格林函数与输运
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多体量子力学中的格林函数方法多体量子力学是研究多粒子体系中粒子之间相互作用的力学理论。
在这个理论框架下,我们需要处理多个粒子的波函数,同时考虑它们之间的相互作用。
为了解决这个问题,物理学家们提出了多种方法,其中一种重要的方法就是格林函数方法。
格林函数方法最早由德国物理学家赫尔曼·哈库斯(Hermann Hankel)于1859年提出,后来由多位物理学家进一步发展和推广。
格林函数可以用来描述量子态的演化和性质,是求解多体问题的有力工具。
在多体量子力学中,格林函数是描述粒子行为的函数。
它可以用来计算不同时间和位置下粒子的性质,比如粒子的动量、位置和电荷等。
格林函数的形式由一般的波函数演化方程决定。
它可以被分为两个部分:单粒子格林函数和相互作用格林函数。
单粒子格林函数描述了一个单粒子在外势场下的行为。
它可以被定义为粒子在某个时刻从一个位置传播到另一个位置的概率幅。
通过计算单粒子格林函数,可以得到粒子的一些重要性质,比如能谱和态密度等。
相互作用格林函数描述了多个粒子之间的相互作用。
在多体问题中,粒子之间的相互作用是一个非常重要的因素。
通过计算相互作用格林函数,可以探究粒子之间的相互作用强度和方式。
相互作用格林函数的求解可以通过一系列的近似方法,比如平均场理论、扰动方法和重整化群等。
格林函数方法在各个领域都有广泛的应用。
在凝聚态物理中,格林函数方法可以用来研究电子系统和其他凝聚态物理体系的性质。
通过计算格林函数,可以得到电子的输运性质、激发态和自能等重要信息。
格林函数方法在量子化学、固体物理、统计物理和粒子物理等领域也都有着重要的应用。
虽然求解格林函数的问题是一个复杂的任务,但是近年来,在计算机科学和数值方法的发展下,越来越多的精确和高效的方法被提出。
比如,基于数值求解的格林函数方法、基于图像处理的格林函数方法、基于机器学习的格林函数方法等。
这些方法为求解多体问题提供了新的思路和工具。
总结起来,格林函数方法是解决多体量子力学问题的一种重要方法。
第十四章 格林函数--偏微分方程解的积分表示解偏微分方程主要有两种方法:A: 数理方法中的分离变量法:正交的多项式或无穷级数解,但需要齐次边界条件。
B: 理论物理中的Green 函数方法:既是简单的有理形式解,又允许任意的边界条件! 1,Green 函数(GF )的意义:物理上:点源产生的场(函数)在时空中的分布。
特别是它在空间是源函数;在时空是传播函数。
(See below)数学上: 具有点源的偏微分方程在齐次边界条件或者无界区域、初值条件下的解。
2,GF 的分类:边界值GF :(,')G r r 即源函数;初始值GF :(,;',')G r t r t 即传播函数。
3,Green 函数的性质:1)对称性:(,')(',)G r r G r r =,它与定解问题相关,即与厄米性相关。
(See 4 below)2)时间传播函数没有对称性:(,;',')(',';,)G r t r t G r t r t ≠.(因果律引起) 3)存在的必要条件:设方程2()(,')(')G r r r r λδ∇+=--,若λ是对应齐次方程的本征值,即2ϕλϕ∇=- 和附加齐次边界条件,则(,')G r r 不存在。
这是因为既有点源:(')r r δ-矛盾于又无流:|0.n G ∂∑∂= 本征值问题存在,但是没有激发,物理上自相矛盾!平面波(),ik xat Ae 球面波1()ik xat Ar e -和柱面波1/2()ik at A e ρρ-均是LaplaceEquation 的解,但不是Possion Equation 的解。
球、柱面波分别来自于1x时(散射问题)渐近行为:(1,2)[(1/2)/2](1,2)[(1)/2]21(),().i x m i x l ml xxH x e h x e πππ±-+±-+4,Green 函数的边值条件:选取边值条件具有人为性,但要求简单并保证算子的厄米性。
非平衡格林函数方法
非平衡格林函数方法是一种量子力学计算方法,用于研究非平衡态下的电子结构和输运性质。
它通过求解非平衡格林函数来描述系统的电子态和输运性质。
非平衡格林函数是描述非平衡态下的电子密度矩阵和电子自能的重要工具。
在非平衡态下,电子系统中存在着电子的注入和抽出,因此电子系统的密度矩阵和自能不再是平衡态下的对角化态。
非平衡格林函数方法通过求解非平衡态下的格林函数,可以得到体系的电子密度矩阵和自能,从而研究体系的输运性质。
非平衡格林函数方法可以用于研究各种体系的输运性质,如半导体器件、分子器件、纳米结构等。
该方法的优点在于可以考虑电子-电子相互作用和电子-声子相互作用等非平衡效应,可以得到更为准确的结果。
非平衡格林函数方法的实现需要使用一系列数学工具,如Keldysh路径积分、费曼图等。
这些工具的使用使得非平衡格林函数方法的计算复杂度较高,但是在研究非平衡态下的电子输运性质时,该方法是一种非常有效的计算工具。
总之,非平衡格林函数方法是一种重要的量子力学计算方法,可以用
于研究非平衡态下的电子结构和输运性质。
在未来的研究中,非平衡格林函数方法将继续发挥重要作用,推动纳米电子学、分子电子学等领域的发展。
一般地,点源作用产生的场就是格林函数。
在地震学中,格林函数是单位集中脉冲力产生的场,可以是位移,速度或加速度等,一般指位移场。
集中意味着力只作用于空间中一点,脉冲指力只作用于时间中某一时刻。
在地震学中,应特别注意:1) 集中脉冲型单力产生的位移场是格林函数;2) 一对单力组成的力偶产生的位移场是格林函数空间导数;3) 断层剪切位错所产生的位移场,等效于双力偶所产生的位移场,也等效于单力+单力偶所产生的位移场。
(见《定量地震学》等效体力章节,即3.2节)。
注:单力偶就是一般意义上的力偶,代表一对单力组成的力偶;双力偶是指两个单力偶的组合。
1 什么是格林函数对线性算子 L ,在点源 \delta 作用下的输出(或响应)就是格林函数G,即: LG=\delta 。
不同线性算子对应不同物理问题,也就对应不同性质的方程,如拉普拉斯方程,泊松方程,亥姆霍兹方程,波动方程等,这些方程都对应着各自不同的格林函数(见第二部分Wikipedia汇总)。
如,对声波波动问题,线性算子为 L=\frac{\partial^2}{\partial t^2}-c^2 \nabla^2 .格林函数妙处在于若已知格林函数与源分布(包括时间上与空间上),则可通过格林函数与源的卷积求得在此源作用下系统的输出(或响应)。
郭敦仁先生曾讲:“从物理上看,一个数理方程表示一种特定的场和产生这种场的源之间的关系(如热传导方程表示温度场和热源的关系),而格林函数则代表了一个点源所产生的场。
知道了一个点源的场,就可以用叠加的方法算出任意源的场。
”推导:已知: L\varphi=Q ,其中 L 是线性算子,Q 为源分布, \varphi 为待求输出。
利用卷积的性质,可得: \varphi=\varphi *\delta=\varphi * (LG)=(L\varphi) * G=Q*G .(注:卷积的实质就是把所有源的作用都通过积分叠加起来)因此,问题的关键就是求格林函数。
非平衡格林函数非平衡格林函数(Non-equilibriumGreen'sfunctions,NEGF)是描述非平衡态下系统行为的重要工具。
它是格林函数的一种推广,广泛应用于凝聚态物理、纳米电子学、光电子学等领域。
本文将从NEGF 的基本概念、历史发展、理论框架、应用研究等方面进行介绍和分析。
一、基本概念NEGF是一种描述量子系统非平衡态下的行为的理论工具。
它是格林函数理论的一种推广,用于描述系统中的电荷、能量、自旋等自由度在时间和空间上的演化。
NEGF理论可以用来计算非平衡态下的输运性质,如电导率、热导率等,也可以用于描述非平衡态下的光学性质,如吸收谱、发射谱等。
NEGF理论的核心是非平衡态下的格林函数。
格林函数是描述量子系统中的相互作用效应的数学工具,它反映了系统中某个自由度的激发情况对其他自由度的影响。
在平衡态下,格林函数可以用来描述系统的激发态密度、热力学性质等。
在非平衡态下,格林函数则可以用来描述系统中的输运性质。
二、历史发展NEGF理论的历史可以追溯到20世纪50年代。
当时,人们开始研究电子在晶体中的输运性质,发现传统的电子输运理论无法解释一些实验现象,如局域化、能级移动等。
为了解决这些问题,人们开始研究非平衡态下的电子输运理论。
1960年代初,Kadanoff和Baym等人提出了非平衡态下的格林函数理论,为后来的NEGF理论的发展奠定了基础。
NEGF理论在20世纪80年代得到了快速发展。
当时,人们开始研究纳米电子学、光电子学等领域,需要描述非平衡态下的输运性质。
NEGF理论的优越性质得到了广泛认可,并被应用于多个领域。
目前,NEGF理论已经成为描述非平衡态下的量子系统行为的重要工具。
三、理论框架NEGF理论的核心是非平衡态下的格林函数。
在NEGF理论中,系统的哈密顿量可以表示为H=H0+V其中H0是自由哈密顿量,V是相互作用哈密顿量。
系统的演化可以用密度矩阵来描述。
在NEGF理论中,密度矩阵可以表示为ρ(t)=ρ0+δρ(t)其中ρ0是平衡态下的密度矩阵,δρ(t)是非平衡态下的扰动。
§2.4 格林函数法 解的积分公式在第七章至第十一章中主要介绍用分离变数法求解各类定解问题,本章将介绍另一种常用的方法——格林函数方法。
格林函数,又称点源影响函数,是数学物理中的一个重要概念。
格林函数代表一个点源在一定的边界条件和(或)初始条件下所产生的场。
知道了点源的场,就可以用迭加的方法计算出任意源所产生的场。
一、 泊松方程的格林函数法为了得到以格林函数表示的泊松方程解的积分表示式,需要用到格林公式,为此,我们首先介绍格林公式。
设u (r )和v (r )在区域 T 及其边界 ∑ 上具有连续一阶导数,而在 T 中具有连续二阶导数,应用矢量分析的高斯定理将曲面积分 化成体积积分.)(⎰⎰⎰⎰⎰⎰⎰⎰⎰⎰⎰∇⋅∇+∆=∇⋅∇=⋅∇∑TTTvdV u vdV u dV v u S d v u ϖ(12-1-1)这叫作第一格林公式。
同理,又有.⎰⎰⎰⎰⎰⎰⎰⎰∇⋅∇+∆=⋅∇∑TTvdV u udV v S d u v ϖ(12-1-2)(12-1-1)与(12-1-2)两式相减,得 亦即.)(⎰⎰⎰⎰⎰∆-∆=⎪⎭⎫ ⎝⎛∂∂-∂∂∑T dV u v v u dS n u v n vu(12-1-3)n ∂∂表示沿边界 ∑ 的外法向求导数。
(12-1-3)叫作第二格林公式。
现在讨论带有一定边界条件的泊松方程的求解问题。
泊松方程是)( ),(T r r f u ∈=∆ϖϖ(12-1-4)第一、第二、第三类边界条件可统一地表为),( M u n u ϕβα=⎥⎦⎤⎢⎣⎡+∂∂∑(12-1-5)其中 ϕ(M )是区域边界 ∑ 上的给定函数。
α=0,β ≠0为第一类边界条件,α ≠0,β=0是第二类边界条件,α、β 都不等于零是第三类边界条件。
泊松方程与第一类边界条件构成的定解问题叫作第一边值问题或狄里希利问题,与第二类边界条件构成的定解问题叫作第二边值问题或诺依曼问题,与第三类边界条件构成的定解问题叫作第三边值问题。
《多粒子物理学》读书报告:格林函数与输运内容提要:1概述;2单粒子性质的格林函数表述;3用格林函数推导迁移率中1-α项1概述 1. 1金属中电子输运特性对于金属*m e τμ-=, μσ0en -=,τ是输运驰豫时间,它的物理意义是处在某动量本征态的电子的平均寿命,即0=t 时一个处于某动量本征态的电子在τ=t 时完全失去了对其原有动量的记忆。
输运驰豫时间包括各种相互作用的贡献主要有杂质散射﹑电子-声子相互作用﹑电子-电子相互作用等等:∑=--ii 11ττ即输运驰豫时间由各种机构中i τ最小的决定。
绝对零度时,纯金属晶体中电子不受散射,具有无穷大电导。
T >0时实际金属的电阻是由电子受到杂质和晶格振动的散射引起的。
在室温时,典型金属的电阻率约为10-8Ω.m ,随着温度降低到室温以下,电阻近似线性地减小(图1,see, p.131 in Ref.[1]),在低温时水平地达到一定值。
低温时的电阻率与试样的纯度密切相关,对于高纯度的退火单晶体,约可以达到室温电阻率的10-4倍。
不纯试样中的附加电阻在整个温度范围内近似地与温度无关。
这个事实叫做马赛厄司定则(Mathiessen rule ,又翻译为马提生定则(1862))。
这个附加电阻是由于杂质引起的电子散射,在低温下它构成电阻的主要部分。
杂质散射电阻与温度无关的事实暗示出可动电子的浓度与温度无关,这与半导体中电子浓度与温度呈指数函数关系大不一样。
声子散射电阻依赖于温度,在高温时可变得很大。
这两部分电阻具有可加性,因此可分别处理。
上述金属中的杂质不含磁性杂质。
磁性杂质的散射将导致低温下电阻值的对数上升,称为近藤(Kondo)效应。
1. 2半导体输运特性半导体中的散射仍可分为电离杂质和晶格振动的散射两大类。
晶格振动的散射又分为声学波和光学波散射两种。
声学波通过两种方式散射电子:引起密度变化从而产生形变势(声学声子形变势散射);在没有反演中心的极性晶体中引起压电极化(压电散射,长声学波明显)。
《多粒子物理学》读书报告:格林函数与输运内容提要:1概述;2单粒子性质的格林函数表述;3用格林函数推导迁移率中1-α项1概述 1. 1金属中电子输运特性对于金属*m e τμ-=, μσ0en -=,τ是输运驰豫时间,它的物理意义是处在某动量本征态的电子的平均寿命,即0=t 时一个处于某动量本征态的电子在τ=t 时完全失去了对其原有动量的记忆。
输运驰豫时间包括各种相互作用的贡献主要有杂质散射﹑电子-声子相互作用﹑电子-电子相互作用等等:∑=--ii 11ττ即输运驰豫时间由各种机构中i τ最小的决定。
绝对零度时,纯金属晶体中电子不受散射,具有无穷大电导。
T >0时实际金属的电阻是由电子受到杂质和晶格振动的散射引起的。
在室温时,典型金属的电阻率约为10-8Ω.m ,随着温度降低到室温以下,电阻近似线性地减小(图1,see, p.131 in Ref.[1]),在低温时水平地达到一定值。
低温时的电阻率与试样的纯度密切相关,对于高纯度的退火单晶体,约可以达到室温电阻率的10-4倍。
不纯试样中的附加电阻在整个温度范围内近似地与温度无关。
这个事实叫做马赛厄司定则(Mathiessen rule ,又翻译为马提生定则(1862))。
这个附加电阻是由于杂质引起的电子散射,在低温下它构成电阻的主要部分。
杂质散射电阻与温度无关的事实暗示出可动电子的浓度与温度无关,这与半导体中电子浓度与温度呈指数函数关系大不一样。
声子散射电阻依赖于温度,在高温时可变得很大。
这两部分电阻具有可加性,因此可分别处理。
上述金属中的杂质不含磁性杂质。
磁性杂质的散射将导致低温下电阻值的对数上升,称为近藤(Kondo)效应。
1. 2半导体输运特性半导体中的散射仍可分为电离杂质和晶格振动的散射两大类。
晶格振动的散射又分为声学波和光学波散射两种。
声学波通过两种方式散射电子:引起密度变化从而产生形变势(声学声子形变势散射);在没有反演中心的极性晶体中引起压电极化(压电散射,长声学波明显)。
光学波也通过两种方式散射电子:二种不等价原子之间的相对移动所引起的形变势(光学波形变势散射);在极性晶体中伴随光学波的极化所产生的微扰势(极性光学波散射)。
后者只有纵光学波(LO 声子)才产生,横光学波不产生。
对于离子性晶体,这时电子与LO 声子形成极化子(详见后文)。
各种散射机制中,电离杂质散射﹑声学声子形变势散射﹑压电散射中驰豫时间与电子能量的关系可统一地写成[2]r E 0ττ=对于不同的散射机构0τ和r 有不同的值。
电离杂质散射r =3/2;声学声子形变势散射r =-1/2;压电散射r =1/2。
光学声子形变势散射形式比较复杂,这里略。
对于极性光学声子散射不能有驰豫时间的定义。
对于不同的散射机构,i τ随温度的变化关系不同。
电离杂质散射I τ~2/3T ;声学声子形变势散射as τ~2/3-T ;压电散射PZ τ~2/1-T 。
光学声子形变势散射形式比较复杂,这里略。
在低温下I τ值最小,所以低温下主要散射机构是电离杂质散射。
典型半导体中各种散射机构下迁移率温度的变化关系如图2(p.135 in Ref.2)所示。
一般地0en -=σμ中电子浓度0n 可通过霍尔效应精确测定,0n σ叫做霍尔迁移率,它与我们常规定义的电导率迁移率相差一个常数因子。
图3(Fig.7.9 in Ref.3)是CdTe 霍尔迁移率的温度依赖关系。
1. 3极性光学波散射长期以来电导问题是用Boltzmann 方程处理的[4]。
1958年Edward 首先将格林函数方法应用于输运问题。
Kadanoff 和Baym 用格林函数方法证明,在金属中只有k F l >>1时Boltzmann 方程才是正确的,这里k F 是费米波矢,l 是平均自由程。
现在格林函数已经用于推导很多不同系统的输运性质,包括Boltzmann 方程不适用的情况。
格林函数方法的优点是,用它可以推导出输运系数的准确表达式,然后在各种条件下作近似计算。
严格的计算必须同时考虑晶格振动和杂质对电子的散射。
单独考虑这两种散射时计算方法非常相近。
下面只考虑晶格振动(LO 声子)的散射,不考虑杂质散射,电子哈密顿为Frohlich 极化子的哈密顿[3])(12/100+-+++++∑+∑+∑=q q p qpq p q qq p pp p a a c c qM a a c c H νωε (7.2.1)2/12/3020)2()(4B m M ωπα =)11()2(02/102εεωα-=∞ B m eBp m p 22=ε 其中0ω为LO 声子的频率。
我们讨论弱耦合(1<<α)的情况,所以极化子尺寸很大,是所谓的大极化子。
1. 4极化子迁移率理论有许多关于极化子迁移率的理论[3],例如 (1)通过求解Boltzmann 方程(BE);(2)通过计算电流-电流关联函数(见后文);><⎰-=)0().(1)(0u u i j j T e d i ττνωπτβωτ式中u 是(x,y,z )之一,当系统各向同性时><>=<)0().(31)0().(j j T j j T u u ττττ所以 ><⎰-=)0().(31)(0j j T e d i i ττνωπτβωτ。
令δωωi i +→则可由电流-电流关联函数得到推迟的电流-电流关联函数。
]})({Im[lim 0ωωπσωret →-=(久保公式)0→ω说明得到的是直流电导。
在久保公式中,为了求直流电导需要先计算交流电导,然后取极限0→ω。
若开始就从直流电场出发则计算要麻烦一些。
久保的上述理论又叫线性响应理论。
(3)通过计算力-力关联函数;><⎰-=)0().(31)(0F F T e d i R i ττωτβωτ令δωωi i +→则可由力-力关联函数得到推迟的力-力关联函数。
]})({Im[lim 10202ωωρωret R n e →-=力-力关联函数的严格推导是由Mahan 给出的。
(4)通过求解量子Boltzmann 方程(QBE)。
QBE 与BE 的差别是:BE 是关于分布函数 ),,(t r v f 的微分方程;而 QBE 是关于Wigner 分布函数 ),,,(t r k f ω的微分方程。
这些理论各自不同,但在弱耦合 (1<<α)和低温(10>>βω)极限下结论是一致的,这些理论都预言0000)1(2lim 0μωατμβωα≡--=-=→→e m em e B B T (7.2.2)00021ωατN =110-=βωe N(7.2.2)对于检验理论是有用的,但在同实验比较方面无能为力,原因是(1)在温度2/10≈βω范围,迁移率的计算只考虑了光学声子散射。
这是一个低温理论,我们需要能在更高温下计算迁移率的理论(2)我们感兴趣的大多数材料的极化子耦合常数都在中间耦合(31≤≤α)的范畴内。
所以我们需要一个在中间耦合下适用的计算迁移率的理论。
在这方面最成功的是费曼路径积分方法。
对于中间耦合和高温的情况,格林函数并不擅长,所以我们下面的计算仍限于低温弱耦合的情况。
我们通常采用的方法是1964年Langreth 和Kadanoff 用过的方法(1)利用格林函数从久保公式出发推导(7.2.2)式。
迁移率可写成幂级数形式++++=-221001ααααμa a a a(7.2.3)得到(7.2.2)即得到上面级数的首项(1-α项);(2)在上面基础上获得量级为0α的所有修正项。
定义0002N m e B ωαμ-=则L-K 结果为)(61120ααμμO +-= (7.2.4)这个结果同用下面方法,即由*me τμ-=,然后将*,m τ分别按α展开:)(120αττO +=,α611*+=B m m )(2αO +得到的结果精确符合。
我们将推导L-K 公式中的第一项(即1-α项)。
2 单粒子性质 (see, Section 7.2 of Ref.[3])我们用格林函数来表述单粒子性质。
因为是在低温单声子情况下,所以用零温格林函数。
首先看电子自能。
自能算符∑是一个非局域的且与能量k E 有关的非厄密算符。
由于∑非厄密,k E 一般为复数,∑实部代表多体效应引起的能级移动,而∑虚部为粒子在该状态寿命的倒数。
电子自能的实部为),()(sin )()],(Re[202/101)1(2/12/30ααεωωεεωαωN O p p p p ++-∑-=- 在零温上式退化为)],,(3121[)],(Re[22)1(0p p p O p ωεεωεωωαω+∑-+-=(7.2.6)根据自能我们可写出有效质量*m 和重整化系数(或重整化因子)Z 的表达式)(211)211()1(211000αααεωO Z p p +-=+=∂∑∂-=--== αααεω611211311)1()(00*-≈++=∂∑∂+===p p B z m m (7.2.7)我们用到的另一个量是寿命τ,电子寿命定义为)]},(Im[2){()(1∑-=p E p p Z p τ (7.2.8)1)1()(-=∂∑∂-=p E pp Z ωε 这里Z(p)是重整化系数。
(7.2.8)式中我们计算的是p E =ω点的自能(虚部),而不是0→ω点的自能(虚部)。
E p 是粒子的基态能量,它可从方程∑+=)],(Re[p p p E p E ε中自恰计算求得。
这个方程近似为∑+=)1()],(Re[ret p p p E p E ε。
作为一级近似,E p 也可由下法得出:将E p 展开为幂级数形式)(242*20p O p mE E p ++= 显然p p E E 00lim →==∑)1(0)],0(Re[ret E 。
根据参考文献[3]第六章算出的一阶电子自能∑--=)1(2/1002/300)()],0(Re[retE E ωεω即2/1002/300)(E E --=ωεω从中展开得到020)(ααωO E +-=所以)(242*20p O p mE p ++-= αω。
由(7.2.8)式我们看到Z(p)与寿命的定义有关。
下面我们看Z(p)的物理意义。
由谱函数的定义∑+∑--∑-=-=2)][Im()],(Re {)],(Im[2)],(Im[2),(ωεωωωp p E p G p A p ret (7.2.9)在∑→0Im 的极限下,谱函数变成一个δ函数(表示能量守恒)和重整化系数的乘积)(2)()]},(Re[{2),(lim 0Im p p p Z p p A εωδπωεωπδω-∑⨯=--=∑→推迟格林函数定义为),(2)(),(ωπωθωp A e i d t t p G ti ret -∞∞-⎰= (7.2.10)根据格林函数的衰减我们可定义弛豫时间。