩散运动是由于(载流子浓度的不均匀)而形成。
23.二极管的反向电阻比正向电阻( 大) 得多。
24. PN结中载流子的漂移运动是由于(电场的作用)而产生的。
25. MOS场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻( 大得多)。
26. PN结在外加反方向电压的作用下,耗尽层(变宽),流过PN结的电流(很小)。
27. P型半导体中空穴是(多数载流子)。
28. N型半导体中自由电子是(多数载流子)。
29.在本征半导体中掺入少量三价铟元素,将产生(空穴),形成(P ) 型半导体。
30.P型半导体中空穴是(多数载流子)。
31.PN结中载流电子的扩散运动和漂移运动( 相同) 。
模拟电路(童诗白第四版)习题解答(总135页)--本页仅作为文档封面,使用时请直接删除即可----内页可以根据需求调整合适字体及大小--模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥1263第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。
( × )(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。
( × )(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其R大的特点。
( √ )GSU大于零,则其输入电阻会明显变小。
(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS( × )二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。
4A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
模拟电路课后习题答案◆◆习题3-2 若某一放大电路的电压放大倍数为100倍,则其对数电压增益是多少分贝?另一放大电路的对数电压增益为80dB ,则其电压放大倍数是多少?解:解:如如100||=uA ,则40||lg 20=u A ;如80||lg 20=u A ,则10000||=u A 。
本题的意图是了解电压放大倍数与对数电压增益之间的关系。
◆◆习题4-2 在图P4-1所示的电路中:①三极管的最大功耗等于多少?②流过三极管的最大集电极电流等于多少?③三极管集电极和发射极之间承受的最大电压等于多少?④为了在负载上得到最大输出功率P om ,输入端应加上的正弦电压有效值大约等于多少?解:解:①①WW P Pom CM45.025.22.02.0=⨯=>②AA R V I LCC CM 75.086==>③VV V UCC CEOBR 12622)(=⨯=>④因为互补对称电路中无论哪个三极管导电,电路均工作在射极跟随器状态,1≈uA ,而略小于1,故V V V U U CCcemi 24.42622≈=≈≈。
本题的意图是了解OCL 互补对称电路中功率三极管极限参数的估算方法。
◆◆习题4-3 在图P4-3所示互补对称电路中,已知V CC 为6V ,R L 为8Ω,假设三极管的饱和管压降U CES =1V ,①估算电路的最大输出功率P om ;②估算电路中直流电源消耗的功率P V 和效率η。
将本题的估算结果与习题4-1进行比较。
解:解:①①WW R U VP Lcem CCom 25.082)13(2)2(22=⨯-=-=如忽略U CES ,则WW R V P LCC om 5625.0886822=⨯=≈② W W R VP L CCV 716.0826222≈⨯=≈ππ %92.34716.025.0≈==Vom P P η如忽略U CES ,则%56.78716.05625.0≈==Vom P P η可见,在同样的VCC 和RL 之下,OCL 电路的Pom 比OTL 电路大得多(大约为4倍)。